G11C — Запоминающие устройства статического типа

Номер патента: 1388950

Опубликовано: 15.04.1988

Авторы: Лисица, Мерхалев, Сидоренко, Солод

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...передающих вентилей на МДП-транзисторах и является одновременно демультиплексором, т. е. сигнал может быть подан на его выход и снят с избранного информационного входа. Предлагаемый способ выбора информации из матрицы накопителяпозволяет сократить число передающих вентилей в каждой цепочке мультиплексора, в результате уменьшилась задержка информационного сигнала при передаче его от стока транзистора выбранного запоминающего элемента до первого входа дифференциального усилителя. Кроме того, ускорен процесс подключения истока транзистора выбранного запоминающего элемента к шине нулевого потенциала. Исток подключается к стоковой области третьего элемента разряда 37, что осуществляется одним передающим вентилем на МДП-транзисторе, на...

Номер патента: 1388951

Опубликовано: 15.04.1988

Авторы: Володарский, Исмагилов, Михеев, Фрадкин

МПК: G11C 19/00

Метки: буферное, запоминающее

...теперь указывает адрес следующего цикла записи в накопитель, разблокируется прохождение сигнала чтения через элемент И 2, снимается сигнал с выхода 18.Если реверсивный счетчик 10 сброшен (в результате полного наполнения блока 12 памяти), то устанавливается триггер 6, что блокирует прохождение сигнала записи через элемент И 1.На этом цикл записи заканчивается.При поступлении импульса чтения на вход 16 происходит цикл считывания числа по адресу, определяемому счетчиком 9. Цикл чтения аналогичен циклу записи. К концу цикла чтения содержимое счетчика 9 увеличено на единицу, содержимое счетчика 10 уменьшено на единицу, триггер 6 сброшен, триггер 7 установлен или сброшен в зависимости от содержимого счетчика 10. 25 Зг, 40 45 50 5 с При...

Номер патента: 1388952

Опубликовано: 15.04.1988

Авторы: Имнаишвили, Натрошвили

МПК: G11C 19/00

Метки: регистр, статический

...вход 9 и подается второй операнд У. В результате на выходе 12 п регистра получаем функцию конъюнкции ХЙУ. Операция конъюнкции получается также при реализации оператора Аз, притом результат операции появляется также на выходе 12.п регистра. Для реализации оператора Аз следует логические единицы подавать на входы 17, 18, 19. При этом открываются элементы И-НЕ 4, 5, 6, на первый 5-вход КЯ-триггера подается функция Х У, а на второй - функция Х. В результате в КЯ-триггер получаем функцию Кб".=КО" /Х/У на прямом выходе 11.п, а на выходе КЯ-триггера - функцию Х У. При такой реализации функции конъюнкции необходимо предварительно регистр обнулять оператором А и операнды Х и У одновременно подавать на входы 9 и 10.При реализации операции...

Номер патента: 1388953

Опубликовано: 15.04.1988

Авторы: Плеханов, Сидоров, Шахтшнейдер

МПК: G11C 27/00

Метки: выборки-хранения

...состояние. В таком состоянии схема повторяет входной сигнал на выходной клемме 11 и на входе накопительного элемента с точностью, определяемой глубиной обратной связи и коэффициентом усиления предварительного усилителя.С изменением управляюгцего сигнала на входе 16 на низкий уровень триггер 15 приходит в нулевое состояние и разность потенциалов между базами транзисторов 12, 13 становится отпирающей, транзисторы выходят из режима отсечки и переходят в активный режим. При этом ток через них постепенно увеличивается, уменьшая ток в вы 25 30 35 40 45 50 55 ходном каскаде предварительного усилителя из-за увеличения падения напряжения на элементах 21 выходного каскада, действующего на транзисторы 20 в запирающем направлении. Ток в цепи...

Номер патента: 1388954

Опубликовано: 15.04.1988

Автор: Морозов

МПК: G11C 27/02

Метки: аналоговое, выборки, информации, хранения

...устройств.Цель изобретения - повышение быстродействия устройства. На чертеже представлено устройство.Устройство содержит интегратор 1 тока, резисторы 2, 3 токозадающий и обрат ной связи, первый управляющий ключ 4, инвертор 5, разделительный конденсатор 6, второй управляющий ключ 7, компенсирующий резистор 8, накопительный конденсатор 9,Устройство работает следующим образом.При подаче логического сигнала (единичного или нулевого в зависимости от типа элементной базы) на управляющие входы ключей 4, последние замыкаются и устройство переходит в режим выборки. При этом 20 на входе интегратора 1 суммируются токи, поступающие с выхода устройства через конденсатор 9 и резистор 3 с током через резистор 2. Резисторы 2 и 3 выбираются...

Номер патента: 1388955

Опубликовано: 15.04.1988

Авторы: Аминев, Арасланов, Тимофеев

МПК: G11C 27/02

Метки: выборки, информации, хранения

...устройства, применение в схеме управления транзисторов одного типа проводимости обеспечивают синхронное переключение токовых переключателей, что приводит к повышению динамической точности и быстродействию данного устройства по сравнению с известным.Режим работы источника постоянного тока 11 выбран таким образом, что сумма токов 1 и 1 з превышает ток 1 на некоторую величину Л 1, т. е. =1+1 з - Л 1. Величина этого приращения находится в пределах 10 - 100 мкА. В режиме хранения этот избыток тока ответвляется через резистор 11 на нулевую шину питания, создавая на нем падение напряжения, обеспечивающее ненасыщенный режим работы транзисторов токовых переключателей, надежное запирание встречно включенных диодов 8 и 9 и сохранение заряда на...

Номер патента: 1388956

Опубликовано: 15.04.1988

Авторы: Дрозд, Лацин, Малярчук, Панченко, Полин

МПК: G11C 29/00

Метки: блок, задержки, информации, самоконтролем, цифровой

...импульса одновибратора 13 в сумме не должны превышать длительность цикла Чтение.Информация о сбое в считываемом в данный момент слове поступает на выход 18 устройства. Одновременно происходит проверка и, если нужно, исправление адреса в счетчике 7. Исправление осуществляется следующим образом: по переднему фронту синхроимпульсов на входе 16 устройства счетчик 7 увеличивает свой адрес на единицу, по этому же фронту предыдущий адрес переписывается в счетчик 8. Таким образом, счетчик постоянно хранит адрес предыдущего цикла чтение-запись. Г 1 ри появлении сигнала о сбое (1 на выходе блока 6 сравнения) счетчик увеличивает свое состояние на единицу, Если при этом адреса, выдаваемые счетчиками 7 и 8, совпадают, то на выходе блока 9 сравнения...

Номер патента: 1388957

Опубликовано: 15.04.1988

Автор: Сморчков

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, многоразрядных, памяти

...К=п мультиплексоров 15. Входы кажлого мультиплексора 15, входящего в состав блока 4 коммутации, соединены с входами 12 в соответствии с табл. 2.Устройство работает следующим образом.Блок 1 управления задает счетчику 2 адреса режим последовательного обращения ко всем адресам контролируемого блока 19 памяти.В первый цикл записи по всем адресам блока 19 памяти по информационным разрядам 1 Зь 13 з, 13 з 13, 1 производится запись разрядов адреса в соответствии с табл. 1 и первым столбцом табл. 2, по разрядам 132, 134, 136 13 производится запись инверсной информации 13,=13 ь,213 =13 ь Затем следует цикл считывания по всему обьему блока памяти. Информация выходных разрядных шин контролируемого блока 19 памяти поступает на входы 14 блока 5...

Номер патента: 1390637

Опубликовано: 23.04.1988

Автор: Ященко

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативное, запоминающее

...= 0; если РК 1 Ф О, товыход на цикл 1; если РК 1 = О, товыход на цикл 2; если 1 с = Р 11 то.анализ РК 1 = 0; если РК 1 Ф О, то выход на цикл 3, если РК 1 = О, то выходна цикл 4, 1390637По микрокоманде и + 3 осуществляется запись н элемент А 1, значения1 с и А,По микрокоманде и + 4 осуществляется запись К в строку К + 1.5По микрокомандам и+5, и+6, и+7осуществляются запись единицы в строке элемента А; в столбец И + адресэлемента А 1 установка РК 2 = 1,сброс РК 1 и выход на цикл В.В цикле 2 по микрокомандам и+8,и+9,п+10, и+11, и+12 осуществляютсяА ; = Гс Л А запись единицы в стро-.ке элемента А, в столбец М + адресэлемента А: РК 2 = 1, РК 1 = 0 и переход на цикл В.В цикле 3 по микрокомандам и+13.и+14, и+15 осуществляется выполнениетретьего...

Номер патента: 908230

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Кассихин, Хайновский

МПК: G11C 11/40, H03K 19/08

Метки: буферное, выходное

...напряжения.Пусть, теперь напряжение на вход ой шине 23 снижается и проводимость ранэистора 5 значительно падает, следствие этого нагрузочный транистор обедненного типа 1 повышает потенциал на затворах транзисторов 6 и 7, вызывая их отпирание и снижение их стоковых потенциалов. В силу происходящего разряда затворов транзисторов 9 и 11 их стоковые потенциалы могут повышаться. Вследствие того, что ток нагрузочного транзистора 4 протекает только на затвор транзистора 10 с нулевым пороговым напряжением, а при заряде транзистора 10 вызванный этим ток транзистора 10 заряжает исток этого транзистора, повышая его потенциал, затвор транзистора 10 представляет для инверторного каскада на транзисторах 4 и 9 меньшую емкостную нагрузку, чем...

Номер патента: 1392591

Опубликовано: 30.04.1988

Авторы: Рагульскис, Судинтас, Федаравичюс

МПК: G11C 5/02

Метки: загрузки, сердечниками, трафарета, ферритовыми

...в " пазах трафарета.Проверка загрузки осуществляется путем начала перемещения датчика 12и узла 11 над рядами ферритовых сер 35 дечников 7. Это осуществляется по сигналу с блока 13 управления, который приводит в действие исполнительный орган 14 двухкоординатного привода 1 О, при этом исполнительный орган16 не функционирует, контейнер 2 страфаретом 5 не перемещается. В случае отсутствия в каком-то лазу 6 ферритового сердечника 7 изменяется маг 45нитное сопротивление между активнымиэлементами датчика 12. Это приводитк изменению электрического сигнала вцепи датчика 12, которое воспринимается в блоке управления после его сравнения с заданным, В итоге блок3 управления формирует выходные сигналы включения узла 11 поштучной усгановки и...

Номер патента: 1392592

Опубликовано: 30.04.1988

Авторы: Комаров, Моторин, Теленков

МПК: G11C 7/06

Метки: считывания, усилитель

...обратной связи за счет транзисторов 9 или 8 соответственно, поскольку при этом на затвор транзистора 9или 8 поступает уровень "О" со смежного выхода 12 или 13 соответственно.Этим достигается практически эквивалентное по времени формирование парафаэной информации на выходах 2 и 13,которая свидетельствует об окончаниисчитывания информации, при этом решается задача формирования активногосостояния - уровня на выходе 12или 13,В усилителе считывания перед началом считывания на выходах 12 и 13 эа счет включения транзисторов 6 и 7 формируются уровни "1 (высокого урьвня), В момент считывания информации транзисторы 6 и 7 отключаются, при этом на одном из выходов 12 и 13 формируется уровень "О", который обеспечивает включение одного из...

Номер патента: 1392593

Опубликовано: 30.04.1988

Авторы: Болдырев, Дорохин, Куперман, Чельдиев, Шакирова

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, накопитель

...выполненных из магниторезистивного материала, и участков 4, на которых поверх магниторезистивного материалананесен слой высокопроводящего материала. Координатные шины 5 второйгруппы отделены от Фин первой группыизолирующим слоем 4 (не показан).Координатные шины первой и второй группвыполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых колец, магнитосвязанных с монодоменными областями соответственнострок и столбцов матрицы запоминающих элементон.Устройство работает следующим образом.Режимы записи и хранения информа 40ции аналогичны соответствующим режимам работы накопителя по прототипу.Однако вследстние снижения сопротивления координатных шин первой группыза счет шунтирования частей 4 высо 45проводящим материалом на...

Номер патента: 1392594

Опубликовано: 30.04.1988

Авторы: Волченская, Егоров, Князьков, Раевский

МПК: G11C 19/00

Метки: запоминающее, одноразрядное, стековое

...внутри блока 2 коммутации согласно фиг.4,Блок 2 коммутации состоит нз трехэлементов И 14 - 16, трех мультиплексоров 17 - 19, элемента НЕ 20, перемычки 21 и транзистора 22.Устройство работает в двух режимах следующим образом, 1392594В первом режиме информация подается с входа 2-3 на выход 2-3 , с вхо/ да 2-4 на выход 2-4, с входа 2-5 на выход 2-5 , с входа 2-6 на выход 2-6, элементы И 14-16 открыты на5 базу транзистора 22 и вход элемента НЕ 20, на выходе которого постоянно находится "О".Во втором режиме, т.е. при выходе из строя элемента памяти, на вход 13 подается отрицательный потенциал от дополнительного источника питания, перемычка 2 перегорает и снимает "1" с входа элементов И 14-16. Муль типлексоры 17-19 переключают цепь с входа...

Номер патента: 1392595

Опубликовано: 30.04.1988

Авторы: Вариес, Култыгин

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, коррекцией, ошибок

...слово подаются на входы блока 4 контроля и коррекции ошибок, где производится выявление и коррекция ошибок в Ь+1)-разрядном информационном слове. Скорректированное Х-разрядное информационное слово с выхода блока 4 контроля и коррекции ошибок подается на выход устрой" ства и на вход блока 5. Контрольные байтные разряды получают путем сум" мирования по модулю два сигнала байта, Контрольные байтные разряды подаются на выход устройства с выхода блока 5.В предлагаемом устройстве корректирующие коды исправляют одиночные ошибки и обнаруживают двойные ошибки, но не выявляют полного пропадания слова на выходах блоков 2 и 3, 11 ри этом на выходах устройства формируется нулевое слово с правильными контрольными разрядами. Контрольные байтные разряды...

Номер патента: 1392596

Опубликовано: 30.04.1988

Авторы: Кибалов, Мхатришвили, Фокин

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, информации, коррекцией

...присчитывании о том, что следующий адрес, хотя код этого адреса и не набран в блоке 1 начальных адресов,должен быть скорректирован. При поступлении на адресный вход 13 устройства адреса, совпадающего с однимиэ набранных начальных адресов массивов, аналогично коррекции одиночного слова, происходит считывание изППЗУ 5, При этом сигнал "Корр.2" дей.ствует так же, как и сигнал "Корр,",за исключением того, что код адресаца ППЗУ 5 поступает с шины 13 адреса,11 11 в дополнительном разряде к ор р ектир ов а нных чисел массива должна бытьзаписана столько р а э , каковобъем корректируемого массива , впоследнем слове массива допол нительный разряд ПП ЗУ 5 содержит "0 " . По сле окончания сигнала " Корр . 2 " последующая выборка п рои...

Номер патента: 1394239

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Балашов, Владимиров, Давыдова, Куприянов

МПК: G11C 15/00

Метки: запоминающее, логическое

...11 управления.В режиме хранения информации устройство производит запись входнойинформации: запись первого операндав прямом коде, запись первого операнда в обратном коде, запись второгооперанда в прямом коде, запись второго операнда в обратном коде; запись выходной информации в прямом коде и в обратном коде; считывание информации.При записи информация поступаетна первый 4 и второй 5 входные регистры, затем по управляющему сигналуиз блока 11 управления, иэ первого 4или второго 5 входных регистров через блок ИЛИ 9 на регистр 10, в котором может произойти преобразованиепрямого кода числа в обратный в зависимости от режима, установленногоуправляющими сигналами из блока 11управления. С выхода регистра 10 информация поступает через...

Номер патента: 1137923

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Габова, Маковец, Очерет, Портнягин, Хайновский

МПК: G11C 7/06

Метки: варианты, его, считывания, усилитель

...нагрузочного транзистора и затвору шестого ключевого транзистора, сток которого подключен к истоку четвертогонагрузочного транзистора и затворуседьмого ключевого транзистора, стокседьмого ключевого транзистора под 55ключен к затвору и истоку пятого нагруэочного транзистора, сток восьмогоключевого транзистора подключен к истоку шестого нагруэочного транзистора, сток девятого ключевого транзистора подключен к истоку шестого ключевого транзистора, исток девятого ключевого транзистора - к шине нулевогопотенциала, - введены седьмой и восьмой нагрузочные транзисторы и ключевые транзисторы с десятого по четырнадцатый, причем сток седьмого нагрузочного транзистора подключен ковторой шине питания, затвор и стоквосьмого нагрузочного...

Номер патента: 1047314

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Кассихин, Романов

МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063

Метки: адресный, формирователь

...транзистора 3 обедненного типа,сток которого подключен к шине пита 35 ния 24, и транзистора 4 обогащенного 40 типа, исток которого подключен к шине общего потенциала, затвор - к выходу первого инверторного каскада 16, а сток подключен к затвору и истоку транзистора 3 в узле 17 - выходе вто рого инверторного каскада. Третий инверторный каскад содержит транзистор 5 обедненного типа, сток которого. подключен к шине питания 24, и транзистор 6 обогащенного типа, исток которого соединен с шиной общего потенциала, затвор - с выходом 17 второго инверторного .каскада, сток - с затвором и истоком транзистора 5 в узле 18 - выходном узле третьего ин 55 верторного каскада. Инверсный выход 19 подключен к шине питания 24 через транзистор 7,...

Номер патента: 1396158

Опубликовано: 15.05.1988

Автор: Лупиков

МПК: G11C 19/00

Метки: буферное, запоминающее

...на вход управления мультиплексора 4, подключает к адресным входам блока 1 памяти выходные сигналы регистра 10,При поступлении по входу 17 управления чтением запроса на чтение данных к адресным входам блока 1 памяти подключаются выходы счетчика 7 (на входах управления мультиплексора 4 - низкие уровни сигналов), который является формирователем текущего адреса чтения данных. Сигнал по входу 17 разрешает прохождение считанных из блока 1 памяти данных на группу 3 информационных выходов. Задним фронтом сигнала на входе 17 производится модификация содержимого счетчика 7 (добавляется единица) и счетчика 9 (вычитается единица). Чтение последующих информационных слов производится аналогично.Реверсивный счетчик 9 имеет разрядность, на единицу...

Номер патента: 1396159

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Андреев, Бохонко, Калынюк, Корытный

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...ООС а по неинвертирующему входу - положительной обратнойсвязью (НОС), Поскольку по инвертиру 35ющему входу усилитель 3 охвачен сопроцентной ООС, а по неинвертирующему входу сигнал ПОС сслабляется делителем 8, то глубина ООС превышаетглубину ПОС и на выходе усилителя 3отслеживается текущее значение входного сигнала,При изменении состояния элементов 5, 6 на противоположное устройство переходит в режим хранения напряжения, присутствующего на входе схемы в момент переключения. На. выходеустройства устанавливается напряжение, близкое к зафиксированному наэлементе 4, Поскольку сопротивлениевходов усилителей 1 и 3 весьма вели 50ко, то выходной ток источника 10 тока мал и им можно пренебречь. Условия нулевого выходного тока в источнике тока...

Номер патента: 1396160

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Введенский, Исаев

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, самоконтролем, тестовым

...По переполне10 15 20 25 ции. 3 139 нию счетчика адреса 29 (нулевой сигнал 41) формируется строб 25 приема в регистр сигнатуры 8 и импульс обнуления блока 7 формирования сигнатуры.Во втором цикле работы устройства аналогично подсчитывается сигнатура ЗУ, и по импульсу переполнения 41 формируется строб 26 триггера 10.Время подачи строба 26 выбирается достаточным для приема последнего считанного из ЗУ слова в блок 7 формирования сигнатуры и сравнения полученной сигнатуры с записанной в регистре 8. В случае несравнения блок 9 формирует сигнал логической единицы, и по сигналу 26 триггер 10 устанавливается в единицу, фиксируя ошибку.При правильном формировании эта- лонной сигнатуры осуществляется переход собственно к тестированию ЗУ,...

Номер патента: 440960

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Болдырев, Гиновкер, Мокеев, Тепман, Хрящев

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...снижают надежность элемента памяти и ограничивают амплитуду импульсов записи.Цель изобретения - улучшить эксплуатационные характеристики и повысить надежность элемента памяти.Это достигается тем, что предлагаемая конструкция элемента памяти, кроме области двуслойного диэлектрика, обладающей эффектом запоминания,35 со слоем двуокиси кремния толщиной 15-40 А и слоем,нитрида кремния толщиной 600-1200 Л, содержит две дополнительные области двуслойного диэлектрика, прилегающие к области запоминания и имеющие толщину двуокиси кремния в 15-20 раз больше толщины слоя двуокиси кремния в .области запоминания.На фиг. 1 представлена конструкция предлагаемого элемента памяти; на фиг, 2 показан характер,.зависимости тока стока элемента памяти от...

Номер патента: 1397968

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Бондаренко, Околотенко, Петренко, Шульгина

МПК: G11C 19/00

Метки: буферное, запоминающее

...второй блок 6 сравнения сигналом высокого логического уровня со своего выхода разрешит прохождение синхрЬимпульса записи через первый элемент И 8 на узль устройства, одновременно,с этим разрешив прохож 1397968дение синхроимпульса записи на счетный вход счетчика 7, поскольку второй элемент И 8 дбудет открыт сигналом высокого логического уровня, поступающим на его второй вход с выхода элемента И-НЕ 14, Под воздействием этого синхроимпульса содержимое счетчика 7 увеличивается на единицу, С выхода первого элемента И 8 синхроимпульс записи через элемент .ШИ 9 поступает на счетный вход счетчика адреса, где сформируется адрес для записи повторяющейся кодовой комбинации. Кроме этого, через некоторое время, определяемое первым элементом13,...

Номер патента: 1397969

Опубликовано: 23.05.1988

Автор: Проценко

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, устройства, формирователь, цилиндрических

...5 - от вывода 12 к отводу 19. При этом между первым выводом 11 и вторым выводом 16 авто- трансформатора 4 формируется импульс 22 напряжения переключения (фиг.2), а между первым выводом 12 и,вторым выводом 17 автотрансформатора 5 формируется импульс 23 напряжения разрезания (фиг.2). Амплитуда импульса выбирается из условия обеспечения требуемого тока переключения и тока разрезания в шине управления переключателемрегликатором и определяется соотношением числа витков обмотки автотрансформатора между первым и вторым выводом и числа витков между первым выводом и отводом. Длительность импульсовопределяется длительностью управляющихсигналов 20 и 21 на управляющих входахключевых элементов 2 и 3,Под действием импульса напряженияразрезания...

Номер патента: 1397970

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Ефимов, Синица

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемента

...приобретает качества туннельно-тонкого516 . Установлено, что после отжигаслоя двуокиси кремния толщиной около10 нм в атмосфере аммиака, в диапазоне температур 1300- 1500 К происходит ласть двуокиси кремния толщиной 10 нм. Проводят отжиг структуры в атмосфере аммиака при температуре 1400 К в течение 20 мин. Осаждением из газовой фазы при взаимодействии силана с аммиаком при температуре 1260 К формируют область нитрида кремния. После чего наносят первую проводящую область 4. Формирование диффузионных областей 5 проводят внедрением ионов легирующей, примеси в приповерхностную область полупроводниковой подложки 1 с последующим отжигом. Нанесением второй проводящей области 11 формируют контактные области 6 - 8 к стоку, истоку и...

Номер патента: 1397971

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Антонов, Быковский, Ларкин, Шеляков

МПК: G09F 9/00, G11C 13/02

Метки: транспарант, управляемый

...в материале шторки,При этом непрозрачная шторка принимает Г-образную форму (закрытое состояние), перекрывает соответствующее отверстие, не перекрываясь с соседними шторками, и излучение через последнее не проходит, При снятии управляющего электрического сигнала шторка возвращается в исходное открытое состояние. Время нахождения шторки в закрытом состоянии определяется мощностью и длительностью управляю" щего сигнала. Таким образом, распределение интенсивности модулируемого излучения после прохождения транспаранта определяется видом управляющего электрического сигнала, Управление транспарантом осуществляется либо мозаичным, либо матричным способом. При матричном управлении (фиг3) в отсутствии разрешающего сигнала на шинных драйверах...

Номер патента: 1399742

Опубликовано: 30.05.1988

Автор: Эннс

МПК: G06F 11/08, G11C 29/00

Метки: запоминающего, исправления, ошибок, устройства

...перебо"ра символов, указывающих на стира"ния из числа появляющихся на выходах 18 блока 1 символов "1" в сост"ветствии со словами, появляющимисяна выходах 23 блока 5, слово, появляющееся на выходах 31 блока 5, которое поступает на,входы блоков 34сравнения блока 1, изменяется. Послеэтого осуществляется определение символов, указывающих на стирания, аналогично описанному, Появление п 1" навсех выходах 24 счетчика 6 указываетна окончание перебора и вызывает появление "1" на выходе 28 элементаИ 1 0 и выключение генератора9.5 10 1 Б 20 25 30 35 40 з 139Блок 13 формирования кодовых слонработает следующим образом. На элементах ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ,ИЛИ 35 происходитопределение различающихся символовкодового слова на выходах 30 блока 12и слова...

Номер патента: 1399814

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Вяземский, Холуянов

МПК: G11C 8/06

Метки: адресации, буферной, памяти

...а код Ом = 000000, Это объясняется тем, что разряд 2 кода часов изменяется не по двоичному закону. Поэтому для устранения ошибки в адресации изменение разряда 2 кода часов должно быть с необходимостью модифицированно, т.е. приведено к чисто двоичному закону, Таким образом,для принятого объема памяти продолжительность полного цикла изменениязначений Оч, О и Р составляет 48 ч.Устройство работает следующим образом.5На шину 7 поступают импульсы с периодом Т = 1 с от внешнего эталона. Как было принято выше младший разряд кода адреса (разряд 2 счетчика 1) меняется каждые 15 с, поэто му изменение двух старших разрядов счетчика 1 происходит по двоичному закону, по которому изменяются и младшие разряды счетчика 2 (графы 5 и 6 таблицы), Поэтому...

Номер патента: 1399815

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Нецветов, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижения, цилиндрических

...11 и 12 тока соеди 45 иены соответственно с первым и вторым выходами синхронизатора 13, Устройство должно быть размещено в поле смещения Н , создаваемом источником 14 поля смещения.Устройство работает следующим образом.Пусть с помощью запуска от синхронизатора 13 первый источник 11 тока формирует импульсный ток 1, положительной полярности (фиг. 2), который поступает непосредственно в проводник 2 в виде меандра, а через диод 9 - в прямолинейный проводник 5 ограничителя (ток 1 ).Тогда при указанномна фиг. 1 направлении поля смещенияНв позиции 1 канала продвижениядоменов магнитоодноосной пленки 1формируется магнитостатическая ловушка (МСЛ) для ЦМД эа счет локальногопонижения вертикальной составляющеймагнитного поля с анутренних...