G11C — Запоминающие устройства статического типа

Номер патента: 907587

Опубликовано: 23.02.1982

Авторы: Безручко, Фаткулин, Цепляев

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, информации, коррекцией

...входамэлементов И 8 и 9. Вторые входы элементовИ 7 соединены соответственно с одними извыходов накопителя 3, а вторые входы элементов И 8 - с другими выходами накопителя 3. Выходы элементов И 7 и 8 подклю.чецы соответственно ко входам элементовИЛИ 11, выходы которых соединены соответственно со входами регистра 6. Вторые входыФэлементов И 9 подключены соответственно к выходам регистра 6, а выходы - к соответствующим входам элементов И 10, выходы которых соединены соответственно с другими информационными входами накопителя 3,Дополнительные накопители 4 и 5 могут быть выполнены на программируемых полупро. водниковых микросхемах. Количество кор ректирующих разрядов 12 соответствует мак. симальному количеству дефектов в слове,...

Номер патента: 907588

Опубликовано: 23.02.1982

Авторы: Бородин, Егорова, Столяров

МПК: G11C 29/00

Метки: автономным, запоминающее, контролем

...ца вход своего пер.вого постоянного накопителя 4, где проиэво.дится кодировка по следующему алгоритму00ОО - одна кодовая комбинация00 , 0100 , 1 О - для всех комбинаций, содер.жащих всего 1 единицу в0100 коде из (А) разрядов1000/ одна кодовая комбинация00111 - для всех комбинаций, содер.жащих две единицы в коде11ОО из (А - 1) разрядов " одцакодовая комбинация1111 - одна кодовая комбинация,т.е. для кода из (А - 1) разрядов цеобходимовсего (2"+ 1) кодовая комбинация, длятого, тобь определить наличие оии 6 ки любойкратности в (А - 1) разрядном модуле всех(А) модулей памяти. Фл этого цеобходи.мо иметь контрольные разряды К, количествокоторых определяется из выржеция5 907588 6Кп = 1 + оц(А - 1)3, ются в дополнительные контрольные разряды...

Номер патента: 911611

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Бордюгов, Волков, Темкин, Цишкевич

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, крепления, магнитных, матриц

...наугловых стойках в диагональном направлении, на двух противоположнорасположенных планках установленырейки с пазами для размещения угловформула изобретения 1 ОУстройство для крепления магнитных запоминающих. матриц, содержащее каркас для установки матриц, выполненный в виде четырех угловых стоек, 1 и рамки, соединенные с торцами угловых стоек, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повыаения технологичности и обеспечения ремонтопригодности устройства, оно содержит четыре щ планки, две рейки с пазами и съемныевилки, причем планки установлены на угловых стойках в диагональном направлении, на двух противоположно расположенных планках установлены у рейки с пазами для, размещения угловмагнитных запоминающих матриц, а на цругих двух...

Номер патента: 911612

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Белогорский, Бурляев, Минишев

МПК: G11C 5/12

Метки: запоминающих, каретка, матриц, прошивки, устройства

...1, прово"доукладчик, состоящий из стержня 2,конический 3 и цилиндрический 4 зубчатые редукторы, привод 5 механизмавращения, кронштейн 6, кулису 7,кривошип 8, привод 9 механизма отклонения, наконечник 10, ось 11,3 911подшипник 12, копир 13, основание14, направляющие 15, привод 16,шестерни 17, рейки 18, ролики 19, иглу20,Работа каретки в устройстве происходит следующим образом.8 кодовой части жгута, где производится укладка кодовых проводов между сердечниками запоминающих элемен.тов, игла 20 стержня 2 отклоняетсяв соответствии с программой прошивкив два фиксированных положения ("0"или " 1"), причем основание 14 и направляющие 15 неподвижны. Игла 20 приэтом обходит ранее уложенные провода между штырями, исключая обрыв проводов и операцию...

Номер патента: 911613

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Данилин, Пашкова, Попель, Хомутов

МПК: G11C 29/00, G11C 7/00

Метки: блоков, записи, памяти, постоянной, программируемых

...дешифратором 15 в позиционный код и вызывает считывание соответствующегослова в виде двоичного кода из блока 16,Отличия режима программирования от режима входного контроля следующие: добавление единицы в регистр 2 проводится по команде из блока 1, а, не из задающего генератора 5; один из каналов синхронизации выбирается для организации паузы после программирования, так как,например, биполярные схемы программируемых постоянных блоков памяти требуют значительную паузу после программирования каждого бита в режиме программирования в течение паузы проводится контроль правильности программирования в зависимости от типа схемы программируемого блока 12 после каждого бита или всего слова 1 задающий генератор необходим только для...

Номер патента: 911614

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Иванов, Косов, Милованов, Мхатришвили, Савельев, Фокин

МПК: G11C 11/34, G11C 7/00

Метки: запоминающее

...сигнала опроса и сигнала 25 с первого блока 7 задержки,сбрасывающего.триггер б опроса в нулевое состояние, формируется запускающий импульс, который через второй элемент И 13 и пятый элемент ИЛИ 19 по- Зо ступает на формирователи 2 опроса, с которых сформированный по амплитуде и длительности сигнал опрашивает выбранную ячейку накопителя 1. Код числа с накопителя подается в кодовыеЗ 5 45 опроса, первой и второй гиниями задержки, триггером управления, формирователем импульсов блокировки, счеттри элемента И 12-1 ч, пять элементов ИЛИ 15-19.Запоминающее устройство с преимущественным считыванием работает в трех режимах: считывания, записи и стирания. 8 режиме считывания информации на накопитель 1 из кодовых шин ЦВИ поступают сигналы адреса, а...

Номер патента: 911615

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Богданов

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...Местоположение этой точки характеризуется ко-. ординатами как по строке, так и по кадру. При записи изображения на поле в 256 х 256 дискретов используются восьмизарядные ходы, характеризующие эти координаты. При байтовой организации выходов блока 1 используется дешифратор 2 с организацией четвертого разряда на шестнадцать выходов..Из изложенного следует, что каждая точка изображения характеризуется кодом, записываеМым и считываемым в блоке 1. Для начертанияна экране телевизионного приемника какого-либо символа необходимо записать логическую "1" или "0" по каждому из адресов, характеризующих форму и место 3 911615 аположение этого символа, Например,для,записи кодов координат, характеризующих символ, с арифметическогоустройства...

Номер патента: 911616

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Гаврилов

МПК: G11C 11/00

Метки: данных, ленте, магнитной

...выходов блока 2 управления, один из входов которого подключен к выходу блока 13 сравнения.Устройство работает следующим образом.Информация, подлежащая записи, поступает на шину данных с внешнего устройства, например с вычислитель" ной машины ЭВМ), Она может быть введена через блок 7 связи в буферную память 3, а после ее заполнения через блок 7 связи, шину данных 8, блок 4 связи, регистр 5 и блок кодирования- декодирования 6 передана на вход блока 1 для записи на магнитнуюленту. При необходимости, например, в случае работы с терминалом с собственной буферной памятью, информация может непосредственно передаваться на запись через блоки 4 и 6 связи и регистр 5.При воспроизведении информация проходит тем же путем в обратном...

Номер патента: 911617

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Курочкин, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...шести соседних ЦМД и по этой причине находитсяв равновесии. Однако это справедливотолько для решеток, имеющих бесконечные размеры, Реальные решетки ЦМД,используемые в качестве накопителейв ЗУ, имеют конечные размеры, в силучего ЦМД, находящиеся на краю решетки, должны быть уровновешены отталкивающей силой со стороны внешнегомагнитостатического барьера, Это жеотносится и .к внутренним участкамдоменосодержащей пленки, которые покаким-либо причинам необходимо оставить свободными от доменов.Магнитостатические барьеры могутбыть выполнены любым йзвестным способом, например травлением углублений соответствующей конфигурации наповерхности пленки, Известно, чтоЦИД, находящийся на выступе вблизиуглубления, испытывает силу, направленную в...

Номер патента: 911618

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...серпообразнойформы, имеющими первые 20 и вторые21 концы и внешние 22 стороны аппликацйй, образующие узел 23 магнитнойсвязи, канал 24 ввода-вывода ЦМД саппликациями 25, аппликации 26 и 27,связывающие канал 24 с каналами 4,магниторезистивные датчики 28 и 29,подключенные к каналам 9.и 18, токопроводящая шина 30, расположенная40При осуществлении режима записиЦМД-информации (в каналы 4) от генератора 35 в канал, 24 поступает инФормация в виде наличия (единица)или отсутствия ЦМД (нуль). При положении В вектора управляющего поля 45Н 1 ЦМД оказываются в позициях 12 и14 аппликаций 10. В этот момент пошине 30 с областями 31-33 и выводами 34 подают импульс тока длитель, ностью, равной половине периода поляНу . В положении А вектора Н в позициях 12...

Номер патента: 911619

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Ломов, Самров, Скобелин, Статейнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, магнитного, магнитных, поля, приборов, формирователь, цилиндрических

...канала продвижения (фиг. 3). Магнитное .поле управления Й в зависимости от формы токов 11 и 1 имеет определенный годограф 1 О (фиг. 2-4).Каждый элемент или узел прибора на ЦМД . и весь. прибор в целом характеризуется минимальным годографом 11 функционирования, определяемым как минимальное значение 6 при каждом угловом положении, необходимым для функционирования данного элемента, узла илиприбора (Фиг. 3). Формирователь работает следующим образомПротекающие в катушках 1 и 2 токи создают магнитные поля Ни Н , Так как катушки ортогональны, то и Й Й. Мгновенное значение Н = к 11. При определенной конструкции,к = к, 55 Предлагаемое устройство позволяет для приборов на ЦМД, в которых плоскость .рабочего кристалла находится под углом (90 с) по...

Номер патента: 911620

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Грабенко, Калинович, Олейник

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитопленочной, матрицы

...в связи с их малой упру 43 гостью, особенно при нагревании выше температуры .стеклования полимера, эта зависимость существенна, Полимерный подслой используется в состоянии с фиксированной минимальной упругостью, достигаемой нагреванием до размягчения, Регулировка же величины поля анизотропии осуществляется путем изменения толщины пленки.На .фиг. 2 показана часть матрицы: магнитная пленка 1 толщиной О,термопластичное покрытие 2 подложки,подложка 3, при выключенном магнитном поле, комнатной температуре и несфор.1 мированной аниэотропии. Через Р 1 обозначена минимальная толщина, воз/ можная для данного носителя информации.формирование анизотропии происходит следующим образом.На размягченном слое не происходит торможения деформации...

Номер патента: 911621

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Киселев, Козленко, Котунов, Нам, Николаев, Паринов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...конструкцияпредлагаемого запоминающего устройства.Запоминающее устройство содержитмагнитоодноосную пленку 1, на которую последовательно нанесены первыйслой 2 диэлектрика, управляющиетоковые шины 3, второй слой 4 диэлектрика, доменопродвигающие аппли-,кации 5, немагнитный разделительныйслой 6 и пленочный постоянный маг-,нитУстройство работает следующим образом.Пленоцный постоянный магнит 7 состава Зв(Со, Ре), нанесенный наразделительный немагнитный слой б,например, методом вакуумного испарения, намагничивается во внешнем поле до уровня, обеспечивающего приприменяемой толщине слоя .6 величинуопорного поля в магнитооднооснойпленке 1, соответствующего примерносередине области существования ЦМД,Этим создается условия для функционирования...

Номер патента: 911622

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Березкин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное, самоконтролем

...блока 1 памяти происходит при возбуждении 1-той шины из группы адресных шин 2 и одновременном появлении разрешающего сигнала на шине 3 строба считывания. В результате на вь 1- ходных обмотках трансформаторов накопителя 5 наводятся сигналы, которые через соответствующие ключи б считывания воздействуют на трансформатор 7, одновременно на трансформатор 7 воздействуют в противоположном направлении сигналы на выходах блока памяти. При этом предполагается, цто накопитель 1 блока памяти выполнен нв трансформаторах, выходные обмотки которых подклюцены ко входам ключей считывания, аналогицных ключам б считывания, а выходы этих ключей являются выходами блока памяти.Эти воздействия приводят к наведению на выходной обмотке трансформатора 7...

Номер патента: 911623

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Бородин, Бузунов, Буренков, Николаев, Шубинский, Яценко

МПК: G11C 19/00

Метки: запоминающее

...выходной информационныйрегистр 25 и триггер 8.При записи информации в устройство по информационному входу 10 уплот.ненная последовательность последова"тельным кодом заносится во входнойинформационный регистр 211, а черезэлемент ИЛИ 111 в сдвиговый регистр 1,Считывание подноразрядного словаинформации производится по заданному полноразрядному адресу, состоящему из г-разрядных групп, которыепоступают по адресным шинам 22 ираспределяются по соответствующимсчетчикам 21 адресов (синхронизациямомента занесения адреса в счетчикиадреса на чертеже не показана),После поступления в устройствополноразрядного адреса считываемогослова в шину 12 управления реверсомрегистра сдвига подается сигнал обращения к памяти, которым открываются по управляющему...

Номер патента: 911624

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Гольденберг, Кузьмичев, Лебедев, Рязанов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...погреш-,ность отслеживания изменяющегосявходного напряжения, что являетсясущественным недостатком, снижающимточностные характеристики устройства.Цель изобретения - повышение точ20ности устройства,Поставленная цель достигается тем,что в аналоговое запоминающее устройство, содержащее первый накопительный элемент, например первый конденсатор, одна иэ обкладок которого соединена с одним из выводов первогопассивного элемента, с выходом первого ключа и со входом усилителя,другая обкладка первого конденсатора30соединена со входом второго ключа,с выходом усилителя и с выходом устройства, выход второго ключа соединен с другим выводом первого пассивного элемента, вход первого ключасоединен с одним из выводов второгопассивного элемента,...

Номер патента: 911625

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Емельянов, Крисилов, Мосенко, Пядышев, Старцев

МПК: G11C 27/00

Метки: динамическое, запоминающее

...четвертым и пятым ключами, причем вход четвертого и выход пятого ключей соединены с неинвертирующим входом операционного усилителя, выход четвертого ключа соединен со входом генера. тора тока, а вход пятого ключа является входом устройства.На чертеже представлена функциональная схема динамического запоминающего устройства.Устройство содержит операционный усилитель 1, элемент памяти, выполненный, например, на конденсаторе 2, элемент стабилизации, выполненный на полевом транзисторе 3 со встроенным каналом, генератор 4 тока, первый, 5, второй 6, третий 7, четвертый 8 и пятый 9 ключи. Сток, затвор, исток транзистора 3 подключены соответ ственно к шине 10 питания, выходу ключа 6, входу генератора 4 тока и выходу устройстваВход ключа 8...

Номер патента: 911626

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Андреев, Иванов, Коржев, Пресняков

МПК: G11C 29/00

Метки: оперативной, памяти

...3.1-3,3.Входы установки в единицу тригге- щров 11 каждой группы йодклвчены со"ответственно к адресным входам вако- .пителя 4, а выходык соответству-ющим выходам накопителя 4.Входы установки в ноль триггеров11 подключени к управляющему входу фнакопителя 4.. Колчество .тригтеров 11 групп на-копителя 4 соответствует максимальному. количеству модулей, содержащихся в проверяемой оперативной памяти.Устройство работает следующим образом.Адрес, по которому произошел сбойв контролируемой оперативной памяти,поступает на адресные входы б, ин- ЗФормация о неисправных разрядах - настробирующие входы 7 устройства.Первый блок 1. анализа адреса выявляет 1 строку, а второй блок 2анализа адреса - столбцыф проверяемой оперативной памяти, в...

Номер патента: 911627

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Горбенко, Горшков, Николаев

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, самоконтролем

...считываемого массива чисел,При записи число через вход 20поступает в регистр 9,и содержимоерегистра 4 адреса через элементыИЛИ 13 подается на вход накопителя 1Обратный код из регистра 9 черезэлементы ИЛИ 13 записываются в ячейку накопителя 1, Затем содержимоеячейки считывается на регистр 11.После этого производится запись-счи-,.тывание прямого кода числа на регистр10. Причем при записи прямого кодаодновременно с информационным разрядами записываются контрольные разряды, корректирующего кода, которыеформйруются формирователем 22 и через вторую группу элементов ИЛИ 13поступают в накопитель 1,Содержимс е60 Если в маркерном разряде содержится код 1 и после записи массива чисел появится отказ, значение которого совпадает со значением...

Номер патента: 912064

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Джеймс, Питер, Ю-Ссу

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...1 в канале определяет направление распространения ЦМД. Использование предлагаемых ферромагнитных элементов допускает возможность наличия дефектов и изменение зазора 4 (фиг. 1) между элемен тами и предусматривает меньшее количество элементов на период канала для продвижения ЦМД.Устройство работает следующим образомПусть дчя определения вектор поля уп.20 равления Нч вращается против часовой стрелки и занимает последовательно положения А, В, С и Д. Соответствующие положения растянутого ЦМД на элементе 1 изображены на фиг. 2 - 5. Переход ЦМД с одного элемента 125 на соседний происходит под действием удлиненного притягивающего полюса, возникающе го на этом элементе (фиг. 2). Форма ЦМД (степень его растяжения) зависит от положения домена под...

Номер патента: 917211

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Мелихов, Нецветов, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: генерации, доменов, магнитных, цилиндрических

...рас . положены параллельно плоскости магнитоодноосной пленки, а центры круговых обкладок конденсатора и петлевого проводника лежат на оси, перпендикулярной плоскости магнитоодноос 5 ,ной пленки. аНа чертеже изображена конструк- ция устройства для генерации ЦМД, используемого для осуществления предлагаемого способа. 30устройство для генерации ЦМД содержит немагнитную подложку 1, иа которой размещена эпитаксиально выращенная магиитоодноосная пленка 2, содержащая домены. На укаэанной пленке 2 расположен петлевой проводник 3любой известной конструкции, позволяющей генерировать цилиндрический магнитный домен в месте расположения петли, и изолирующий слой 4, на котором сформирована круговая обклад- ка 5 конденсатора, Вторая обкладка...

Номер патента: 917212

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Волчков, Компанец, Ли, Морозов, Парфенов, Попов, Смолов

МПК: G11C 13/04

Метки: запоминающее, оптическое

...соответственновходного и выходного световых потоков, Зс - пороговая интенсивность 20света, 3 - сигнальная интенсивностьсвета, "0", "1" - условные нулевое иединичное состояние.На фиг.11 показаны операторныеполя, где 113-118 - поля для формирования вертикальных адресных полей,119-124 - поля для Формирования горизонтальных адресных полей, 125поле для формирования полного адресного поля.Устройство функционирует следующим образом,Оптическое запомкнаюцее устройство в отличие от прототипа может одновременно записывать аналоговые ицифровые (бинарные) изображения позадаваемым адресным полям и считыватьизображения по другим задаваемым адресным полям, При этом адресными по"лями могут быть: множество любых за-даваемых прямоугольных нлоцадей иэ...

Номер патента: 918974

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Борисов, Воронин, Корбашов, Хетагуров

МПК: G11C 29/00

Метки: защиты, памяти

...соответствующих элементов И 12. На третий вход одногоиз этих элементов И 12 поступаетрасшифрованный код строки с выходадешифратора 3. Если соответствующийразряд, регистра 11, который соединенс третьим входом этого элемента И 12,35 40 45 сов на совпадениеих сразрешенными адресами. Для каждой программы с целью обеспечения доступа только к выделенным ей участкам памяти - страницам, абзацам, строкам - управляющей программой Формируются коды защиты этих участков. Перед началом выполнения очередной программы сформированные пози" ционные коды защиты заносятся в соответствующие регистры,4, 8 и 11 кодов защиты страниц, абзацев и строк. За каждым разрядом этих регистров4, 8 и 11 закрепляются соответствующие страницы, абзацы и строки защищаемой...

Номер патента: 918975

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Пермяков, Рачков

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти

...работает следующим. образом. 5Контрольная информация для проверки блока памяти находится в блоке 5. Перед началом работы из блока, 5 записывается в датчик 7 информация с максимальной емкости контролируемого блока 1 памяти,По команде "Пуск", поступающейчерез элемент ИЛИ 6 на блок 5, производится запись эталонного кодав регистр 14 и соответствующего ему 15адреса в регистр 9. Триггер 16, определяющий режим работы устройства,устанавливается в положение "1""1". В устройстве осуществляется .режим однократного либо многократного чтения и записи в любую ячейку(режим "долбения") при контроле всего объема памяти на максимальной частоте, для чего триггер 18 устанав"ливается в состояние "0" (режим однократный) либо в состояние...

Номер патента: 920828

Опубликовано: 15.04.1982

Автор: Лысый

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...провода и выравнивают технологические струны по высоте в направлении прокла дывания в зев провода, а последова" тельное Формирование провода числовой обмотки технологическими струнами осуществляют в порядке их рас- положения в направлении наклона 50 струн.На Фиг.1 показана операция наклона технологических струн в зоне плетения и выравнивания их высот в направлении угла прокладывания в 55 зев провода числовой обмотки; на Фиг,2 - расположение в зеве провода числовой обмотки и расположение на струнах элемента (упора), наклоняющего,струны; на Фиг.3 - сече ние А-А на Фиг.2 (направление и угол наклона струн); на фиг.4 - сечение Б-Б на Фиг.2 (выравнивание высот технологических струн в направлении угла прокладывания провода). б 5 Устройство...

Номер патента: 920829

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Гецевичюс, Рагульскис, Судинтас, Федаравичюс

МПК: G11C 5/08

Метки: запоминающих, матриц, прошивки, сердечниках, ферритовых

...вращения 9, роторообраз"ный вал 10, осевое отверстие 11, дополнительный шаговый электродвигатель 12, абразивный материал 13, камеру 14, отверстия для ввода 15 ивывода 16 воздуха, прижимные накладки 17, источник сжатого воздуха 18.Устройство работает следующим об разом,Перед пуском устройства проводится предварительное снятие и очисткаконца прошивочного провода 8 от изоляционного покрытия. Затем запускается двигатель вращения 9, при этомроторообразный вал 10 с заправленным в него прошивочным проводом 8,шаговыми электродвигателями 1 и 12и камерой 14 начинают вращаться. Когда двигатель вращения 9 набираетзаданные обороты, приводятся в действие шаговые электродвигатели 1 и 4 О12, которые посредством роликов 2 и3 проталкивают прошивочный...

Номер патента: 920830

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Угрюмова, Швец

МПК: G11C 5/12

Метки: запоминающих, матриц, сердечниках, ферритовых

...на нем ферритовыми сердечниками перед прошивкой их координат" 15 ными проводами воздействуют магнитным полем и сообщают основанию возвратно"поступательное движение перпендикулярно магнитным силовым линиям, при этом величина магнитного 20 поля не превышает допустимой величк"ны механической прочности ферритовых сердечников.Способ изготовления запоминающих.матриц заключается в следующем.25 Маску с наклеенной на сдной еестороне клеящей лентой помещают лентой вниз в бункер, заполняют ферритовымк сердечниками, производяториентацию ферритовых сердечников 30 в магнитном поле путем воздействия920830 Формула изобретения Составитель,В. ВакррРедактор Т. Парфенова Техред И. Гайду Корректор О. Билак Заказ 2355/61 Тираж 624 . Подписное...

Номер патента: 920831

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Вайткявичюс, Гецевичюс, Федаравичюс

МПК: G11C 5/12

Метки: запоминающих, матриц, прошивки, сердечниках, ферритовых

...вал 2 с укрепленной внутри него катушкой 11 с прошивочным проводом 10. Одновременно от дополнительного двигателя 4 приводится во вращательное движение диск 5 с осевым отверстием 13 посредством шестерной передачи 8. Вращательное движение вместе с роторообразным валом 2 совершают и смонтированные в нем валики 7, на которых насажены по одному проталкивающему ролиму 9 и катку б. Посколько катки б сопряжены посредством фрикционного покрытия 19 с циском 5, то вращаясь вместе с. роторообразным валом 2, они еще и катятся по мецленно вращающейся поверхности циска 5, 65 приводя во вращение вокруг своей осивалики 7, а значит и проталкивающие ролики 9. Слецовательно, прошивающий провод 10 вращается вокруг своей оси и одновременно при помощи...

Номер патента: 920832

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Палагин, Сабельников

МПК: G11C 11/00, G11C 7/00

Метки: запоминающее

...смещением вверх. Величина смещения определяется в зависимости от позиции блока памяти и равна (1-1)епсег - при условии, чтоап,1,2 п, где и - разрядность ячейки системы памяти, в - числовыходов дешифратора адреса строки,номер позиции блока ЗУ.Логически память представляет собой линейную последовательность элементарных матриц битов, размеренностью пхп. Соответственно логическийадрес ячейки системы памяти указывает.ся двумя полями, определяющими номерматрицы битов А в системе памяти иномер ячейки А" в данной матрице.ины адреса А заведены на регистр 4Возможны четыре режима работы сис.темы памяти: запись информационного слова (1), чтение информационного слова (11), запись одноименныхразрядов слов (111), чтение одноимен.ных разрядов...

Номер патента: 920833

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Дикарев, Огнев, Топорков, Шамаев

МПК: G11C 8/00

Метки: запоминающего, устройства, формирователь

...чертеже изображена функциональная схема предлагаемого формирователя тока.,Формирователь тока содержит управляемый источник 1 напряжения, первую группу ключей 2, дифференциальный усилитель 3, источник 4 опорного напряжения, датчик 5 напряжения, вторую группу ключей 6 и интегратор 7. На чертеже показаны нагрузка 8, подключенная к нагрузочным входам и выходам формирователя тока, управляющий вход 9 и входы питания 10 - 12 формирователя тока.Дифференциальный усилитель 3 содержит транзисторы 13 - 15 и нагрузочные резисторы 16 - 19.Управляемый источник напряжения со.держит полевой 20 и биполярный 21 транзисторы и нагрузочные резисторы 22 - 25. Интегратор 7 содержит транзисторы 26 - 29, элемент НЕ 30, нагрузочные резисторы 31 - 37, конденсатор...