G11C — Запоминающие устройства статического типа

Номер патента: 1517627

Опубликовано: 27.11.1999

Авторы: Дворников, Дудник, Зильберталь-Глобус, Панин

МПК: G08C 19/28, G11C 19/00

Метки: радиотелеметрическое

Радиотелеметрическое устройство по авт. св. 1421142, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия устройства, в него введены блок инверторов, дешифратор и регистр сдвига, третий вход переключателя через блок инверторов соединен с третьим выходом второго хронизатора, выход блока оперативной памяти связан с информационным входом регистра сдвига, вход записи которого через дешифратор подключен к выходу блока инверторов, один из входов которого соединен с тактовым входом регистра сдвига, выход которого является выходом устройства.

Номер патента: 1833009

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Гловацкий, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, коммутатор, коммутации, коммутирующий, магнитных, многоканальной, потоков, элемент

1. Способ многоканальной коммутации потоков магнитных доменов, включающий расширение одного или нескольких исходных магнитных доменов в магнитоодноосной пленке в заданном направлении и блокировку расширения этих доменов в тех позициях магнитоодноосной пленки, в которых последовательность импульсов электрического тока создает локальные магнитные поля, отличающийся тем, что, с целью упрощения коммутации и уменьшения потребляемой мощности, расширение каждого исходного магнитного домена происходит по направлению, определяемому градиентами вектора напряженности локальных магнитных полей.2. Коммутатор потоков магнитных доменов, содержащий магнитоодноосную пленку с магнитными доменами и...

Номер патента: 1501806

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Бикбаева, Григорук, Полонский

МПК: G11C 13/04

Метки: дефектов, ионных, кристаллах, радиационных

1. Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах, включающий облучение ионного кристалла тяжелыми заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности получения равномерного профиля распределения радиационных дефектов путем увеличения интервала концентрации радиационных дефектов и снижения флюенса заряженных частиц, перед облучением ионного кристалла его насыщают водородом до концентрации отрицательных ионов замещения водорода 5 1016 - 3 1018 см-3.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что...

Номер патента: 1671046

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Бадер, Рябушкин

МПК: G11C 13/04

Метки: информации, носителе, оптической, оптоэлектронный, полупроводниковом, регистрации

1. Оптоэлектронный способ регистрации оптической информации в полупроводниковом носителе, заключающийся в переводе полупроводникового носителя из низкопроводящего в высокопроводящее состояние в результате одновременного воздействия на полупроводниковый носитель при температуре Т, удовлетворяющей условию T < D/K электрическим полем и светом с энергией квантов h > D, где D - энергия ионизации...

Номер патента: 1148348

Опубликовано: 27.03.2000

Автор: Корнюшенко

МПК: G11C 13/04

Метки: записи, информации, носитель, оптической

Носитель для оптической записи информации, содержащий стеклянную подложку, на которой последовательно размещены первый металлический слой, разделительный диэлектрический слой и второй металлический слой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности носителя для оптической записи информации, разделительный диэлектрический слой выполнен из стекла, например силикатного, первый металлический слой выполнен из металла, обеспечивающего ионную проводимость стекла, а второй металлический слой выполнен полупрозрачным.

Номер патента: 936727

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Колосанов, Синица

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в противоположном слое которой расположены истоковые и стоковые области второго типа проводимости, плавающий и управляющий затворы, изолированные друг от друга и от полупроводниковой подложки диэлектрическими слоями и перекрывающие края истоковых и стоковых областей, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, он содержит высокоомный слой полупроводника, отделяющий стоковую область от полупроводниковой подложки.

Номер патента: 1524725

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ефимов, Синица

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемента

Способ изготовления элемента памяти, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости первого слоя двуокиси кремния с отверстиями, формирование первой и второй диффузионных областей второго типа проводимости, формирование второго слоя двуокиси кремния с отверстием, расположенного на поверхности полупроводниковой подложки, формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоя диэлектрика термообработкой поверхности полупроводниковой подложки в окисляющей среде и среде аммиака, нанесение слоя нитрида кремния на поверхность слоя диэлектрика, формирование отверстий во втором слое двуокиси кремния, формирование первой, второй и третьей проводящих...

Номер патента: 1468264

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Курышев, Ли, Половинкин, Черепов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, заряда, инжекцией, приборах

Запоминающее устройство на приборах с инжекцией заряда, содержащее накопитель, каждая ячейка памяти которого состоит из матрицы приборов с инжекцией заряда и группы транзисторов, истоки которых объединены, стоки соединены с электродами хранения приборов с инжекцией заряда соответствующего столбца ячейки, а затворы - с соответствующими адресными шинами устройства, к разрядным шинам накопителя подключены электроды считывания приборов с инжекцией заряда соответствующих строк каждой ячейки, регистр выбора строки, регистр выбора столбца, две группы ключевых элементов, каждый из которых выполнен на транзисторе, элемент сброса, выполненный на транзисторе, разделительный элемент, выполненный на...

Номер патента: 496599

Опубликовано: 20.07.2000

Автор: Меньших

МПК: G11C 11/56

Метки: запоминающее, многоустойчивое

Многоустойчивое запоминающее устройство, содержащее СВЧ усилитель, выполненный, например, на туннельном диоде, и СВЧ линию задержки, отличающееся тем, что, с целью упрощения и повышения надежности работы устройства, оно содержит намагниченный до насыщения вырожденный по форме ферритовый сфероид, установленный в перекрестии линии задержки, выполненный в виде петлеобразной СВЧ полосковой линии, внутри которой расположен СВЧ усилитель.

Номер патента: 1254924

Опубликовано: 20.07.2004

Авторы: Омельченко, Сомов

МПК: G11C 8/00

Метки: памятью

Устройство для управления памятью, содержащее формирователи сигналов, регистр старших разрядов адреса, регистр младших разрядов адреса, первый и второй блоки сравнения, регистры базовых адресов, первый и второй дешифраторы номеров регистров, дешифратор страниц памяти, причем входы формирователей сигналов являются информационными входами устройства, выходы формирователей сигналов и дешифраторов номеров регистров подключены к одним из входов регистров базовых адресов, выход регистра старших разрядов адреса подключен к первому входу первого дешифратора номеров регистров, выход регистра младших разрядов адреса подключен к первым входам второго блока сравнения и второго дешифратора номеров...

Номер патента: 1345913

Опубликовано: 20.07.2004

Авторы: Дегтярева, Елышко, Шевченко

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, оперативной, памяти

Устройство для контроля блоков оперативной памяти, содержащее блок управления, выходы выбора кристалла, записи, результата контроля и входы сброса и пуска которого являются одноименными выходами и входами устройства, а выход синхронизации и вход признака окончания цикла соединены соответственно со счетным входом и выходом переполнения счетчика адресов, вход сброса которого подключен к одноименному входу устройства, а выходы являются адресными выходами устройства, блок сравнения, входы первой группы которого являются информационными входами устройства, а выход подключен к входу признака несравнения блока управления, отличающееся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, в...

Номер патента: 1276148

Опубликовано: 27.07.2005

Автор: Сундарев

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти, постоянной

1. Устройство для контроля блоков постоянной памяти, содержащее сумматор, блок управления, первый блок сравнения и регистр контрольного числа, выходы которого соединены с одними из входов первого блока сравнения, другие входы которого подключены к выходам сумматора, отличающееся тем, что, с целью повышения точности контроля, в него введены кольцевой регистр сдвига, регистр константы сдвига, второй блок сравнения, счетчик сдвигов, элемент И и регистр индикации, вход которого соединен с выходом первого блока сравнения, причем выходы регистра константы сдвига подключены к одним из входов второго блока сравнения, другие входы которого соединены с выходами счетчика сдвигов и одними из входов...

Номер патента: 1537039

Опубликовано: 27.07.2005

Авторы: Бареев, Сундарев

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти, постоянной

Устройство для контроля блоков постоянной памяти, содержащее блок управления, элемент И, сумматор, первый и второй блоки сравнения, кольцевой регистр сдвига, первый счетчик импульсов сдвига, первый регистр константы сдвига, причем первый информационный вход первого блока сравнения является информационным контрольным входом устройства, управляющий вход блока сравнения соединен с входом блокировки блока управления, второй информационный вход первого блока сравнения соединен с выходом сумматора, счетный вход которого соединен с первым входом элемента И и третьим выходом блока управления, установочный вход сумматора соединен с пятым выходом блока управления и установочным входом первого...

Номер патента: 1572301

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Клепиков, Шастин

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, многоканальное, резервированное

Многоканальное резервированное запоминающее устройство, содержащее дешифратор и информационные каналы, каждый из которых состоит из двух блоков памяти, первого сумматора, блока сравнения, коммутатора, выходы которого являются выходами соответствующего канала устройства, входы первой группы коммутатора соединены с соответствующими выходами первого сумматора, входы первой группы которого соединены с соответствующими выходами второго блока памяти, вход питания первого блока памяти является входом питания соответствующего канала устройства, а выходы соединены с соответствующими входами второй группы коммутатора и с соответствующими входами второй группы первого сумматора предыдущего канала,...

Номер патента: 1365970

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Клепиков, Петровский, Шастин

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, многоканальное, резервированное

Многоканальное резервированное запоминающее устройство, содержащее в каждом канале первый и второй блоки памяти, сумматор, блок сравнения, коммутатор, причем выходы коммутаторов являются информационными выходами устройства, контрольными выходами которого являются выходы дешифратора, входы которого подключены к выходам блоков сравнения, первый вход блока сравнения каждого канала соединен с выходом сумматора, первый вход которого соединен с выходом второго блока памяти, первый вход коммутатора каждого канала соединен с выходом первого блока памяти, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства, выход первого блока памяти каждого канала соединен с вторыми входами блока сравнения...

Номер патента: 1415957

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Клепиков, Петровский, Шастин

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, резервированное

Резервированное запоминающее устройство, содержащее основные блоки памяти данных, резервный блок памяти данных, блок памяти контрольной информации, группы элементов И, две группы сумматоров по модулю два, дешифратор и коммутаторы, выходы которых являются информационными выходами устройства, выходы основных блоков памяти данных подключены к одним из информационных входов коммутаторов и первым входам соответствующих элементов И группы, выходы которых соединены с первыми входами сумматоров по модулю два первой группы, вторые входы которых соединены с выходами резервного блока памяти данных, выходы сумматоров по модулю два первой группы соединены с другими информационными входами...

Номер патента: 1409048

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Клепиков, Петровский, Шастин

МПК: G11C 29/24

Метки: запоминающее, резервированное

Резервированное запоминающее устройство, содержащее основные блоки памяти, резервный блок памяти, контрольный блок памяти, первую группу блоков сумматоров по модулю два, блок сумматоров по модулю два, дешифратор, группы элементов И, причем одни из входов блоков сумматоров по модулю два первой группы подключены к соответствующим выходам основных блоков памяти, другие входы блоков сумматоров по модулю два первой группы соединены с соответствующими выходами резервного блока памяти, выходы блоков сумматоров по модулю два первой группы подключены к одним из входов дешифратора, первые входы элементов И групп подключены к выходам дешифратора, другие входы которого подключены к выходам блока...

Номер патента: 1358637

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Клепиков, Петровский, Шастин

МПК: G11C 29/04

Метки: запоминающее, резервированное

Резервированное запоминающее устройство, содержащее основные блоки памяти данных, резервный блок памяти данных, блок памяти контрольной информации, группы элементов И, первую группу сумматоров по модулю два, дешифратор и коммутаторы, выходы которых являются информационными выходами устройства, причем выходы основных блоков памяти данных подключены к одним из информационных входов коммутаторов и первым входам соответствующих элементов И групп, выходы которых соединены с первыми входами сумматоров по модулю два первой группы, вторые входы которых соединены с выходами резервного блока памяти данных, выходы сумматоров по модулю два первой группы соединены с другими информационными входами...

Номер патента: 1240237

Опубликовано: 27.07.2007

Авторы: Гук, Коленников, Малаховский, Паперно, Пилипович

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающий, транспарант

Запоминающий транспарант, содержащий сегнетоэлектрическую керамическую пластину, общий электрод, изолирующие параллельные слои, нанесенные на поверхность сегнетоэлектрической керамической пластины, адресные электроды, нанесенные на изолирующие слои, отличающийся тем, что, с целью увеличения контрастности изображения транспаранта, в него введены дополнительные изолирующие слои, нанесенные изолированно один от другого на поверхность сегнетоэлектрической пластины в направлении, перпендикулярном направлению изолирующих слоев, а общий электрод нанесен на дополнительные изолирующие слои и поверхность сегнетоэлектрической пластины.