G11C — Запоминающие устройства статического типа

Номер патента: 849306

Опубликовано: 23.07.1981

Автор: Дубицкий

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...обкладок второго и третьего конденсаторов, другие обкладкикоторых подключены к шине нулевогопотенциала, выход операционного усили20 теля соединен через второй и третий.ключи с одними из обкладок конденсаторов,На чертеже изображена функциональная схема предлагаемого устройства.25 Устройство содержит операционныйусилитель 1, вычитающие блоки 2 и 3,ключи 4-8, сумматор 9, накопительныеэлементы, например конденсаторы 10-12,выход 13 усилителя 1, выходы 14 и 1550 вычитающих блоков 3 и 2, шину 16 нулевого потенциала, входы 17 ь 18 блоков3 и 2, входы 19-21 сумматора 9, входы 22 и 23 усилителя 1, вход 24 устройства и выход 25 сумматора 9 и уст 35 ройства. Наименование этапов 7, 8, 4, 6 5 8, 4, б 2-й этап - промежуточныйэтап 7, 4, 6 8, 5 55 где...

Номер патента: 849307

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Вагнер, Никулин, Сидоров

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...блок 11 управленияи шину 12 управления. 50Устройство работает следующим образом.Рассмотрим его работу в режимеподготовки записи информации; режимезаписи и режиме считывания, 55В режиме подготовки записи информации (фиг. 2) блок 11 управления выдает сигналы на управляющие входы8493 5считывания используется обобщеннаяусредненная характеристика считы-.вания накопителя 9 Х , =(Пост),предлагаемое устройство учитываетиндивидуальные особенности характеристик записи-считьвания каждого элемента памяти накопителя 9, а этоприводит к повышению точности.Весь интервал времени считыванияинформации с каждого элемента памяти накопителя 9 состоит из нескоЛьких временных циклов, каждый из которых состоит из двух тактов: разрушающего считыванияи...

Номер патента: 849308

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Каткова, Мхатришвили, Папина, Фокин

МПК: G11C 29/00

Метки: вблоках, информации, коррекции, памяти, постоянной

...массиву, размером в 4 слова, соответствует определенный разряд второго блока памяти.При этом первым 8-ми массивам соответствует 1,8 разряды, вторым 8-ми массивам 916 разряды, третьим 8"ми массивам 18 разряды второго слова и т.д. При этом, в случае внесения коррекции в одно слово или несколько слов любого массива ПЗУ. (где корректируемое слово обозначается. знаком - х), в соответствующие адрес и разряд второго блока 2 памяти записывается "1, а в противном случае "О". Кроме того, каждое слово блока 2 памяти для каждых изупомянутых восьми разрядов, содержит адрес в блоке 1 памяти первого из корректированных массивов, т,е. из числа указанных 8-ми массивов.На адресные шины 8-11 и шину 12 уст ройства в корректируемый блок 7 постоянной памяти...

Номер патента: 849309

Опубликовано: 23.07.1981

Автор: Конопелько

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, матричного, самоконтролем, типас

...со вторыми входами сумматоров, 35, выходы которыхподключены к первым входам элементовИ 35, вторые входы которых соединеныс выходом второго элемента И 20. 1 О Одни из входов блока 17 подключены соответственно к выходам блока 13, шинам 23 и 24. Другие входы блока 7 подключены соответственно к выходу элемента НЕ 18 и второму входу эле мента И 36, к одному из выходов дешифратора 12 и первым входам элементов ИЛИ 11, вторые входы. которых соединены с другими выходами дешифратора 12. Одни из входов элементов И 15 2 о соединены с шинами 23 и 24, другие - соответственно с выходом элемента И 36, выходами элементов ИЛИ 14, с одним из выходов дешифратора 12 и входом элемента НЕ 18, выход 31 сумма" 25 тора 29 является выходом...

Номер патента: 851487

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Бегагоина, Белкин, Диженков, Петров

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающихматриц, магнитныхпленках, цилиндрических

...удалении технологических струндля ускорения удаления бензина. В каналы, заполненные полиэтилсилоксаном, устанавливают стержни с ЦМП.Нанесения слоя полиэтилсилоксана на технологические струны в процессе йодбивки проводников исключает непосредственный контакт струн с обмотками, деформацию обмоток и канала матрицы и тем самым исключает застревание струны в канале. Заполнение каналов полиэтилсилоксаном уменьшает механическое давление стенок каналов на цилиндрическую магнитную пленку и повышает надежность и удельную плотность информации матрицы. Формула изобретения Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках, заключающийся в натяжении технологических струн; последовательном вплетении в них проводников,...

Номер патента: 851488

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Аржеухов, Морозова

МПК: G11C 7/10

Метки: воспро, двоичной, изведения, канале, коррекции, магнитного, носителя, ограничениясигналов, последовательностис, уровня

...на интервале задержки, и пропорционально наименьшему из выбросов, если их несколько (К ( - ). В том случае, если импульс ане принадлежит выбросу, величина интервала коррекции не изменяется, с=Определяют максимальную амплитуду помехи а, и минимальную амплитуду сигщфхнала а . . на текущем интервале коррек"мчции .Определяют уровень ограничения 11+, на интервале Т по формуле (1).Формируют выходной импульс путем сопоставления амплитуды импульса задержан 1 о 15 го гз зо зз 40 ной последовательности с определенным на интервале Ф уровнем ограничения Г 1;,.На чертеже изображено устройство, реализующее предлагаемый способ, блок-схема. Устройство содержит элемент 1 задержки,ограничитель-формирователь 2, блок 3 стробирующих импульсов,...

Номер патента: 851489

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Ильяшенко, Паринов

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, считывания, цилиндрическихмагнитных

...магнитоодноосную пленку 1, на которой расположен магниторезисторный датчик 2 с токоподводящими шинами 3, магнитосвязанный с расширителем 4 ЦМД на ферроф магнитных аппликациях 5, и дополнительные ферромагнитные аппликации 6, например, шевронной формы.851489 Формула изобретения нопро 3 пеяое Ицаеноя деоенеЕ 111 Ю. Розенйкас СоставительТехред А. Бо ТиражХ 45 дарственного изобретений Ж - 35, Рау нт, г. Ужго альКорректор Н. ШвыдкаПодписноеСССРтийб д, 4/5Проектная, 4 дактор Е. Дичинскаяказ 6368/73ВНИИПпо113035, МФилиал ППП И Госуделамосква,Пате комитет и откры шская на ул. Устройство работает следующим образом,В соответствии с движением управляющего магнитного поля домены перемещаются по расширителю 4 и датчику 2 в направлении справа налево....

Номер патента: 851490

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Горшков, Науман, Служеникин, Шумкин

МПК: G11C 8/00, H03B 5/04

Метки: выборкиинформации, генератор, накопителя, устройств

...второй вывод термоэлемента подключен к первому входу стабилизатора напряжения и к первому выводу резистора обратной связи, второй вход стабилизатора напряжения подключен к шине питания, а второй вывод резистора обратной связи подключен к шине нулевого потенциала.На чертеже схематически изображен предлагаемый генератор.Генератор тока содержит входной транзистор 1, два нагрузочных резистора 2 и 3,го шину 4 питания, ограничительный диод 5, ключевой диод 6, стабилизатор 7 напряжения, термоэлемент 8 и резистор 9 обратной связи, выходной каскад 10, шину 11 нулевого потенциала, нагрузку (шины выборки блока памяти) 12, выход 13 и вход 14 стабилизатора опорного напряжения.Генератор тока работает следующим образом.В исходном. состоянии...

Номер патента: 851491

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Гелюх, Мелешко, Трофимов

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...сигнала в первый адрес накопителя запишется код знака, поступающего по информационным шинам 16.После окончания сигнала по шине 17 записи срабатывает формирователь 4 и на выходе 25 вычитания появляется сигнал, запрещающий прохождение одного импульса первого такта через элемент И 9 на .тактовый вход счетчика 5, При этом изменяется на шаг фаза счетчика 5 по отношению к фазе счетчика 2 (запаздывание). Импульс записи вырабатывается элементом И 8 уже в момент, когда на выходах адресного счетчика 2 находится код второго адреса. При поступлении второго сигнала записи новый знак запишется по второму адресу, а по окончании сигнала записи вновь срабатывает формирователь 4, на выходе 25 появляется сигнал вычитания, запрещающий прохождение еще...

Номер патента: 851492

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Мозолевский, Сбытов, Смирнов

МПК: G11C 11/00

Метки: буферное, запоминающее

...22, генератор 23 одиночных импульсов, конденсатор 24 и диод 25.Устройство работает следующим образом.После включения устройства счетчики 3 и 2 устанавливаются в произвольное состояние. Если на вход устройства не поступает информация, счетчик 3 не изменяет своего состояния. При неравенстве кодов счетчиков 3 и 2 с блока 4 управления через блок 6 синхронизации на счетчик 2 поступают им- З 5 пульсы. Счетчик 2 начинает последовательно изменять свои состояния до тех пор, пока коды обоих счетчиков не сравняются, причем схема 5 сравнения вырабатывает признак равенства (фиг. Зв) после поступления импульса считывания (фиг. 3 б). Признак равенства кодов с выхода схемы 5 сравнения поступает на блок 4 управления и прекращает поступление импульсов на...

Номер патента: 851493

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Брятов, Миронов

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающая, коэффициентом, накопления, регулируе-мым, ячейка

...содержит постоянныймагнит, расположенный соосно с ферромагнитным сердечником с возможностью перемещения вдоль его оси.На чертеже изображена предлагаемаязапоминающая ячейка, общий вид,Запоминающая ячейка с регулируемымкоэффициентом накопления содержит ферромагнитный сердечник 1 с прямоугольнойпетлей гистерезиса, имеющий тороидальную20 форму, на котором размещаются обмоткизаписи 2 и считывания 3. Последняя подключена к узлу 4 считывания. Ячейка содержиттакже постоянный магнит 5, который распо851493 Формула изобретения Составитель Ю Техред А, ВойкТираж 646 Государственного к ам изобретений и ва, Ж - 36, Раушс Патент, г. Ужгород. Розенталь ас К Редактор Е. ДичинскаяЗаказ 6368/73ВНИ ректор Н. ШвыдкаписноеР ИПИпо дел113036, Мосилиал...

Номер патента: 851494

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Ильяшенко, Паринов

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитныхдоменов, переключатель, цилиндрических

...расположенной к ней под углом 30 - 60.На фиг. 1 изображена конструкция. переключателя ЦМД; на фиг, 2 а и б - параметры импульсов в управляюшей токовой шине в режимах переноса и деления домена соответственно.Переключатель ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположена ферромагнитная аппликация 2 П-образной формы с дополнительной прямоугольной перемычкой 3, магнитосвязанная с управляющей токовой шиной 4, а также вспомогательные ферромагнитные аппликации 5 , и 6 для соединения с регистром связи и информационным регистром соответственно.Переключатель ЦМД работает следующим образом.В режиме переноса до момента перехода ЦМД на вершину аппликации 2 в токовую шину 4 подается импульс тока 1, (фиг. 2 а), с помощью которого на...

Номер патента: 851495

Опубликовано: 30.07.1981

Автор: Фойда

МПК: G11C 16/04, G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...1 - 5, шину 6 нулевого потенциала, тактовые шины 7 и 8, информационные входы 9 и 10 ячейки памяти, выходы 11 и 12, инжекторы 13 - 17.Работу ячейки памяти рассмотрим на примере регистра сдвига.Предложим, что в момент времени Т 1 (фиг. 2) регистр находится в следующем 4 О состоянии: низкий потенциал на базах транзисторов 2, 3 и 5 первой и второй ячеек памяти и базах транзисторов 1 и 3 третьей ячейки памяти, а высокий потенциал - на базах транзисторов 1 и 4 первой и второй ячеек памяти и базах транзисторов 2, 5 45 и 3 третьей ячейки памяти.В момент Т 2 на тактовую шину 7 приходит первый отрицательный импульс, который поступает на базы транзисторов 2 ячеек памяти и вызывает на базе транзистора 1 третьей ячейки памяти в момент...

Номер патента: 853674

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Вахмистров, Гугнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндри-ческих

...является уменьшение потребляемой мощности и повышение надежности канала для продвижения ЦМД.Поставленная цель достигается путем того, что в канале в слое диэлектрика выполнены углубления, расположенные между ферромагнитными аппликациями.На чертеже изображена принципиальная схема предложенного канала для продвижения ЦМД.Канал для продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой последовательно расположены слой диэлект8536744ребляемая мощность и повышается надежность канала для продвижения ЦМД,Формула изобретения 3рика 2 с углублениями 3 и ферромагнитные аппликации 4.Как известно, домен стремится занять положение, соответствующее минимуму его энергии. Ферромагнитные аппликации канала, взаимодействуя с ЦМД, уменьшают...

Номер патента: 855728

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Дмитриев, Чуманов

МПК: G11B 20/10, G11B 20/20, G11B 5/02 ...

Метки: записи, информации, магнитной, многоканальное, цифровой

...того, устройство содержит элементы 8 и 9 совпадения и последователь.но соединенные элемент 10 задержки и формирователь 11 импульсов.1 ььшы 1 ввода информации связаны с входами блоков 5 кодирования каналов 3 записиинформации через элементы 8 совпадения, а,шина 2 ввода синхросигнала связана с входомблока 5 кодирования канала 4 записи синхросигнала через элемент 9 совпадения. Другиесвободньье входы элементов 8 и 9 совпаденияобъединены между собой и соединены с выхо.дом формирователя 11 импульсов, а вход эле.мента 10 задержки подключен к шине 2 ввода 4синхросигнала,Устройство работает следующим образом.Цифровая информаци в параллельном коде(диаграммы а, в, д, фиг. 2) поступает навходные шины 1 ввода информации, Логическая"1" передается...

Номер патента: 855729

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Чабан

МПК: G11C 11/00

Метки: записи, информации, считывания

...стороны цилиндра, Головы большинства амфифилических молекул представляют собой ионы, например отрицательные, Возникновение и стабильность ОЦМ связаны с тем, что головы стремятся к контакту с водой или с другим полярным растворителем, а хвосты избегают такого кон. такта. ОЦМ обь гцо ориентируются нормально к стеклянным пластинам, ограничивающим слой раствора.Устройство работает следующим образом.В начальный момент раствор 2 амфифипи. ческого вещества, содержащий ОЦМ 3, находит. ся в левой части кюветы 1, изображенной на фиг. 1, так что электроды 6 оказываются в первом ряду ОЦМ. Предварительной обработкой раствора (ггапример, пропусканием через конден. сатор) делают все ОЦМ в целом заряженными уже к началыгому моменту путем...

Номер патента: 855730

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Дичка, Журавский, Забуранный, Корнейчук, Орлова, Юрчишин

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее, самоконтролем

...блока 6 коррекции, другие входы - с выходами первой схемы 4 сравнения. Выход второй схемы сравнении подключен ко второму входу блока 10 управления.Устройство работает следующим образом.При реализации режима чтения на управляющий вход регистра 2 прямого кода со второго выхода блока 10 управления подается разрешающий сигнал, в результате чего кодовое слово считывается с ячейки накопителя 1 на ре-. гистр 2 прямого кода, с выхода которого оно поступает на блок 6 коррекции, Если в процес. 15 20 25 30 35 40 45 50 55 се чтения ошибки не возникают, то контрольные разряды покажут отсутствие ошибок обэтом свидетельствует сигнал на управляющемвыходе блока 6 коррекции, подключенном кпервому входу блока 10 управления, и блок10 управления выдает...

Номер патента: 855731

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Верба, Гермаш, Кит, Кудренко, Мартынюк, Мурзаханов, Самофалов, Сидоренко, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающая, матрица

...пластин, соединенных экранирующими электродами 3. На пластиныпервой группы 1 нанесены разрядныеэлектроды 4, пластины второй группы2 - общие электроды 5. Разрядныеэлектроды 4 расположены на одной изсторон пластин 1 перпендикулярноэкранирующим электродам 3. Такая конструкция позволяет акустически развязать как входные, так и выходныецепи.Если необходимо развязать тольксвходные или только выходные цепи,то предпочтительными являются варианты конструкции, запоминающей матрицы, изображенные соответственнона фиг. 2 и 3,Матрица работает следующим образом.Магнитопьезоэлектрические пластины 2 между общим 5 и экранирующими3 электродами жестко заполяризованы при изготовлении матрицы. За-пись информации осуществляется в сегнетопьезокерамических...

Номер патента: 855732

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Петренко

МПК: G11C 19/00

Метки: регистр, сдвига

...б поступает на первый вход элемента И 5 ячейки 2 памяти,но,поскольку на выходе элемента И 17 уровень сигнала низкий, то данная ячейка памяти не возбуждается.При с на вход 22 поступает тактовый импульс (фиг,2,Ь) и через элемент ИЛИ 12 - иа вход Т-триггера 21. После окончания с действия импульса (Фиг.,Ь) уровни сигнала на выходе Т-триггера 21 меняются (фиг.2 Э 1. Цля того, чтобы сигналы Ь выходах элементов И 16 и 17 были смещены друг относительно друга на величину переходных процессов в ячейке 2 памяти регистра (элемента И 5) включены элементы 18 и 19 задержки, так что на выходе элемента ИЛИ 13 сигнал(фиг.2,е) уменьшается только при с, тогда как уровень на выходе эле 5 10 15 20 25 ЗО 35 40 4 0 И мента ИЛИ 14 возрастает при с ....

Номер патента: 855733

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Зайцев, Цакоев

МПК: G11C 19/00

Метки: информации, сдвига

...входы де- З шифратора соединены с управляющими входами коммутатора.На фиг. 1 изображена Функциональная схема предлагаемого устройства; на Фиг. 2 - функциональная схема коммутатора.40Устройство (Фиг.1) содержит входы О, 1, 2, 3 коммутатора 4 первой и второй групп 5 и 6, входные шины 7,1-7.М (где М - число разрядов),кодовые шины управления сдвигом 8.1- 8.е (где е - число разрядов кода управления) и выходные шины 9.1-9.1 с.Коммутатор (фиг.2) содержит элемент ИЛИ 10, элементы И 11, дешифратор 12, 6Предлагаемое устройство функционирует следующим образом.Допустим, что число 0011 1100 0100 0000 необходимо сдвинуть вправо на три разряда. На шины 8.1-8.е управления в этом случае поступает четырехразрядный двоичный код управления 0011,...

Номер патента: 855734

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Безродный, Мартыненко, Смирнов

МПК: G11C 19/00

Метки: регистр

...из входов которых соединены с инФормационными входами регистра, другие входы вторых элементов управ Оления записью подключены к шинестробируюцего импульса,На чертеже изображена Функциональная схема предлагаемого регистра.Регистр содержит триггеры 1, элементы 2 и 3 управления записьв,шину4 стробирующего импульса, формирователи 5 сигналов записи, элементыИЛИ б.Регистр работает следующим об Оразом.В исходном состоянии все триггеры1 хранят нулевую информацию (чтообеспечивается предварительнымсбросом триггеров в "0"),При подаче информации на информационные входы и строба на шину 4происходит запись информации в регистр обычным образом, т.е. информация поступает через первые элементы2 управления записью,.формировате- ЗОли 5 сигналов...

Номер патента: 855735

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Горбунов, Фирстов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...режиме записи ключи 3 и 9 замкнуты, ключи 4, 5 и 6 включаютсяи выключаются, обеспечивая записьвыбброк входного напряжения на конденсаторах 10, 11 и 12.В режиме хранения все ключи находятся в разомкнутом состоянии. Врежиме считывания ключи 3 и 9 разомкнуты, ключи 4-6 подключают иотключают конденсаторы 10-12,обеспечивая считывание выборок входного,напряжения. Перед считыванием следующей выборки происходит заземлениеобеих шин 15 и 16 записи-считыванияпри помощи ключей 7 и 8 заземления,При замыкании ключа 4 часть заряда с конденсатора 10 стекает на паразитные емкости шин 15 и 16 записи-считывания,Величина этого заряда равнао,ь оогде Ц - заряд на конденсаторе 10;ф Ь Ц - заряд, стекающий с кон 10денсатора 10 при считывании;общая паразитная...

Номер патента: 855736

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Крылов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...второй усилитель, вход которого подсоединен через второй ключ ковходу устройства, вход первого ус лителя соединен через первый пассивный элемент с другим выходом первого ключа и через третий ключ с выходом второго усилителя, и второйпассивный элемент, введены четвертый,пятый и шестой ключи, причем выходповторителя напряжения подсоединенчерез последовательно соединенные четвертый ключ и второй пассивный элемент ко входу первого усилителя,вход второго усилителя подключен квыходу повторителя напряжения черезпятый ключ, выход второго усилителя 20подсоединен через последовательносоединенные шестой ключ и второйпассивный элемент ко входу второгоусилителя.На чертеже изображена функциональная схема предлагаемого устройства,Устройство...

Номер патента: 855737

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Осипов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...работает следующимобразом.В исходном состоянии замкнутыключи 7,8,10 и разомкнуты ключи 4,6,9.На входе усилителя 1, представляющего собой дифференциально-диф- ЗОференциальный усилитель, присутствует нулевой потенциал. Напряжение навыходе 4 усилителя 1 и на конденсаторе 12, равноЪ"о К +Т Г+К оогде О , Оо - напряжения смещенияо фнуля усилителя по входам 2,3 и 13,14 соответственно;ОК и К - коэффициенты усилениянапряжения от входов2,3 и 13,14, соответственно к любому из выходов.65 В заданный момент времени это напряжение фиксируется на конденсаторе 11 путем раэмыкания ключа 5. Одновременно замыкается ключ 7,Напряжение,до которого заряжен конденса-, тор 11, определяется из выражения (2), При этом полагается, что Ох мгновенное...

Номер патента: 855738

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Карпухин, Коекин

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, обнаружением, одиночных, ошибок

...накопитель б, блок 7 контроля группу элементов ИЛЙ 8, выходной регистр 9 числа, первый элемент. И 10, второй элемент И 11, элемент ИЛИ 12, блок 13 управления, информационный выход 14.Запоминающее устройство с обнаружением одиночных ошибок работает , следующим образом.При записи информационное слово с входного регистра 2 числа поступает на формирователь 3 контрольного разряда, вырабатывающий старший разряд адреса, сигнал с которого через первый элемент И 10 и при наличии управляющего сигнала записи с блока 13 управления и элемента ИЛИ 12 совместно с сигналами с младших разрядов адресного регистра 1 поступает на вход адресного дешифратора 4, где вырабатывается сигнал записи информации с входного регистра 2 числа в накопители 5 и б, а...

Номер патента: 855739

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Богомолов, Иванов, Кнышев, Скибинский, Сливицкий, Чекаловец

МПК: G11C 29/00

Метки: автономным, запоминающее, контролем, оперативное

...выходу устройстваПервыйвыход второго формирователя 4 импульсов соединен с четвертым входом блока 8 ан,ализа, второй выход - с пятым 40 входом блока 8 анализа и первым входом.первого элемента ИЛИ 5, а третийвыход - с первым входом второго эле-,мента ИЛИ 6. Первый вход третьегоэлемента ИЛИ 7 подключен к третьемувыходу первого формирователя 3 импУльсов, Выходы элементов ИЛИ 5,6 и7 соединены соответственно со входами блока 16 ввода-вывода информации. Вторые входы элементов ИЛИ 5,6 5 р и 7 и выход блока 8 анализа являются соответственно вторым, третьим ичетвертым входами и вторым выходомустройства. При этом блок 8 анализа выполнен содержащим первый 17 ивторой 18 триггеры, элемент И 19 исхему 20 сравнения.Выход схемы 20 сравнения подключен к...

Номер патента: 858093

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Беленький, Кугаро, Теровская

МПК: G11C 7/06

Метки: считывания, усилитель

...напряжение между его затвором и истоком с учетом влияния подложки меньше порогового напряжения (Ч пор ) Ч -Ч (1+Ц )Ч рядный тактируемый сигналом 5, транзистор 8 разрядный, шину 9 опорногонапряжения шину 10 питания, шину1 нулевого потенциала, конденсатор12 считывания, конденсатор 13 выходной, транзистор 14 переноса заряда,Усилитель работает следующим образом.В течение периода восстановле ния (отсутствие сигнала в выборки)емкости 15 и 19 и шнн матрицы накопители заряжаются через транзисторы 22 н 21 до напряжения Ч 1 -Чй3 В. В это же время шина 1 заряжается через транзистор 6 до напряжения Ч 4 - Ч, - 6 В, а выходная шина2 приобретает потенциал общей шины15 через открытый транзистор.8.С появлением сигнала РК (низкоенапряжение на шинах...

Номер патента: 858094

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Косов, Савельев

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...сигнал, устанавливающий счетчик 5 в исходноесостояние. Этот же сигнал поступаетна первый вход элемента ИЛИ 12, сигнал с выхода которого устанавливаеттриггеры 10 в "О" состояние, чтообеспечивает на их выходе управляющий потенциал, открывающий ключи 9.Открытые ключи 9 шунтируют вторыеэлементы 8 нагрузки, а первые элементы 7 нагрузки подключаются к шинепитания.Затем поступает сигнал на опросрегистра 4 числа и сигнал на запускформирователей 3 разрядных токов,которые вырабатывают разрядный токположительной полярности при записи"1" или разрядный ток отрицательнойполярности при записи "0",Далее подаются сигналы запускаЗ 0 на Формирователи 6 адресных токов.Количество этих сигналов соответствует необходимому количеству импульсов, в пачке...

Номер патента: 858095

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Луговцов, Пилипенко

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...и вы" дход 43,Выходы элементов И шестой группы 35 соединены со входами второго ре-, гистра адреса 8.Первые входы элементов И седьмой группы 36 подключены соответственно к первым входам других элементов И второй группы 10, а выходы - соответственно ко входам шестого элемента ИЛИ 41, выход которого соединен со входом второго накопителя 31, выход которого подключен к первым входам элементов И восьмой группы 37. Вторые входы элементов И седьмой 36 и восьмой 37 групп соединены с единичными выходами 27 и 28 второго регистра 8 адреса соответственно. Выходы элементов И восьмой группы 37 подключены к третьим095 7858 входам элементов группы 42 соответственно. Первые входы элементов И девятой группы 38 соединены соответственно с другими нулевыми...

Номер патента: 858096

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Колосков, Рудник, Усов

МПК: G11C 11/02

Метки: магнитный, накопитель

...числа разрядных обмоток,что в итоге приводит к снижениюудельной стоимости запоминающей20 ячейки. Формула изобретения 35 40 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 50 1, Авторское свидетельство СССР Мф 251003, кл. 6 11 С 11/02, 1968,2. Авторское свидетельство СССР В 266852,кл. 6 11 С 11/02, 1969(прототип), но по отношению к другим разрядным обмоткам,для любых двух разрядных обмоток накопителя и/4 разрядных обмоток запоминающих модулей соединены согласно друг другу и однонаправлено, другие и/4 разрядных обмоток запоминающих модулей соединены согласно друг другу и встречно по отношению к первым и/4 разрядным обмоткам запоминающих модулей, третьи и/4 разрядных обмоток запоминающих модулей соединены встречно друг другу и...