Патенты с меткой «доменов»

Номер патента: 399010

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: G11C 11/16

Метки: доменов, магнитнб1х, перемещения, цилиндрических

...зквищ)ле)пнд снижению коэрци 1 игн)ости; О. Синоп стенки, б,2; Од: р 5 ч. у и нроискоди снижение электри)секи); потерь при упрзвлец 5)и нереме)пением доменов и уве. личецч)е быс; роейсвия системы.11 редме Изооретени 5 Способ пнитнык домромдгцетик.поля сме)цсремен)ц)гопластины,снижени зродействия,;стон Прсдложенн)25 сносоо о)носи)с; к Об:2;)сти вычислительной гекники и может бьыь нспользовдц приостросции логи )ескц; и з 2)номиндюшик устройств нд цилиндрически) магии)ных домсндк (ЦМД).5Известны способы перемещения 112 ЧД в пластине одцоосцого ферромдгне)икд ну)ем приложсни пос;ояц)юго ноля смещения нор.мдльно к нлдс)ине и переменного упр)г)люшего в плоское)и плдс)ины. 111 едост дтком извес гцы.; способовв.есик зцдчительнд; энергоемкость и...

Номер патента: 434346

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Лебедь, Муха

МПК: G01R 33/24

Метки: доменов, регистрации

...намагниченность и магнитное поле рассеяния. Поле рассеяния используется при индикации доменов по наводимой э,д.с. в проводниках или с применением эффекта Холла. Однородная намаг ниченность дает возможность применить для индикации оптический эффект Фарадея, а также использовать индикацию на СВЧ, где возбуждение однородных колебаний намагниченности самого домена СВЧ полем позволя ет регистрировать проходящий вблизи СВЧ линии домен.Однако при рекомендации этих способов наблюдаются большая инерционность датчиков Холла, чувствительность только к изме нению поля при индукционном методе, необходимость применения поляризационной инфракрасной техники при эффекте Фарадея, малая чувствительность и точность регистрации при СВЧ методе. 25Целью...

Номер патента: 435560

Опубликовано: 05.07.1974

Автор: Красовский

МПК: G11C 11/155, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...считывания поле ЦМД должно превосходить размагничивающее поле магниторезисторного элемента. В противном случае вектор намагниченности магнитной пленки поворачивается полем домена на угол, меньший 90, относительно своего первоначального положения, что приводит к ослаблению выходного сигнала.Величина размагничивающего поля тонкопленочного магниторезисторного элемента прямоугольной формы может быть определена из выражения:(1) где М. - намагниченность насыщения материала пленки; Ь (ширина элемента) и 1 (длина элемента) - стороны пленки, параллельная и перпендикулярная намагничивающему пц 435560435560 ставитель Ю. Розенталь Изд.992сударственного комитет по делам изобретенийМосква, Ж, Раушска Тираж 591 Совета Мини открытий наб., д. 4/5аказ...

Номер патента: 446105

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Замковец, Карасев

МПК: G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, переключатель, управляемый, цилиндрических

...материала элемента расщепления, аппликация 2 - сверху, а аппликация3 - снизу пластины 1 кристалла; Т-образныеаппликации 4 и 4 элемента растягивания, накоторых располагаются прямоугольные аппликации из магнитожесткого материала 5 и5, при этом для их переключения на пих находятся проводники 6 и б.Переключатель магнитных цилиндрическихдоменов работает следующим образом.Для прохождения домена со входа С навход С, магнитожесткие аппликации 5 и 5при помощи проводников 6 и 6 переключаются таким образом, чтобы в центре Т-образнойаппликации 4 элемента растягивания образовался удвоенный положительный полюс, а вцентре Т-образной аппликации 4 - нулевойполюс (ом, фиг. 6). Последовательность прохождения домена представлена на фиг. 2 -5 и 7.При...

Номер патента: 466549

Опубликовано: 05.04.1975

Автор: Хомерики

МПК: G11C 11/18

Метки: доменов, записанной, информации, магнитоодноосных, пластинах, посредством, считывания, цилиндрических

...каналов вывода информации.Кроме того, отношение полезный сигнал - 30 шум при реализации этого способа относительно низко, и для его повышения приходится использовать дополнительные фальшдатчики,Кроме того, требования к идентичности характеристик основного и фальшдатчика высоки,Целью изобретения является повышениеточности считывания за счет увеличения отношения полезный сигнал - шум.Для достижения этой цели предлагаетсяопределять градиент магнитного поля у стенки домена.При этом целесообразно использовать датчики Холла, у которых холловские электродырасположены на одной стороне датчика такимобразом, что один из электродов находится взоне действия поля домена, а другой - внеэтого поля.Способ иллюстрируется чертежами.На фиг. 1, а...

Номер патента: 473213

Опубликовано: 05.06.1975

Автор: Щеглов

МПК: G11C 11/155, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитооптическое, считывания, цилиндрических

...Ц )1, 1. СОдсрж 2 цис .1 2111 итО- одпоосну)о плдстшу с ЦМ,1. исто:)нцк сстд с поляриза 1 Оро) се)с)1, распо.10 ж(.цп)1 с с ОдИОЙ сторОИ ИласИпы, фо 10 присцик с ап 1- лизатора.и пол 51 рцз 2 цип с(1 д. р 1 спо(10 ж(инцс с другой сОроп) иласпиц, и широко(шлосный мсигп 10.11.11 сдОс)дтко)1 И 31)ссИО 0 стрОпств 1 5115 стся низкое Отношение спгидл,(шум, здтрудп)пощес считывание;)аписаппоп цпформа),пи.ЦСЛ)Н) ПЗИОрСГ(ПИ БЛ 51(.1 С 51 ПО 1 пСПИ(. пад(.жиос 1 п рдО)11 изВсс 1 ИОГО .12 ИиОоптичсского устропсва.Поста Влшп 1251 цсгп Дос 1 и)2 стс 5) 32 сст того, что устройство содержит петлю из проводящего материала, соединенную срез разделитслыый конденсатор с одним из выколов широкополосного усилителя и расположснцу)0 иа ш)всркностц а...

Номер патента: 482811

Опубликовано: 30.08.1975

Автор: Зельдин

МПК: G11C 11/16

Метки: генератор, доменов, магнитных, цилиндрических

...самого заро стные для этого с либо применение спе менов, либо использ ти существования Ц с элементами аппли падает эффективно с ади монокристалла вешаются требования спольго до дышепособы циальование МД от 20 каций, ть исНз+НьЦМД, связанных снее известных конгде Н, - поля коллапловушкой вструкциях,По длительности пвать то время, когдаимпульсного режимапозволяет создаватьзом, гарантирует сЦМД,к е мщение надежноредмет изобретения предлагаемый гсдящую цепь, расторон пластины Генератор цилиндрических магнитных домеов, содержащий магнитную ловушку и канал Известен генератор ЦМДнитную ловушку и канал раменов, выполненные в видмагнитомягкого материала,поверхности пластины изферромагнетика, и цепи уцией,Недостатком извзующих принципмена,...

Номер патента: 485500

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Красовский, Раев

МПК: G11C 11/02

Метки: датчик, доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...в пределах радиуса домена (см.фиг.Х,5где- радиус домена Я - расстояние:по нормали от плоскости носителя; Н, напряженность поля д 6 менк 4% М З - на-магниченноеть насыщения носителя).Датчики содержат магниторезистивные 16элементы, расположенные в. плоскости наповерхности магнитного носителя; таким:образом, значительная часть поля рассеяния.домена не используется. Эффективное,использование поля ЦМД и, как следствие,15возрастание уровня сигнала достигаетсяппИменением магнитрезистивного датчика,показанного на фиг. 2. Если учесть, что.толщина магниторезистивных элементов зна-чительно (в 100 и более раЦ меньше его 20размеров в плоскости магнитного носителя, расположение магниторезистивных элементов, показанное на фиг. 2, позволяетсоздать...

Номер патента: 508801

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Прохоров, Федотов

МПК: G11C 19/02

Метки: доменов, магнит-ных, переключатель, цилиндрических

...поверхности пластины 1 магнитоодноосного кристалла находятся прямоугольная ферромагнитная аппликация 4 с отростками и система Т- и 1-образных ферромагнитных аппликаций 2 и 3, которые образуют входные 7 и 8 и выходные 9 и 10 каналы продвижения ЦМД, Токовая шина 5 размещена над выступами, расположенными на двух противоположных сторонах аппликации 4, а токовая шина 6 - над этой аппликацией и обхватывает выступы, расположенные на двух других ее сторонах.Ферромагнитная аппликация 4 может иметь не только форму прямоугольника, но и быть фигурой другой с отростками в перпендикулярных направлениях. Она должна иметь размеры, необходимые для удержания домена краями аппликации по ее периметру и не допускающие самопроизвольного деления...

Номер патента: 526017

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Потапов, Раев, Смирнов

МПК: G11C 11/155, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...этсутс.тгус г 1второй счтьвдоц злом ет, цс)звэл 5 еэпийНОВЬСИТЬ гтвствцтЕЛЬНЭСТЬ Зй СЧ(. т ПИ)Е)Е -еияэстов ых ( Ойлйнсцьх) схс,1 звест( также устройство нля счнт.ьдния 11, /1 Л с)дс.1 ксЗоо и;йстину йннтээдцэ - 20ОС Нот О йтСРИйдс), Д КотОРЬ.й РЭСПЭЛОКЕЦОс еовнэй кане) )ээ;В%ения ) 1.), с эснэвЦЫ Гй)ЛЬРД", С)ггтцДДТЧИК ЭХ, СЭ Д ЕциоЭ ( Э Оэв )л СХСЧге СП )тгнтегд. ) ЬГГс)ЬВЕНОГ)ГН ( Ег )М а - , (5 Э(.")Н) дй "гц; )( (г (цц Н С Е.)цС(Эр)"1 )г, . ) :" ГОС, И)( )счить:вием )й снг)тйл, ( разбд;ицс хэстэвойсхс ь: осесне иидется то:тько за счет осцэвЦЭГЭ СЧТ.,Вйог С)ГО ДйтЧИтгЬ:-то дэстгдется тем, чтэ устройство содержит д:)пэп)нтестьньн э;зветВлешый каналпро ви)кениях)Лдгнитосвязанетьпт в место разьствлешя с эснэвньг, канало, а...

Номер патента: 532130

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Васильева, Седых, Фиошкина

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, магниторезистивное, плоских, считывания

...В то же время коэффициент 6 пропорционален ширине канала, поэтому ограничение величины а не повышает чувствительность считывающего устройства.С целью повышения чувствительности магниторезистивного устройства для считывания плоских магнитных доменов в нем наклонный участок канала распространения доменов выполнен в виде гребенки с параллельными ветвями, оси которых расположены под углом 20 - 40 к оси легкого намагничивания магнитной пленки.На фиг. 1 и 2 изображены возможные конструкции магниторезистивного устройства для считывания плоских магнитных доменов.Устройство содержит низкокоэрцитивный канал 1, предназначенный для управляемого распространения домена обратной намагниченности по высококоэрцитивной магнитной пленке 2 и...

Номер патента: 533982

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Васильева, Седых, Фиошкина

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, магниторезистивное, плоских, считывания

...канала распространения плоских магнитных доменов, выходной участок которого выполнен симметрично относительно оси канала.На фиг, 1 и 2 изображены возможные конфигурации магниторезистивного устройства,Устройство содержит канал 1 распрострапения плоских магнитных доменов, расположенный в тонкой магнитной пленке 2 и имеющий выходной участок 3, симметричный относительно оси 4 канала. Ось канала направлена параллельно оси 5 легкого намагничивания пленки 2. Измерительный узел подключают к контактным площадкам б, 7 и 8, Два плеча симметричной структуры измерительного узла включают в измерительную схему как смежные плечи моста, причем контактная площадка 7, пересекаемая осью 4 канала, является общим контактом двух смежных плеч...

Номер патента: 538420

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Васильева, Седых, Фиошкина

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, магниторезистивное, плоских, считывания

...с фотолитографии этих слоев.Поставленная цель достигается путем того, что в предложенном магниторезистивном устройстве для считьвания плоских магнитных доменов, содержащем расположенный в тонкой магнитной пленке участок низкокоэрцитивного канала распространения доменов, окруженный высококоэр. цитивным участком пленки и соединенный с контактными выводами, контактные вьводы выпол538420 2 иг. иг Составите Ю. РозентальЛикович едактор Л. Утехина ехред оррек каз 5724/3 Тираж 720 ИИПИ ГосударственногПодлисноенистров ССС омитета Сове изоб й и открыти по дел035, Мо 35, Раушская наб., д ква,илиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 иены в виде высококоэрцитивных участков магнитной пленки, отделенных от остальной пленки изолирующими...

Номер патента: 550672

Опубликовано: 15.03.1977

Авторы: Смирнов, Шорыгин

МПК: G11C 11/155, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, регистрации, цилиндрических

...аппликациями 7, находящимися между аппликациями 6, секции 8 первого гальвапомапштпого датчика, последовательно соединенные проводниками 9 и расположенные на расстояшш пе более диаметра ЦМД от нижних концов первых вертикальных аппликаций 6, секции 10 второго гальваномагнитного датчика, последовательно соединенные проводниками 11 и расположенные па расстоянии не более диаметра ЦМД от нижних концов вторых вертикальных апплпкаций 7.Первый и второй датчики включены в мостовую схему выводами 12 и 13 соответственно. Мостовая схема образована включенными в соседние плечи первым датчиком 14 и вторым датчиком 15 и дополнительными резисторами 16 и 17 (фиг. 2).К входным узлам 18 и 19 моста проводниками 20 и 21 подключен источник питаш 1 я...

Номер патента: 574772

Опубликовано: 30.09.1977

Авторы: Абрамов, Смирнов

МПК: G11C 11/155, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, регистрации, цилиндрических

...а также вертикальными аппликациями 7, находящимися между смежными динамическими ловушками; дополнительные ферромагнитные аппликации 8, расположенные перпендикулярно горизонтальным аппликациям 4 компрессора; генератор 9 ЦМД, соединенный с выходом компрессора; последовательно соединенные гальваномагнитные датчики 10, расположенные под вертикальными аппликациями 7 компрессора ЦМД.Устройство работает следующим образом.На чертеже условно показаны четыре последовательных направления А, Б, В, Г вектора управляющего поля Ну, вращения которого для определенности задано против часовой стрелки. Этим направлениям Н соответствуют позиции 11 - 14, последовательно проходимые ЦМД в ячейках компрессора, которые предварительно заполнены доменами в случае...

Номер патента: 577564

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Белкин, Корочков, Нахгальцев, Юров

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, регистрации, цилиндрических

...конструкция предлагаемого устройства ддя регистрации ЦМД,дано расположение магниторезисторных датчиков с МРД) относительно регистрируемогоЦМД, а также распределение радиальной компоненты поля рассеяния ЦМД в зависимости отрасстояния до границы домена.Известно, что эффект магнитосопротивления Ь///"с в пленке зависит от состава материала пленки, а эффективность МРД и величинавыходного сигнала определяются ддя данногосостава пленки и при прочих равных условияхвеличиной потокосцепления МРД с ЦМД, конструктивным исполнением МРД (формой) игеометрическими размерами (длиной) последнего. Как видно из чертежа, радиальная составляющая Н поля рассеяния ЦМД может20 перемагнитить не только средний виток, расположенный по границе ЦМД, но и...

Номер патента: 583481

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Белкин, Нахгальцев, Туманов, Юров

МПК: G11C 11/14, G11C 19/02, G11C 19/08 ...

Метки: доменов, магнитных, продвижения, цилиндрических

...вдоль оси канала продвижения б 6 между соответствую шими торцами прямоугольных ФМЭ 2 и 3 20 симметрично отно ительно прямой, образующей ось канала продвижения ЦМД. Величина периода канала продвижения ЦМД определяется расстоянием между прямоугольными ФМЭ 2 и 3 и зависит от диаметра ЦМД. 25 Источником магнйтнэго поля управления яв ляются управляющие шины 7 и 8, расположенные над прямоугольными ФМЭ 2 и 3 симметрично относительно канвлв продвижения ЦМД. 30 Принцип действия устройства оноввн на последовательной генерации л агнитных полн сов на торцах прямоугольных ФМЭ импульсами тока чередующейся полярности, протеквюшего по управляющим шинам и создающего магнитное поле соответствующей поляр-. ности которое намагничивает прямоугольный ФМЭ...

Номер патента: 588559

Опубликовано: 15.01.1978

Авторы: Потапов, Раев, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...1 магнитоодноосного материала, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации 2, образующие пути 20 основного канала 3, дополнительного разветвленного канала 4, имеющего неразветвленную часть 5 канала, нижнюю ветвь 6 канала с элементом расширения 7, верхнюю ветвь 8 канала с элементом расширения 9, источник 25 доменов 10, а также элемент ограждения 11.Один из гальваномагнитных датчиков 12расположен над элементом расширения 7 нижней ветви, а другой гальваномагнитный датчик 13 расположен над элементом расшп рения 9 верхней ветви.Место магнитной связи 14 отстоит от датчиков 12 и 13 на одинаковом расстоянии. ЦМД 15 находится в основном канале 3, ЦМД 16, 17 находятся в дополнительном канале 4. Домены 15, 16, 17 содержатся в...

Номер патента: 591957

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Абрамов, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...следующим образом.По дополнительному перпендикулярному каналу 5 от источника ЦМД 6 на каждый период управляющего поля поступают домены 2, что соответствует поданной информационной единице,По основному информационному каналу 4 может поступать единица или нуль, выраженные соответственно наличием или отсутствием доменов в канале продвижения.В случае отсутствия домена в позиции В основного канала 4 домен, находящийся в позиции В дополнительного канала 5, беспрепятственно проходит в позицию Г, находящуюся в месте пересечения 8 каналов, и далее по позициям А, Б, В,дополнительного кайала проходит под дополнительным датчиком 1 О. Поле рассеивания ЦМД изменяет сопротивление датчика 10, На выходе мостовой схемы имеется сигнал 0...

Номер патента: 591959

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Тейерман, Яковлев

МПК: G11C 11/16

Метки: доменов, магнитных, продвижения

...продвигаюшей структуры предполагает использование метода диффузии. Помимо упрощения технологии еше одним преимуществом предложеной структуры каналов продвижения в сравнении со структурой, получаемой методом ионной имплантации, является отсутствие ограничения в выборе материала монокристаллической среды.59959 Формула изобретения Составитель 30. РоаентаТекрел О.,Г 3 уговая Корректор 31. Макаревич Тираж 71 т Иолписиое Редактор И.МарковскаяЗаказ 6333/47 331331 ИПИ 1 осуаарсгненно о коонтета г,он га Министров (,г:Г 3 о лелям нвобрегеннй н огкрнггнй 13 ЗОЗ 5, Мгч ква. Ж З 5, Раугнская на 5, л. 4/5 Филиал 113111 13 агенг, . Ужгорол, ул 3131 оекгнан, 4э11 а чертеже схематически изображено устройство для продвижения ЦМД.Устройство содержит...

Номер патента: 592013

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Замковец, Карасев

МПК: H03K 19/00

Метки: доменов, каналов, магнитных, переключатель, продвижения, цилиндрических

...перемычками.На Фиг. 1 представлен предложенный управляемый переключатель ЦМД; на Фиг, 2, 3 - этапы продвижения ЦМД.На поверхности пластины 1 магнитоодноосного материала расположены .) -образные аппликации 2, между которыми размещен элемент управляемого переключателя. 3, выполненный из двух Т-образных аппликаций с взаимно перпендикулярными ,ертикальнцми перемычками.Вектор управляющего поля. 4 вращается против часовой стрелки,Устройство работает следующим образом. На фиг. 1 показано начальное расположение ЦЯД на элементе управляемого переключателя. При повороте вектора управляющего поля 4 на 90 против часовой стрелки притягивающие полюса 5 и 6 возникают на концах двухпрямоугольных элементов, Прямоугольная аппликация, на. которой...

Номер патента: 602994

Опубликовано: 15.04.1978

Авторы: Ломов, Паринов, Чиркин, Юдичев

МПК: G11C 11/00, G11C 11/14, G11C 11/155 ...

Метки: доменов, магнитных, регистрации, цилиндрических

...разделенных слоем 4 из нел 1 агнитного материала, и подключенный одной стороной к общей шипе 5. К этой жо шине подключен магниторезистивный датчик 6 расположенный ио втором (нижнем ) ферромагнитном слое 7 у других копцов тех же полушевропов.Полушеироны 2 верхнего слоя расположены таким образом, что входят с зазором между полушевронами 8 нижнего слоя,Датчики 1 и 6 подключены по мостовой 20 схеме с помощью резисторов 9 и 10 к балансному усилителю 11 шинами 12 и 13. Ферромагнитные аппликации расширения и продвижения ЦМД расположены на разделительном немагнитпом слое 14, нанесенном 25 па магнитоодноосную пленку 15 с 0 МД 16, например эпитвксивльную феррит-гранатовую пленку, выращенную на нел 1 агнитном гранате 17. Источник питания 18...

Номер патента: 619965

Опубликовано: 15.08.1978

Авторы: Замковец, Иванов, Федотов

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, переключатель, управляемый, цилиндрических

...управпения. вводом доменов в выходные каналы продвижения ЦМД используется двухпопярныйимпульс тока.Цепью изобретения является расщи 2 п рение функциональных возможностей устройства,Это достигается тем, чдящая шина выполнена в врасположена в средней час25 канала продвижения доме6 19965 аппликаций, на концах аппликаций одно.го из выходных канапов продвижения доменов и охватывает центры апппикаций другого выходного канапа продвижения доменов.На фиг, 1 представлена конструкция устройства управпяемого перекпючатепя ципиндрических магнитных доменов; фиг. 2 иплюстрирует работу устройства. Устройство содержит ппастину 1 магнитоодноосного материала, на которой расположены ферромагнитные аппликации шевронной формы, образующие входной канап...

Номер патента: 621023

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Зельдин, Новожилова

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, репликатор, цилиндрических

...с записких магнитнь магнитные ловушки в зоне репликации остальные аппликации расположены по рмв- чесвнешнему контуруНа чертеже изсодержит элементканала, элементынала и токопроводление вращения порые из его последэлементов 1, 3,ей петли. катор Он звесте пе пленку маги положенными го ка вправ- некотовтор 9. Н рвени я магнит аппликация я управл вательнь 7 )показ ия гкихровоом,пи тий вязыввющую их токо дящую петлю подаваемым ЦМД раст:.гивается т момент, когда он нах лка епликатор работ ледуюшим обр ействием при отсутится попеследу ющи м под го поля итнЦ 1 Д по одному изому) во время поии элемента 3 до когда ЦМД из поещени При пере влов (на ает1 имер перв т ориентац емента 5, та 1 перех о петле 9 отв поля трукции явловленнаяты устрой...

Номер патента: 633072

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Андреев, Раев, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: блоках, доменов, магнитных, памяти, регистрации, цилиндрических

...на Пути распространения ПАВ от излучателя 4, Параметры излучателя 4 и приемника 9 ПАВ согласованы с их частотой, На пьезоэлектрической пластине 3 расположен поглотитель 13 ПАВ, 35 выполненный из материала с большим коэффициентом затухания этих волн.Поглотитель 13 расположен на прямой линии с пластиной 8 и приемником 9, т.е. на пути распространения ПАВ, 40 прошедшей последовательно пластину 8 и приемник 9, и служит для поглощения этой волны с целью предотвращения ее вторичного параэитного воздействия (например, вледствие отражения 45 от краев пластины 3) на приемник 9.В качестве волновода ПАВ может быть использован Яе только пьезозлектрик, но и другие материалы, являющиеся хорошими звукопроводами, а в качестве магнитострикционной...

Номер патента: 637864

Опубликовано: 15.12.1978

Авторы: Прохоров, Сергеев, Федотов

МПК: G11C 11/14

Метки: делитель, доменов, магнитных, цилиндрических

...магнитоодноосной плен. ки 1 номецают шевронные аппликации 2, образую)цие каналы 3 и 4 продвижения ЦМД, две дополнительные группы шевронных аппликаций 5, образующих расширители 6 доменов, и крестообразну 3 с управляющую токову)о шину 7, расположенную 1 О над обеими группами дополнительных шевронных аппликаций.Домен 8, поступающий на вход 9 канала 3 продвижения (см. фиг.и 2 а,б,в,г), растягивается в полосовой домен на левых притягивающих полюсах расширителя б при направлении вектора намагниченности управляющего поля Нъ (см. фиг. 2,д). Импульсный токпропускаемый в этот момент по управляющей шине 7, делит полосовой домен на два домена (см, фиг. 2,е), из кото рых домен 10 при следующем повороте вектора управляющего поля занимает...

Номер патента: 651410

Опубликовано: 05.03.1979

Автор: Юров

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...ку с расп осной пле ник поля достаткомность его Наиб нием к для счи как и п женной ЦМД, в электрич достаткоолее, бди изобрете тывания редложен на ней м озбужда еские п м извест Фтроймной эким техническим решению является устройство ЦМД, которое содержит, ное, подложку с располоагнитоодноосной пленкой с ющий и приемный пьезореобразователи 2. Не- ного устройства для считы 6/18-24 (51) М. Кл.651410 Формула изобретения фиг рО-у Составитель Ю. Розенталь Редактор Л. Утехина Техред О. Луговая Корректор М. Заказ 8 5/49 Тираж 680 Подписное ЫНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4шко поперечной линейно поляризованной...

Номер патента: 651411

Опубликовано: 05.03.1979

Автор: Юров

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...этом частотуволны .й и поле анизотропии О элементавыбирают так, чтоЛ- = а,=(Ой + О ),где й, - частота спиновой волны, возбуждаемой в магнитострикционном элементе полем рассеяния ЦМД;- гиромагнитное отношение материала магнитострикционного элемента:О- радиальная составляющая полярассеяния ЦМД.В магнитострикционном элементе возбуждается магнитоупругий резонанс в момент наличия ЦМД на расстоянии от элемента, не более двух диаметров домена.Затем принимают поверхностную акустическую волну и измеряют сигнал как в момент резонанса (что соответствует наличию ЦМД), так и при отсутствии резонанса (что соответствует отсутствию ЦМД) иопределяют величину перепада между уровнями этих сигналов.Предложенный способ основан на том,что при...

Номер патента: 664220

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Белкин, Юров

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнагнитных, считывания, цилиндрических

...проводниками8= Л /4 й, где Л - длина поверхиост"ной акустической волны, а К - числотонкопленочных проводников,25 На чертеже схематически изображено устройство для считыванияЦМД,Устройство для считывания ЦМД сО"держит магнитоодноосную плевку 1 сЗ 0 ЦМД 2, на поверхности которой рас3 664положены источник 3 акустическихволн и считывающий элемент 4, выполненный в виде последовательносоединенных тонкопленочных проводников. Считывающий элемент 4 расположен между.пермаллоевыми апплика циями 5, образующими канал прод-вижения ЦМД.Устройство работает следующимобразом.Источник 3 акустических волнсоздает поверхностную акустическую ==волму, "которая распрострайяется поповерхности магнитооднооснойплейки 1." В момент наличия ЦМД 2 вблй зи...

Номер патента: 684614

Опубликовано: 05.09.1979

Авторы: Игнатьев, Попков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижения, цилиндрических

...сформированные в тонкой магнитной пленке, вдоль которых распространяются домены 21. Движение ЦМД в канале происходит за счет сил магннтостатического взаимодействия между доменами,Наиболее близким к изобретению является устройство продвижения цилиндрических магнит ных доменов, содержащее слой магнитного материала и пленку доменосодержащего материала 13). ЦМД распространяется вдоль канала из пермаллоевых тонкопленочных аппликаций У - образной формы, Движение ЦМД происходит при повороте вектора управляющего полн, лежащего в плоскости кристалла, которое по мере вращения образует в различных местах аппликацпй наиболее благоприятные условия для нахождения ЦМД.В силу того, что ЦМД перемещается под де ствнем магннтостатического взаимодействия...