Комашня

Номер патента: 1369862

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Герштейн, Глущенко, Кириевский, Комашня, Черкасский

МПК: B22C 9/08, B22D 27/20, B22D 7/12 ...

Метки: литейная, литья, суспензионного, форма

...8 через вспомогательный канал 9 подаются дисперсные частицы 10 (микрохолодильники и т,п.), которые захватываютсяпотоком металла и поступают в рабочуюполость б. Вследствие сужения струирасплава 1 скорость его движения увеличивается и обеспечивается устойчивый захват частиц 10. Вспомогательный канал 9 сообщен со стояком 4 поддросселем 7 на уровне верхней горизонтальной плоскости 11 рабочей полости б, что позволяет держать свободной от металла зону стояка 4 поддросселем 7 в течение всего периодазаливки и регулировать процесс успензионного литья в широких пределах.Соотношение между внутренними диаметрами дросселя 7 и стояка 4, равное 0,75-0,85, определяется гидродинамикой движения расплава 1. Увеличение указанного соотношения...

Номер патента: 1332379

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Анджикович, Комашня, Котов, Шутилов

МПК: G11C 11/16

Метки: запоминающий, элемент

...коде:, 1 - наличие сигнала, 0 - отсутствие сигнала.на выходе приемника. При считыванииинформационного сигнала последний сохраняется и в последующие моменты времени возможно воспроизведение операции считывания,Запись и считывание информации можно осуществлять на разных частотахпри различных наборах частиц порошка(отличающихся по размерам), для котоЛ Чрых выполнено условие Й й -,-2 2 ГРабота нредлагаемого элемента основана на явлениимагнитоакустическогоэха (МАЭ) и может быть описана следующим образом, Вследствие наличия вмагнитных материалах сильной нелинейности магнитоупругой связи каждаячастица порошка представляет собойнелинейный механический осциллятор,акустические колебания которого можно возбудить, поместив его в...

Номер патента: 1210958

Опубликовано: 15.02.1986

Авторы: Герштейн, Глущенко, Кириевский, Комашня

МПК: B22C 9/08

Метки: литниковая

...тангенциальный каналперетекает в литниковую чашу 3.Бра-.щение расплава в чаше 3 обусловливает образование воронки в стояке 4.Расход расплава из разливочного устройства устанавливается таким образом, чтобы воронка в литниковой чашезамыкалась на внешнем контуре отверстия шайбы 5. При обеспечении условий замыкания воронки на отверстиишайбы 5 увеличивается осредненньйиеталлостатический напор над стоякомпо сравнению с осредненным металлостатическим напором в литниковой чаше 09" Я 2при применении известного устройства при замыкании воронки по контуру стенок литниковой чаши. Увеличениеметаллостатического напора и уменьшение площади воздушного ядра воронки приводит к уменьшению времени заполнения формы, улучшению Физико-механических...

Номер патента: 1166069

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Глущенко, Гончар, Комашня, Травников

МПК: G05D 9/02

Метки: жидкости, расхода, стабилизированного

...8 измерительной камеры 5 в процессе вырав" нивания давления в указанных газовых полостяхПри протекании газовой среды из полости 8 измерительной камеры 5 в газовую полость замкнутой емкости 1 на дроссельном элементе 10 генерируется перепад давления, величина которого и фиксируется мако- метрическим чувствительным элементом 11, подключенным к дроссельному элементу 10 с помощью импульсных трубок 12. Положение двухпозиционного крана 13 в рабочем режиме указано на фиг. 2, Ненулевое показание манометрического чувствительного элемента 11 свидетельствует о существовании процесса барботирования, а следовательно, и о истечении жидкости с постоянным расходом,При достижении уровня жидкости в емкости нижнего торца пневматической трубки 7 и...

Номер патента: 1135530

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Волков, Герштейн, Глущенко, Кириевский, Комашня, Кузнецов, Парфенов

МПК: B22C 9/08

Метки: литниковая

...1 изображена предлагаемая литниковая система; на фиг. 2 -сечение А-А на фиг. 1.Литниковая система состоит излитниковой воронки 1, стояка 2, питателей 3 и коленообразных патрубков 4, количество которых равно количеству питателей. Установка икрепление патрубков производится непосредственно при формовке такимобразом, чтобы выходные сечения.питателей и входные сечения патрубковсовмещались.Конструкция одного из вариантовпатрубков с узлами крепления приведена на фиг. 2, Патрубок 4 представляет собой колено с углом повоорота, равным 90 , внутреннее сечение которого геометрически подобновыходному сечению питателей. Уголповорота выбирается с учетом предотвращения размыва внешней и внутренней стенок литейной формы. Кроме того, при тангенциальном...

Номер патента: 1049169

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Глущенко, Гончар, Гриценко, Ефимов, Комашня, Король, Примак, Сафонов, Стадник, Таранов

МПК: B22C 9/08

Метки: литниковая

...расхода жидкого ме.талла по питателям в свою очередь способствует образованию в зоне больших скоростейразмывов формы, окисных плен и газовыхвключений. Уменьшение максимальных скорос.тей за счет снижения расхода жидкого металлавызыйает уменьшение меньших скоростей, врезультате чего в зоне, примыкающей к питателям с меньшим расходом, наблюдается остановка движущегося с малой скоростью потокарасплава, образование заворотов, а следовательно формируется дефектная поверхность отливки,Целью изобретения является повышение качества отливок,Поставленная цель достигается тем, ч;о литниковая система, включающая литниковый ходс двумя и более последовательно расположенными питателями, снабжена установленными закаждым питателем перегородками, в каждой...

Номер патента: 693239

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Комашня, Шутилов

МПК: G01N 27/78

Метки: кристаллах, некубических, примесей

...контроле нелегироваггных монокристаллов, трудоемкость обгггег о анализа на содержание парамагнитных примесей.Пелью изобретения является повышение чувствительности и экспрессности контроля образцов некубических моно- кристаллов на предмет содержания в них парамагнитных и комплексообразующих примесных ионов.Поставленная цель достигается тем, что регистрируют спектр ядерного магнитного резонанса (ЯМР), затем к кристаллу прикладывают переменное электрическое поле, вновь регистрируют спектр ЯМР, и по изменению интенсивностей сигналов ЯМР судят о концентрации парамагнитных и комплексообразукщих примесей.Способ контроля примесей основан на фундаментальном свойстве некубических кристаллов - избирательном возбуж дении ядерных квадрупольных...