G11C — Запоминающие устройства статического типа

Номер патента: 1327184

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Дробноход, Косинов, Кузьменко, Лисица

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...в обратном зеве ка стороне, противоположной свободному концу проводника, становится большей, а на стороне свободного конца проводника .становится меньшей. Это приводит к тому, что глубина Формовки проводника по всей его длине становится равномерной,Сохранение угла наклона плоскостей технологических струн в обратном зеве равным углу наклона плоскостейтехнологических струн при прямом зеве обеспечивает одинаковые условияформовки проводника при плетении последующих витков адресных обмоток припрокладке проводника как слева направо, так и справа налево со сторонывершины угла, образованного плоскостями технологических струн. Сформированные проводники перемещают к адресным обмоткам, заливают компаундоми извлекают технологические...

Номер патента: 1327185

Опубликовано: 30.07.1987

Автор: Смолянский

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...не начали заряжаться, Такое ограничение может быть достигнутокак ограничением тока обратного рассасывания, так и ограничением длительности импульса 23, Так как после окон.чания. действия импульса 23 емкости16, 17 не заряжены, очередной импульс22 в соответствии с формулой (1) включает р-и-р-и-структуру 1-4 и состояние н 1 н сохраняется,В состоянии "0" импульс 22 не включает р-и-р-п-структуру ввиду того,что амплитуда напряжения включениябольше амплитуды импульса 22, Например если амплитуда импульса 22 ран=на 2 В, а амплитуда импульса 23 равнаЗВ, то в соответствии с (1), пренебрегая некоторым разрядом 16, 17 вслед.стние утечек (см. фиг,5) импульсноенапряжение включения близко к ЗВ иимпульс 22 не включает р-и-р-и-структуру, Импульс 23,...

Номер патента: 1327186

Опубликовано: 30.07.1987

Автор: Смолянский

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...прекращается и ячейка переводится в режим ожидания. В случае, если шина 31 подсоединена к источнику с нулевым потенциалом. уровень помехоустойчивости по входу 38 це превышает величины порядка 0,5 В. Таковы же уровни помехоустойчивости по входам "1" каждого тиристора в устройстве. Для повышения помехоустойчивости потенциал шины 31 может быть выбран положительным. Однако при подаче импульса на вход 38 емкости эмиттерцого и коллекторцого р-и-переходов основной структуры (р-и-р-п) разРяжаются не до нуля, как ранее, а до некоторого потенциала положительной полярности.Введение областей б, соединенных через резисторы с шиной 32 положительного потенциала, позволяет после к пульсов включающих р-и-р-п-структуру (4, 10, 11, 12), или после...

Номер патента: 1327187

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Зуб, Прокофьев, Сирота

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...40 сумму максимального уровня напряжения логического "0" в узле 11 и порогового напряжения транзистора 2, но бьггь меньше суммы минимального уровня напряжения логической 1 в 45 узле 11 и порогового напряжения транзистора 2, т.е. низкий уровень напряжения на шине 10 должен быть таким, чтобы транзистор 2 был закрытым при хранении в ячейке напряжения логической " 1" и был открытым при хранении логического О, Хранение напряжения логической 1 в узле 12 обеспечивается компенсирующим резистором 4, через который происходит подразряд от источника питания для компенсации токов утечки. Транзистор 1 при этом открыт, Узел 11 подключен через него к источнику питания, что обеспечивает в этом узле напряжение логической "1". При хранении напряжения...

Номер патента: 1327188

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Беккер, Левшин, Фролкова, Фролов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, устройства

...неизменными. Далее образуют изоляцию из окисла Б.0 для активных элементов методом локальной анодной обработки в темноте в электропите с концентрацией плавиковой кислоты 257 и плотностью анодного тока 5 мА/см . Затем полу 2ченные пористые слои термически обрабатываются в атмосфере влажного кислорода при 1273 К в течение 240 мин. После образования изоляции из окислов БО вновь защищают подложку пленкой нитрида кремния, вскрываютфокна вокруг защищенных р -слоев и затем проводят локальную анодную обработку на свету и-слоя в электролите с концентрацией плавиковой кислоты 507. при плотности анодного тока 300 мА/см и при интенсивности освещения 60 мВт/см с образованием пористых объемов толщиной 16 мкм. Диаметр пор на поверхности пористых...

Номер патента: 1328846

Опубликовано: 07.08.1987

Авторы: Воротинцев, Гиль, Нестерук, Овчаренко

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...шину аннигиляторов 11 ЦМД подаются импульсы тока, уничтожающие (1-1) разрядов блока в каждом -м регистре ввода (1=0,К). При поступлении разряда а, в позицию 16 -1)-го дополнительного тока 5 регистра ввода импульсы тока в токопроводящую шину аннигилятора не подаются и осуществляется параллельный ввод блока информации из основного 4 и дополнительных 5 регистров ввода в регистры хранения информации. При считывании блок информации, продвигаясь по регистрам 3 хранения информации, достигает позиции 17 основных переключателей-репликаторов 8 и переводится импульсом тока отрицательной полярности, подаваемым в токопроводящую шину основных переключателей-репликаторов ЦМД, из регистров хранения информации в основной 9 и дополнительные 10 регистры...

Номер патента: 1330653

Опубликовано: 15.08.1987

Автор: Афанасьев

МПК: G11C 11/02

Метки: афанасьева, памяти, элемент

...памяти работает следующим образом.В выбранный кодовый провоД подается импульс опроса, при этом провод становится источником электромагнитного излучения с длиной волны Э . На расстоянии, меньшем/2 п действует ближнее поле, в котором отношение напряженности электрического поля Е к напряженности магнитного поля Н определяется параметрами источника и расстоянием ст него до рассматриваемой точки. При малом токе и высоком напряжении в источнике Е/Н377 Ом в ближнем поле преобладает электрическая составляющая, убывающая с расзстоянием со скоростью 1/г , тогда как ослабленная магнитная составляющая - со скоростью 1/г . Кроме того, магнитная составляющая ослаблена за счет конструктивного размещения кодовых проводов перпендикулярно...

Номер патента: 1330654

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Копыл, Рева, Торчинский, Утяков

МПК: G11C 11/40

Метки: мдп-транзисторах, триггер

...обратной полярности, как в случае, если вместо Форсирующих транзисторов 16, 17 используются емкости. Затем во время действия тактового импульса р (20) происходит заряд узлов 22 и 23, при этом неосновные носители, накопленные под затворами нагрузочных транзисторов 3 и 4, рекомбинируют на источнике тактового напряжения. При записи противоположной информации в триггер процесс симметрично повторяется. Транзисторы 12 и 13 считывания подключают выходы 14, 15 триггера к узлам 24, 25 хранения только на вре" мя действия тактового импульса Ф,(5), все остальное время информация на выходах триггера остается неизменнойТаким образом, введение в триггер зарядных транзисторов 18, 19 позволяет осуществить рекомбинацию накопленных неосновных носителей на...

Номер патента: 1330655

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Копыл, Рева, Торчинский, Утяков

МПК: G11C 11/40

Метки: мдп-транзисторах, триггер

...потенциала приводит к уменьшению емкости между первой тактовой шиной 5 и узлом 25 до величины емкости перекрытия затвор - сток, затвор - истокПоэтому при уменьшении напряжения на тактовой шине 5 до нуля в узле 25 не будет выброса напряжения обратной полярности, как в случае, если вместо форсирующих транзисторов 17 и 18 используются емкости. Затем во время действия тактового импульса Р (12) происходит заряд узлов 24 и 25, при этом неосновные носители, накопленные под затворами нагрузочных транзисторов 3 и 4, рекомбинируют на источнике тактового напряжения. При записи противоположной информации в триггер процесс симметрично повторяется. Транзисторы 13, 14 считывания подключают выходы триггеров 15, 16 к узлам 26, 27 хранения через...

Номер патента: 822681

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Квашнин, Кузнецов, Малютин, Пелипенко, Филиппов, Шпуга

МПК: G11C 13/04

Метки: оптико-электронный, памятью

...входящих в состав ЭВМ, или автономных устройств. Управление микросхемой при этом осуществляется посредством электрических сигналов.Интегральные микросхемы памяти 45 динамического типа представляют собой набор ячеек памяти, каждая из которых служит для хранения одного бита информации, со схемами адресации и управления записью, регенерацией и счи Отыванием информации, выполненными на одной подложке. Ячейки памяти расположены на подложке в виде матрицы Количество ячеек, например в микросхеме 565 РУ 1, составляет 4096. Размер подложки примерно 4 х 4 мп, Каждая 1 2ячейка памяти состоит из нескольких (2-х или 3-х) МОП транзисторов. На емкости затвора одного из транзисторов осуществляется запоминание информаций, другие транзисторы служат для...

Номер патента: 1332378

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Барьяхтар, Зиновук, Ковтун, Коновалов, Приходько, Соболев

МПК: G11C 11/14

Метки: границ, доменных, направления, поляризации

...ДГ осуществляют следующим образом.Воздействуют на магнитную пленкуодновременно высокочастотным магнитным полем, направленным вдоль осилегкого намагничивания пленки, инизкочастотным магнитным полем, направленным вдоль ДГ, определяют изменение сигнала поглощения высокочастотной энергии доменными границами и по знаку производной этого изменения судят о направлении поляризации ДГ,Физическая сущность предлагаемогоспособа состоит в следующем. В доменной границе, не содержащей неоднородности типа блоховских линий или точек Блоха, можно выделить два возможнык направления поворота намагниченности, а именно правовинтовое и левовинтовое.Изменение поля Н, приложенноговдоль ДГ, приводит к изменению эффективной массы ДГ, следовательно,...

Номер патента: 1332379

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Анджикович, Комашня, Котов, Шутилов

МПК: G11C 11/16

Метки: запоминающий, элемент

...коде:, 1 - наличие сигнала, 0 - отсутствие сигнала.на выходе приемника. При считыванииинформационного сигнала последний сохраняется и в последующие моменты времени возможно воспроизведение операции считывания,Запись и считывание информации можно осуществлять на разных частотахпри различных наборах частиц порошка(отличающихся по размерам), для котоЛ Чрых выполнено условие Й й -,-2 2 ГРабота нредлагаемого элемента основана на явлениимагнитоакустическогоэха (МАЭ) и может быть описана следующим образом, Вследствие наличия вмагнитных материалах сильной нелинейности магнитоупругой связи каждаячастица порошка представляет собойнелинейный механический осциллятор,акустические колебания которого можно возбудить, поместив его в...

Номер патента: 1332380

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Панфилов, Савотин, Шагурин

МПК: G11C 11/40

Метки: д-триггер

...логической инверсии входного сигнала.Пусть на тактовый вход 10 поданоонапряжение 1, диод Шоттки открывается и потенциал базы транзистора 1 уменьшается до величины У + Бщ ,гдео Цщ, - напряжение на открытом диоде Ноттки. Тогда независимо от величины входного сигнала на эмиттере транзистора 1 на базе этого транзистора сохраняется низкий потенциал Б + ц недостаточный для отпирания транзистора 1, поэтому коллекторный ток транзистора 1 равен нулю. Потенциал эмиттера транзистора 2 равен 1 поэтому если потенциал на выходе триггера равен Б, то в базу транзистора 2 втекает ток резистора 7, достаточный для насьпцения транзистора 2. На базе транзистора 3 устанавливается потенциало+ У,о недостаточный для отпирания транзистора 3, поэтому на...

Номер патента: 1332381

Опубликовано: 23.08.1987

Автор: Дикий

МПК: G11C 19/00, G11C 29/00

Метки: регистр, самоконтролем, сдвига

...сбоях в работерегистра 1 р сдвига, приводящих к изменению числа единиц на выходах (искажение информации в любом разряде либо в любом нечетном количестве разрядов одновременно, либо в любом количестве разрядов в разные моменты времени), информация на выходе элемента 2 свертки по модулю два изменяется, что ведет к изменению информации на вьжоде элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 5 и на выходе элемента И 4. В результате на выходе 10 устройства появляется логическая единица, означающая наличие ошибки в работе регистра 1 сдвига. Причем сигнал ошибки на выходе 10 устройства может появиться. только тогда, когда на втором входе элемента И 4 присутствует логическая единица, При наличии на этом входе логического нуля ошибка блокируется. Возможность...

Номер патента: 1332382

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Рудницкий, Скороходов

МПК: G11C 15/00, G11C 19/00

Метки: записи, зарядовой, информации, приборах, регистр, связью, сдвига

...может быть любая ячейка памяти регистра сдвига, производитсянакопление зарядовых пакетов, посту бпающих из предыдущих ячеек памятирегистра сдвига. Это позволяет нетолько передавать но и преобразовывать информацию в регистре сдвига.На фиг. изображена схема реалиэа- З 0ции способа при режиме сдвига информации (зарядовых пакетов) в регистре; на фиг.2 - то же, при режиме накопления зарядовых пакетов.Регистр сдвига содержит ячейки .1 - 3 памяти, причем каждые три ячейки соответствуют одному разряду регистра. На фиг.1 и 2 показаны тактовые шины 4 - 6, вход 7 разрешениянакопления, вход 8 запрета и переклю 40чатель 9.Запись зарядовых пакетов производится в ячейку 1 первого разряда регистра (блок записи не показан),82 2Сдвиг информации в...

Номер патента: 1332383

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Горбель, Околотенко, Петренко, Семененко, Сидоренко

МПК: G11C 19/00

Метки: буферное, запоминающее, последовательное

...такое, что счетчик 13 под воздействием многократных тактовых импульсов достигает своего конечного состояния - на выходах всех его разрядов устанавливаются логические единицы, то элемент И 18 открывается и на его выходе появляется уровень логической единицы, который, поступая на вход А ) .В второго блока 8 сравнения, вызывает появление на его выходе сигнала логической единицы. Этот сигнал блокирует элемент И 19 и открывает элемент И 22, в результате чего последующий синхроимпульс записи через элементы И 22 и ИЛИ 24 поступает на счетный вход регистра 5 адреса, который Формирует новый адрес для записи слова входной информации.Далее .устройство выполняет запись информации с выходов регистра 4 в основные, а состояния счетчика 13 - в...

Номер патента: 1332384

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Гольдреер, Лисицын

МПК: G11C 19/00

Метки: буферное, запоминающее

..."1" на входе 14устройства разрешает запись логической "1" в триггер 31. Так как на остальных входах элемента И 23 имеетсяуровень логической , сигнал загрузки поступает через элементы И 23,ИЛИ 27 на вход элемента ЗЗ задержки.Задержанный сигнал осуществляет запись логической "1" в триггер 31,триггер запоминает признак операциизагрузки. Сигнал логической "1" через элементы И 5, ИЛИ 3 поступает напервый вход задания режима регистра2, что соответствует (таблица) режиму "сдвиг влево" регистра 2 управленияСигнал логической "1" с выходатриггера .3 поступает через элементИЛИ 28 и элемент 34 задержки на входсинхронизации регистра 2, Регистр 2 производит сдвиг логической "1" с входа 19 в последний разряд, переключая тем самым последний...

Номер патента: 1332385

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Конопелько, Приходько, Щетинин

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, постоянной

...работает следующим образом.При считывании сигналы информационных 3 и проверочных 2 разрядовс блока постоянной памяти (не показан) поступают на селектор 4 и блок1 кодирования, на выходах 8 которогообразуются контрольные соотношенияС применяемого кода (фиг,2).Наряду с этим в зависимости отсигнала на входе 5 селектор 4 выделяет на свои выходы 12 считываемуюинформацию первого байта (разрядыа, ) или второго байта (разрядыа ц), которая поступает на входыпервой группы блока 13 мажоритарныхэлементов и входы второй группы первого 9 и второго 11 формирователейчетности. На входы 8 первой группы2385 1 О 15 20 2530 35 40 45 50 55 блока 9 поступают сигналы с выходовблока 1 (С . для кода Фиг.2), а навходы 10 первой группы блока 11сигналы с...

Номер патента: 1332386

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Березин, Маринчук, Онищенко, Сушко

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, оперативное, самоконтролем

...частоты, построенного на триггере 20 и переключаемого по заднему фронту импульсагенератора 19. Формирование однократной ошибки в слове, записываемом в накопитель 4, выполняет инверторы 6 и 7 под управление. сигнала уровня "1" с выхода соответствующего разряда регистра 22, Исправление ошибки при считывании этого слова иэ накопителя 4 осуществпяет блок 9 коррекции. Факт исправления ошибки устанавливает схема 26 сравнения, причем сравнение разрешено только в режимесчитывания во время действия импульса генератора 17 (это обеспечивает достоверность считанных данных). Смена ошибочного бита происходит при сдвиге "1" в регистре 1 8 по заднему фронту импульса на выходе триггера 20, а переход к новому информационному слову (смена состояний...

Номер патента: 1334177

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Ботвиник, Сахаров

МПК: G11C 7/06

Метки: сигналов, считывания, усилителя

...работают в активном режиме, так как переходы база-эмиттер обоих транзисторов объедянены и выполнены топологически идентично.Напряжения на входах схемы,3 и 4 соответственно равны 77 2Если по цепи - шина питания, резистор 12, вход 4, общая шина - кратковременно протечет ток, величина которого вызовет на резисторе 12 падение напряжения, равное где Б- падение напряжения на резисторе 12, вызванное про"теканием информационноготока,то произойдет переключение ключевых транзисторов 5 и 6, т.е, транзистор6 выключается, а транзистор 5 включится и схема запомнит данное воздействие.Если же падение напряжения на резисторе 12 за счет протекания тока помехи не превысит уровня помехозащищенности, т.ето переключение ключевых транзисторов 5 и 6 не...

Номер патента: 1334178

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Вермишян, Шакарян

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, плоских, репликатор

...1 и выходной 2каналы продвижения ПМД сформированыразмагничивающими полями (Н, ) высококоэрцитивных ферромагнитных1-образных аппликаций, которые в 25области соединения формируют У-образную аппликацию 6.Репликатор плоских магнитных доменов работает следующим образом.Под действием наносекундного импульсного магнитного поля Ьи однородного магнитного поля Й низкокоэрцитивная ферромагнитная пленка 3в области действия размагничивающегополя (Н) 1-образной аппликацииМок 35переходит в однодоменное состояние,в результате чего обеспечивается условие для синхронного направленногоперемещения информационных доменов.Так как область соединения У-образ 40ной аппликации 6 шире 1-образной аппликации, что соответственно приводит к уменьшению Нв этой...

Номер патента: 1334179

Опубликовано: 30.08.1987

Автор: Фурсин

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...Проектная, 4 1 13Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано при построении многофункциональных запоминающих устройств.Цель изобретения - упрощение ячейки памяти.На чертеже изображена электрическая схема ячейки памяти.Ячейка памяти содержит нагрузочный резистор 1, вход 2, выход 3, шину 4 нулевого потенциала, шину 5 питания, токозадающий р-п-.р-транзистор 6 и переключающие и-р-и-транзисторы 7 и 8. Вход 2 соединен с базой транзистора 6, эмиттер которого соединен с тцитгой 5 тт(тания, Змиттер транзистора l соединен через нагрузочный резистор 1 с шиной 4 нулевого потенциала, Выход 3 соединен с коллектором транзистора 8, база и эмиттер которого соединены соответственно с базой и эмиттером транзистора...

Номер патента: 1334180

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Ильченко, Низовцев, Скрыпов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матрица, постоянного, устройства

...транзисто 80 2ров 7 и транзисторов 8 действует "0", то вентиль 4 переходит в состояние "1", т.е. разрядная шина 5 заряжается через нагрузочный элемент 6 до высокого уровня.При появлении сигнала на инверсной адресной шине 14 транзисторы 12 закрываются, При этом триггер, образованный вентилями 4 и 9, переходит в режим хранения информации. На адресные шины 3 подаются сигналы, соответствующие высокому уровню логического сигнала, который открывает транзисторы 7. При этом определенные разрядные шины 5 начнут разряжаться через открытые транзисторы 7, По достижении на разрядных шинах 5 напряжения, равного порогу срабатывания триггера, образованного вентилями 4 и 9, начнут закрываться соответствующие транзисторы 13 и шины 10 соответствующих...

Номер патента: 1334181

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Андреев, Андрух, Бохонко, Давимука, Калынюк

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...резисто 7ров 8 и 7 в делителе 4напряжения,"До этой же величины зарядится иконденсатор 11. 25 30 35 40 45 50 55 При переключении в режим хранения напряжение на конденсаторе 11 и на выходе устройства сохраняется на прежнем уровне, Средний вывод делителя 4 заземляется через замкнутый ключ 9, в результате чего разрываетсяобратная связь с выхода ВЫХ на вход ОУ 2 через делитель 4 и ОУ 1.Быстродействие устройства в режиме слежения определяется быстродействием ОУ и глубиной отрицательной обратной связи (ООС). При выбранных ОУ максимальное быстродействие обеспечивается при коэффициенте усиления, равном единице, т,е. при равных сопротивлениях резисторов 7 и 8 в делителе 4 напряженияС увеличением коэффициента усиления глубина ООС,. охватывающей...

Номер патента: 1336098

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Авсеев, Балабин

МПК: G11C 7/00, G11C 8/12

Метки: адресный, блок, выборкой, запоминающего, линейной, устройства

...также дешифратор 7, который разрешает выборку одного из ключей блоков 8 и 9.Затем на входы дешифратора 2 и ключи блока 8 подается строб тока первого направления, по которому возбуждается один из выходов дешифратора 2 и выбирает соответствующий транзистор 5, который выбирает соответствующий столбец транзисторов 4, а также этот строб открывает выбранный ключ блока 8. Таким образом, выбирается по базе и эмиттеру один транзистор 4, находящийся на пересечении выбранного столбца и выбранной строки, а группа концов адресных обмоток 3 в этом столбце через открытый ключ блока 8 подключается к шине 11. По цепи: шина 1 О, резистор 6, выбранный транзистор 5, выбранный транзистор 4, адресная обмотка 3, выбранный ключ блока 8, шина 11,...

Номер патента: 1336099

Опубликовано: 07.09.1987

Автор: Землянухин

МПК: G11C 7/00

Метки: выборки, сигналов, формирователь

...1 О и третьей 12 шинам управления режимом приложен низкий потенциал о, а к второй шине 11/ управления режимом - высокий 1),. При таком соотношении сигналов ток от дешифратора адреса по шине 13 запуска замыкается в цепь эмиттера второго транзистора 2 дифференциального каскада и-р-и-типа и далее на шину 5 питчния. Тока в коллекторных цепях первого транзистора дифференциального каскада п-р-п.45 50 55 Формула изобретения 5 10 15 20 25 30 35 40 2типа 1 и транзистора дополнительного ключевого элемента р-п-р-типа 6 нет, т. е. нет падения потенциала на резисторах 3 и 9, следовательно транзистор ключевого элемента р-и-р-типа 5 и транзистор второго выходного каскада и-р-и-типа 8 заперты, поэтому на шине выбора обеспечивается третье состояние...

Номер патента: 1336100

Опубликовано: 07.09.1987

Автор: Денискин

МПК: G11C 7/00

Метки: занесения, запоминающее, информации, модуль, постоянное, программируемое

...импульсапрограммирующего напряжения с первоговхода-выхода а блока 8 на второй входвыход в блока 8 и далее на соответствующий вход-выход адаптера 6. Происходит (или не происходит) запись в соответствующий разряд выбранной ячейкиППЗУ,Далее в формирователь 2 импульсовзаносится код, формирующий импульсы контролирующих напряжений. Эти импульсы свторого выхода блока 5 коммутации поступают на входы адаптера 6. Код с входавыхода адаптера 6 поступает на второйвход-выход в блока 8, на входе которогосохраняется код с выхода регистра 11 записи. 20 25 30 35 40 45 50 55 При совпадении сигналов на входе и втором входе-выходе в блока 8 на его первом входе-выходе а формируется сигнал прерывания, который через шину 9 прерывания поступает в блок 4...

Номер патента: 1336101

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Бочков, Однолько

МПК: G11C 7/06

Метки: динамический, мдп-транзисторах, считывания, усилитель

...15 включается линейная часть усилителя - цепочка инверторов и выходной импульсный 5 каскад схемы усилителя. Тактовый сигналпроходит через открытый отсекающий транзистор 16 и предзаряжает конденсатор 22 обратной связи до напряжения Е - Ч .Тактовый импульс через корректирующий конденсатор 21 дает вольтодобавку на затвор транзистора 17, так что напряжение на его затворе превышает напряжение питания и напряжение первой 1 и второй 2 выходных шин. Согласующий 17 и ключевой 11 транзисторы образуют идентичную 15 пару, как и в инверторах цепочки инверторов, причем, так как на затворе транзистора 17 напряжение превышает входное по шинам 1 и 2, напряжение на истоках транзисторов 17 и 1 О превышает напряжение на выходе цепочки инверторов, 20 которое...

Номер патента: 1336102

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Ковалев, Лапаухов, Попкова, Сурженко, Чернов

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...эле 40 мент И - ИЛИ 31 таким образом, что на еговыходе сигнал считывания появится задержанным на один цикл обращения к накопителю 4.Кроме того, сигналы с выходов эле 45мента ИЛИ 30 поступают на элементИЛИ - НЕ 23, выход которого являетсявыходом 24 готовности запоминающего устройства. При обнаружении конфликта на выходе 24 готовности устанавливается низкийуровень, который запрещает обращение от50 абонентов-источников на один цикл обращения к накопителю 4,Таким образом, в конфликтной ситуацииобращение на запись в накопителе 4 проходит без задержки, а обращение насчитывание и разрешение обращений от або 5 нентов-источников задерживается на одинцикл обращения к накопителю 4. Выходэлемента И в И 31 откроет соответствующий дешифратор...

Номер патента: 1336103

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Волков, Гревцов, Костин, Лебедев, Минеев, Романов, Сперанский

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, информации, магнитных, накопителей, цилиндрических

...1 импульсов поступают на первый вход блока 11 выделения управляюцих импульсов. На второй вход блока выделения управляющих импульсов подают ся электрические импульсы с последнеговыхода распределителя 3 импульсов. Блок выделения управляющих импульсов в зависимости от кода на шине 16 управления может работать в двух режимах: с фиксированной задержкой получения управляющего импульса относительно нулевой фазы интегрируемого напряжения и с дискретно нарастающей задержкой получения управляющего импульса относительно нулевой фазы синтезируемого напряжения. Два ука занных режима работы обеспечиваются приподаче с шины управления на второй вход элемента ИЛИ 15 сигнала логической единицы, который с выхода элемента ИЛИ поступает на первый вход...