Способ эпи1аксиального выращивания слоев полунроводниковых материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
202331 Союз Советских Социалистических Республик1 риорите Комитет по делаю изобретений и открытий лри Совете Миииотров СССРпубликовано 201968. Бюллетень 1ата опубликования описания 15.Ч,1968 Авторыизобретения 1 О. М. Мартынов, Б, М, Маевская, ИВ, В. Николаева и явител СПОСОБ ЭПИ 1 АКСИАЛЬНОГО ВЬРАЩИВАН СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛ Во втором методе изных давлений паров хло мента и галогенидов эле раствор постепенно обог 5 ми и уменьшается коли компонентов, что привод ва парогазовой фазы и сопротивления эпитакси Это явление приводит О руемому процессу и нев раметров приборов, изго сиальных слоях. Для получения слоев параметрами вводят изб 5 регулируемого компонент бента доводят концентр мого уровня. Особенность предлагае чается в том, что в исхо О щий из основного вещест бавок, вводится необход бента, предпочтительно щего те компоненты ра которых требуется ста 5 выполнение способа позв стоянную концентрацию и малолетучих компонен ряемого раствора при п нии значительной части О рении компонентов .изциаль го элегрупп четучиетучих соста- льного а разных пар ридов основно ментов 11 и Ч ащается мало. чество легкол ит к изменению изменению уде альных слоев.к труднокон оспроизводимос товленных на э тролити папитак. с воспроизводимыми ыточное количество а и с помощью сорацию его до требуеаров соединения, й, в камеру восс соответствуюмого способа заклюдный раствор, состоява и легирующих доимое количество сорфизически сорбируюствора, содержание билизировать. Такоеоляет обеспечить покак легколетучих,так тов исходного испаолезном израсходовараствора. При испараствора изменение обы недо необходим количеств нты. Одно эти сп В первом случае вать очень малы гирующей компо аточно удобны. точно дозироподаваемой ле 3 Й современнои технике широкое распро странение получили методы эпитаксиального ,выращивания слоев полупроводников, состоящие в том, что пары (как правило хлориды) химических соединений т.1 е, 51 или другихэлементов (31 С 1 йеС 1 ЯНС 1 з и др.) восстанавливаются подходящим агентом, например водородом, на нагретой подложке.Для получения заданных электрофизических свойств в эпитаксиальные слои вводят легирующие примеси - атомы элементов 11 и Ч групп периодической системы. Эти примеси, как правило, вводятся в паро-газовую смесь в виде галогенидов соответствующих элементов, например, РСз, ВС 1 з, ВВгз и т. д,Общеприняты два основных способа введения примесей.1) Дозированная подача псодержащего атомы примесестановления из источникащим чистым соединением.2) Совместная подача паров хлорида, германия или кремния и галогенида примеси из раствора, содержащего хлорид бе или Я игелогенид. И. Курляндская, Г. Ф. Лымар М. СкворцовЗаказ 1001/1 Тираж 530 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 3концейтрации предпочтительно сорбируемыхкомпонентов достигается за счет десорбцииих в раствор. Предмет изобретения1. Способ эпитаксиального выращивания слоев полупроводниковых материалов, заключающийся в восстановлении галогенидов полупроводникового материала и легирующей примеси при совместной подаче их паров на подложку, отличающийся тем, что, с целью 4поддержания постоянной концентрации Как легколетучих, так и труднолетучих компонентов исходного раствора, в него вводят сорбент, предпочтительно физически сорбирую щий регулируемые компоненты раствора.2. Способ то п. 1, отличающийся тем, что, сцелью получения слоев с воспроизводимыми параметрами, вводят избыточное количество регулируемого компонента и доводят его кон центрацию до требуемого уровня добавлениемсорбента.
СмотретьЗаявка
1014130
Ю. М. Мартынов, Б. М. МаевскаИ. И. Курл ндска Г. Ф. Лымарь, В. В. Николаева, И. М. Скворцов
МПК / Метки
МПК: H01L 21/20
Метки: выращивания, полунроводниковых, слоев, эпи1аксиального
Опубликовано: 01.01.1967
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-202331-sposob-ehpi1aksialnogo-vyrashhivaniya-sloev-polunrovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ эпи1аксиального выращивания слоев полунроводниковых материалов</a>
Способ очистки раствора сернойкислоты ot органических примесей
Номер патента: 827599
Опубликовано: 07.05.1981
Авторы: Денисенко, Кулакова, Нестеров
МПК: C01B 17/90, C25B 1/00, C25B 1/22
Метки: органических, примесей, раствора, сернойкислоты
...кислота - 6,9, метанол - 0,14, акрилонитрил - 0,03, метилакрнлат - 0,06, диметилэфир 0,006, вода - остальное.Раствор 2, соответствующий отработан ной серной кислоте производства катионнта КУКемеровского завода Карбонит, имел состав, вес. /о - НЯО 4 - 86,00, ароматические углеводороды - 0,80, дихлорэтан - 0,20, вода - остальное.При осуществлении способа в пробу раствора добавляли 0.1 - 0,25 вес. ",о сульфата железа, заливали в электролитичс. скую ячейку, имеющую анод из графита и катод из стали, присоединенные к псточниКолиествосульфатажелеза,вес. % Раствор 1 Рдст. вор 2 97,6 98,8 92,6 93 98,5 99,0 О,0,250,10250,10,25 97,0 98,5 93,8 95,3 98,0 99,0 50 50 507 50,7 100 100 180 180 30 30 30 180 Состаьитель О. РомашинТехред И. Заболотнова...
Способ очистки растворов антибиотиков неомициновой группы и пенициллина от пигментных примесей
Номер патента: 537112
Опубликовано: 30.11.1976
Авторы: Жуковская, Клюева, Смирнова, Стефанович, Торгованова
МПК: C12N 9/00
Метки: антибиотиков, группы, неомициновой, пенициллина, пигментных, примесей, растворов
...Е. Петрова Корректор И. ПозняковскИзд.1808Государственногопо делам изоб13035, Москва, ЖТираж 575омитета Совета Министров СССРетений и открытий5, Раушская наб., д. 4/5 аказ 2540/15ЦНИИ писно Типограф апунова, 2 Жир кашалотовыйКалий фосфорнокислый однозамещенный 0,5Кукурузный экстракт 2,25 - 2,5 Магний сернокислый 0,05 Мел 1,5 Натрий серноватистокислый(гипосульфит) 0,3Натр едкий 0,4 Натрий уксуснокислый 1,25 Фенилуксусная кислота 1,0 Вода ОстальноеКультуральную жидкость .подвергали обработке хлористым кальцием, фосфорнокислым натрием, а затем фильтровали.20Полученный нативный раствор обрабатывали с целью коагуляции белковых примесей цетазолом, сернокислым аммонием и нитратом натрия с последующим отделением скоагулированного осадка....
Способ сушки растворов и суспензий в кипящем слое
Номер патента: 1325268
Опубликовано: 23.07.1987
Авторы: Васкин, Востоков, Казанский, Селиверстова, Цетович, Чегодаев
Метки: кипящем, растворов, слое, суспензий, сушки
...вся распыливаемая пульпа осаждается и высыхает на поверхности гранул продукта, что приводит к их интенсивному росту. При отсутствии регулирования наблюдается процесс нормального роста гранул, который продолжается до возникновения агломератов, что приводит к необходимости остановки процесса гранулирования и чистке аппарата 1 фиг,2 а).При наличии регулирующей схемы. зарегистрированное изменение гранулометрического состава продукта преобразуется в соответствующее изменение положения распыливающего устройства, При этом новое положение распыливающего устройства таково, что нивелирует зарегистрированное отклонение фракционного состава продукта от заданного, Регулирование гранулометрического состава продукта осуществляется за счет...
Способ защиты растворов от испарения
Номер патента: 500807
Опубликовано: 30.01.1976
Авторы: Богатов, Гольдштейн, Девяткина, Липкин
МПК: B01F 1/18
Метки: защиты, испарения, растворов
...о етилсилокт при 85 С ержки тер ы в пара бнаружено мет пзо 6 рете н и я испаренияраствора кой жидс целью оты, в какости исжидкость,15 0 ся темксановой Изобретение относится к способу заШиты растворов от испарения с помощью кремнийорганических жидкостей.Известен способ защиты растворов от испарения путем нанесения на поверхность раствора кремнийорганической жидкости состава С 1 вНз 71 НзОднако данное соединение нельзя применять для защиты от испарения растворов соляной кислоты.С целью защиты от испарения соляной кислоты в качестве кремнийорганической жидкости используют полиметил сил окса новую жидкость (ПМС), нанесенную на поверхность раствора. Толщина слоя полиметилсилоксановой жидкости при этом 10 - 15 мм.ПМС, нанесенная на поверхность...
Способ очистки растворов гликолей
Номер патента: 1685910
Опубликовано: 23.10.1991
Авторы: Букреева, Вронский, Небыков, Селифанов, Эйгенсон
МПК: C07C 29/76, C07C 31/20
...очистки растворов гликолей отзагрязнений определяют по формуле где В- степень очистки раствора, ;Х - массовая доля содержания мехпримесей или смол после очистки, мас.фХ, - массовая доля содержания мехпримесей или смол до очистки, мас, .Результаты очистки даны в табл. 1, П р и м е р 2 (по прототипу). Очистку моноэтиленгликоля проводят по примеру 1. Раствор моноэтиленгликоля концентрации 99 мас. пропускают последовательно через тканевый фильтр и адсорбер.П р и м е р 3, Очистку раствора моноэтиленгликоля проводят на лабораторной установке, состоящей из песчаного фильтра и адсорбера, заполненного активированным углем, Раствор фосфорнокислого натрия однозамещенного вводят в раствор моноэтиленгликоля концентрации 50 масВ в количестве 0,05...
Предыдущий патент: Устройство для заливки защитной композицией
Следующий патент: Электрохимический триод с переменным коэффициентом усиления
Случайный патент: Двунаправленный усилитель