H01L 21/447 — с использованием давления, например соединение с помощью теплового сжатия

Номер патента: 47013

Опубликовано: 31.05.1936

Автор: Понтак

МПК: H01L 21/447

Метки: выпрямителей, медно-закисных

...всех типов является рез-.кая зависимость их работоспособностиот температуры, что крайне дурно отражается на работе систем, в которыхприменены такие выпрямители.Предлагаемое изобретение касаетсяспособа изготовления медно-закисныхвыпрямителей, по которому медно-закисные выпрямители, с целью достижениястабильности их параметров, при дальнейшей длительной работе подвергают.ся в процессе изготовления искусственному старению,В качестве элементов батареи меднозакисных выпрямителей, изготовляемыхсогласно предлагаемому способу, применены отрезки медной проволоки, предварительно химически обработанной дляполучения детектирующего слоя. Очищенные с одного конца от указанногодетектирующего слоя куски проволокисоединяются последовательно в...

Номер патента: 129259

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Бедов, Лубашевский, Лукасевич, Маннов, Петров, Смолянский

МПК: H01L 21/447

Метки: диодов, кремниевых, плоскостных, повышения, пробивного

...упрощения технологцц оминий вводят около 10 о золота, из полученного Ольгу толщпной 0,05 - 1 л 1 л 1, зажимают ее меж 1,; и р-типа, помещают заготовку в вакуум и прои:- тиц при температуре порядка 900 - 1200. щения и чаю в ал 1 ют ф ция и е плас Известные способы повышсния пробивного напряжения плоскостных диодОВ ОсноВаны на создании многоступенчатых полупрОВОдцикОВых структур. Эти способы достаточно сложнь 1 по своей технологии и не обеспечивают высокого пробивного напряжения.Предлагаемый способ упрощает технологию изготовления полупроводниковых диодов и позволяет повысить пробивное напряжение их. Это достигается тем, что в диоде применен р - г - г переход, для получен:1 я которого использована диффузия золота в кремний.Способ...