Способ изготовления селеновых фотоэлементов

Номер патента: 124559

Автор: Кучера

ZIP архив

Текст

Класс 21 д, 29 ю124559 ИСАНИЕ ОБРЕТНТУ дписная группа9 а явите льедприятижаныкия) остранное прЧКД Модр (Чехослов ействительный и иностранооретате ер и ОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕЛЕНОВЫХ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ о 8919 т Совете Заявлено 11 Февраля 988 т. з и открытий прв Комитет по делам иинистров СССР бретений Опубликовано в Бюллетене изобретений М за 1959 Известны способы изготовления селеновых фотоэлементов, при помощи которых одновременно с нанесением верхнего электрода получают запирающий слой путем катодного распыления или испарения материала верхнего электрода в разряженной окислительной атмосфере.Недостатки подобных способов состоят в том, что при их использо. вании трудно получить однородныс по своим параметрам фотоэлементы с достаточно высоким внутренним сопротивлением,В описываемом изобретении эти недостатки устранены разделением операций по созданию запирающего слоя и нанесению верхнего электрода, что дает возможность обеспечить подбор оптимального режима прн проведении каждого из этих процессов,Запирающий слой получают двумя способами.Первый - физический - способ состоит в погружении основной пластинки фотоэлемента с нанесенным на нее посредством испарения слоем селена, подвергнутого первому термическому превращению пр температуре 140, в бензол или в смесь ацетона и спирта, в которой количество ацетона составляет 10 - 80%. При этом на активной поверхности образуется слой монокристаллического селена из частиц невыкрнсталлизовавшегося при первом термическом превращении селена.При втором - химическом - способе фотоэлемент, не покрытый отрицательным электродом, погружают в растворы, способныс вступатьМ 124559в реакциО с селевом, подвсречутым первому термическому превращению при температуре 140", например, в спиртовый или водный растворы с железосинеродистым калием концентрации 0,01 - 1",а, под влиянием которых на поверхности селена образуется тонкий слой двуокиси сслена. обогащенный ионами калия.После получения запираощсго слоя фотоэлемент промывают, су 111 ат и на нсго спарснисм в Ва 1 ОАЙС наносят Отрицатслы 1 ыи электрод.Обработанные таким образом фотоэлементы обладают новып 1 снным внутренним сопротивлением и Од 1 юродностьн параметров.Прсдмст изоорстснпяСпособ изготовления селеновых фотоэлементов, о т л н ч а ю щ и ис я тем, что, с целью получения высокого внутреннего сопротивения фо. тоэлсментов и увеличения однородности параметров, запираОций слой фотоэлемента образуется обработкой сслснового слоя, напесенного на основнуо пластину, бензолом, 10 в " -ным спиртовым раствором ацетона, спиртовым или водным раствором жслсзосинеродпстого калия концентрации 0,01 11 о, после чего испарением в вакууме наносится отри. цатсльный электрод.Редактор О. Д, Ус Техред А. А. Камышникова Корректор Б. А, ШнейдерманЗак. 6841 Цена 26 коп Тиранил 10 о 011 одп. к печ. 4 Л 111-60 г. Формат бум. ОХ 1081/а Объем О,1 п. л.Инбрормационно.издатееьский отдел Комитета по делам изобретений и открытий прпСовете Министров СССР, Месква, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Петровка, 14.

Смотреть

Заявка

591976, 11.02.1958

иностранное преднри тие, ЧКД Модржаны, Действительный изобретатель иностранец, Лудвик Кучера

Л. Кучера

МПК / Метки

МПК: H01L 31/0296, H01L 31/18

Метки: селеновых, фотоэлементов

Опубликовано: 01.01.1959

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-124559-sposob-izgotovleniya-selenovykh-fotoehlementov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления селеновых фотоэлементов</a>

Похожие патенты