Шлитерис

Номер патента: 1330468

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Даубарис, Даугела, Рагаускас, Шлитерис

МПК: G01N 29/00

Метки: акустических, волнах, измерительных, импульсной, многомерной, поверхностных, преобразователей, характеристики

...6 и устанавливают много меньше шага дискретного изменения ее координаты на оси Х, а длительность о импульсов света устанавливают по условиюмТак как длительность переходных процессов импульсной характеристики при воздействии испытательным сигналом, приближенным к виду 3(С), для преобразователей имеет тот же порядок, как и время ( . Поэтому необхо,- сд) димо выполнение условия (что позволяет исключить влияние переходных процессов из-за включения и выключения испытательных сигналов (у (х) и(у). Указанным образом формируют испытательный сигнал в первом и втором циклах измерения. Координату освещаемой зоны по оси Х изменяют блоком 7 сканирования луча. После освещения и зон на выходе синхронного детектора 9 регистрируют матрицу - строку ш...

Номер патента: 1296833

Опубликовано: 15.03.1987

Автор: Шлитерис

МПК: G01B 11/24

Метки: металлической, параметров, сетки

...измерительного канала спектрофотометра между источником 2 излучения, поляризатором 3 с одной стороны и монохроматором 4, приемником 5, усилителем 6, самописцем 7 с противоположной стороны, Полоски сетки 1 в направлении, параллельном прямой КН, ориентируют перпендикулярно плоскости 8 поляризации излучения, От источника 2 излучения через поляризатор 3 направляют пучок лучения в заданных пределах, а затем меряют величину пропускания сетки для различных длин волн. Используя измеренные длины волн по формулам а=1,593 Л -1,1571Р=2,6431 д-,1,341 вычисляют параметры сетки,2 ил. 2излучения перпендикулярно к плоскости сетки 1, установленной как показано на фиг, 1 в позиции 1, Пропускаемое сеткой излучение проходит мо нохроматор 4, попадает на...

Номер патента: 1277271

Опубликовано: 15.12.1986

Автор: Шлитерис

МПК: H01S 3/082

Метки: лазер, субмиллиметровый

...с отсеком 11 кюветы 2, и может перемещаться вдоль оси СММ-резонатора с помощью микрометрических винтов или пьезокорректора (не показаны). Зеркало 4, общее для субмиллиметрового и оптического резонаторов, выполнено непрозрачным для излучения, например из меди или золота.Зеркало б не имеет контакта с излучением накачки и выполнено частично прозрачным для СИЛ-излучения, например, в виде двумерной медной решетки. Промежуточное зеркало 5 выполнено в виде двумерной решетки из скрещенных металлических полос с одинаковым периодом в обоих измерениях и обладает одновременно высокой пропускающей способностью для излучения накачки и высокой отражающей способностью плоского зеркала для СММ-излучения, Полоски решетки зеркала 5 в одном измерении...

Номер патента: 847868

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Бугаев, Кудряшова, Шлитерис

МПК: H01S 3/22

Метки: излучением, лазер, лазера, накачкой, субмиллиметровый

...в качестве рабочего вещества газообразной двуокиси серыи перестройке СО -лазера по линиямК ветви полосы 9,6 мкм получено изз 0 лучение на 6 линиях (см. таблицу),длина волны которых не совпадает сизвестными переходами. Изобретение относится к областиквантовой электроники и может бытьиспользовано при разработке субмиллиметровых лазеров.Известны субмиллиметровые (СБМ)лазеры с накачкой излучением СО -ла 2эера, содержащие источник накачкии резонатор, заполненный газообразным рабочим веществом,В известных СБМ лазерах частотаизлучения на каждой из линий перестраивается в пределах узкого интервала, определяемого в основном столкновительным уширением линий в газенизкого давления. Суммарный диапазонперестройки всех известных линийсоставляет...

Номер патента: 1158005

Опубликовано: 15.01.1986

Автор: Шлитерис

МПК: H01S 3/082

Метки: лазер, субмиллиметровый

...варианте ориентированы параллельно штрихам эшелетта 3. Роль герметичной перегородки между газоразрядной трубкой 1 и кюветой 2 вместо плоскопараллельной пластины из ВаГ выполняет перегородка 12 из материала, прозрачногодля излучения накачки, например, из СаАв, расположенная под углам Брюстера к оси СММ резонатора, Зеркало 4, общее для СММ и оптического11580 1 О резонаторов, выполнено из диэлектри-ка, прозрачного для генерируемогоизлучения, например из СаАз, с нанесенным на его поверхность отражающим покрытием для излучения накачки и двумерной периодической металлической решеткой 13. Отражающее покрытие может быть выполнено в видеинтерференционного многослойногопокрытия из М 8 Р и 2 п 8. Периоды 1,и 1 расположения образующих двумерной...

Номер патента: 1063266

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Бугаев, Кудряшова, Шлитерис

МПК: H01S 3/22

Метки: лазер, субмиллиметровый

...является субмиллиметровый лазер с накачкой излучением СО -лазера, содержащий резонатор заполненный газообразной 25 двуокисью серы 2 ., Известный лазер работает на восьми дискретных линиях вблизи 139, 142 159, 182, 208, 258, 312 и 684 мкм. Йедостатком лазера, является узкий частотный диапазон, З 0 занимаемый линиями лазерного излучения. Целью изобретения является расширение частотного диапазона. лазерного излучения. 35Это достигается тем, что в субмнллиметровом лазере с накачкой излучением СО-.лазера, содержащем резона- - тор,заполненный газоабразным рабочим веществом, в качестве рабочеговещества он содержит двуокись серы. с атомным весом изотопа серы36 ат, ед.На чертеже представлена схема реализации изобретения, где изображены...

Номер патента: 1040559

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Бугаев, Шлитерис

МПК: H01S 3/22

Метки: вещество, газового, лазера, рабочее, субмиллиметрового

...11.Недостатком данных веществ явля О ется узкий частотный диапазон лазерного излучения, получаемого при их использовании, отсутствие линий излучения с длинами волн вблизи, например, 167, 194, 209 и 300 мкм. 15Цель изобретения - расширение частотного диапазона генерации СБМ газового лазера и получение новых длин волн лазерного излучения. Поставленная цель достигается примене О ф нием в СБИ газовом лазере в качестверабочего вещества паровдвуокиси серы80 с изотопом серы 8На чертеже представлена схема реализации изобретения,. . 25На схемеизображены газоразрядная трубка 1 СО,-лазера, дифракционная решетка 2, поворотное зеркало 3,фокусирующее зеркало 4, СБМ резонатор 5, заполненный газообразным рабо-ЗОчим веществом, зеркала 6 и 7 СБМ...

Номер патента: 1040560

Опубликовано: 07.09.1983

Авторы: Бугаев, Шлитерис

МПК: H01S 3/22

Метки: вещество, газового, лазера, рабочее, субмиллиметрового

...новых длин волн ла"верного излучения,Поставленная цель достигается 2 Оприменением в СБМ газовом лазере вкачестве рабочего вещества паровтетрагидропирана СН 1 О О.На чертеже представлена схемареализации СБМ газового лазера. 25На .схеме изображены гаэоразряднаятрубка 1 СО 2"лазера, дифракционнаярешетка 2, поворотное зеркало 3, фо"кусирующее зеркало 4, СБМ-резонаторзаполненный газообразным рабочимвеществом, зеркала 6 и 7 СБМ-резоДлина волнйСБМ-излучения, мкм Сигналдетектора,мВ Линия накачки СО- лазера 1 полоса 9,6 мкм ПоляризацияСБМизлучения 6 пп 9 Р 28 871,0 0,03 616,0 9 Р 30 9 Р 32 0,4 979,2 9 Р 34 0,01 772,0в1СН 100 - позволяет расширить частотный диапазон линий лазерного излучения. Использование известного газообразного вещества -...

Номер патента: 897077

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Бугаев, Шлитерис

МПК: H01S 3/22

Метки: активное, вещество, излучением, лазера, накачкой, субмиллиметрового

...- пары этилового спирта-фсМИЛЛ ИМЕТР Ф 1 оъ,НИЕМ С 02-ЛАЗЕРА СзН,ОН, которые обеспечивают полгенерации на двух линиях с длинойвблизи 312 и 396 мкм 4.Недостаток СМБ с известным5 веществом - узкий частотныйлазерного излучения,Цель изобретения - расширениеного диапазона субмиллиметровогоного излучения,10 Цель достигается применением вве активного вещества субмиллиметлазера с накачкой излучением СО,паров дейтерированного этиловогоСНЗСНВОН (10),15 Дейтерированный этиловый спиртняют в качестве растворителя в аческой химии,В случае применения его по предному назначению при перестройке20 СО 2-лазера наблюдается генерациячения с тремя различными длинамзначения которых не совпадают сными (см. табл.).897077 Составитель М. ГрязновТехред А,...

Номер патента: 686114

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Бугаев, Шлитерис

МПК: H01S 3/10

Метки: добротности, лазеров, модуляцией, пассивной, просветляющегося, рабочая, среда, фильтра

...частот, а также упрощение конзо струкцпи лазера, обеспечиваемое возмож686114 ностью осуществления модуляции на интенсивных линиях полосы 9,6 мкм без смены фильтра,Сопутствующей целью изобретения является также увеличение числа газообразныхвеществ, пригодных для исследования методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии в режиме пассивной модуляциидобротности СО-лазера.Эта цель достигается применением щ1,4-диоксана в качестве рабочей среды просветляющего фильтра СО,-лазеров с пассивной модуляцией добротности.На фиг. 1 представлена примернаясхема реализации изобретения; на фиг. 2 - дтипичная зависимость коэффициента усиления СОг-лазера в полосе 9,6 мкм от номера линии,Схема состоит из зеркала 1, дифференционной решетки 2,...

Номер патента: 699990

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Бугаев, Шлитерис

МПК: H01S 3/10

Метки: добротности, лазеров, модуляцией, пассивной, просветляющегося, рабочая, среда, фильтра

...и усиления не меньше 2 - 3 ширин последней. Это резко ограничивает число возможных просветляющихся фильтров для пассивной модуляции добротности СО 2-лазеров,Известно, например, СО-лазеры с пассивной модуляцией добротности, в,которых в качестве рабочей среды просветляющегося фильтра использованы пары треххлористого бора ВС 1, (3). С этим фильтром получена пассивная модуляция линий Р-и К-ветвей полосы 10,б мкм одновременно 131. Недостатком фильтра является, напри- О мер, отсутствие модуляции линий Р-ветвис вращательным квантовым числом менее 16, т. е. отсутствие линючий Р-ветви с частотой более 947,73 смЦелью изобретения является увеличеннеэффективности пассивной модуляции добротности СО-лазеров путем расширения частотного...

Номер патента: 873166

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Рагаускас, Шлитерис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик, электрофизических

...9, 1 д - граничная частота полевого гальваномагниторекомбинационного эффекта.При этом поверхностные электростатические потенциалы и скорость поверхностной рекомбинации на гранях исследуемого образца 2 под полевыми пластинами 3 изменяются по синусоидальному закону противофаэно и обеспечивается линейность функции 1(Ц 4)=сопвс О . Частота о связана с измеряемой величиной эффективного времени живинка носителей тока в образце 2 формулойГзф= 1/2 )Игде То - период. Причем частота Г определяется как частота выходного переменного напряжения исследуемого образца 2, при котором фаза этого напряжения отстает на )Г/4 относи" тельно фазы переменного напряжения с частотой Гс на полевых пластинах 3.Частота выходного напряжения исследуемого образца 2...

Номер патента: 719444

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Бугаев, Кудряшова, Шлитерис

МПК: H01S 3/22

Метки: активное, веществе, излучением, лазера, накачкой, субмиллиметровоголазера

...излучением СО-лазера,вкл чающий источник накачки и резонатор заполненный газообразным активным веществом (2, При заполнении резонатора парами 1,1-дифторэтилена, ви нилцианида и метиламина получена ге нерация на 18 линиях в интервале . длин волн 148-990 мкм. На чертеже представлена схема ре15 лизации изобретения, где изображеныгаэоразряднаятрубка 1 с внутреннимзеркалом СО -лазера, дифракционнаярешетка 2, поворотное зеркало .3, фой кусирующее зеркало 4, субмиллиметрор вый резонатор 5, входнос окошко 6,выходное Окошко 7, излучение 8 нас качки., субмиллиметровое излучение 9 ю- лазера.СБМ лазер работает следующим об 25 разом.Выходное излучение СО-лазера, идщее в нулевом порядке дифракционнойрешет 2, попадает на поворотноезерк 3, а затем...

Номер патента: 789937

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Рагаускас, Шлитерис

МПК: G01R 33/02

Метки: зонд, магнитного, напряженности, поля

...полупроводникового чувствительного элемента, диэпектричес,кой подкладки - держателя, внешнего ме 2таллического немагнитного экрана и токовых эпектродов, соединенных с плоско- .параллельным чувствительным элементом 21.В этом зонде отсутствует возмоткность непосредственной регулировки уровня паразитного сигнапа "нупя, что является причиной отсутствия оптимального рабочего режима и мапой точности изменений.Цель изобретения - повышение точности измерения напряженности магнитного поля.Поставленная цель достигается тем, что в зонд дпя измерения напряженности магнитрого поля, содержащий попупрсеодниксвый плоскопаралпепьный магниточувсз вительный элемент с токовыьнт электродами, диэлектрический держатель и металлический немагнитный...

Номер патента: 743090

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Бугаев, Шлитерис

МПК: H01S 3/10

Метки: добротности, лазеров, модуляцией, пассивной, просветляющего, рабочая, среда, фильтра

...и В ветви полосы 9,6 мкмодновременно 4.Недостатком фильтра является отсутствие модуляции линий Н ветвис вращательным квантовым числом/4 горо роектная менее 16, т. е. отсутствие линий Р ветви с частотой больше 947,73 смФЦель изобретения - увеличение эффективности пассивной модуляции добротности СО лазеров путем расширения частотного диапазона генерации, а также увеличение числа веществ, которые могут быть исследованы методом внутриреэонаторной лазерной спектроскопии при их использовании в качестве просветляющегося фильтра в СО лазере с пассивной модуляО цией добротности.Это достигается применением паров диметилсульфата (СН ) ЯО 4, в качест 3 хве рабочей среды просветляющегося фильтра для СО лазеров с пассивной 15 модуляцией...

Номер патента: 736237

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Бугаев, Шлитерис

МПК: H01S 3/081

Метки: волноводный, газовый, лазер

...лазерных пучков с оцинаковыми параметрами,Для этого, по крайней мере, у одного из торцов волновода симметричноотносительно его оси установлечо рзеркал под углами 90 - О щ,п к осиоволновода, при этом величина угла9 щ,п определяется из соотношения Эщ,п = агс Я 1 п + - 1,. где щ и,22.201 Оатно н волновод, независимо от типаГволны т. е., от индекса Я. Парциальные плоские волны, распространяющиеся н сторону Левого по схеме концанолновсда, излучаются под углами- 8 з 7 о к оси нолнонода, причем максимумы излучения парциальных волнтем ближе к этим направлениям, чемточнее ньполняется условие а М Х,Так как зеркала 3 и 4 установлевны под углами 90 - В щ, о к оси волнонода гергенцикулярно направлениюизлучения парциальных волн с индексами...

Номер патента: 670823

Опубликовано: 30.06.1979

Авторы: Левитас, Рагаускас, Шлитерис

МПК: G01H 11/00

Метки: бесконтактного, вибраций

...рекомбинации, зависимая от величины срз поверхностного 30 электростатического потенциала. ВеличинаТипография, пр. Сапунова,3грз является функцией расстояния д и напряжения Уо, т. е. гр=(М Ео)Работает устройство следующим образом.Электрическое поле между вибрирующей 5поверхностью исследуемого тела 9 и магниточувствитсльным элементом 5 сконцентрировано между вибрирующей поверхностьюи узкой гранью магниточувствитсльногоэлемента 5. Воздействие на магниточувствительный элемент 5 постоянного магнитного поля с индукцией В, силовые линиикоторого параллельны узкой грани магниточувствительного элемента 5, создаваемого постоянным магнитом 1 в зазоре, одновременно с электрическим полем с напряженностью Е приводит к возникновению навыходе...

Номер патента: 597921

Опубликовано: 15.03.1978

Авторы: Левитас, Рагаускас, Шлитерис

МПК: G01B 7/00

Метки: бесконтактный, положения, сигнализатор

...сигнализатор положенияработает следующим образом.При дввкении объекта. 2 относительнообъекта 3 и прохождении магнитной голов45ки 1 с зазором над ПГМР транзисторомна выходепоследнего получается сигнал,диаграмма которого показана на фиг. 2.На полевой электрод ПГМР транзисторачерез коммутатор 10 подается с выхода50источника постоянного напрянения смещениеО э = Эв,0 ПРи скоРости Ч движениЯобъекта 2 сйгнал имеет форму а", прибольшей скорости Ч 2 формунЗ"При постоянной величинеэазора Р между 5объектами 2 и 3 (фиг. 3) максимальное- значение напряжения сигнала на выходеПГМР транзистора зависит только от егомагниточувствительности. При атом ширина импульса нагряжения на выходе поро 60гавого устройства 7 является обратно 15 которого обратно...