Симметричный тиристор

ОП ИСАНИЕЙЗОВРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВ ТВЛЬСТВУ Сефз СаевтепмхФееи Йпнвреспублик(11) 326917 ид ву1423363 б 1) М. 1 Ь 2 с присоединением заявки ЭЬ(23) ПриоритетееудерстееемЯ кематетСееета Меаеатрее СССРее делам маебретееЯя еткрмтеЯ) Опубликовано 05.02.78. Бтоллетеиь ЭЬб) Дата опубликования описания 23.01. 77 53) УДК 621.382, .333 (088.8)(71) Заявите 54) СИММЕТРИЧННЙ П 4 РИСТОР ристорах соответственно и металлические электроды 3 и 4. Эта конструкция отличается от известных тем, что на верхней плоскости струк.туры дополнительно созданы области 1 и 2, проекция которых на нижнюю плоскость структуры попадает в область с одноименной проводимостью, а электроды 3 и 4 самовозбужда.ющегося управления имеют металлические кон.такты к области п- и р-типов проводимости, т. е; полуомические.Ю.Устройство. работает следующим образом.Когда:структуре прикладывается напря.жение так, что минус оказывается на верхнем электроде, а сплюс - на,нижнем, в цепь управления подается положительное смещение, в проводящее состояние включается левая половина структуры. В данном случае пятислой.ная структура действует так же, как обычный тирнстор с самовоздуждающимся управляющим электродом. 20 Когдменяет снизу), отрицат де упра первона э 1 го элек электродаху, сминус появляется на электро.образуется равляюще(61) Дополивтельиое к а (И) Заявлено 20.03.7 О Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов.Решается задача создания симметричного (двухпроводящего) тиристора, способного выдерживать повышенные скорости нарастания анодного тока при трехэлектродном включении прибора.Известны симметричные тиристоры с током управления любой нолярностивыполненные на основе пятислойной структуры, например и -р в п в р в и-типа; Однако, длятаких приборов крити еская скорость нарастания анод- ного тока й/О 1 ограничивается величиной лучшем случае порядка 30 А/мкс. Этот пара метр накладывает значительные ограничения на схемные применения приборов.Предлагаемый симметричный тиристор допускает критическое . значение Й/Й до 000 А/мкс благодаря тому, что пятислойиая структура управляется с полощью самовозбуждающегося (регенеративного) управляющего электрода по току или напряжению как для прямой, так и для обратной ветви.На фиг.и 2 изображен один из возможных вариантов предложенной пятислойной структуры,Симметричный тиристор содержит дополнительные областии 2 в правом и левом тиа напряжение на силовых полярность (плюс свер а, а управляющей цепи вльное смещение (минус аления), проводящий канал чально непосредственно у у32697формула изобретения Фиа. Составитель О. Федехред О, Луговаяираж Ьгч ииа Корректор А, Грицеик Подписное Редактор Б. федотов Закаэ 6 Я/52 ЦНИИПИ Госу арственного комделам нэобрет Москва, Ж-ЗЬ, П еПатентэ, г. Министров СССВрытнйбд. 4/ЬПроектная, 4 итета Совета енна н отк збз ушска нлнал П жгород, ул При протекании нодного тока поперек эмит тера (как показано на фиг. ) на этом участ. ке возникает падение напряжения. Отрицательный его потенциал передается на область 1. Инжекция электронов из этой области вызыва. ет включенное состояние вблизи данного уча. стка, Таким образом, в предложенной конструк цнн пятислойной структуры в обратном направ. ленни вольтамперной характеристикой управляет самовозбуждающийся иижектирующий уп. равляющий электрод через проме)куточный слой.В равной мере предложенный принцип кон. струирования может быть применен к четырехслойным структурам с ийжектирующим управляющйм Электродом в верхнем илн нижнем эмиттере.Схемное применение предложенного симмет ричиого тирнстора значительно упрощает требования к блокам управления, так как в данном случае для спрямления вольтамперной характеристнки необходимо сформировать сигнал минимальной мощности и любой формы. Симметричный тиристор на основе трехэлектродной многослойной структуры, например, п - р -и-р - п.типа с разнополярным управлением, со свободными от металлического покрытия частями эмиттерных областей и с самовозбуждающимся управляющим электро.дом, отличающийся тем, что, с целью повыае.ния допустимой скорости нарастания анодного тока в переходном процессе включения тиристора, в верхнем слое структуры вокруг управ.1 а ляющего электрода созданы электрически свя.заиные с этим слоей области противоположного типа проводимости, проекции которых яа нижнюю плоскость структуры попадают в об.ласть с одноименным типом проводимости.