Икьков

Номер патента: 197762

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Брунштейн, Веселова, Данько, Зайцев, Икьков, Локтаев, Сакосич, Свиридов, Тихонов

МПК: H01L 29/74, H02M 5/22

Метки: полупроводниковое

...схема устройства для управления током одного направления.Она содержит положительный полюс 1 источника тока, нагрузку 2, контакт 3 к структуре; четырехслойную 4 и двухслойную 5 структуры; отрицательный полюс б источника тока; контакт 7 к двухслойной структуре; контакт 8 к четырехслойной структуре; источник 9 э. д. с.; управляющий электрод 10.Положительный полюс 1 источника постоянного тока через нагрузку 2 подастся на контакт 8 сложной полупроводниковой структуры, включающей четырехслойнуто 4 и двухслойную 5 структуры. Внепний о-слой структуры 4 н и-слой струк уры 5 соединены контактом, г внешний л-слой структуры 4 и р-слой структуры 5 подводятся к минусовому полюсу б источника тока. Между контакгами 7 и 8, например, путем...