Крос

Номер патента: 132664

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Герлих, Дицель, Крос

МПК: H01L 31/0296

Метки: селеновый, фотоэлемент

...селеновый :слой покрыт разделительным слоем 3 из фтористого кальцрый в целях повышения чувствительности фотоэлементатодом катодного распыления или испарсия промежуточныиндия. Над промежуточным слоем 4 расположен прозрачн5, представляющий собой слой нз металла илн полупрматериала. Разделительный слой 3 в данном случаеуменьшения диффузии индия промежуточного слоя 4слой 2.Описаньгвительности в ближа ного повыи основнои слои ется повышенной этими слоями наполупроводника, л материалов осго фотоэл лой 2. Этот ия, на кото нанесен мей слой 4 из ый электрод оводникового служит для в селеновый 1 сить ч спектра ная конструкцгия позволяет ачительно пов ь фотоэлемента не только в видимой области йшей инфракрасной области. едмет изобретения ент,...