Полупроводниковый датчик концентрации (давления) паров

Номер патента: 122240

Авторы: Тульчинский, Юрасов

ZIP архив

Текст

Лф 122240 Класс 21 с, 55 в 2 СССР ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ, Д. Юрасо ЛУПРОВОДНИКОВЫИ ДАТЧИК КОНЦЕНТРАЦИо делам изобретений иСССР 99096 Заявлено 7 мая 1958 г. заоткрытий пр мит овете Министров17 за 1959 г. Опубликовано в Бюллетене изо енин При измерении концентрации и давления паров различных газообразных веществ применяют полупроводниковые датчики. Однако известные датчики подобного рода имеют сравнительно низкую чувствительность.В предлагаемом датчике для устранения указанного недостатка применяется в качестве чувствительного элемента пористая полупроводниковая пленка, например двуокись олова, нанесенная на основание из изоляционного материала, например фарфора.На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого датчика.Датчик 1 представляет собой фарфоровую пластинку с нанесенным на ее поверхность полупроводниковым слоем.Для нанесения полупроводниковой пленки на фарфоровое основание пластинка нагревается до температуры 750 - 800 С и обрабатывается спиртовым раствором хлорного олова, который содержит 8 вес. ч. спирта, 10 вес. ч. хлорного олова и 2,5 вес, ч. восстановителя (формалина). Возникающая при гидролизе двуокись олова частично восстанавливается до моноокиси, которая при температуре выше 400, диссоциируется на двуокись и металл. При быстром темпе охлаждения на поверхности фарфоровой пластинки создается пористая полупроводниковая пленка, состоящая в основном из двуокиси олова, в структуре которой присутствуют проводящие примеси.Надежный контакт между пленкой и электродами осуществляется путем создания на пленке тонкого металлического слоя серебра методом вжигания. При этом используется паста следующего состава;8 вес. ч. Ад 2 СОз+ 1 вес. ч. канифоли+4 вес. ч. скипидара.Приготовленный таким образом датчик 1 помещают в сосуд 2, в котором измеряют давление, и подключают к прибору 8, измеряю. щему сопротивление цепи, например, к мегометру,122240 По изменению электропроводности слоя пористой полупроводниковой пленки, зависящей от количества абсорбируемого газообразного вещества, судят о величине его давления,При градуировке датчика в сосуд 2 устанавливают термопаоу 4, подключенную к гальванометру б, и манометр б. Предмет изобретения Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров. СССР Редактор В. арнес одп. к печ. 9.ХЦена 25 ко нформацион бьем 0,17 п. нздательскии отдел.Зак. 832 ираж 1 биография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.Полупроводниковый датчик концентрации (давления) паров, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения его чувствительности, в нем в качестве чувствительного элемента применена пористая пленка, например двуокиси олова, нанесенная на основание из изоляционного материала, например фарфора,

Смотреть

Заявка

599096, 07.05.1958

Тульчинский Б. С, Юрасов В. Д

МПК / Метки

МПК: H01L 23/14

Метки: давления, датчик, концентрации, паров, полупроводниковый

Опубликовано: 01.01.1959

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-122240-poluprovodnikovyjj-datchik-koncentracii-davleniya-parov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый датчик концентрации (давления) паров</a>

Похожие патенты