G11C — Запоминающие устройства статического типа

Номер патента: 1119083

Опубликовано: 15.10.1984

Автор: Лутохин

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...входамиусилителя, первый вход делителянапряжения является входом устройства, второй вход делителя напряжения соединен с первыми входами разделительных элементов и с шинойнулевого потенциала, выходы делителя напряжения соединены со вторымивходами разделительных элементов,выходы которых соединены с выходами пороговых элементов и с первойгруппой входов накопителя, второйвход которого соединен с шиной управления, а третий вход накопителя сое 1динен с выходом источника опорного напряжения,На чертеже приведена функциональная схема предложенного устройства.Оно содержит делитель 1 напряжения, источник 2 опорного напряжения,разделительные элементы 3, накопитель4, пороговые элементы 5, усилитель б,шину 7 управления и шину 8...

Номер патента: 1120404

Опубликовано: 23.10.1984

Авторы: Замирец, Парасюк, Путятин, Шаповалов

МПК: G11C 5/12

Метки: вязки, жгутов, накопителей

...А-А на фиг, 1; на фиг, 3 - разрез Б-Б на фиг. 1; на фиг, 4-О - последовательность взаимодействия элементов и образование обычного шва на одном из стволов программного жгута.Устройство содержит привод 1, вал 2, кулачок 3, выполненный в виде овапьной поверхности,.механизм 4 вертикального перемещения, крючок 5 с клапаном 6, механизм 7 горизонтального перемещения, ролики 8 и 9, тяги О и 1, электромагниты 12 и 13, сердечники-улавливатели 14 и 15, дер. жатели 6 и 17, излучатели 18 и 19, фотоприемники 20 и 2, диафрагмы 22 и 23, челнок 24 со шпулей 25, кулачок 26, механизм 27 поворота крючка с клапаном, механизм 28 перемещения петлителя, петлитель 29, ствол 30 программного жгута, нить 31.Устройство работает следующим образом.При включенном...

Номер патента: 1120405

Опубликовано: 23.10.1984

Авторы: Бочков, Лазаренко, Однолько, Соломоненко

МПК: G11C 7/06

Метки: считывания, усилитель

...конденсатора, затвор первого нагрузочного транзистора соединен с первой обкладкой второго конденсатора и стоком второго ключевого транзистора, исток первого усилительного транзистора соединен с истоком второго усилительного транзистора, пер-, вую и вторую шины управления, содержит третий и четвертый ключевые транзисторы, стоки которых являются соответственно первым и вторым входами устройства, исток третьего ключевого транзистора соединен со стоком первого ключевого транзистора, исток которого соединен с истоками первого усилительного и второго ключевого транзисторов и шиной нулевого потенциала, исток четвертого ключевого транзистора соединен со стоком второго ключевого транзистора, вторая обкладка первого конденсатора соединена с...

Номер патента: 1120406

Опубликовано: 23.10.1984

Авторы: Бондаренко, Вальков, Задоркина, Мануилов, Соболев

МПК: G11C 7/12

Метки: информации, памяти, пьезоэлектрическом, стирания, элементе

...с различнымн параметрами или.приутере информации о параметрах записываюшух импульсов, или, если внакопитель поступил сигнал помехи,практически невозможно, так как неможет быть достигнута необходимаяидентичность стиракнцих импульсовзаписанным. 06 2 Стирание двумя радиоимпульсамис частотаж 71,5 МГц и 72,5 МГц каж Ф ВНИИПИ Заказ 7750/40Тираж 574 Подписное фиакр ШЙ Ъатектф, 3.Ужгород, ул.Проевтная, 4 Целью изобретения является повышение надежности стирания.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу стирания информации в пьезоэлектрическом элементе памяти, основанному на возбуждении упругих колебаний и переориентировании частиц пьезоэлектрика, возбуждение упругих колебаний и переориентирование частиц пьезоэлектрика осуществляют...

Номер патента: 1120408

Опубликовано: 23.10.1984

Автор: Матвеев

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативное, запоминающее

...другие входы которых подключены к выходу селектора, авыходы подключены к одним иэ входов ЗОэлементов И,. выходы которых соединены с входами индикаторов, выходрегистра опроса подключен к входуцифроаналогового преобразователя,одни иэ входов ключей и вход порого"вого элемента соединены с выходамиблоков сравнения группы 2,Недостатком известного устройства является невысокое быстродействие при поиске экстремумов, который мо- О жет быть выполнен только за два такта работы.Целью изобретения является повышение быстродействия при поиске условных экстремумов.Поставленная цель достигается тем, что в ассоциативное запоминающее устройство, содержащее регистры признаков, регистр опроса, группу цифро. аналоговых преобразователей, селектор 5 О первую...

Номер патента: 1120409

Опубликовано: 23.10.1984

Автор: Матвеев

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативное, запоминающее

...признаков, а выходы цифроаналоговых преобразователей подключены к первым входам соответствующих аналоговых блоков сравнения и к входам селектора, выход которого подключен к вторым входам аналоговых блоков сравнения 2 .Недостатком известного устройства З 5 является ограниченность области применения вследствие отсутствия возможности выполнения поиска условных экстремумов.Целью изобретения является расши рение области применения устройства путем обеспечения возможности выполнения в нем поиска условных экстремумов.Поставленная цель достигается тем,45 что.в ассоциативное запоминающее устройство, .содержащее регистры признаков, цифровые блоки сравнения, .цифроаналоговые преобразователи, аналоговые блоки сравнения, индикаторы 50 результата...

Номер патента: 1120410

Опубликовано: 23.10.1984

Автор: Матвеев

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативное, запоминающее

...элемента, другие " к одним из входов ключей 2 .г 40Недостатками известного устройства являются пониженное быстродействие при поиске хранимых признаков, входящих в окрестности экстремальных величин, так как эти признаки могут45 быть выделены только поочередно, с последовательным исключением отобранных признаков из массива исходных хранимых признаков, т.е. поиск закимает от одного до 11-1 тактов (гдев . 50 число хранимых признаков), а также повьппенная сложность устройства. Целью изобретения является повышение быстродействия при поиске 55 хранимых признаков, входящих в окрестности экстремальных величин, а также упрощение устройства. 10 ъПоставленная цель достигается тем, что в ассоциативном запоминающем устройстве, содержащем...

Номер патента: 1120411

Опубликовано: 23.10.1984

Автор: Матвеев

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативное, запоминающее

...области применения устройства эа счет увеличения числа критериев поиска, а именно осуществление поиска в множестве хранимых признаков Х М; где 11,П, таких признаков х 66;1, ите дхе всехВ -6-Е ФОС 1нлигде- первый признак опроса, а 7 " второй признак опроса.Поставленная цель достигается тем, что в ассоциативное запоминающее устройство, содержащее регистры при" знаков, первый регистр опроса, цифроаналогоВый преобразователь, селектор, сумматор, блоки сравнения и индикаторы результатов поиска, причем выход первого регистра опроса подключен к входу цифроаналогового преобразователя, выход которого подключен к одному из входов сумматора, другойг е для всех61 -4 - ЕО,3 11204 вход которого соединен с выходом селектора, введены блок выделения...

Номер патента: 1120412

Опубликовано: 23.10.1984

Авторы: Белалов, Забуранный, Корнейчук, Орлова

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, контролем

...сое диненного выходом с входом контрольных разрядов выходного регистра данных, соединены соответственно с выходом второго узла формированияконтрольных Разрядв и Выходом контрольных разрядов регистра чтенияданных. Управляющие входы входногои выходного коммутаторов подключенысоответственно к второму и третьемуВыходам узла упраВления памятью50Недостатком известного устройстваявляется необходимость наличия дополнительных.шин интерфейса для передачи контрольньпс разрядов и невоэмакность проверки оборудования без этих 55шин. Кроме того, выбор комбинацииконтрольных разрядов ограничен,областью свободных адресов памяти, не 412 23 11204вход - к четвертому выходу блока управления, выход второго регистра -к управляющему входу, а выходы...

Номер патента: 1123055

Опубликовано: 07.11.1984

Автор: Павел

МПК: G11C 8/00

Метки: адресный, блок, запоминающего, устройства

...оперативно . запоминающее устройство как внутреннюю запоминающую ступень. В системе осуществляется страничный. обмен информацией между ее ступенями,Адресный блок работает следующим образом. В момент, когда внешняя ступень в многоступенчатой запоминающей сис теме (не показана). находится в состоянии выполнения запроса на выцеление страниц для переноса ее во внутреннюю ступень генерируется запрос на выделение страницы. Адрее этой страницы поступает на входы9 -9 блока и, следовательно, на вхо Поставленная цель достигается тем, что в адресный блок для запоминающего устройства. содержащий первый и . З 5 второй регистры адреса, введены элемент сравнения и элемент И, первый вход которого подключен к выходу элемента сравнения. второй вход...

Номер патента: 1123056

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Косоусов, Максимов, Петричкович

МПК: G11C 7/00, H03K 5/00

Метки: импульсов, формирователь

...является снижение потребляемой мощности формирователя импульсов.Поставленная цель достигается . тем,что .в формирователь импульсов, содержаний первый и второй МДП-транзисторы и -тина проводимости, третий МДП-транзистор р-типа проводимости.шину питания и шину нулевого потен 056 2тый и пятый МДП-транзисторы И -типа проводимости, причем исток третьего МДП"транзистора р -типа проводимости соединен с шиной питания,а, затвор - с затвором первого МДП-транзистора П-типа проводимости, истоки четвертого и пятого МДП-транзисторов и -типа проводимости подключены к шине нулевого потенциала, затвор четвертого МДП-транзистора и-типа проводимости является вторым управлякпцим входом устройства, сток четвертого. МДП- транзистора и-типа...

Номер патента: 1123058

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Базаров, Щербакова

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, источник, магнитного, многокристалльного, накопителя, поля, постоянного

...нокаэан предлагаемыймагнитного поля, внутри которых на источник магнитного поля.коммутационной плате установлены до Он содержит корпус 1, пластины 2менсодержащие кристаллы 1113. магнитотвердого материала с полюсныНедостатком этого модуля является ми наконечниками 3, которые могутбольшая потребляемая мощность, быть как плоскими, так и клинообразНайболее близким по технической ными.сущности к изобретению является уст-Устройство работает следующим об 20ройство, содержащее корпус из магии- разом,томягкого материала, к верхней и ниж. В. устройстве создается ряд контуней стенкам которого прикреплены ров замыкания магнитного потока,пластины из магнитотвердого матерна-. число которых равно числу секций мнола с полюснымн наконечниками, между....

Номер патента: 1123059

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, неразрушающего, считывания, цилиндрических

...формирование протяженной магнитостатической ловушки (МСЛ) переменной длины. При этом длина МСЛ может равняться длине одной из полупетель или суммарной длине обеих полупетель, что обеспечивает растягивание домена, введенного из одной ветви регистра памяти, считывание соответствующей информации и последующее перемещение домена в другую ветвь регистра памяти. Продвижение домена через беззазорный по длине контур расширителя более надежно по сравнению с известными устройствами, так как домен не может выйти за пределы этого проводникового контура расширителя.На чертеже изображена конструкция предложенного устройства для не- разрушающего считывания ЦМД.Устройство содержит магнитоодноосную пленку 1, изолированные друг от друга...

Номер патента: 1123060

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Епанчинцев, Катсон, Силантьев, Шелухин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, магнитоодноосной, параллельной, пленке, полосовой, структуры, формирования

...цель достигается тем,что согласно способу формированияпараллельной полосовой доменнойструктуры в магнитоодноосной пленке,основанному на воздействии на пленкупеременным магнитным полем, направленным перпендикулярно плоскостипленки, после воздействия на пленкупеременным магнитным полем плоскостьпленки поворачивают параллельно направлению магнитного поля и уменьша-.ют амплитуду переменного магнитногополя до нуля,На чертеже изображено устройстводля реализации предлагаемого способа.Устройство для формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке содержит соленоид 1, вставку 2, держатель 3 с кассетой 4, задающий гене 1 ратор 5 тока, образец б.В соответствии с предлагаемымспособом формирование...

Номер патента: 1123061

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Вдовиченко, Горемыкин, Клименко, Рублев, Субботин, Фурсин

МПК: G11C 19/00

Метки: регистром, сдвиговым

...сущности являетсяф реверсивный сдвигающий регистр, содержащий элементы НЕ и элементы И"НЕ 21.Недостатком известных регистровявляется невозможность их работы сустройствами на приборах сплазменной связью.Цель изобретения - расширениеобласти применения устройства засчет возможности его работы с регистрацией на приборах с плазменной25связью,Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство управлениясдвиговым регистром, содержащеедва элемента И-НЕ, два элемента НЕ,причем. первый, второй входы первогоэлемента И-НЕ соединены с первым,вторым входами устройства, выходпервого элемента НЕ является первымвыходом устройства, первый входустройства соединен с первым входомвторого элемента И-НЕ, введен элемент И, причем выход первого...

Номер патента: 1124380

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Клепиков, Петровский, Шастин

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...памяти, вхо 80 2ды второй группы входов коммутаторов первой группы соединены с соответствующими выходами рабочих блоков памяти, входы первой группы входов коммутаторов второй группы являютс, соответствующими адресными входами устройства, входы второй группы входовкоммутаторов второй группы соединеныс соответствующими адресными входами устройства, входы вспомогательногоблока памяти соединены с входамивторой группы входов коммутаторов второй группыНа чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства.Запоминающее устройство подключается к регистрам 1 и 2 адреса, которые имеют дополнительные разряды 3 и 4, выходы которых подключаются соответственно к,первому и второму входам схем 5 сравнения и являются соответственно первым и вторым...

Номер патента: 1124381

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Середкин, Фролов, Яковчук

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитный, носитель

...тем,что в магнитном носителе информации,содержащем диэлектрическую подложкус последовательно нанесенными йа неетермочувствительным и магниточувствительным слоями, причем магниточувствительный слой выполнен из ферромагнитного материала с одноосной анизотропией в плоскости слоя, термочувствительный слой выполнен из ферримагнитного материала с перпендикулярной плоскости слоя осью анизотропии35На фиг. 1 и 2 показан предлагаемый магнитный носитель информации вдвух состояниях.Устройство содержит диэлектрическую подложку 1, на которую нанесентермочувствительный ферримагнитныйслой 2. На слой 2 нанесен магниточув 381 2ствительный слой 3 с намагниченностьюлежащей в его плоскости.Величина коэрцитивной силы материала слоя 2 15 кЗУ а слоя 3 2-3...

Номер патента: 1124382

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Гомон, Косинов, Кузьменко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, оперативного, устройства

...свойств. Кроме того, металлизированные токопроводящиедорожки, нанесенные на поверхностьматериала торцовых панелей, уменьшают эластичные свойства материала торцовых панелей, так как они по отношению к последнему имеют отличный отнего коэффициент линейного расширения,Указанный недостаток ограничиваеттемпературный диапаэрн работы накопителя и снижает его надежность.Цель изобретения - повышение надежности накопителя для оперативногозапоминакщего устройства путем устранения механических воздействий материала торцовых панелей на стержнис ЦИП при изменении температуры,Поставленная цель достигается тем,что в накопителе для оперативного за"поминающего устройства, содержащемчисловые обмотки, образующие соленоиды, с расположенными в них стержнями,...

Номер патента: 1124383

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Каарли, Кикас, Копраненков, Ребане

МПК: G11C 13/04

Метки: информации, носитель

...волны возбуждающих импульсов, должно превьппать длительность записываемого сигнала, поскольку эа пнсь в импульсной характеристике носителя производится за счет интерференции последовательности подавае 383 4мьи импульсов в возбужденном состоянии носителя информации, Время фазовой релаксации Т увеличивается при охлаждении и составляет максимально О, 1-100 нс. Носитель выполнен в виде пластинки с толщиной 10 мм при ширине неоднородного уши, ренного спектра примесного поглощения 50-500 см-" и обеспечивает необходимую оптическую плотность (Р 2-4) без повышения концентрации примеси до величины 10"4 -1 О 1 моль/л, при которых происходит уменьшение времени фазовой релаксации возбужденного состояния примеси, что ограничивает...

Номер патента: 1124384

Опубликовано: 15.11.1984

Автор: Колдасов

МПК: G11C 15/00

Метки: запоминающее, логическое

...один конец которых заземлен, а другой подключен к входу усилителя считывания (УСЧ), выход которого подключен к входу блока БУЗ, выход которого соединен с одним входом блока блокировки считывания (БС) и одним из входов каждого элемента И и каждого элемента НЕ-И, к другому входу блока БС подключен выход блока БЗЯ, который также подключен к второму входу АР, выход блока БС подключен к второму входу УСЧ индуктивно с помощью обмотки синхронизации (ОС) вход усилителя синхронизации связан с ЗЭ каждой ЗЯ, хранящими постоянно информационные 0, выход усилителя синхронизации подключен к входу преобразователя длительности сигнала синхронизации, выход которого подключен к второму входу первого блока местного управления, с ЗЯ индуктивно с-.цзаны...

Номер патента: 1125653

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Кузьменко, Лисица

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...об"раэования зева их разведением, вплетения в технологические струны проводников числовых обмоток, перемещения сформованных витков чис-.ловых обмоток за зажим-разделитель,заливки полученных .обмоток послеокончания плетения компаундом иизвлечения технологических струн 13.Недостатком известного способа 15является низкий выход годных мат"риц, обусловленный различной величиной Формируемых,полуволн витковобмоток по длине матрицы.- минимальных в начале плетения матрицы и 2 Оувеличивающихся к концу плетенияматрицы.Цель изобретения - повышениевыхода годных матриц путем формотвания одинаковых витков числовых 25обмоток по всей длине матрицы,Поставленная цель достигаетсятем, что при способе изготовленияматриц запоминающих устройств на...

Номер патента: 1125654

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Барышников, Соляр

МПК: G11C 11/34, G11C 7/00

Метки: информации, меди-диэлектрик-кремний, основе, памяти, перезаписи, структуры, халькогенид, ячейке

...на уровне 5 В.Контроль состояния ячейки проводится по величине ее электрического сопротивления: состоянию с высокой проводимостью соответствует сопротивление не более 10 кОм, с низкой проводимостью - не меиее 100 кОм. Промежуточное состояние (сопротивление между 10 и 100 кОм) считается отказом записи.После проверки состояния ячейка подвергается испытаниям на сохраняемость записанной информации в течение 500 ч при 70 С,П р и м е р 2 . Запись состояния с высокой проводимостью осуществляется подачей на ячейку памяти импульсов отрицательной полярности напряжением 6 В при ограничении тока величиной 0,05 мА, состояния с низкой проводимостью - подачей импульсов тока отрицательной полярности величиной 1,5 мА с напряжением не более 3 В....

Номер патента: 1125655

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Иванисов, Попов

МПК: G11C 19/00

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...потребляемой ячейкой от источни ка питания при передаче уровня логического фф 01 ф,Поставленная цель достигается темчто ячейка памяти, содержащая коммутирующий, управляющий и нагрузочныйтранзисторы, исток коммутирующеготранзистора является входом ячейкипамяти, затвор соединен с первой тактовой шиной, а сток - с затвором управляющего транзистора, содержит также шунтирующий транзистор, затворкоторого подключен к стоку коммутирующего транзистора, сток - к второйтактовой шине, а исток является первым выходом ячейки памяти, сток уп"равляющеготранзистора подключен к 60шине питания, а исток является вторым выходом ячейки памяти, к которомуподключен сток нагрузочного транзистора, исток и затвор которого подключены к общей шине. 65 На...

Номер патента: 1125656

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Белов, Шашин

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, информации, коррекцией

...15 и16 основного накопителя 1, входы 17синхронизации выходного регистра 4,выбирается таким образом, чтобы под-лежащие хранению в дефектных элемен-.тах памяти разряды слова О ЮОдиО+С.совпадали с теми двоичными символами,которые хранятся в соответствующих: 5. дефектных ячейках.При предлагаемом способе формирования записываемого в накопитель 1слова, число информационных разрядов в слове на К больше, чем при 10 известном. При заййси информации первые Кь-г разрядов. информационногословаО=(О ., О, )О =01) 161 4 пК.помещаются в первые К разрядов регистра 3 через входы 25, а последние .г разрядов помещаются в блок 12(фиг.1) . Из блока 12 закодированныекодом (г, к) последние разряды информационного слова помещаются в последние г разрядов регистра...

Номер патента: 1125657

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Бабаев, Бакакин, Исаев, Попов

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти, постоянной

...контрольных сигналов блока 15 сравнения;элемент И 62 - обращение к накоги.т 0телю 12 элемент И 63 - опрос кодоРного жгута через дешифратор 16;. элемент И 64 вырабатывает сигнал ошибок; элемент И 65 - Формированиявре в :енной диаграмм (,пуск Формирователя 13 управляющих сигналов (; эле 2- мент И-ИЛИ 67 формирует счетный им,пульс адреса.Формирователь 13 управляющих. сиГналон (фиг 4 ) содержит регистр 77,элементы И 78 - 81 и триггеры 824 д и 83 еРегистр 77 содержит п Р 5 -триггеров в зависимости от контролируемого блокаБлоки, нходящле в предложенное45 устройство, выполнены на интегральных схемах, например, серии "34,Блок 10 ввода ко 1 ч 1 тролируе 1 юх сигналон пОзнОляет прОизВодить считыва"ние контрольной информации с перфоя карты н...

Номер патента: 1125658

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Дегтярева, Елышко, Шевченко

МПК: G11C 29/00

Метки: автономным, запоминающее, контролем, оперативное

...которого подключен к первомувходу первого элемента И, второй входкоторого и первый вход четвертогоэлемента И соединены с выходом второ-.го триггера, первый вход которогоподключен к выходу генератора импульсов, а второй - к первым входу и выходу распределителя сигналов, второй вход которого подключен к выходупервого элемента И, а второй и третий выходы соединены с первыми вхо-.дами элементов И-НЕ и входом элемента задержки, выход которого подключен к первому входу второго элемента И, вторые входы элементов И-НЕсоединены с выходом первого .элемента НЕ, а выходы - с одними из входов .элемента ИЛИ-НЕ, другой вход которо-,го подключен к выходу первого Формирователя сигналов.и первому входупервого триггера, второй вход которого соединен с...

Номер патента: 1127001

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Рагульскис, Федаравичюс

МПК: G11C 5/12

Метки: ориентации, сердечников, ферритовых

...раторы высокочастотных колебаинй, генератор 10 переменной частоты, блок размещенные в кассете, трафарет, 11 управления, вибраторы 12 вь 1 сокоустановленный на вибраторах высоко- частотных колебаний, ферритовые серчастотных колебаний, генератор низ-дечникн 13, трафарет 14, вакуумный койчастоты,первый вход которого сое-канал 15, трубопровод 16. динен с первым вибратором, а выход - Устройство работает следующим с первым входом блока управленияобразом.второй вход которого. соединен с вакУ- Через отверстия в крышке 6 кассеты умным насосом, подключенным к вакуУм на трафарет 14 насыпается определенному каналу, расположенному под тра- ное количество ферритовых сердечни 40фаретом 2 3 ков 13, несколько превышающее числоНедостаток этого...

Номер патента: 1127002

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Беневич, Иванов, Соловьев, Цогоев

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающая, линейка

...направ- .лении, а смежные пары одноименныхадресных отверстий групп прошиты этимже проводником в противоположныхнаправлениях, смежные разрядные отверстия группы прошиты разряднымипроводниками.в противоположных направлениях,На чертеже изображена конструкция предложенной запоминающей линейки.Запоминающая линейка содержитпластину 1 из Феррита с ППГ, в которой выполнены две группы адресных отверстий 2 и группа разрядных отверстий 3,причем центры одноименных адреснькотверстий групп 2, расположены налиниях 4, перпендикулярных продольнойоси 5 пластины 1, а центры разрядныхотверстий группы 3 смещены от середи.ны б расстояний между линиями 4. Адресные отверстия групп 2 прошиты адресным проводником 7 с началом 8 иконцом 9, а разрядные...

Номер патента: 1127003

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Службин, Темерти, Хохлов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...причем смежные ферромагнитные аппликации повернуты относительно друг друга на 180 и гальванически связаны между собой.3 1127В предложенном канале для продвижения ЦМД выполнение и размещение токопроводящих шин и ферромагнитных аппликаций совместно с указанными связями, в том числе с .источником . внешнего магнитного поля, обеспечивают формированиемагнитостатической ловушки, .имеющей в отличие от прото- тина значительно больший градиент продвигающего поля, и в предложенном 10 устройстве нет элементов, меньших диаметра ЦИД.В таком канале формироваиие магнитостатических ловушек ОКИСЛ) обуславливается суммарным воздействием иеременного тока, подаваемого в пыны, и внешнего переменного магнитного поля с заданным сдвигом фазы относительно...

Номер патента: 1127004

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Водеников, Пятаченко, Руслякова

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитных, пленок, цилиндрических

...насыщения, коэффициента маг- величины Т (точкаА) до температурынитострикции и коэрцитивной силы маг- Т (точки В,С) в момент перехода конитной пленки.Цель изобретения - повышение надежности изготовления ЦИН путем одновременного, поддержания стабильностиих химического состава, толщины икристаллической структуры. 5 О можно, в раствор осаждения вводятПоставленная цель достигается тем,что согласно способу изготовленияЦИП, основанному на электролитическомосаждении слоя ферромагнитного сплавана немагнитную проволочную подложкой Иего термомагнитной обработке, в раствор осаждения периодически вводят дения солью указанного элемента поссоль одного из элементов осаждения ле снижения температуры и при умень1127004 4 3шенин температуры...