Букевич

Номер патента: 1345067

Опубликовано: 15.10.1987

Авторы: Букевич, Розенвассер

МПК: G01K 7/14

Метки: линеаризации, преобразователей, сигналов, термоэлектрических

...технике и может быть исполь зовано для повышения точности измерения температуры с применением термо.бэлектрических преобразонателей (термопар),Цель изобретения - повышение точности линеаризации выходной характеристики термоэлектрических преобра.зо- Ователей при одновременном упрощенииустройства.На чертеже приведена блок-схемапредлагаемого устройства.Устройство содержит блок 1 ком- Впенсации термоЭДС свободных концовтермоэлектрического преобразователя,предварительный усилитель 2, квадратор 3, регулируемый делитель 4 напряжения, инвертор 5 и сумматор 6.20Выбор аналогового функциональногопреобразователя с квадратичной функцией преобразования (квадратора)обусловлен характером выходной характеристики многих термоэлектрических...

Номер патента: 1075455

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Букевич, Крутовский, Молчанов

МПК: H05K 13/00

Метки: выводов, демонтажа, радиоэлементов

...дальнейшем перемещении радиодетали она попадает под нагреватель 12 со спиралью 13, где под действием пружины элемента 10 и производится выпайка вывода, который, будучи выдернутым из корпуса, выпада.ет из транспс,ртирукщего ротора б вприемную тару 14 также, как и корпус радиодетали, освобождаемый пос"ле раскрытия зажима 8 кулачком 3.Преимущество устройства состоитв увеличении производительности оборудования за счет механизации трудоемкого ручного демонтажа,Ожидаемый экономический эффект,который может быть получен в результате использования изобретенияобусловлен уменьшением времени на выпайку выводов с 6-7 с (по существующим нормативам на диоды Д 18-Д 20),до 1 с и соответствукщим снижениемтрудоемкости процесса. Тираж 783 Подписное...

Номер патента: 871104

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Букевич, Железняков, Молчанов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, полупроводниковых, приборов

...эффективности,Поставленная цель достигается тем,что по способу отбраковки полупроводниковых приборов, включающему измерение электрических параметров испытуемых приборов и разбраковку по ним при-.боров на годные и дефектные, передизмерением параметров пластину выдерживают в высокочастотном электромагнитном поле.Предлагаемый способ осуществляетсяследующим образом.Полупроводниковые пластины послеформирования на них структур полупро,водниковых приборов или интегральных схем до скрайбирования на кристап лы помещают в высокочастотное электромагнитное поле, создаваемое генератором. За счет воздействия вихревых токов, вазникающих в структуре проводящих элементов, приборов, создается повышенная температура. Кроме того,воздействие...