Способ измерения термоэлектрических параметров полупроводниковых материалов

Номер патента: 196143

Авторы: Басин, Сабо

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОР СКОФАУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советски Социалистических Республиквидетсльствасимое от авт. Заявлено 02.Х 11,19651040853/26-25)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 16 Л.1967. Бюллетень1Дата опубликования описания 19 Х 1.19 б 7 ь 215, 27/О 21 е, Зб,1 Комитет ло делам забретений и открыт ори Сосете Министра СССРявитель Я ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ОСОБ ИЗМЕРЕ ПОЛУ2 омическо,д.с. и неодов этих При исследовании термоэлектрических свойств полупроводниковых материалов мето. дом Хармана при пропускании постоянного электрического тока через образец электрическое напряжение на потенциальных электро дах образца складывается из омического падения напряжения и термо-э.д,с. за счет эффекта Пельтье. Известен способ измерения этих напряжений, основанный на инерционности тепловых процессов. Однако такой способ измерения не предусматривает непрерывной записи температурной зависимости термоэлектрических параметров.По предложенному способу через образец пропускают периодически прерывающийся ток одного направления, составляющие зондового напряжения разделяются с помощью фильтрующих цепей, после чего из усиленной постоянной составляющей, являющейся суммой двух напряжений, вычитается усиленная переменная составляющая, представляющая собой омическое падение напряжения. Благодаря этому обеспечивается возможность проведения одновременных измерени го падения напряжения и термо прерывной записи температурных величин,1 редмет изобретени Способ измерения термоэлектрических параметров полупроводниковых материалов, использующий инерционность тепловых процессов в образце для разделения омического падения напряжения и термо-э.д,с., отличаюитийся тем, что, с целью одновременного измерения и непрерывной записи температурных ходов омического падения напряжения и термо-э.д.с., через образец пропускают периодически прерывающийся ток одного направления, составляющие зондового напряжения разделяются с помощью электрических фильтрующих цепей, после чего из усиленной постоянной составляющей в разностной схеме вычитается усиленная переменная составляющая,

Смотреть

Заявка

1040853

Ю. Г. Басин, Е. П. Сабо Физико технический институт

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, термоэлектрических

Опубликовано: 01.01.1967

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-196143-sposob-izmereniya-termoehlektricheskikh-parametrov-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения термоэлектрических параметров полупроводниковых материалов</a>

Похожие патенты