Барьяхтар

Номер патента: 1674258

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Мелихов, Редченко

МПК: G11C 11/14

Метки: записи, информации

...области, находящейся в размагниченномсостоянии, будет равно-- =:1 + - ,уо РоЭкспериментальная проверка показала, что при импульсном перемагничиваниипленок ФГ величина. А изменяется с ростом поля Н нелинейно и достигает максимального значения Ьв в поле Н= 2 Н. Всилу этого максимальное значение соотношения световых потоков от указанных областей, которые соответствуют10 та от ртутной лампы в оптическую схемумикроскопа введено зеркало 4, отразившись от которого, лучи последовательнопроходят через поляризатор 5, фокусирую 35 щую линзу 6 и исследуемый образец 7.Пройдя через образец, лучи попадают в объектив 8, анализатор 9 и далее на фотокатодфотоэлектронного умножителя 10 (маркаФЗУ), который запитан от стабилизиро 40 ванкого источника 11...

Номер патента: 1654872

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Барьяхтар, Гришин, Мартынович, Мелихов, Пащенко, Прудников

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, верхушке, детектирования, домена, линий, магнитооптический, полосового

...Калибровка конкретного фотоприемного устройства для заданной частотыпеременного поля Н обеспечиваетнепосредственное определение числаВБЛ в верхушке ПД.П р и м е р. Иагнитооднооснаяпленка (У, В 1) (Ре, Са)0, толщиной9,8 икм с параметрами 4 Р 1 = 120 Э,Н, = 0,5 Э, 0 = 25, о = 0,3, /и =50 10 си/с содержит, полосовой домен. В верхушке ПД постоянным планарным полем Н = 12 Э, направленным вдоль ПЛ, закреплены ВБЛ, Переменное планарное ноле Н = 4,5 Э частотой 35 КГц, перпендикулярное ПД, вызьг вает колебание ВБЛ. Пленку помещают в стандартный поляризационный микроскоп К 1 Ни освещают поляризованным светом лазера ЛГ. Диаметр светового пятна в верхушке ПД 5 мкм. Сигнал- отклик регистрируют фотоприемным устройствои ОЭУи усиливают...

Номер патента: 1417669

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Барьяхтар, Гришин, Мартынович

МПК: G11C 11/14

Метки: вихрях, записи, информации, магнитных, память

...рождается .цепочка МВ и зти МВ начинают двигаться вглубь пленки под действием магнитных сил. После импульса все рожденные МВ покидают устройство под действием сил притяжения со своими изображениями на берегах джозефсоновского контакта, кроме единственного МВ, которыи закрепился на ЛФ 2 Импульс тока управления продвигает генерироваяный вихрь с ЛФ 2 к соседней Лф 2 и освобождает ЛФ 2 для генерации следующего вихря,Считывание магнитных вихрей. Устройство позволяет считывать вихри только с ближайшеи ко дну желоба 3 ЛФ 2, Через джозефсоновский переход токовая шина - изолятор - пленка пропускается импульс тока считывания. Если на ЛФ 2 закреплен вихрь, то магнитный поток вихря проникает в джозефсоновский переход и приводит к уменьшению...

Номер патента: 1539839

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Барьяхтар, Гришин, Кузин, Мелихов, Редченко

МПК: G11C 11/14

Метки: коэрцитивной, монокристаллических, пленок, силы, феррит-гранатов

...оба режима движения 3 обратимый и не 45 обратимый. При достижении полем смещания величины объемной коэрцитивности Н, ДГ только деформируется в объеме пленки, а при достижении полем смещЕния значений Н ДГ начинает дви" гаться как целое.Обратимся к форме магнитооптического сигнала, отражающего реальный характер смецения ДГ во времени под действием пилообразного импульса однородного магнитного поля смещения Из фиг. 3 видно, при достижении по- лЕм смещения значения объемной коэрцитивности Н, появляется магнитооптический сигнал, обусловленный упругим деформированием ДГ, закрепленных на поверхности пленки. С дальнейшим ростом поля смецения процесс обратимого движения ДГ продолжается до тех пор, пока величина поля смецения не достигнет...

Номер патента: 1444887

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Редченко

МПК: G11C 11/14

Метки: коэрцитивной, монокристаллических, пленок, силы, феррит-гранатов

...сигнал пропорционален смещению доменных границ происходящего под воздействием импульсов магнитно- ЗО го поля, т.е. амплитуда импульсов сигнала на выходе фотоэлектронного умножителя пропорциональна величине смещения доменных границ. Зависимость относительного смещения доменных гра- З 5 ниц Х от величины амплитуды поля Н имеет два участка с существенно различным наклоном, При этом точка излома на графике зависимости Х=2 (Н) оказывается однозначно связана с коэрци тивной силой Нс пленки. Как слева, так и справа от точки излома амплитуда фотоотклика при линейном увеличении амплитуды импульсов магнитного поля изменяется также линейно. Одна ко в момент, когда амплитуда импуль" сов переменного магнитного поля достигает значения коэрцитивной...

Номер патента: 1439678

Опубликовано: 23.11.1988

Авторы: Барьяхтар, Гришин, Мартынович, Прудников

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: блоховских, вертикальных, детектирования, линий, магнитооптический

...1=1 М (ЕЕ-Н,) Т,Участки ДГ, не содержащие ВБЛ, вовращающемся магнитном поле остаютсянеподвижными,40На чертеже указаны ширина ВБЛ Ламплитуда. поперечного колебания ДГамплитуда продольного смещенияВБЛ в ДГ Х. Направление намагниченности в центре ДГ указано стрелками,В центре ВБЛ намагниченность перпендикулярна плоскости ДГ,Стандартный магнитооптический способ детектирования движения ДГ обеспечивает надежное разрешение смеще 50ция ДГ ца величину большую 11 0мкм. Это требование накладывает ограничение ца амплитуду магнитчного поля Н ц период вращения Т:(И-Н ) Т -"с у55 Чтобы детектировать изолированные ВБЛ, расположенные ца расстоянии Ь друг от друга, амплитуда Х должна быть меньше Ь. Это накладывает второе ограничение на Н и Т11 2...

Номер патента: 1348906

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Барьяхтар, Дорман, Ковалев, Манянин, Никонец

МПК: G11C 11/14

Метки: пленок, феррит-гранатовых, эпитаксиальных

...ее границы. По мере заполнения видимой области полосоными доменами сигнал на выходе ФЭУ уменьшается и формируется его задний фронт(фиг.2, линия 1),Общая длительность отклика складывается из длительности перемагничивающего импульса 7, и временирелаксации Т;,еф, которая обусловлена аксиально-симметричным движением вершин ПД от краев катушки,т,е, перемагниченной области, к середине.При наличии дефекта внутри катушки релаксация доменной структурыпосле снятия импульсного поля обусловливается совместно протекающимипроцессами движения ПД и зародьппеобразования на дефекте. Скорости движения обеих структур - полосовой, распространяющейся от краев катушки и радиально-гребешковой, распространяющейся от дефекта, - одинаковы,Если дефект...

Номер патента: 1332378

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Барьяхтар, Зиновук, Ковтун, Коновалов, Приходько, Соболев

МПК: G11C 11/14

Метки: границ, доменных, направления, поляризации

...ДГ осуществляют следующим образом.Воздействуют на магнитную пленкуодновременно высокочастотным магнитным полем, направленным вдоль осилегкого намагничивания пленки, инизкочастотным магнитным полем, направленным вдоль ДГ, определяют изменение сигнала поглощения высокочастотной энергии доменными границами и по знаку производной этого изменения судят о направлении поляризации ДГ,Физическая сущность предлагаемогоспособа состоит в следующем. В доменной границе, не содержащей неоднородности типа блоховских линий или точек Блоха, можно выделить два возможнык направления поворота намагниченности, а именно правовинтовое и левовинтовое.Изменение поля Н, приложенноговдоль ДГ, приводит к изменению эффективной массы ДГ, следовательно,...

Номер патента: 1322373

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Барьяхтар, Вайсман, Дорман, Ковалев, Никонец

МПК: G11C 11/14

Метки: дефектов, доменосодержащих, обнаружения, пленках, эпитаксиальных

...учдстк в ндсьпенно чонодоменное) состояние. В реультдте по крдям локального уча ткд Гб;11 уется лоченндя грани д, рд леляющдя 20 .61 чонолоче(нные области с протнвопо ,11 жЫЛ ДНД 5.5 ПЩ М НДМЗГПНЧЕННОСтн.,Ьтел полсч пс пня спичдк т, в резлльтз ЧЕГ РДЗВИВЗСЯ НЕУСтОйЧИПОСтЬ ЛОЧЕН- ной границы, сформированной по краям ,окольного участка. Это приволич к форчировдникч нз нес системы полосовых чз 1 ичпых лочено 5, улчинякцихсл по направ ;с. (1 к, и.рп плнку.ярночу границе лкдль.и го учдсткд о ск чднпи эгого процес СД Н ЛОКД.ЬНОЧ ) сДеть. 1 ЧС Л КаРтнНУ Р 1,ИДЛЬНОХОЛЯЦХСЯ ПО,ОВЫХ ЛОМЕНОВцентром строо середине локального (дсткд ри зли ии леректд нз иссле,счоч учасгк пленки после снятия по.чя смсщения перемдгпичивание пленки...

Номер патента: 1316046

Опубликовано: 07.06.1987

Авторы: Барьяхтар, Линник, Прудников

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховской, домена, магнитного, пленке, простой, стенкой, феррит-гранатовой, формирования, цилиндрического

...граница ЦМД имеет простую блоховскую структуру (беэ ВБЛ).На фиг. 1 приведена зависимость полей коллапса Н , от температуры для ЦМД с различным числом ВБЛ для пленки (УЕп) (РеСа)0,эпитаксиально выращенной на подложке из ЮСаО, с ориентацией (111). Параметры пленки при комнатной температуре следующие; толщина Ь3,7 мкм, намагниченность насыщения 4 ВМ98 Гс характеристическаягде- гиромагнитное соотношение.Как видно из фиг,2, параметр ЦМД остается неизменным до некоторой температуры а затем скачкам уменьшается, Новое состояние доменной границы сохраняется в некотором интервале температур, а затем параметр Б снова скачком уменьшается и при температуре около 375 К все ЦМД преобразуются в домены с простой блоховской стенкой, для которых Б =...

Номер патента: 1129557

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Барьяхтар, Вайсман, Дорман

МПК: G01N 27/72

Метки: магнитных, намагниченности, насыщения, пленках, тонких, ферритов-гранатов

...полем смещения, перпендикулярным плоскости пленкиф 55 увеличение напряженности поля до момента исчезновения лабиринтной структуры, который фиксируют, наблюдая пленку в поляризованном свете, и регистрацию напряженности поля в этот момент,в ием после этого воз действуют на пленку импульсным неоднородным магнитным полем, направленным встречно однородному магнитному полю смещения, и увеличивают амплитуду импульсов до воэникнове ния изолированного полосового домена (ИПД), после чего воздействуютна него локальным импульсным неоднородным магнитным полем, равнонаправленным с однородныммагнитнымполем смещения до момента разрываИПД и регистрируют значение напряженности локального магнитного поля,а намагниченность насыщения определяют из...

Номер патента: 995794

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Барьяхтар, Билобров, Проскура, Хиженков

МПК: A61K 49/04

Метки: анатомических, препаратов, рентгеноконтрастных

...химическим путем при реакции 325 г уксуснокислого свинца, растворенного в 1050 мл воды с 98 г серной кислоты. Полученные в результате реакции 303 г сернокислого свинца промывают водой методом декантации до рН = 7 и гомогени995794 Формула изобретения Составитель Л. Соловьев Редактор И. Касарда Техред И. Верее Корректор М. Демцик Заказ 76 Гц 5 Тираж 711 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 43зируют в 300 мл 1 - 2%-ного раствора желатина в-воде в механическом гомогенизаторе (например МРЮ - 302) при скорости 14000 об/мин в течение 3 мин: Таким образом, получают мелкодисперсную (размер частиц 1, мкм)...

Номер патента: 955199

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, решетки, формирования, цилиндрических

...то полярность импульсов должна бать такой, чтобы импульсное магнитное поле Нц, создаваемое проводником 1 в области 2, было антипараллельно гюлю смещения Н. Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника импульсного магнитного поля.ННоюгде Н- поле эародышеобразования. Затем поле смещения снижается до величиныН ННгде Н- поле коллапса ЦИД в даннойпленке.55 При этом в области 2 образуется регулярная решетка ЦМД, плотность ко" постоянным магнитным полем смещения, равным полю насыщения доменосодержащей пленки, и импульсным градиентным магнитным полем, антипараллельным постоянному магнитному полю смещения, причем амплитуда импульсов градиент ного магнитного поля в заданных участках доменосодержащей...

Номер патента: 936026

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Барьяхтар, Бесклубенко, Горобец, Ильчишин

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...микрокатушкой 3, впостоянный электрический сигнал, пропорциональный этому изменению.Блок регистрации 8, в качестве которогоиспользуется осциллограф, позволяет контролировать сигнал, поступающий на дискриминатор 7 последовательно через блоки 5и 6, а также работу самого дискриминатора 7,В качестве блока интерпретации выходной информации 11 может быть использованстандартный запоминающий осциллографс соответствующей частотной х ар актер и стикой.Устройство работает следующим образом.Перед процедурой считывания измерительный генератор 4 настраивается на определенную частоту 9 определяемую перпендикулярной дифференциальной магнитнойвосприимчивостьюхдрф. локального участка ТМП без ЦМД, являющегося сердечником микрокатушки 3, соизмеримой по...

Номер патента: 920837

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, магнитной, образования, пленке, структуры, тонкой

...стеклянную пластинку, прикладыва 15 емую к пленке, подаются прямоугольные . импульсы тока. Если необходимо создать доменную структуру в области 3, находящейся на .расстоянии ы от проводника 2, то полярность импульсов должна быть такой, чтобы 2 О импульсное магнитное поле Ним, создаваемое проводником 2 в области 3, было анти- параллельно полю смещения Н, Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника 2 импульсного магнитного поля Нимп ) Ню25 где Н- поле зародышеобразования данной пленки. Затем поле смещения снижается до величины НюНН, гдеНк - поле коллапса ЦМД в данной пленке. зоПри этом в области 3 формируется регулярная решетка ЦМД. После этого поле смещения и амплитуда импульсного магнитного...

Номер патента: 903976

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, доменосодержащей, каналов, магнитных, образования, пленке, продвижения, цилиндрических

...импульсного магнитного поля большей величины, чем напряжен ность поля насыщения, Затем амплитуда импульсного магнитного поля уменьшается до нуля так, чтобы вся заданная область магнитной пленки пе ремагничивалась в решетку с ЦИД, 55 полярность которых противоположна полярности ЦИД в первоначально сфор" мированной решетке. фТаким образом, формируется. магнитная структура в виде двух областей с противоположной намагниченными ЦИД, причем доменная граница раздела параллельна проводнику., а ее положение в магнитной пленке ( расстояние от проводника) однозначно определяется амплитудой импульсов, подаваемых в проводник.Подавая в проводник импульсы тока, полярность которых опять противоположна полярности первоначально подаваемых...

Номер патента: 819766

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Афонин, Барьяхтар, Бесклубенко, Вайсман, Горобец, Ильчишин, Киселев

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, статическиххарактеристик

...через фильтр низкой частоты11, подается на преобразователь 12,а с него на вход У двухкоординатного самописца 14, вход Х которого связан с выходом коммутатора 15.На вход Х самописца 14 с блоков 6или 7 через коммутатор 15 подаетсяэлектрический сигнал, пропорциональный величине или азимутальному углуповорота магнитного поля относительно ТМП. Блок управления 10 управляетработой устройства, Дефференцирующийблок 13 Фиксирует экстемумы и точкиперегиба в регистрируемом сигнале.Частота .генератора 4 зависит отвеличины, перпендикулярной дифференциальной магнитной восприимчивостиХ- ям ( Н, - слабое переменное магнитное поле, перпендикулярное плоскости ТИП), которая, всвою очередь, является Функцией отвеличины и направления внешнего магн...

Номер патента: 675451

Опубликовано: 25.07.1979

Авторы: Барьяхтар, Довгий, Шаповалов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменами, магнитными, магнитных, неоднородностей, пленок, тонких, цилиндрическими

...о величине Нс. Поэто 30му трудно использовать его при работе смалыми размерами ЦМД,; которые обычноимеют место в эпигаксиальных ферритгранатовых системах. Кроме того, наблюдаются экспериментальныв трудности вследствие возможности размагничивания зонда.5Цвдь изобретения- повышение точнос.тв контроля магнитных неоднородностей.,Это достигается твм, что непосредственно используют рабочий ЦМД/ путемиамервния или фиксации при помощи фото-.электронного умножитедя (ФЭУ) размера ЦМД, при многократном 15-20 раа)изменение поля смещения около "рабочего диаметра ЦМД По этим измерениямопределяют область изменения диаметрав зоне дефекта и по половинной разностимаксимальной и минимальной величин поля смещения при заданном рабочем диаметре БМЦ судят о...

Номер патента: 602992

Опубликовано: 15.04.1978

Авторы: Барьяхтар, Горобец

МПК: G11B 11/00

Метки: информации, магнитных, пленок, считывания

...громоздкая и сложная аппаратура.Известен также способ считывания информации, записанной на тонкой магнитной пленке, о помешаю узкоГо лазерноголуча 2). 15В данном способе воздействуют узким лазерным лучом на участок магнитной пленки, За пленкой находится фотоприемник с анализатором света, с помощью которого определяют поляризацию прошедшего лазерного 20 уча. Так как поляризация прошедшего лазерного луча зависит от ориентации намагничени участка пленки, через который проходит лазерный луч, то по поляризации прошедшего луча определяют ориентацию намагиичеыия 25 и таким образом считывают записанную ин ормацию.Недостатком известного способа считыва, -ния является то, что к качеству термомагнитной пленки предъявляются...