Способ измерения термоэлектрических параметров полупроводниковых материалов

Номер патента: 661436

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Ковальков, Медведев, Ошемков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: временных, измеритель, параметров, полупроводниковых, приборов

...нем транзистор12 надежно заперт. Через транзистор13 ток также не протекает, посколькузаперты транзисторы 5 и 7Пусковой импульс запускает формирователь 1 тестового импульса прямо-угольной формы. На фиг. 2,а показанслучай, когда длительность фронта тестового импульса не равна нулю. Придостижении входным напряжением 1)ВХ(1)уровня По ток Д,1 начинает перераспределяться между транзисторами 4 и 5,а несколько позже, когда Пвых(1) сравнивается с Поп 2, начинает йерераспре"деляться между транзисторами б, 7 иток генератора 9 Ю (фиг. 2,в,д). Пе-риоды времени между моментами пересечения входным напряжением Овх (1.)уровня Ццц и выходным Пвых (1) уровняравны измеряемью задержкам включения 1 и выключения 12 испытуемогоприбора 3., Поскольку...

Номер патента: 1356901

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Амальская, Гамарц, Ганичев, Стафеев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, рекомбинационных

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий облучение образца модулированным по интенсивности возбуждающим излучением с длиной волны из области межзонного поглощения исследуемого материала, облучение возбужденной области полупроводника зондирующим излучением с длиной волны из области поглощения свободными носителями заряда, измерение относительного изменения интенсивности прошедшего через образец зондирующего излучения и определение эффективного времени жизни * расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности раздельного определения объемного времени жизни to и скорости поверхностной...

Номер патента: 1835967

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Антонюк, Виноградов, Дьяченко, Ильичев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых

...раствор соляной кислоты или поваренной соли. С целью повышения точности локальных измерений за счет уменьшения размеров области приложения обедняющего постоянного и переменного напряжений в качестве электролита 2 целесообразно использовать вещество, электрол итическая диссоциация в котором наступает при оптическом облучении, например, лейкоцианиды трифенилметановых красителей. Проводящий канал к исследуемому участку образца создается при облучении вещества в ограниченной области, размеры которой определяются размерами сечения возбуждающего луча, временем жизни неравновесных ионов и их подвижностью в исходном веществе,Предлагаемый способ состоит в следующем: к исследуемому участку образца подводят зондирующее излучение миллиметрового,...

Номер патента: 421957

Опубликовано: 30.03.1974

Автор: Тверезовский

МПК: G01R 31/26

Метки: многоканальное, параметров, полупроводниковых, приборов

...на двацикла. Прп первом цикле происходит преобразование контролируемого сигнала в цифро вую форму и запоминание кода. При втором3цикле производится контроль нестабильности контролируемых параметров.При первом цикле напряжение, которое подается на вход аналого-цифрового преобразователя, преобразуется в цифровую форму, и по команде, поступающей от схемы управления, код записывается в МЗУ по адресу, определяемому регистром адреса 2. Каждому контролируемому прибору соответствует свой адрес в МЗУ. После преобразования всех напряжений, пропорциональных контролируемым параметрам диодов, и записи кодов в МЗУ наступает второй цикл работы устройства.При втором цикле измерительные цепи через нормирующий элемент подключаются к измерительному блоку...

Номер патента: 773536

Опубликовано: 23.10.1980

Автор: Хотько

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, параметров, полупроводниковых

...(обозначенцточками) производится измерение прямого падения напряжения. В этот полупериод тиристор Т открыт, в результате создается цепь протекания прямого тока через испытуемый диоц - начало обмотки 3, тиристор Т, диод Д 1,испытуемый диод, резистор В 1, конецобмотки 3. Токи в остальных обмоткахотсутствуют (обратными токами диодов 2 ОД 2, ДЗ, Д 4 пренебрегаем). Прямое падение напряжения измеряется приборомУ . При смене полярности на вторичных обмотках происходит измерение обратного тока, В данном случае, как ив схеме известного устройства, создаются две цепи тока. Первая цепь - этоцепь, создаваемая низковольтной обмоткой 4 через диод Д 2 и резистор В 1,которая устраняет постоянную составляющую подмагничивания сердечника Мтрансформатора от...