Полупроводниковое устройство

Номер патента: 1542304

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Воробьев, Грищенко, Фаддеев, Феофилов

МПК: G21G 4/00

Метки: активного, источников, поверхностных, радионуклидных, слоя

Установка для изготовления активного слоя радионуклидных поверхностных источников, содержащая емкость для размещения контейнера с радионуклидом и подложек, устройство для нанесения защитного покрытия и нагревательный элемент, отличающаяся тем, что, с целью повышения радиационной безопасности процесса изготовления и качества готовой продукции за счет исключения контакта заготовок источника с воздушной средой, емкость для размещения контейнера с радионуклидом и подложек установлена в устройстве для нанесения защитного покрытия, которое снабжено механизмом запирания с крышкой для емкости, имеющей со стороны указанной емкости устройство вскрытия контейнера с радионуклидом.

Номер патента: 854737

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Петров, Романова

МПК: B29G 7/02

Метки: армированного, заполнителем, пластика, слое, среднем, структуры, трехслойной, ячеистым

...и опрессовку выполняютпод воздействием пульсирующего давления,Пропитку стеклоткани осуществляютизбытком связующего, суммарное значение которого составляет 30-40 отвеса стеклотрикотажа.Опрессовку выполняют под воздейст.вием пульсирующего давления с частотой 3-5 циклов/мин.Опрессовку и отверждение пластикаосуществляют под вакуумом.Отверждение пластика осуществляютпод давлением, значение которогоустанавливают таким, чтобы деформация заполнителя среднего слоя потолщине не превышала 9-10 Ъ.П р и м е р, Изготовление обшивкиаэродинамического руля из армированного пластика трехслойной структурыс ячеистым заполнителем в среднемслое, армированном одним слоем стеклотрикотажа марки Л 0-1,2, и наружнымислоями, армированными одним...

Номер патента: 1020788

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора

...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...

Номер патента: 1064247

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Абросимов, Лукичева, Мартяшин, Светлов, Соловьев, Цыпин

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, зарядов, неосновных, носителей, полупроводниках

...точностью контролявремени жизни н.нз., что обусловлено необходимостью визуального апре"деления изменения амплитуды тестового,импульса при различных значенияхвремени задержки,Кель изобретения - повышение точ 50ности контроля,Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство контроля времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводниках, содержащеегенератор импульсов, резистор и клеммы для подключения исследуемой структуры, дополнительно введены блокформирования инжектирующих импуль-сов, блок формирования опорного напряжения,второй резистор, конденсатор, масштабирующий преобразователь,операционный усилитель, два блокавыборки и хранения и блок сравнения,при этом первый выход генератора 65 импульсов соединен с входом блока...

Номер патента: 1739358

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Блатов, Васильев, Красовский, Филиппов

МПК: G03C 1/74

Метки: влагосодержащих, вспомогательных, движущуюся, подложку, полива, пропусков, растворов, слоев, фоточувствительных, эмульсий

...эмульсий и растворов для вспомогательных слоев на движущуюся подложкуработает следующим образом. 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Переменное электрическое поле, создаваемое блоком 1 поляризации, через активный электрод 2 наводит ЭДС в пассивном электроде 4, которая затем усиливается усилителем 6, сигнал с которого подается на блок 7 сравнения двух сигналов, вторым из которых является сигнал с источника 8 опорного напряжения. Подложка с политым влагосодержащим слоем ослабляет ЗДС, наводимую в пассивном электроде 4 тем сильнее, чем больше влажность слоя, Сигнал с источника 8 опорного напряжения соответствует по величине сигналу с усилителя 6 при нормально политой подложке.Таким образом, на выходе блока 7 сравнения двух сигналов при...