Способ создания электрического контакта к полупроводнику или диэлектрику
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 19) .ЬЖ21/6 51) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при - контроле технологических процессов в полупроводниковом приборостроении. Целью изобретения является повышение воспроизводимости площади контакта. Сущность изобретения заключается в том, что к слою диоксида кремния толщиной 2 мкм прижимают зонд из плавленого индия, выполненный в виде конуса высотой 2,5 мм, и измеряют емкость. Усилие прижима обеспечивает давление зонда, равное 2 - 4 Н/мм 2. Воспроизводимость площади контакта составляет до 99,9%. проводник, выполненная на основе кремниевой пластины и-типа проводимости(КЭФ - 7,5) со слоем ВО 2 толщиной 2 мкм. На диэлектрике нанесены царапины глубиной до 0,5 мкм с помощью алмазной пасты АСМ - 0,5.После прижатия зонда к диэлектрику в течениетрех минутс давлением Р =3 2 наНмм измерителе полной проводимости Л 2-7 измерена геометрическая емкость полученной МДП-структуры, которая равна 21,3 пФ. С использованием термически напыленных алюминиевых электродов той же площади, что и индиевый зонд, для величины геометрической емкости получают значение 20,7 пФ. Использование изобретения позволяетез,дополнительной операции напыления(71) Воронежский государственный университет им, Ленинского комсомола(56) Авторское свидетельство СССР М 995000, кл. 6 01 й 1/06, 1983,Авторское свидетельство СССР М 476517, кл. 6 01 й 1/06, 1975.(54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КОНТАКТА К ПОЛУПРОВОДНИКУ ИЛИ ДИЭЛ Е КТРИ КУ Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано приконтроле технологических процессов в по-лупроводниковом приборостроении,Целью изобретения является повышение воспроизводимости площади контакта.Сущность изобретения заключается втом, что зонд из сплошного индия прижимают с усилием, обеспечивающим давление,равное 2-4 Н/мм, к поверхности полупро 2водника или диэлектрика и выдерживают неменее трех минут при нормальной температуре.П р и м е р. Изготавливают зонд, представляющий собой медный стержень, к нижнему основанию которого (диаметром 2 мм)наплавлен индий в форме конуса высотой2,5 мм. Исследуемым объектом являетсядвухслойная структура диэлектрик - полу 1711271 А 11711271 определять параметры материала с почти такой же точностью, как и при использовании термически напыленных электродов вне зависимости от рельефа поверхности материала,включающий прижатие с усилием металлического зонда к поверхности полупроводника или диэлектрика и выдержку при нормальной температуре, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения воспроизводимости площади контакта, в качестве материала зонда используют сплошной индий, усилие прижатия зонда выбирают обеспечивающим давление, равное 2-4 Н/мм, а врег 10 мя выдержки выбирают не меньшим 3 мин. Формула изобретения Способ создания электрического контакта к полупроводнику или диэлектрику,15 20 25 30 35 40 45 50 Составитель Е.Панов Редактор И.Шулла . Техред М.Моргентал Корректор О,КравцоваПроизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 Заказ 346 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5
СмотретьЗаявка
4648501, 07.02.1989
ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. ЛЕНИНСКОГО КОМСОМОЛА
БОРМОНТОВ ЕВГЕНИЙ НИКОЛАЕВИЧ, КРЯЧКО ВИКТОР ВАСИЛЬЕВИЧ, СЫНОРОВ ВЛАДИМИР ФЕДОРОВИЧ, ЧИСТОВ ЮРИЙ СЕРГЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: диэлектрику, контакта, полупроводнику, создания, электрического
Опубликовано: 07.02.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1711271-sposob-sozdaniya-ehlektricheskogo-kontakta-k-poluprovodniku-ili-diehlektriku.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания электрического контакта к полупроводнику или диэлектрику</a>
Способ создания высокого гидростатического давления
Номер патента: 1523745
Опубликовано: 23.11.1989
Автор: Мазур-Джуриловский
МПК: F15B 1/00
Метки: высокого, гидростатического, давления, создания
...ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(9) спосоБ создАния высокогоСТАТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ(57) Изобретение м,б, использдля создания высокого гидросткого давления. Цель изобретенвышение быстродействия путемния сжимаемости передающей дасреды (С), В качестве С испол Изобретение относится к и льной технике, в частности кгидросистемам для созданиягидростатического давления,Цель изобретения - повышение быстродействия путем уменьшения сжимаемости передающей давление среды.Использование в качестве среды,передающей давление - двухфазной среды, состоящей из жидкой и твердойФаз, обеспечивает эа счет малого ко"эффициента сжимаемости твердой Фазыповышение жесткости, а следовательно,и быстродействия системы для создания высокого гидростатического...
Зонд для замера профиля поверхности шихты
Номер патента: 624579
Опубликовано: 15.09.1978
Автор: Эдуард
МПК: C21B 7/24
Метки: замера, зонд, поверхности, профиля, шихты
...зонда из печи рукав 4 снова принимает горизонтальное положение при помощи направляющей системы 23, установленной на стенке печи. Это происходит только в конце движения после прохода по всему профилю поверхности загрузки. Вес рукава 4, характеристики его скольжения по поверхности шихты, а также скорость вывода зонда из печи должны быть такими, чтобы при выводе зонда из печи шихта не накапливаДля изоляции зонда от внешней атмосферы служит защитный кожух 24, состоящий из трех частей, скрепленных друг с другом жестко, предпочтительно разъемным болтовым соединением. Защитный кожух 24 скрепляется с фланцем 25 стенки и при необходимости поддерживается посредством опор. На случай демонтажа зонда кожух 24 снабжен на фланце 25 печи заслонкой...
Способ определения изолирующих свойств диэлектрических слоев на полупроводниках
Номер патента: 465584
Опубликовано: 30.03.1975
Авторы: Бузанева, Денисюк, Стриха
МПК: G01N 27/24
Метки: диэлектрических, изолирующих, полупроводниках, свойств, слоев
...определения средней плотности сквозных дефектов.С целью разработки способа количественной оценки параметров то, Йо, 5 для сквозных дефектов диэлектрика, заполненных металлом, которые позволяют провести полную оценку изолирующих слоев на полупроводниках, измеряют минимальное сопротивление контактов Ь, по величине которого определяются значения й 0, Ь, 5.Сопротивление контакта Я, измеряют при приложении к контакту в прямом направлении импульсов напряжения большой амплитуды и малой длительности. Одновременно можно измерять ток утечки контакта металл - полупроводник.По величине Р, значения Р 0, 5 оп яют сопротивление и толщин котором создают диэлект ния значений Кь то, 5 медефектов удаляют, наприролитического вытравлива465584 .;4...
Гидростатический плотномер
Номер патента: 714232
Опубликовано: 05.02.1980
Авторы: Белоус, Ватаманюк, Гордиенко, Мозолевский, Снегур, Тараненко
МПК: G01N 9/26
Метки: гидростатический, плотномер
...м .йПринимая базу прибора Ь=0,5 м, определяем Кпр,5 714Кпр.=15 10 кг/мпри плотности жидкости =1,1 г/см 1 разность хода сильфонов составит 7 мм.Для измерения разности хода сильфоновЬ применяется емкостной датчик5 состоящий из трех цилиндрических обкладок, который может быть представлен как два параллельно включенных конденсатора С и С, образуемых обкладками 10, 8 и 10, 9. Первоначально диэлект рик 6, занимающий половину длины конденсатора С, был неподвижен. При погружении датчика в жидкость диэлектрик выводится из полости емкостногот преобразователя в результате давления гидро- статического столба жидкости на верхний сильфон 2. Для определения емкости конденсатора С может быть использовано выражениео )+где Н - высота пластины:Е -...
Способ получения биметаллическойотливки
Номер патента: 821055
Опубликовано: 15.04.1981
Авторы: Полищук, Трефняк, Фикссен
МПК: B22D 19/00
Метки: биметаллическойотливки
...Ввиду определенной неравномерности намораживаемого слоя по направлению движения рас плава получение толщин менее 5 мм нецелесообразно. Получение толщин, превышающих 15 мм, удлиняет технологический процесс получения биметаллической отливки, и так же перестает быть полезным в соответствии с поставленной целью. На чертеже приведена схема установки для реализации способа.Предлагаемое устройство оснащено двумя магнитодинамическими установками, ванны с расплавом которых соединены желобом.Твердая заготовка 1 расположена в литейной форме 2 с полостью З.для направ 4ки. Полость формы двумя металлопроводами, нагнетающим 4 и противодействующим 5, соединена с каналами 6 и 7 магнитодинамических плавильно-заливочных установок МДН,...
Предыдущий патент: Трехкоординатное устройство для прецизионного перемещения изделий
Следующий патент: Способ определения диффузионной длины электронов в полупроводниках р-типа проводимости
Случайный патент: Стабилизированный источник питания