Способ обработки ионных кристаллов

Номер патента: 557699

Авторы: Арефьев, Воробьев

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскик Сециалистическик Республик(51) М. Кл.Н 01 1. 21/26 (Р 21 0 1/06 ГРЩРРетееРРЯВ РеаететВРРЕТР МРРРРТРРР ВАЛОРРе Рееею РеееЕРТРРР 1Р етеемтРВ(72) Авторы изобретения А.А, Воробьев, К.П. Ари в.п. Научно-исследовательский институт ядерной физики,электроники и автоматики при Томском ордена ОктябрьскойРеволюции и ордена Трудового Красного Знамениполитехническом институте им. С.М, Кирова(54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ Изобретение относится к областиядерного приборостроения,Известны способы повышения радиационной стойкости кристаллическихтел путеМ введения в кристалл дополнительных элементов 1, а такжепутем облучения тела электронамиили другими ионизирующими частицами и одновременного нагревания тела(2). Эти способы применимы для обработки полупроводниковых материалов.Известен способ обработки ионныхкристаллов путем облучения потокомпозитронов, в результате которогопроводится позиционный отжиг дефектов 33Этот способ не использовался дляповышения радиационной стойкостиионных кристаллов в полях, содержащихнейтронную компоненту.Цель изобретения - повышение стойкости ионных кристаллов к нейтронному облучению.Цеть достигается тем, что накристалл наносят покрытие из материала, взаимодействующего с нейтронамис образованием радиоактивного изотопайсточника позитронов, например измеди. Толщина медного покрытия составляет от 100 до 200 мкм,Способ реализуют следующим образом.До помещения ионного кристалла вридационное поле, содержащее нейтрон 5 ную компоненту, на его поверхностьнаносится медное покрытие. Медноепокрытие можно осуществить наложениемили наклеиванием медной фольги толщидной 100-200 мкм,10 В результате активации образцав поле излучения, содержащего нейтронную компоненту, медное покрытиестановится позитронным источником,содержащим изотоп Сц с периодом16 полураспада 12,88 ч. В процессе воздействия изотопа Сн "на ионный кристалл происходит позитронный отжиг дефектов,что приводит к повышению общейрадиационной устойчивости образца.Ю Толщина медного покрытия выбираласьиз следующих соображений: в случаетолстых покрытий наружные слои медного покрытия экранируют внутренние,а в случае очень тонких медных26 пластинок (меньше 100 мкм) оказывается весьма незначительным активированный слой. Поэтому наиболее оптимальная толщина медного покрытия состав 30. ляет 100-200 мкм исходя из рассчитанФных величин среднего пробега позитро

Смотреть

Заявка

2313734, 12.01.1976

НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЯДЕРНОЙ ФИЗИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ ПРИ ТОМСКОМ ПОЛИТЕХНИЧЕСКОМ ИНСТИТУТЕ ИМ. С. М. КИРОВА

ВОРОБЬЕВ А. А, АРЕФЬЕВ К. П, ВОРОБЬЕВ С. А, АРЕФЬЕВ В. П

МПК / Метки

МПК: H01L 21/26

Метки: ионных, кристаллов

Опубликовано: 05.03.1978

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-557699-sposob-obrabotki-ionnykh-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обработки ионных кристаллов</a>

Похожие патенты