G11C — Запоминающие устройства статического типа

Номер патента: 532131

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Иоффе, Федосов, Шадрин

МПК: G11C 8/02

Метки: блоков, выборки, информации, памяти

...в адресно- разрядные группы 8. Устройство для записи информации в ЗУ содержит числовые ключи записи 9, трансформаторы 10 ключей записи, первичные обмотки которых имеют начало 11 и конец 12, ключи записи 13 и дополнительные разрядные ключи 14 с управляющим входами 15, объединенные поразрядно в группы 16 и подключенные к источнику питания 17; входы 18 числовых ключей записи 9 связаны с дешифратором адреса (на чертежах для упрощения не показаны дешифрирующие диоды).Прп работе устройства для чтения информации импульсный сигнал с дешифратора адреса поступает на вхбд 2 числового ключа -пения 3 и открывает его. При этом от источника напряжения питания 1 через обмотки трансформаторов 4 ключей чтения и открытые числовые ключи чтения 3...

Номер патента: 532132

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Балашов, Жмакин, Тимофеев, Шумилов

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающее, магнитное

...8, которая не меняет своего состояния, в выходной шине наводится лишь э.д.с. помехи. При считывании 1 поток изменяет направление в контуре, составленном пз перемычек 5 и 8, и в выходной шине наводится э.д.с, сигнала.На фиг. 2 показано запоминающее устройство с многокоординатной выборкой, В состав запоминающего устройства входит накопитель ча вышеописанных сердечниках, прошитый шинами выборки 10 и шиной записи 9, проходящими через большие отверстия сердечников, шинами считывания 11, проходящими через центральные отверстия и шиной управле 10 15 20 25 35 40 45 50 55 бО 65 пия-выхода 12, проходящей через крайние малые отверстия сердечников. В состав устройства входит блок формирователей 13 токов выборки, вход которого соединен со...

Номер патента: 532133

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Беккер, Якобсон

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...изобретения явлеятсяплотности записи информации. В оп запоминающеи матрице это достигается тем,что в ней кипер выполнен из изоляционныхшайб, расположенных на ЦМП, торцы шайбпокрыты ферромагнитной пленкой с немаг 5 нитным зазором,На фиг. 1 показана описываемая матрица;на фиг. 2 - кипер.Описываемая матрица содержит ЦМП 1,разрядные шины 2, на которые нанесены0 ЦМП, адресные обмотки 3, охватывающиеЦМП, и изоляционные шайбы 4 с магнитным покрытием на торцах, расположенныхмежду адресными обмотками. Шайба выполнена из изоляционного материала с отверстием, имеющим диаметр, достаточный для свободного прохождения ЦМП, Торцы шайбы покрыты ферромагнитной пленкой с немагнитным зазором а, необходимым для уменьшенияиндуктивности разрядных шин....

Номер патента: 532898

Опубликовано: 25.10.1976

Авторы: Водяхо, Тимофеев

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...поперечное сечение между большимкрайним и соседним с ним малым отверстиими 1 (см фиг. 3)Считывание и восстановление осуществляются поочередным действием числовых токов считывания 4, ивосстановления " , , при этол при считывании "1 по полному гистерезисному циклу перемагничивается материал вокруг тре;,малых отверстий и в выходной обмотке появляется полезный сигнал, При считывании"О" помеха определяется упругими изменениями потока,В простейшем случае запись может осуществляться методом идеального намагничивания. При этом по обмотке восстановления подаются чередуюциеся во времениразнополярные импульсы тока, а по выходной обмотке подается ограниченный по алплитуде ток управления одной или другойполярности,При работе элемента в режиме...

Номер патента: 533981

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Гецевичюс, Рагульскис, Судинтас, Федаравичюс

МПК: G11C 5/06

Метки: запоминающих, матриц, прошивки

...возможностью точного и непрерывногослежения за процессом прошивки.Цель изобретения - повышение точностиработы устройства.Это достигается тем, что в устройство введен измерительный блок, выполненный в видепреобразователя емкость-напряжение, входкоторого соединен с прошитым проводом, выход - с блоком управления, а прошивающийпровод заземлсн.На чертеже схематически показано предлагаемое устройство. Устройство содержит бобину 1 с заземленным прошиваощим проводом 2, пропущенным через прижимные ролики 3, матрицу ферритовых сердечников 4 с прошитым проводом 5, 5 электрически связанным с преобразователем6 емкость-напряжение, выход которого соединен с блоком 7 управления, и шаговый электродвигатель 8.Работает устройство следующим образом.10 Для...

Номер патента: 533982

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Васильева, Седых, Фиошкина

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, магниторезистивное, плоских, считывания

...канала распространения плоских магнитных доменов, выходной участок которого выполнен симметрично относительно оси канала.На фиг, 1 и 2 изображены возможные конфигурации магниторезистивного устройства,Устройство содержит канал 1 распрострапения плоских магнитных доменов, расположенный в тонкой магнитной пленке 2 и имеющий выходной участок 3, симметричный относительно оси 4 канала. Ось канала направлена параллельно оси 5 легкого намагничивания пленки 2. Измерительный узел подключают к контактным площадкам б, 7 и 8, Два плеча симметричной структуры измерительного узла включают в измерительную схему как смежные плечи моста, причем контактная площадка 7, пересекаемая осью 4 канала, является общим контактом двух смежных плеч...

Номер патента: 533983

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Аврамова, Корнейчук, Кпко

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...чертеже изображена функциональная схема запоминающего устройства.Запоминающее устройство состоит из регистра адреса 1, накопителя 2, дешифратора адреса 3, блока анализа информации 4, блока управления 5, блок выбора информации 6, регистра слова 7, шины управления 8, информационной шины 9,Запоминающее устройство работает следующим образом,В регистр адреса 1 через информационную шину 9 поступает адрес слова, которое надо считать или записать, или адрес первого слова и число слов в массиве при записи и чтении массива,Адрес слова состоит из четырех частей; адреса А 1 слова в строке; адреса А 2 зоны, где находится слово, адреса АЗ слова в зоне, числа Апг слов в массиве.Часть регистра 1, куда засылается адрес Ат, выполнена в виде вычитающего...

Номер патента: 533984

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Гусев, Ермилов

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающее, информации, неразрушающим, считыванием

...рядов каждой пластины, одни концы шин опроса подключены к числовому дешифратору, а другие - через диоды к разрядному распределителю,На чертеже п ипиальная схема предлагае го устройства.Запоминающее устройство с неразрушающим считыванием информации содержит ферритовые пластины 1 с тремя рядами отверстий: через отверстия 2 числовой записи опроса, расположенные симметрично относительно отверстий 3 и 4 среднего ряда, проходят числовые шины 5 записи, через нечетные рабочие отверстия 3 средних рядов проходят разрядные шины 6 записи и выходные шины 7 чтения, соединенные последовательно, Шины 8 опроса прошиты в противоположных направлениях через пары смежных отверстий крайних рядов каждой пластины и одними конца 533984ми подключены к числовому...

Номер патента: 533985

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Арефьев, Крештал, Ромащев, Федин

МПК: G11C 11/08

Метки: многоустойчивый, накопительный, элемент

...т. е, участки магнитопровода вокруг отверстий а и Ь не перемагничиваются из одного насыщенного состояния в другое под действием приложенных к ним соответствующих м.д.с. Это обеспечивается тем, что амплитуда переменного тока считывания сп, текущего по обмотке 15, ограничена такой величиной, что образуемое этим током поле недостаточно для перемагничивания магнитопровода вокруг большого отверстия, а импульсы тока форсированного перемагничивания (записи) 1+зап создают поле, направление которого совпадает с направлением остаточной намагниченности внешней перемычки вокруг отверстия а. В обмотки 7, 8, 9 подается постоянный ток подготовки 1,. Величина магнитного поля, создаваемого этим током, достаточна для перемагничивания всего...

Номер патента: 533986

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Головатенко, Остапенко, Панев, Степанов, Яценко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...киперами 2.Такая матрица характеризуется малой технологичностью,Цель изобретения - повышение технологичности запоминающей матрицы.Это достигается тем, что в предлагаемую запоминающую матрицу введены гофрированные листы изоляционного материала, образующие в одной плоскости параллельные друг другу трубчатые отверстия, в которых расположены разрядные проводники с ферромагнитной пленкой, адресные проводники и магнитные киперы расположены на внешней поверхности гофрированных листов изоляционного материала. На фиг. 1 показана предлаганающая матрица; на фиг. 2 - сечна фиг. 1; на фиг. 3 - матрицана фиг. 4 - то же, общий вид.Запоминающая матрица содержит разрядные проводники 1 с ферромагнитной пленкой 2, помещенные в расположенные в одной...

Номер патента: 533987

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Дятлов, Коняшкин, Мишин, Потапов

МПК: G11C 11/24

Метки: памяти, электростаический, элемент

...У относительно пластины 1 (либо 7). Действие напряжения У, становится эффективным только тогда, когда средний выступ 2 под действием напряжения Уп притянут к поверхности изо лирующего основания. После приложения Унапряжение Уп можно установить равным нулю.тонкопленочного резистора б за.в уменьшении влияния напряжения средний выступ 2 находится в сво533987 4 Формула изобретения Составитель Т. Кирюхинаедактор В. Левятов Техред 3. Тараиенко Корректор Н Изд,1694 Тираж 723 ИИП 1 Л Государственного комитета Совета Министров по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.36, Раушская наб., д. 416писно аказ 2268 Типография, пр. Сапунова, 2 ем исходом состояи 1 (зазорпом 2 и резистором максимален). Действительно, пусть на источнике, задающем...

Номер патента: 533988

Опубликовано: 30.10.1976

Автор: Тенк

МПК: G11C 11/40

Метки: мдп-транзисторах, памяти, ячейка

...нуль), то тактовый импульс Ф, не проходит через запертый запоминающий транзистор 1. В итоге не происходит подзаряда конденсатора 2.Р е ж и м з а п и с и, Адресный импульс на шине 9 отпирает адресный транзистор 5 одновременно с поступлением тактового импульса Ф на шину б импульсного питания. Через открытые транзисторы 5 и 4 обкладка конденсатора 2, соединенная с затвором запоминающе. го транзистора, подключается к числовой шине 10. Если записывается логическая единица, то цепь заряда конденсатора 2 замыкается через открытый запоминающий транзистор 1. При записи нуля заряда конденсатора 2 не происходит либо он разряжается через транзисторы 5, 4 и 1, если ранее был заряжен.Режим считыв апня. Числовая шина 10 предварительно разряжается,...

Номер патента: 533989

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Андрианов, Барбакова, Кисельников, Торгашев, Шкиртиль

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативное, запоминающее

...содержащими логические элементы, блок 8 извлечения мно- ЗО гозначного ответа и дополнительный сдвигаю 533989щий регистр 9, служащий для хранения текущих результатов сравнения. Выходы регистра 1 и регистра 2 маски соединены с ячейками памяти 7, выходы сдвигающего регистра 3, служащего для хранения результатов поиска, - 5 с входами регистра 4 и с ячейками памяти 7, выходы регистра 4 слов, регистра 5 занятости и блока 8 - с входами сдвигающего регистра 3. К выходам ячеек памяти подключены входы каждого разряда сдвигающего регистра 9, 10 а выходы регистра 9 - к входам соответствующих разрядов сдвигавшего регистра 3.Работает устройство следующим образом.При осуществлении поиска в регистр 1 вводится часть ассоциативного признака, рав ная длине...

Номер патента: 533990

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Балашов, Куприянов, Петров

МПК: G11C 15/00

Метки: запоминающее, логическое

...8, другой вход которого подключен к предыдущему адресному входу блока памяти, а выход - к одному входу третьего элемента И 9, выходом связанного с соответствующим адресным входом блока памяти, а вторым входом - с инверсным выходом соответствующего разряда дополнительного регистра 10. Единичный вход регистра 10 соединен с выходом элемента И 5, а нулевой вход - с управляющей шиной 11. Устройство содержит также регистр 12 входного слова, подключенный к одним входам блока 13 управления, другие входы которого подсоединены к управляющим шинам 14, а выходы - к разрядным входам блоков 1 памяти.Рассмотрим работу логического запоминающего устройства.В исходном положении в регистре 12 хранится входное слово, а в каждой числовой линейке накопителя,...

Номер патента: 533991

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Золотаревский, Некрасов, Сидоренко, Ткачук

МПК: G11C 19/28

Метки: запоминающая, регистра, сдвига, ячейка

...на шину 9 тактовых импульсов уровня 1, транзисторы 1 - 5 образуют триггер, так как открывается транзистор 5 управления и замыкает цепь обратной связи.Одновременно открывается транзистор 6 и передает информацию на затвор транзистора 8. Уровень О на входной шине 12 не влияе0 на состояние триггера.533991 Формула изобретения Составитель В. фроловТехред 3. Тараненко Редактор И, Грузова Корректор А, Галахова Заказ 2268/17 Изд.1694 Тираж 723 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, К, Раушская наб., д, 45Типография, пр. Сапунова, 2 С подачей уровня 1 открывается транзистор 8, однако, ток через узел записи не протекает вследствие того, что на истоке транзистора 8 действует...

Номер патента: 452285

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Суханов

МПК: G11C 11/42

Метки: выборкой, пространственно-распределенный, прямой, слова, фотоприемник

...В каждом участке сформированы две области 3 и 4 р(И )-типа проводимости, симметрично расположенные относительно разделяющей их базовой области5, которой служит материал этого же изолированного участка, Области 3 электрически соединены с адресными шинами 6, а области 4 - с разрядными шинами 7, Шины 6и 7 электрически изолироьаны одна от другой на площадках ь. Расстояние междур( п )-областями 3 и 4, т, е, ширина базовой области 5, не превышает длины диффузионного смещения нсосновных носителейтока, созданных светом в базовой области,Лгпиа диффузионного смещения зависит отчистоты материала, составляющего участки 2и может быть выбрана в случае использования кремния от десятых долей микрона досотен микрон.11 исходном состоянии на матрицу...

Номер патента: 534792

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Казеннов, Контарев, Кремлев, Семученков, Стороженко, Тихонов, Щетинин

МПК: G11C 11/40

Метки: интегральная, памяти, ячейка

...представлена принципиаленная схема интегральной ячейки памяти. Интегральная ячейка памр-и-р-транзистор 1, первуюадресные шины, шину записивания 5 и 6, и-р-и-транзистор 7нительный ь-р-и-транзистор 8.Интегральная ячейка памяти рабследующим образом.В режиме хранения информации3 подано напряжение, величина котопределяет ток хранения, На шиневания 6 напряжение равно нулю, асчитывания 5 подано опорное напрположительной полярности. На шине5347 10 Составитель В. ГордоноваРедактор Л. Утехина Техред М Ликович Корректор Б, К)гаЗаказ 5551/243ЦНИИПИ Го С Тираж 723 сударственного комитета по делам изобретений и Москва, Ж, РаушскаяПодписноеСовета Министровоткрытийаб., д. 4/5 13035 атентф, г. Ужгород, ул. Проектн филиал П иряжение равно нулю, а на...

Номер патента: 534793

Опубликовано: 05.11.1976

Автор: Захаров

МПК: G11C 19/00

Метки: регистр, сдвига

...с этих усилителей возможно два ва-рианта рассогласования сигналов синхронизации, поступающих на разные части ре. гистра сдвига.Если синхросигнал С ,(+ 1) -горазряда задержан относительно синхросигнала С(фиг. 2), то на выходе согласующего триггера 5 информационный сигнал Я с появляется с учетом времени переходбОных процессов в согласующем триггере 5,4на заднем фронте синхросигнала 6 .Поэтому синхросигнал осуществляет надежную%запись в ( 1 + 1)-й разряд регистра, Ес-; ли синхросигнал С ( (фиг. 3)-го раэ 1 ряда задержан относпельно синхросигналд С. + (+ 1)-го разряда, то на выходесогласующего триггера 5 истинное знач . ние информационного сигнала Яс сохраняется на интервале от заднего фронта сифхросигнала С до заднего фронта...

Номер патента: 534794

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Деркач, Копыл, Рева, Торчинский, Фролов

МПК: G11C 19/28

Метки: регистр, сдвига

...вторая группа электродов 7-9. Электроды 5, 6, 8 и 9, присоединенык первой управляющей шине 10,электроды 3, 4 и 7 - ко второй управлян 3щей шине 11. Устройство содержит такжевыходную 12 заряжающую 13 и входную1 4 области противоположного с подложкойтипа проводимости, заряжающий 15, входной 16 и дополнительный 17 электроды,Заряжающий электрод 15 и входная област14 присоединены к шине 10, дополнитель .ный электрод 17 и заряжавшая область 1к шине 11, Входной электрод 16 соединенс выходной областью 12, Устройство содержит также экранируюший электрод 18, рас-,положенный между электродом 16 и входной областью 14.На шину 10 подано импульсное напряже,ние, тактирующее работу устройства, нашину 11 - постоянное напряжение, равноепримерно половине...

Номер патента: 534795

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Бабанов, Базилевич, Рукаданов

МПК: G11C 29/00

Метки: записью, многоканального, накопителя, последовательной, считыванием

...вх инам л жит та кода. им техническим решением к даннетению является устройство дляогоканального накопителя с по А. Базилевич и Ю. П. Рукодан.,рному принципу). Выход блоки 3 подключен ко вторым входам блока сравнения,1 и входу блока выявления переменной составляющей в восстановленном тесте 4, выход которого соедшен с одним .из входовисполнительного блока 5, другие входы ко;дорого подключены к выходам блока сравнения 1,К входным шинам 2 устройства подклкю,чаются выходы контролируемого накопителя 10;6.Устройство работает следующим образом.Тест состоящий из чередующихся "0" и;)ф 1", в виде последовательного кода подается одновременно на входы всех ннформациор-фных каналов накопителя 6. Через определенное время, равное задержке в канале,...

Номер патента: 535604

Опубликовано: 15.11.1976

Авторы: Гусаков, Зеленцов, Пашинцев, Сельков, Скориков

МПК: G11C 19/28

Метки: зарядовой, приборах, регистр, связью, сдвига

...полупроводника.5 10 15 2 д 25 30 35 принятые во вни 40 45 При подаче на эти слои обедняющих потенциалов основные носители из них удаляются через внешнюю цепь, и потенциал от поверхности раздела диэлектрик-полупроводник изменяется периодически вглубь полупроводника, образуя чередующуюся последовательность экстремумов (максимумов и минимумов), каждый из которых расположен в слое полупроводника соответствующей проводимости. Каждая экстремальная область, являющаяся одним из информативных каналов, отделена от соседней экстремальной области потенциальным барьером, Свободные основные носители заряда одного знака (электроны или дырки), инжектированные из внешнего источника в информативный канал соответствующей проводимости, храняться в...

Номер патента: 536525

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Ракитин, Титов

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, логический, магнитный, элемент

...и логичеакого элемента.Это достигается тем, что в магнитный запоминающий и логический элемент, содержащий сложный магнитопровод с источником потока, расположенным на среднем стержне, площадь поперечного сечения которого вдвоа больше, чем у всех остальных участков магнитопровода, с двумя исходящими из,концов этого стержня симметричными относительно него замкнутыми раоочими стержнями, каждый из которых содержит, пару отверстий, симметриччо расположенных отлосительно среднего стержня и прошитых опросными и сигнальными обмотками, введены входные обмотки, расположенные на каждом рабочем стержне магнитопровода.На чертеже изображен предлагаемый элеПри записи информации в рабочий стержень 3 управляющий ток по определенному направлению...

Номер патента: 536526

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Замковец, Иванов

МПК: G11C 11/16

Метки: запоминающее

...управления 7.На концах регистров хранения 3, примыкающих к регистру связи 4, находятся дололнительные аппликации 8 из .магнитомягкого материала, выполненные в виде пересекающихся Н-образной и Т-образной аппликаций, Элементы передачи даменов б выполнены в виде крестообразных аппликаций и расположены на одной прямой с каждой вертикальной ветвью Н-образной части дополнительных аппликаций.Запоминающее устройство работает следующим образом,При вращении управляющего магнитного поля против часовой стрелки магнитные домены в регистрах также движутся против часовой стрелки, При направлении управляющего поля вниз домены в регистре хранения 3 займут положения 9 на нижних концах эле536526 5 ментов, передачи б, В этот момент в шину управления 7...

Номер патента: 536527

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Аракчеева, Иванов, Мамута, Прушинский, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...коллектор и-р-и транзистора 8, бава которого связана с числовой шиной 7, а эмиттер его - с шиной питания (смещения) 9. З 5Ячейка памяти работает в трех режимах;режим хранения; режим записи информации и режим считывания информаптл.В режиме хранения информации прямым смещением напряжения на переходе база - 4 О эмиттер открыт и насыщен транзистор 8, а, следовательно, смещены в прямом направлении переходы эмиттер - база транзисторов 5 и б, и происходит непосредственная инжекция носителей в базы гг-р-гг транзисторов 1 45 и 2.Если один из транзисторов 1 или 2, например транзистор 1, насыщен и инверсный коэффициент усиления по току этих транзисторов В=1, то обратный ток эмиттера насы щенного транзистора 1 переключает на себя ток инжекции...

Номер патента: 537386

Опубликовано: 30.11.1976

Авторы: Борисевич, Михайлов, Смирнов

МПК: G11C 7/08

Метки: выборкой, информации, накоплением

...содержит блок 1 запоминания, регистр 2 числа, регистр 3 адреса, первую 4 и вторую 5 кодовые шины информации, дешифратор 6 адреса сообщений, постоянный запоминающий блок 7, счетчик 8 приоритетов, элементы ИЛИ 9 - 11, дешифратор 12 конца сообщения, дешифратор 13 конца заголовка, счетчик 14 каналов, шину 15 номеров каналов, блок 16 управления, блок 17 распределения ячеек запоминающего блока, каналы 18, регистры 19 - 23 обработки, регистры 24 и 25 обмена, реверсивный счетчик 26 страниц, дешифратор 27 числа страниц, преобразователь 28 код в напряжен и блок 29 регистрации записи,В процессе управления накоплением и выборкой информации при каждом обращении к блоку распределения ячеек запоминающего3блока 17 из блока 1 б управления на первый...

Номер патента: 537387

Опубликовано: 30.11.1976

Авторы: Визун, Зыков, Лаут, Мико

МПК: G11C 7/08

Метки: запоминиающего, стробирования, считывания, узел, усилителей, устройства

...одно из отверстий биаксов.На чертеже представлена схема узла стробирования усилителей считывания для ЗУ.Узел стробирования содержит дополнительную разрядную шину 1 накопителя, подклю 20 ченную к входу усилителя-формирователя 2и прошитую через дополнительные магнитныеэлементы 3, трансформаторы связи 4, объединяющие группы адресных шин 5, соединенныесо своими магнитными элементами 3. В уст 25 ройство введены также группы числовых проводников 6, связанных с основными магнитными элементами 7, прошитыми разряднойшиной 1,В цикле считывания ток опроса подается30 в одну из адресных шин 5 и далее поступаетв определенный числовой проводник 6, возбуждая все связанные с ним магнитные элементы, включая и элементы 7 на дополнительной шине. Так как...

Номер патента: 537388

Опубликовано: 30.11.1976

Автор: Кабанов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...буферного биполярного транзистора 3 соединен с подложкой 5, исток МДП-транзистора 1 записи и эмиттер буферного биполярного тран зистора 3 соединены с разрядной шиной б, затвор транзистора 1 - с числовой шиной 7 записи, а исток МДП-транзистора 2 считывания - с числовой шиной 8 считывания,В режиме хранения напряжение на число вой шине 7 записи равно нулю. На разряднуюшину 6 и числовую шину 8 считывания подается отрицательное напряжение, которое больше по величине порогового напряжения МДП- транзисторов, на подложку 5 - небольшое 25 постоянное положительное напряжение смещения. В результате этого все транзисторы ячейки закрыты. Для записи информации в ячейку памяти, на числовую шину 7 записи поступает отрицательное напряжение, При 30...

Номер патента: 538419

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Водяхо, Тимофеев

МПК: G11C 11/08, G11C 7/00

Метки: запоминающего, запоминающий, информации, магнитного, магнитный, считывания, элемент, элемента

...из которых прошита через малое крайнее отверстие. и выходную обмотку, в котором вторая координатная обмотка прошита через малое крайнее и центральное отверстия в одном направлении и через большое крайнее отверстие в другом направлении, а выходная осмотка прошита два раза через центральное отверстие в одном направлении и через большое и малое крайнее отверстия в другом направлении,На фиг, 3 изображен магнитный запоминающий элемент для ссуществлегяя предложенного способа считьвания; на фиг, 2 - граф переходов сердечника элемента под действием импульсных управляющих токов.Магнитный запоминающий элемент содержит ферритовую пластину 1 с большим крайним и двумя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и...

Номер патента: 538420

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Васильева, Седых, Фиошкина

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, магниторезистивное, плоских, считывания

...с фотолитографии этих слоев.Поставленная цель достигается путем того, что в предложенном магниторезистивном устройстве для считьвания плоских магнитных доменов, содержащем расположенный в тонкой магнитной пленке участок низкокоэрцитивного канала распространения доменов, окруженный высококоэр. цитивным участком пленки и соединенный с контактными выводами, контактные вьводы выпол538420 2 иг. иг Составите Ю. РозентальЛикович едактор Л. Утехина ехред оррек каз 5724/3 Тираж 720 ИИПИ ГосударственногПодлисноенистров ССС омитета Сове изоб й и открыти по дел035, Мо 35, Раушская наб., д ква,илиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 иены в виде высококоэрцитивных участков магнитной пленки, отделенных от остальной пленки изолирующими...

Номер патента: 538421

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Александров, Перепеченых, Стебаков, Тян, Фиалков, Юрков

МПК: G11C 11/02

Метки: запоминающий, элемент

...техническим решением к данному изобретению является запоминающий элемент, который содержит, как и предложенный пленку из графитирующегося вещества, расположенную между двумя токонесущими электродами 2) аче на элемент импульса на скачкообразное увеличение4 - 5 порядков, причем послсостояние высокой проводим При п происходипряже ния проводие снятия Недостатк ляется изм м известного элемента памяти ости на ение сопротивлени сти сохя разнос- Перевод апряж временем, а бразцов, выакже большои разбро олненных в идентичньЦелью изобретения ельности хранения инфПоставленная цель параметро условиях, является раняется дл тей потенци тельное время без приложенналов, т. е. без затраты энергии ьное состояние осуществля личение длипервоначей импул...