Патенты с меткой «полунроводниковых»

Номер патента: 202331

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Маевска, Мартынов, Николаева, Скворцов

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, полунроводниковых, слоев, эпи1аксиального

...сорбируюствора, содержание билизировать. Такоеоляет обеспечить покак легколетучих,так тов исходного испаолезном израсходовараствора. При испараствора изменение обы недо необходим количеств нты. Одно эти сп В первом случае вать очень малы гирующей компо аточно удобны. точно дозироподаваемой ле 3 Й современнои технике широкое распро странение получили методы эпитаксиального ,выращивания слоев полупроводников, состоящие в том, что пары (как правило хлориды) химических соединений т.1 е, 51 или другихэлементов (31 С 1 йеС 1 ЯНС 1 з и др.) восстанавливаются подходящим агентом, например водородом, на нагретой подложке.Для получения заданных электрофизических свойств в эпитаксиальные слои вводят легирующие примеси - атомы элементов 11 и Ч...