Способ определения коэффициента инжекции

САниЕ РЕТЕНИЯ О й Союз Советскик Социапиетичееких Республик(11) 494958 К АВТОРСКОЯУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Вт. СИНД В 0274 (21) 1992739 1) М. Кл. Я 01 й 31/2 мрспюИ неон Ьви Нюил ИЮ Ы 33 ЛВ НЗИЮО 3Н 6 В(НПВ) УЛК 621,382(08 3,78,БЯдлвтйпь М 9 В описаний 0702,78 Дери АВТОДН Б. А, Бродовой, Г. П, Пека, НВЗОбрвтЕНВЯ и Л, 3. Иирец на Ленина государственный университет им, Т. Г. ШевченкоЗВВВител евск(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ИНДЕЕК Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может найти применение в криогенной микроэлектронике,Инжекционная способность контактов и р - и -переходов определяет работу большинства полупроводниковых приборов. Кроме того, инжекция с контактов может привести к существенным искажениям при измерении параметров по" лупроводников электрическюяи и фотоэлектрическими методами, особенно при проведении измерений в сильных электрических полях. Поэтому задача определения коэффициента инжекции 1 контактов является актуальной.Известен способ определенияконтакта или Р и -перехода в триодных структурах путем измерения коллектор- ного и эмиттерного токов. Для определения 4" этик способом требуется изготовление триодной структуры с длиной базы ,д , значительно меньшей длины диффузионного смещения инжектируемых носителей Ь"Недостатки этого способа следующие: способ применим только для кристаллов с большими Ь( ( 110 см)для определенИятребуется независимое определение трудноизмеряемого параметра - коэффицаеита.переноса 1 способ непригоден для определения 3 в готовом полупроводниковом устройстве для его реализации необходимо изготовлять триодные структуры.Цель изобретения - повышение точности, ускорение процесса контроля контактов, возможность измеренияй готовых полупроводниковых устройствах и материалах с малой длиной диффузионного смещения носителей (дПредложенный способ основан на эффекте гашения, темнового тока инжекции излучением из области примесного поглощения, Способ может быть применен при исследовании фоточувствительных кристаллов, в которых наблюдается оптическое гашение собственной,фотопро" водимостй, например, Сд Ь, Сц Яе, ба Аз СС о ) 6 о Аь(С),йв и Ь 1с глубокими примесными центрами и др Способ позволя. ет определить долю инжекционного тока в общем токе через кристалл.Предложенный способ измерения коэффициента инжекции состоит в следующеМ, После нанесения контактов снимают темновую вольт-амперную характеристику (ВАХ) . Кристалл возбуждают, светом из области собственного спектрального состава и при напряжении - из области линейности темновой БАХ измеряют фо"494958 формула изобретения Составитель В. УтехинаТехред Н.Андрейчук Корректор А. Кравченко Редактор Т, Орловская Заказ 937/7 Тираж 1111 Подпис ноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП фПатент, г, Ужгород, Ул. Проектная 4 тоток. Затем подают на кристалл светиз области примесиого поглощения синтенсивностью, обеспечивающей полноегашение собственного тока, равного исследуемому току.5Выключают, собственное возбуждениеи определяют величину. погашенного темнового тока 43 в области нелинейности ВАХ примесной подсветкой выбраннойинтенсивности, По отношению Ь ) к общему темновому току Э определяют ковФФициент иижекцииф)ф а а 3 /3Способ опробован на высокоомныхкристаллах 6 А компенсированных ИСц и С) , с индиевыми контактамипри температуре 77 ОК,Пример определения )" в баИ 1 си)Параметры материала", монокрнсталлп-типа, , темновое удельное сопро- щтивление при 300 К "10 ом см подвижность эгектронов,б 1000 см /в сек 121 д м 10 см, Темновая ВАХ исследуемогокристалла при 77 К линейна до Ч 500 В,К образцу прикладывают напряжениеЧ800 В, при этом темноной токЭф 3,510 А, Включают собственноевозбуждение Ъ с 3 1,5 эВ. При этом( Фототок3 Р3,5 10 А при Ч100 В. Дают подсветку с Ьъи = 0,85 эВ, соответствующую максимуму оптического гашения ба Аз 1 Сц) .Изменяя ее интенсивность, достигают полного гашения собственного Фототока, При той же интенсивности подсветки измеряют величину Ь Э погашенного темнового тока ( д 3 = 3,8510 бА), ОтсюдаАЭ7=Э=о,Способ определения коэФФицнента инжекцнн контакта или р - и -перехода полупроводниковой структуры путем пропускания,электрического тока, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности измерения, на полупроводниковую структуру подают свет из области собственного спектрального состава, затем из области примесного поглощения, соответствующей максимуму оптического гашения собственного Фото- тока, последовательно замеряют полное оптическое гашение фототока, гашение инжекцнонного тока и по их отношению определяют коэФФициент инжекции.