G11C — Запоминающие устройства статического типа
Полупроводниковый элемент памятидля постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 824313
Опубликовано: 23.04.1981
Авторы: Анфиногенов, Буздин, Иофис, Кузьмин, Пароль, Флидлидер
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памятидля, полупроводниковый, постоянного, устройства, элемент
...являются ограниченное быстродействие и высокое сопротивление элемента памяти.Цель изобретения - повышение надежности элемента памяти.Поставленная цель цостигается тем, что.элемент памяти содержит пленку металла, которая размещена между слоем ХСП и слоем монокремния, при этом пленка металла со слоем монокремния образует циоц Шоттки.На фиг. 1 показан элемент памяти в интегральном исполнении, выполненный на подложке ноликремния; на фиг. 2 - эквивалентная электрическая схема элемента памяти, на фиг. 3 - элемент памяти в интегральном исполнении, выполненный на сапфировой подложке с эпитаксиальной пленкой кремния; на фиг. 4- эквивалентная электрическая схема эле,мента памяти.Элемент памяти соцержит пластину 1 из поликремния, полосы...
Устройство для контроля элементовзапоминающей матрицы
Номер патента: 824314
Опубликовано: 23.04.1981
Авторы: Байкулов, Жигалкин, Исмаилов, Муслимов
МПК: G11C 29/00
Метки: матрицы, элементовзапоминающей
...и входу триггера 19,другой. - к первому входу элементаИ 8, второй вход которого соединен.с выходом блока 9, а выход - со входом счетчика 7. Выход триггера 19подключен ко входу счетчика 21, выход которого соединен со входом счетчика 18. Выход счетчика 7 соединенсо входом триггера 6, выход которого подключен ко входу генератора 5. 60Устройство функционирует следующим образом,При помощи ключей 13 и 16, дешифраторов 14 и 17, счетчиков 15 и 18выбирается контролируемый элемент 65 матрицы 12. Координаты выбранногоэлемента индуцируются блоком 20,выполненным в виде линейки светодиодов. В зависимости от режима проверки . выдаются необходимые управляющиесигналы. С выхода формирователя 3через блок 2, ключи 13, 16 и выбранный элемент матрицы 12,...
Устройство для контроля магнитныхмногоотверстных пластин
Номер патента: 824315
Опубликовано: 23.04.1981
Авторы: Александров, Арасланов, Лабецкий, Смирнов
МПК: G11C 29/00
Метки: магнитныхмногоотверстных, пластин
...Замыкатель 7 игл жестко соединен с туннелем 5 и первым рычагом 3. Рама 9 жестко соединена со штоком 2 подачи пластин в туннель 5 и подвижно соединена с кривошипно-шатунным механизмом 1, первым рычагом 3 и вторым рычагом 4, жестко соединенным с соответствующими контактами групп 8.Устройство, работает следующим образом.Рычаг 3, соединенный с замыкателем 7 игл, удерживает в исходном состоянии туннель в верхнем положении. Рычаг 4 соединен с контактами групп 8 и удерживает в исходном состоянии торцы контактов групп на некотором расстоянии от поверхности измерительиых игл 6. Загрузка пластин осу" ществляется от кассеты, иэ которой пластины подаются на стол с пазом (на чертеже ие показан). При вращении ручки кривошипно-шатунного...
Устройство для контроля постоянной памяти
Номер патента: 824316
Опубликовано: 23.04.1981
Авторы: Бородин, Егорова, Огнев, Шамаев
МПК: G11C 29/00
Метки: памяти, постоянной
...4, подвоздействием управляющего сигнала,осуществляют выбор из образуемыхконтрольных сумм строк, младшего изразрядов, принадлежащих столбцу, вкотором обнаружена ошибка. Элементыб И обеспечивают выделение подмножестн номеров двоичных единиц информации,. образующих проверки Хэммингадля данного разряда, а в схеме 7 осуществляется суммирование по модулюдва информации указанных подмножеств,Каждая из проверок Хэмминга производится триггером схемы 7 и связаннымс ним элементом б И, пропускающиминформацию, считываемую из блока 2,навход триггера схемы 7 при разрешающем сигнале с триггера счетчиков .1адресов, связанного с управляющимвходом этого элемента б И. Кроме того, один иэ триггеров схемы 7 обеспечивает образование суммы по модулюдва...
Устройство для контроля блоковоперативной памяти
Номер патента: 824317
Опубликовано: 23.04.1981
Авторы: Григорьев, Семьянов, Фролов
МПК: G11C 29/00
Метки: блоковоперативной, памяти
...вызванного появлением сбоя. Принцип автоматической выработки сигнала "Запускф в блоке 10 местного управления (фиг. 1) состоит в задержке сигнала "Сбой", подаваемого с выхода схемы 6 сравнения на время с = 0,5-5 с и формировании одиночного импульса синхронно с тактовыми сигналами, приходящими с первого вы20 ЗО 40 50 55 Формула изобретения 1. Устройство для контроля блоковоперативной памяти, содержащее блокуправления, формирователь сигналов60 координатной сетки, формирователькодов адресов и схему сравнения,при"чем первый и второй выходы блока,управления подключены соответственнок первому выходу устройства и ко вхо 65 ду формирователя сигналов координат" хода блока 1 управления. Управляядлительностью сигнала "Запуск", можно осуществить...
Устройство для контроля блоковпостоянной памяти
Номер патента: 824318
Опубликовано: 23.04.1981
Авторы: Калиниченко, Лукьянович, Самойленко
МПК: G11C 29/00
Метки: блоковпостоянной, памяти
...адреса. По команде ЦВМ от дешифратора 4 снгналы с выхода блока 1 задания программы, через блок 2 управления, одновременно поступают навходы счетчика 3 адреса и счетчика 7.Производится и обращений по и последовательным адресам к контролируемому блоку постоянной памяти на егомаксимальной рабочей частоте. Приэтом по сигналу со второго выходасчетчика 7, поступающему на входблока 5 записи информации, разрешается прием числовой информации с выхода контролируемого блока постояннойпамяти через блок записи информации5 на первый вход блока 8 коммутациивходов. При каждом обращении к контролируемому блоку постоянной памятичисловая информация с его выхода, соответствующая и-адресам обращения,по командам с третьего выхода счетчика 7, поступающим на...
Запоминающее устройство с самоконтролем
Номер патента: 824319
Опубликовано: 23.04.1981
МПК: G11C 29/00
Метки: запоминающее, самоконтролем
...сигнала, блока -5 анализа ошибок поступает на первый вход счетчика (, изменяя это состояние на единицу, и на вход коммутатора 4, через который по этому сигналу считанный код слова поступает на вход накопителя 1 в инвертированной форме с единицей в дополнительном разряде в качестве метки инверсии данного слова, а блок 6 синхронизации обеспечивает операцию записи.В связи с тем, что не все неис-. правные разряды слова могли быть выделены при контрольном считывании прямого кода, производится повторное считывание В случае отсутствия ошибки выходь блока 5 анализа ошибок не оказывают воздействия на работу устройства, режим "Запись" считывается законченным. В случае обнаружения ошибки сигнал со второговыхода блока 5 анализа ошибок поступает...
Устройство для записи инфор1ации в полупроводниковые блоки постоянной памяти1изобретение относится к вычислительной технике и может использоваться при записи (программировании) информации в полу-. проводниковые
Номер патента: 826416
Опубликовано: 30.04.1981
Авторы: Акинфиев, Миронцев, Ушаков
МПК: G11C 29/00, G11C 7/00
Метки: блоки, вычислительной, записи, инфор1ации, информации, использоваться, может, относится, памяти1изобретение, полу, полупроводниковые, постоянной, проводниковые, программировании, технике
...12 и на входы задания информации амплитудного дискриминатора 19, где срав нивается с информацией микросхемы ППЗУ,хранящейся в ней по данному адресу.С выхода амплитудного дискриминатора19 информация через мультиплексор 10 поступает на информационные входы мультиплексора 13. Мультиплексоры 12 и 13, управляемые регистром 11, выдают псючередно информацию соответствующих разрядов мультиплексоров 9 и 10 на входы блока сравнения 14. Если амплитудные значения сигналов с выходов проверяемой микросхе 2 ф мы ППЗУ отличаются от значений предусмотренных ТУ на незапрограммированную микросхему; то блок сравнения 14 выдает управляющий сигнал в блок синхронизации 3, по которому управляемый генератор 15 останавливается и индицируется адрес, информация...
Запоминающее устройство
Номер патента: 826417
Опубликовано: 30.04.1981
Авторы: Косов, Савельев, Соколов
МПК: G11C 11/00
Метки: запоминающее
...10 второи группы. Однако в каждом разряде срабатывает или разрядный формирователь 6, вырабатывающий положительный сигнал, поступающий на разделительный элемент 4 и далее в блок 1 памяти для записи 1, или разрядный формирователь 7, вырабатывающий отрицательный сигнал, поступающий на раз 55 дены дополнительные разделительные элементы, дополнительные разрядные формирователи, группы элементов И и счетчик, входы которого подключены к четвертому и пятому выходам блока управления, третий выход которого соединен с первыми входами элементов И, вторые входы которых соединены с выходами числового регистра, третьи входы элементов И одной из групп подключены к выходам счетчика, выходы элементов И соединены с входами соответствующих разрядных...
Запоминающее устройство
Номер патента: 826418
Опубликовано: 30.04.1981
Авторы: Матвеев, Прокашев, Страбыкин, Шибанов
МПК: G11C 11/00
Метки: запоминающее
...поступает сигнал логического нуля. Адресные сигналы старших разрядов регистра 1 адреса поступают на адресные входы всех блоков 7 памяти.Таким образом, оказывается выбранной одна ячейка блоков памяти 1-й строки матрицы.2.2, Производится считывание. Сигнал считываемого числа с информационных выходов блоков 7 памяти 1-й строки через основной блок 8 элементов ИЛИ и выходной коммутатор 10 поступает на входы выходного регистра 11 (число из выбранной ячейки памяти записывается в выходной регистр) 5 1 о о 2 о н зо 3. Запись Ь-разрядного числа.3.1. Так же, как и в и. 2.1 производится выбор ячейки памяти, в которую необходимо записать число.3,2. Производится запись. Сигналы записываемого числа с выходов входного регистра 5 через первые входы...
Оперативное запоминающее устройство
Номер патента: 826419
Опубликовано: 30.04.1981
МПК: G11C 11/00
Метки: запоминающее, оперативное
...2 И - ИЛИ - НЕ 17 - 21, при этом на выходе элемента НЕ 23 и на одном из з 5 входов элементов ИЛИ - НЕ 12 - 16 присутствует высокий уровень напряжения. С выходов элементов 2 И - ИЛИ - НЕ 17 - 21 высокий уровень напряжения поступает на входы разрешения выборки 27 накопителей 4 О 1 - 5 и запрещает выборку ячейки памяти,таким образом, накопители 1 - 5 находятся в режиме хранения.поступления следующего импульса первая ступень накопителей 1 - 5 находится в режиме хранения.При поступлении на вход 24 второго импульса записи на выходе элемента 2 И - ИЛИ - НЕ 17 и на входе разрешения выборки 27 накопителя 1 появляется низкий уровень, а на вход разрешения записи 28 этого же накопителя поступает постоянный низкий уровень напряжения с выхода элемента...
826420
Номер патента: 826420
Опубликовано: 30.04.1981
Авторы: Антонов, Ломов, Миляев, Юдичев
МПК: G11C 11/14
Метки: 826420
...характера + Г, затягивающие ЦМД 5 в сторону участка двухслойной структуры и силы -Ц обменного характера, выталкивающие ЦМД 5 из-под двухслойной структуры (фиг. 2 а), Первые силы + Гвызваны стремлением ЦМД замкнуть свой поток рассеивания наиболее выгодным способом, т. е. через плос- О кость легкой промышленности, а вторые -Г вызваны тем, что на границе раздела двух материалов возникают механические напряжения и, если магнитострикционный эффект имеет знак -, а пленка 2 на границе со слоем 3 растянута, то область доменной границы ЦМД, находящаяся в области механических напряжений, обладает большей энергией по сравнению с областью доменной гра ницы, находящейся в зоне без напряжений, т, е, в однослойной зоне ЦМД, стремясь за нять...
Ассоциативное запоминающее устройство
Номер патента: 826421
Опубликовано: 30.04.1981
Авторы: Каплун, Таран, Хомяков
МПК: G11C 15/00
Метки: ассоциативное, запоминающее
...(отмеченные 1 в маркерном разряде отображаются на экране ЭЛТ , а немаркированные - пропускаются б ез обращения в накопитель 1 по их адресам.Также предполагается наличие выделенной области памяти для хра" ненни маркерных данных, Каждой ячейке информационного массива выделен 1 бит маркерного массива таким образом (см, фиг.З), что первому инфор.мационному блоку из К-ячеек соответствует последняя маркерная ячейка памяти, второму блоку - предпоследняя и т.д. Такая. организация памяти обеспечивает оптимальное использование обьемапамяти при обеспечении эффективного програмюю-независимого перехода от адресации ос новных данных к адресации маркерных данных и наоборот.Устройство может выполнять маркиро-. вание с упреждением, т.е. использоваться...
Одноразрядный блок логаческой памяти
Номер патента: 826422
Опубликовано: 30.04.1981
Авторы: Колосов, Лопатина, Мелехин, Шелонин, Шефф
МПК: G11C 15/00
Метки: блок, логаческой, одноразрядный, памяти
...40 входов 38 и выходов 39 соседних разряДов.Логическая функция, реализуемая формирователем 5 выявления переноса имеет вид 45ХЭР = Х Х 2 ( 25+ Х дУ) ЭЯЗдесь и дальше индексы переменных соответствуют номерам позиций на фиг. и 2.Управляющий вход 40 накопителя 7 является первым управляющим входом блока 1 и предназначен для управления записью и считыванием, Управляющие входы 41, 42 и 43 являются вторым, третьим и четвертым управляющими входами блокасоответствен 22 6но и предназначены для управления коммутацией сигналовпоступающих на адресные входы 26, 27, 28 накопителя 7 Через коммутаторы 23, 4Коммутаторы 2, 3 и 4 реализуют логические функции2 Й 24 41 29 41+Х УЙВ 39 4 Э Э 1 43Коммутатор 6 реализует переклю- чение адресно-управлякщей...
Запоминающее устройство
Номер патента: 826423
Опубликовано: 30.04.1981
Авторы: Косов, Милованов, Мхатришвили, Проскуряков, Савельев, Фокин
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее
...дорогостоящие и требующие длительноговремени технологические и проверочные операции изменения информациив долговременной памяти, В режимеперезаписи информации работа начинается с установки в исходное состояние всех элементов блока 6 управления, регистра 2 числа, счетчика 4, дополнительного регистра 13числа, Блок 6 управления вырабатывает сигналы "Уст.0" и "Запуск",которые поступают в долговременнуюпамять 1. Одновременно по разрешающему сигналу с блока 6 управления7 8264В режиме ввода новой информации и коррекции ранее записанной все регистры и счетчик 4 также устанавливаются в исходное состояние по сигналу с блока 6 управления. На полу- постоянную память 7 с блока 6 управления подается сигнал "Запуск", а со счетчика 4 через...
Однотактный регистр сдвига
Номер патента: 826424
Опубликовано: 30.04.1981
Автор: Климушин
МПК: G11C 19/28
Метки: однотактный, регистр, сдвига
...порядка 20 мс,После этого на шину 27 первого триггера 1,1 регистра подается отрицательный импульс амплитудой 5 В и длительностью порядка 10 мкс, который переводит стеклообразный полупро водник 6 в закрытое (непроводящее) состояние. Транзистор 5 открывается транзистор 18 закрывается, а транзистор 19 закрыт, так как отсутствует сдвигающий импульс на шине 26. Кон денсатор 24 разряжен. Стеклообразные полупроводники 6 в следующих триггерах 1.2-1,И продолжают находиться в открытом (проводящем) состоянии,Приходящий на шину 26 отрицательый импульс длительностью порядка 20 мс сдвигающий импульс переводит стеклообразный полупроводник 6 в открытое (проводящее) состояние. Транзистор 5 закрывается. На время действия сдвигающего импульса...
Запоминанмцее устройство с блошровкой неисправных ячеек памяти
Номер патента: 826425
Опубликовано: 30.04.1981
МПК: G11C 29/00
Метки: блошровкой, запоминанмцее, неисправных, памяти, ячеек
...коммутаторов, выходы которых подключены ко входам блока выборки информации.На чертеже изображена структур ная схема предлагаемого ЗУ.Устройство содержит регистр 1 адреса, основной накопитель 2, пер 254вый 3 и второй 4 дополнительныенакопители, схему 5 сравнения, коммутаторы 6, блок 7 выборки информации и дешифратор 8 кода заменяемого числа,Первый и второй входы схемы сравнения подключены соответственно кодному из выходов регистраи перво"му выходу накопителя 4, .второй выход которого соединен с первым входом дешифратора 8, второй вход ко-торого подключен к выходу схемы .5сравнения. Первые, вторые и третьивходы коммутаторов 6 подключены соответственно к выходам накопителя2, выходу накопителя 3 и выходамдешифратора 8. Накопитель 2...
Источник магнитного поля смещениядля накопителя ha цилиндрическихмагнитных доменах
Номер патента: 830558
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Гогин, Кадкин, Чистополова
МПК: G11C 5/00
Метки: доменах, источник, магнитного, накопителя, поля, смещениядля, цилиндрическихмагнитных
...СССР Ж 577562, кл. (3 11 С 5/00, 1977. 2. Патент США Ж 4027298 кл. 340-174, опублик. 1977 (прототип).3 8308достижения заданной напряженности магнитного поля намагничивание и частичное размагничивание необходимо проводить несколько раз, чтобы подобрать ин-,дукцию магнитов, обеспечивакщую необходимую напряженность магнитного поля,. а так как при работе с различными образцами источников одного типа наблюдается определенный разброс геометрических и магнитных параметров, достижение заданной напряженности еще болееусложняется и требует многократногонамагничивания и многократного частич,ного размагничивания образцов.Цель изобретения - повышение точности установки напряженности магнитногополя смещения.Поставленная цель достигается тем,что...
Способ изготовления матриц запоминающихустройств ha цилиндрических магнитныхпленках
Номер патента: 830559
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Виксман, Довбий, Тульчинский, Филимонов
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающихустройств, магнитныхпленках, матриц, цилиндрических
...ии обмоток после извлечения техноских струн,Цепь изобретенияности и быстродейстматриц ЗУ на ЦМП.Поставленная цель достигае что согласно способу изготовления м риц ЗУ на БМП сообщают ролику доп15 вСпособ изготовления. матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках по авт.св. М 489153,отличающийся тем,что,сцелью повышения надежности и бшстро действия изготовления матриц путем уве. личения глубины формования провода, проложенного в зеве струн основы, сообщаютролику дополнительную угловую скоростьпо сравнению со скоростью прокатки, на пример, с помощью зубчатой передачи,нительную угловую скорость прокатки,например, с помощью зубчатой передачи.На чертеже изображена конструкцияустройства, реализующего...
Отсекатель для ферритовых сердечниковнанизанных ha провода
Номер патента: 830560
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Думчюс, Рагульскис, Судинтас, Федаравичюс
МПК: G11C 5/12
Метки: отсекатель, провода, сердечниковнанизанных, ферритовых
...на рас 5 стоянии, не превышающем толщины ферритового сердечника, со стороны подачи ферритовых сердечников, в полюса электромагнита образуют зазор трапециевидной форМы, сужающийся в месте отсека ния ферритовых сердечников.На чертеже приведена схема отсекателя. Отсеквтель содержит управляемый С-образный электромагнит 1, в трапецеидальном межполюсном зазоре которого расположена технологическая рамка 2 с натянутыми проводами 3 и нанизанными на них ферритовыми серпечниквми 4,ограничитель 5, первый дер катепь 6, первый20 кулачок 7, привод 8, магнитоэкрищруюшую пластину 9, второй держатель 10 и второй кулачок 11.Отсеквтель работает следующим образом.25Под действием переменного магнитного поля электромагнита 1 ферритовые сердечники 4...
Узел для ориентации ферритовыхсердечников
Номер патента: 830561
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Гецевичюс, Думчюс, Рагульскис, Федаравичюс
МПК: G11C 5/12
Метки: ориентации, узел, ферритовыхсердечников
...углом 45 относительно натянутых проводов 3, подвижные ограничители 12, направляющие 13 стоек5, пазы 14 и 15 второго электромагнита 7, пружина 1 б, механизм 17 вертикального перемещения, корпус 18,вертикальные пазы 19 стоек 5.Узел работает следующим образом.Под действием переменного магнитного поля, создаваемого между полюсами первого электромагнита 1,нанизанные на провода 3 ферритовыесердечники 4 распределяются междуподвижными ограничителями 12 и образуют правильное поле, Затем шина 2управления первого электромагнитаотключается от блока 9 питания,действие переменного магнитного поляпрекращается, а ферритовые сердечники 4 остаются на своих распределенныхместах и висят на проводах 3. Послеэтого в обмотку 8 управления...
Способ записи информации в магнитноезапоминающее устройство типа
Номер патента: 830562
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Беляев, Муравьев, Пресников, Суслов
МПК: G11C 7/00
Метки: записи, информации, магнитноезапоминающее, типа
...разряда матрицы ЗУ (см. Фиг, 2), содержащей первуюсекцию разрядной обмотки 5, вторуюсекцию разрядной обмотки 6, числовуюобмотку Х 7, числовую обмотку У 8,выбранный сердечник 9, полувыбранныесердечники 10 и 11, связанные с выбранной числовой обмоткой Х 7, полувыбранные сердечники 12 и 13, связанные с выбранной числовой обмоткойУ 8.Известно, что в трехпроводном ЗУтипа 3 Д при записи нуля одновременно подают одинаковые токи запрета в обе секции (половины) раэ Орядной обмотки 5 и 6, но в записиинформации участвует только ток,проходящий через выбранный сердечник по обмотке 5, а ток обмотки 6служит лишь для компенсации помех.В этом случае помехи от полувыбранныхсердечников 10 и 11, 12 и 13 оказываются приблизительно одинакорымии компенсируют...
Устройство записи и считывания информациидля накопителей ha мноп транзисторах
Номер патента: 830563
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Ваняшев, Мякиньков, Тищенко
МПК: G11C 7/00
Метки: записи, информациидля, мноп, накопителей, считывания, транзисторах
...источник 8 питания неучаствует, так как изолируетсяразделигельным диодом б за счет егозапирания отрицательным напряжениемзаписи Б, возникающим на выходеоткрытого формирователя 5 записи.В режиме Считывание на входдешифратора 3 адреса из блока 4 управления пэсгупает сигнал Считы:вание 1, по которому дешифратор3 адреса обеспечивает запуск соответствующего формирователя 1 считывания. При этом на вход накопителя 2 поступает импульс считывания0 , амплитуда которого задаетсясцивторым источни ком 8 питания (импульспоступает через диод б и выбранныйформирователь 1 считываниями. В данномрежиме не участвует первый источник7 питания, так как при этом формирователь 5 записи находится н закрытом состоянии,В предлагаемом устройстве каждый...
Способ записи информации в оперативноезапоминающее устройство ha цилиндрическихмагнитных доменах
Номер патента: 830564
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Жучков, Коростелев, Мочалов, Набокин, Шмелева
МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...
Метки: доменах, записи, информации, оперативноезапоминающее, цилиндрическихмагнитных
...смещения до величины,соответствующей существованию вмагнитоодноосной пленке устойчивыхЦМД, и снимают планарное магнитноеполе.Магнитоодноосная пленка 1 с расположенной на ней ферромагнитной аппликацией 2 (фиг. 1 а) помещается в магнитное поле 3 смещения, направленное перпендикулярно поверхности пленки 1. Величина поля 3 смещения такова, что пленка 1 намагничена до насыщения, После этого к пленке 1 с аппликацией 2 (фиг, 1 б) прикладывают планарное магнитное поле 4 и намагничивают аппликацию 2 до насыщения, после чего уменьшают поле 3 смещения до величины поддержания стабильных ЦМД, При этом вертикальная компонента поля рассеивания аппликации 2 зарождает ЦМД 5, поскольку направление этой компо кенты противоположно полю 3 смещения. Если...
Программатор для постоянныхзапоминающих устройств
Номер патента: 830565
Опубликовано: 15.05.1981
МПК: G11C 16/02
Метки: постоянныхзапоминающих, программатор, устройств
...входуадресного регистра, блок управления,первый вход которого подключен к выходу блока запуска, второй входк выходу генератора, а другие входыблока управления подключены к соответствующим выходам блока заданиярежимов, введены коммутатор и накопитель, адресные входы которогоподключены к выходам адресного регистра, входы данных накопителя подключены к выходам регистра данных,первый управляющий вход накопителяподключен к выходу коммутатора, анторой управляющий вход - к соответствующему выходу блока управления, первый вхоД коммутатора подключен к выходу блока запуска, второй вход - к соответствующему выходублока управления, третий вход коммугатора подключен к соответствующемувыходу блока задания режимов,На чертеже приведена структурнаясхема...
Магниторезисторный датчик для считыванияцилиндрических магнитныхдоменов
Номер патента: 830566
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Иванов, Ломов, Спиваков, Юдичев
МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...
Метки: датчик, магнитныхдоменов, магниторезисторный, считыванияцилиндрических
...такой датчик ограничено помагнитному смещению снизу из-затого, что растянутый ЦМД взаимодействует с токопроводящими шинамииз магнитного матери".ла, доменнаяграница цепляется за их края, Этосущественно сужает область устойчивой работы такого датчика помагнитному полю смещения.Цель изобретения - повышение надежности магниторезисторного датывания ЦМД,ая цель достигаетсяойство содержит нзо,расположенный междуной пленкой и токопроисторный датчик для. Д содержит магнитооду 1 с разделительным оторой расположена едовательно соеяиненных830566 Формула изобретения г.2акаэ 2897/32 Тираж 645 Подписное НИИ Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул.Проектная ферромагнитных аппликаций 4, например шевронной формы, крайние изкоторых 5 и 6 соединены...
Устройство для магнитной записи информации
Номер патента: 830567
Опубликовано: 15.05.1981
Автор: Самоваров
МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...
Метки: записи, информации, магнитной
...Кольцевой регистр 1 сдвига, генератор 2, датчик 3 считывания и 15 аннигилятор 4 ЦМД расположены на магнитоодноосной пленке 14.Устройство 1 работает следующим образом.Задающий генератор 6 выдает гармо- Яо нические колебания в блок 5 управления продвижением ЦМД и на Формирователь 11 импульсов. С выхода формирователя 11 импульсы поступают на вход ключевого элемента 10 и через делитель 9 на тактовый вход широтно-импульсного модулятора 7, на сигнальный вход которого поступает сигнал, подлежащий записи. Модулятор 7 осуществляет преобразование напряжения сигнала н длительность импульсов с частотой опроса,. задаваемой делителем 9. В простейшем случае это преобразование производится путем сравнения линейноизменяющегося напряжения и напряжения...
Устройство для обмена информацией междурегистрами
Номер патента: 830568
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Ваврук, Елагин, Жижин, Филимонов, Цмощь
МПК: G11C 19/00
Метки: информацией, междурегистрами, обмена
...магистралью 3 считывания. Выходыпитания каждой группы 1 элементовИ-НЕ соответствующего регистра 2соединены с выходами управляемыхкоммутаторов 4 питания, управляющиевходы которых соединены с магистралью 3 считывания, входы питаниявсех управляемых коммутаторов 4 питания соединены с источником питания.Выходы всех элементов И-НЕ данного разряда объединены между собойв проводное ИЛИ и образуют магистраль 4 информации. Входы каждого.разряда, каждого регистра соединеныс выходами соответствующих элементовИ, соответствующих этим регистрамгрупп элементов И 6, Первые входы 20элементов И соединены с магистральюинформации, вторые - с выходом дешифратора 7 номера регистра, входыдешифратора соединены с магистралью8 записи, Входы питания каждой группы б...
Устройство для запоминания частотыэлектромагнитных колебаний
Номер патента: 830569
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Медников, Ольховский, Редько
МПК: G11C 11/02
Метки: запоминания, колебаний, частотыэлектромагнитных
...параллельно илиперпендикулярно высокочастотному ЗОмагнитному полю в зависимости отего частоты. Этот эффект наиболеевыражен в случае применения магнит-.ного материала с малой шириной линииферромагнитного резонанса. 35Устройство работает следующимобразом.В исходном состоянии пленки 1в отсутствие СВЧ сигнала или в случае, когда его мощность меньшепороговой величины, в феррите с одноосной анизотропией существуетлабиринтная доменная структура.Регистрация доменной структуры осуществляется с йомощью блока 4 регистрации информации - поляризационного микроскопа - в поляризованномсвете, падающем на проводники 2 состороны подложки 5 и отражаемым отпроводников 2 высокочастотной линиипередачи, например щелевой.Если по линии распространяетсяСВЧ...
Способ изготовления матриц запоминающихустройств ha цилиндрических магнитныхпленках
Номер патента: 830570
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Бегагоина, Белкин, Диженков, Молодцов, Феденев
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающихустройств, магнитныхпленках, матриц, цилиндрических
...распределения компаунда и попадания его на струны, обеспечить сохранность крайних витков, чистоту торцов матрицы.Цель изобретения - повышение надежности изготовления матриц эа счет исключения расплетания крайних витков обмоток и и у ия ро ыхторцов матрицы.Цель достигается тно способу по авт.св.перед заливкой обмотоили лакировкой крайники обмоток закрепляютс помощью пластин излита.На чертеже изображена. сэации способа.Числовая обмотка 1 закреплена собеих сторон пластинами 2 на технологических струнах 3, Пластины 5 2 укладывают с двух сторон технологических струн 3 к обмоткам 1 матриц;после чего обмотки вместе с пластинами заливают компаундом, сушат,а затем растягивают технологические 20 струны за противоположные концыдо...