Номер патента: 131842

Автор: Рывкин

ZIP архив

Текст

Ло 131842 Класс 21 К 291 вСССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная грппа М 97 аявлено 28 декабря 1959 г. за648582/26 в Комитет по делаизобретений и открытий при Совете Министров СССРОпубликовано в Бюллетене изобретений18 за 196Известны фотоэлементы, спектральная характеристика которых определяется свойствами вещества, из которого изготовлен фотоэлемент. Эта характеристика для каждого типа фотоэлементов практически постоянна.В описываемом изобретении, с целью обеспечения возможности регулировки длинноволновой границы спектральной чувствительности, применен фотодиод, обладающий туннельным эффектом. Сущность туннельного эффекта состоит в следующем. Если в диоде образовать электроннодырочный переход, в котором контактирующие электронная и дырочная части изготовлены из вещества с достаточно большой проводимостью из-за большой концентрации примесей, то толщина объемного заряда на границе (толщина запорного слоя) будет столь мала, что электроны будут преодолевать потенциальныйбарьер на границе, проходя сквозь него. Интенсивность переходов сквозь барьер зависит от величины и направления приложенной к диоду разности потенциалов,На чертеже изображен туннельный и - р переход, включенный в запирающем направлении. Если осветить фотодиод светом с энергией квантов Ьуне меньшей, чем энергетическое расстояние между дном зоны проводимости электронного полупроводника и потолком валентной зоны дырочного полупроводника, то при поглощении квантов электронами валентной зоны дырочного полупроводника осуществится их переход в зону проводимости электронного полупроводника.Меняя величину напряжения постоянного смещения 1, прикладываемого к туннельному фотодиоду, можно регулировать энергетический зазор Ьуа следовательно, и длинноволновую границу чувствительности ф отодиода.Сигнал в цепи фотодиода регистрируется с помощью прибора 2, измеряющего изменение величины фототока в этой цепи.131842 Предмет изобретения Техред А. А. Камышиикова Корректор О, П, филиппова Редактор Рубинчик Формат бум. 70 Х 108/и Объем 0,17 и. л. Тираж 1050 Цена 25 коп.; с 1/1-61 г. - 3 коп. ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/б.Поди. к печ. 5,1 ХгЗак. 7582 Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петро ка, 14.Фотодиод, имеющий два слоя контактирующих полупроводников, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью обеспечения возможности регулировки длинноволновой границы спектральной чувствительности, запирающий слой между слоями полупроводников создан настолько малым, что при изменении величины приложенного к фотодиоду напряжения меняется величина фототока, определяемого туннельным эффектом,

Смотреть

Заявка

648582, 28.12.1959

Рывкин С. М

МПК / Метки

МПК: H01L 31/00

Метки: фотодиод

Опубликовано: 01.01.1960

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-131842-fotodiod.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фотодиод</a>

Похожие патенты