Землянухин

Номер патента: 1358631

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Землянухин, Ковалев

МПК: G11C 11/34

Метки: информации, матричный, накопитель

МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержащий ячейки памяти, каждая из которых состоит из динисторных элементов памяти, входы которых подключены к соответствующим числовым шинам, а выходы к соответствующим разрядным шинам данной ячейки памяти, первых шин выбора ячейки памяти, отличающийся тем, что, с целью повышения его быстродействия и снижения потребляемой им мощности, он содержит общие разрядные шины, а каждая ячейка памяти содержит вторую шину выбора ячейки памяти, две группы ограниченных диодов, причем аноды ограниченных диодов первой группы подключены к первой шине выбора ячейки памяти, катоды ограничительных диодов второй группы подключены к второй шине выбора ячейки памяти, катоды ограничительных диодов первой группы и аноды...

Номер патента: 1732131

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Бутивченко, Губанов, Дегтяренко, Землянухин, Зимин, Клейн, Коротких, Кузнецов, Майзель, Малыгин, Осламенко, Пузанов, Тверитин, Устюжанин, Фролов, Шнеур

МПК: F27B 21/06

Метки: конвейерная

...частично из секции спекания и из секции охлаждения собирают в сборный секционный коллектор 4, Загрязненные окислами азота и углерода газы из секции 5 коллектора 4 по тракту 7 подают в колпаки 15 3 хвостовой части машины, либо за зажигательным горном, либо в оба колпака совместно. Из колпаков 3 теплоноситель фильтруют через слой сверху вниз, используют его физическое тепло, дожигают монооксиды углерода, понижают интенсивность 20 образования оксидов азота и подвергают мокрой частичной пылеочистке, Отработанные газы через головной коллектор сбрасывают из системы. Отработанные газы из коллектора используют в системе рецирку ляции отходящих газов, Охлажденный кусковой материал разгружают и отправляют на склад готовой продукции,Протяженность...

Номер патента: 1705869

Опубликовано: 15.01.1992

Автор: Землянухин

МПК: G11C 8/00

Метки: адреса, дешифраторами, диодными

...потенциал на инверсном выходе устройства 20, во-вторых,появляется емкостной ток рабочего конденсатора 15: 50Ос-еВ 7личина емкости рабочего конден х где С сатор С2 величина суммарной паразитной ти, приведенной к базам одноэмитх транзисторов;о - амплитуда управляющего импулко терн са В - величина сопротивления резистВб - величина сопротивления базы тзистора;г - постоянная времени источниканала (определяет скорость изменениятенциала на выходах адресных инвертот - время.Как видно иэ вышеприведенногоношения, подбирая величины рабочегоденсаторэ, резистора постоянной вреисточника сигнала при определенныхтрофизических параметрах транзистормежсоединений можно получить требуток для достижения поставленной цели ор ра сиг- поров); соот- конмени...

Номер патента: 1705868

Опубликовано: 15.01.1992

Автор: Землянухин

МПК: G11C 8/00

Метки: адресный, формирователь

...адресного сигнала на вхсд 4 адресного формирователя (возрастание напряжения адресного сигнала) распределения токов и потенциалов в схеме будет происходить в следующем порядке, При достижении входного сигнала уровня выходного потенциала первого источника 5 опорного напряжения (с 1 на фиг. 2) ток источника 3 тока первого типа начнет переключаться в эмиттер транзистора 1 и в последующем через коллектор этого трэнзистора замыкаться в резистор 9, обеспечивая падение напряжения на нем. Соответственно начнется снижение потенциала на инвертирующем выходе 19 устройства, где перезаряд больших паразитных емкостей информационной шины дешифратора адреса будет осуществляться первым источником 18 тока второго типа. Потенциал же узла подключения...

Номер патента: 1679549

Опубликовано: 23.09.1991

Автор: Землянухин

МПК: G11C 8/10

Метки: адреса, дешифратор

...замыкается в катоды диодов 9 первых трех ячеек 1, так как все диоды 9 заперты, а распределяется между диодами 9 четвертой ячейки 1. При этом ток входных источников сигнала распределяет 5 10 и 5 30 35 40 ячейки 1 и выбору первого выхода 10 дешифратора.Формула изобретения Дешифратор адреса, содержащий ячейки, каждая из которых состоит из источника тока, ключевых транзисторов, опорного транзистора, гоуппы резисторов, матрицы из диодов, аноды которых подключены ксоответствующим разрядным шинам матрицы, а катоды - к соответствующим адресным шинам матрицы. эмиттер опорного транзистора соединен с эмлттерами ключевых транзисторов, коллектор соединен с первыми выводами резисторов группы и подключен к шине питания дешифратора, к шине нулевого...

Номер патента: 1672526

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Землянухин, Халявко

МПК: G11C 8/10

Метки: адреса, дешифратор

...к выходам 11 на бзэзх ключевых транзисторов 4 и катодах диодов 6 устанавливаются соответствующие уровни потенциалов логическ х сигналов, Это приводит к тому, что найдется одна из ячеек 1, в которой все ключевые транзисторы 4 будут заперты низким потенциалом на базах этих транзисторов 4 и все диоды 6 будут заперты высоким потенциалом нз катодах этих диодов 6. Например, при кодовой комбинации 000.00 будут заперты ключевые транзисторы 4 во всех ячейках 1. Соответственно токи источников тока через опорные транзисторы 2 замкнутся в шину 9 питания. Это приводит к тому, что при этом открыты все диоды 6 в ячейках 1, начинал со второй, через них ток входных источников сигнала буде потекать в выходные узлы, обеспечивая падение потенциалов нз...

Номер патента: 1658210

Опубликовано: 23.06.1991

Автор: Землянухин

МПК: G11C 8/00

Метки: дешифратор

...6 тока или на эмиттерэх транзи"торов 3, соответствует функции ИЛИ от ко,лбинации сигналов высокого и низкого уровней на входах 11 и 12.На выходах 13 дешифратора (коллекторы транзисторов 3) комбинации сигналов соответствуют функции ИЛИ-И от комбинации сигналов на входах 9-12,Повышение быстродействия дешифратора достигается путем снижения величины паразитной емкости, приведенной к информационным шинам, при этом основная часть переходов база - эмиттер транзисторов 3 имеет обратное смещения, что поэво ляет снизить паразитные емкости этих транзисторов, кроме того, управление го 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 информационным входам дешифратораосуществляется эмигтерными повторителями на транзисторах 9-12. Формула изобретения Дешифратор,...

Номер патента: 1621083

Опубликовано: 15.01.1991

Автор: Землянухин

МПК: G11C 8/00

Метки: адреса, дешифратор

...может быть использовано в полупровод 5 никовых эапоминающих устройствах, в устройствах вычислительной техники и автоматики.Целью изобретения является сниже-, ние потребляемой мощности дешифратора.На чертеже представлена принципиальная схема дешифратора.Дешифратор содержит элементы И, каждый из которых состоит из резистора .1, транзистора 2, диодов 3 первой группы, диодов 4 второй .группы, диода 5 смещения, прямые входы б, ин" версные входы 7, выходы 8, шину 9 питания.Дешифратор работает следующим об 20 разом.При поступлении кода адреса на прямые.и инверсные входы б и 7 в силу подключения к этим входам б и 7 катодов диодов 3 первой группы на катодах диодов 5 всех элементов И, кроме одного, произойдет снижение потенциала, так как на...

Номер патента: 1608745

Опубликовано: 23.11.1990

Автор: Землянухин

МПК: G11C 8/10

Метки: адреса, дешифратор

...на 01 соответственно произойдет новое перераспределение потенциалов и токов в схеме, приводящее к появлению низкого потенциала на втором выходе 25 и высокого потенциала на остальных выходах 24, 26 и 27, Это обеспечивается тем, что к базам четвертого и третьего повтори- тельных транзисторов 10 и 9 будет приложен низкий потенциал, а к базам первого и второго повторительных транзисторов 7 и 8 - высокий. Быстрое появление высокого потенциала на первом выходе 24 будет обеспечено большим током, направленным на перезаряд паразитных емкостей узла и развиваемым в цепи первого эмиттера первого повторительного транзистора 7. При этом на базах первого и пятого ключевых транзисторов 1 и 5 потенциал понизится, а на базах второго и...

Номер патента: 1607082

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Алешечкин, Дудник, Землянухин, Ханукаев, Чернер

МПК: H05B 7/148

Метки: вакуумной, дуговой, печи, расходуемым, режимом, электрическим, электродом

...и значениях тока дуги в момент начала плавки, в конце участка расплавления отходов и прогрева электрода, в конце участка наплавления основной массы металла и в конце участка перегрева - в конце плавки. На основании этой информации вычислительный блок определяет время процесса плавки по фо.рмуле:Т =; Т,+Т,+Тз, (1) где Тдлительность участка расплавленияотходов и прогрева электрода, с;20 25 40 Фор,чу,а пзобретенич 50 ределяет текущее значение массы наплавляемого металла по формулефгМ = К11 тек 3 тек д 1 - Мо, (5)огде Т - текущее время процесса плавки, с;Ц - - текущее значение напряжения дуги в 1-й момент времени, В;3, - - текущее значение тока дуги в 1-й момент времени, кА;и при достижении массы заданного значения прекращают плавку.В...

Номер патента: 1587582

Опубликовано: 23.08.1990

Автор: Землянухин

МПК: G11C 8/10

Метки: дешифрации

...потенциал, а управлением по входам 32 и 34 третьей группы обеспечивается низкий потенциал, то ток первого коллектора первого токозадающего транзистора 7 замкнется в эмиттер первого транзистора 4 и обеспечивая падение потенциала на первом резисторе 5 говорит о наличии выборки по первому выходу 12 устройства. Токи же второго, третьего и четвертого коллекторов первого токозадающего транзистора 7 замкнутся на диоды 15, 16, 19 и 20, проходя к схемам управления по входам 31 - 34 третьей группы и не попадая к второй, третьей и четвертой группам 3 транзисторов 4. Это обеспечивается тем, что падение потенциала на прямосмещенном р-и переходе эмиттер - база первых транзисторов 4 превышает падение потенциала на прямосмещенном диоде Шоттки,...

Номер патента: 1579525

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Власов, Землянухин, Куралесин, Чащихина

МПК: B01D 21/02, C02F 1/40

Метки: воды, осветления, отстойник

...а затем в нижнюю часть камеры 3. Грубодисперсная взвесь накапливается в зоне 12 и через щель 11 поступает в зону 13 уплотнения.Более легкая взвесь накапливается в нижней камере 3, обеспечивая более полное осветление стока, а затем ее избыток, попадая в камеру 2 осветления, переливается через перегородку 9 и попадает в зону 13 уплотнения.Система заглубленного регупированного отбора воды через щелевой коллектор 4 и коллектор 5 позволяет увеличить степень использования объема отстойника и повысить эффект очистки. Для предотвращения выноса через гцелевой коллектор 4 всплывающих загрязнений следует соблюдать соотношениеЬ/ Ч)Ь/1. где 1.1 О - гидравлическая крупность всплываюших загрязнений, мм/с, на задержание которых рассчитывается...

Номер патента: 1560508

Опубликовано: 30.04.1990

Авторы: Елагина, Землянухин, Неумеечева

МПК: C04B 14/12

Метки: керамзита, производства, смесь, сырьевая

...фильтровпредставляет собой шлам с влажностью45-507., содержащий соли азотнокислых металлов, мас.7.: Сг(МО )э 47,4;Ге(ИО э) 9,6; Со(МО э)э 43Для изготовления керамзита пред-.варительно измельченную глину перемешивают с добавкой до формовочнойвлажности 25 мас,7 Из полученных лени имен полни ления Цел ной мароизв глин инещ а ральную добавку, с я тем, что, с объемной массы к низконспучинающих ича елью сниж и мзита наглин оннеральноенных филе соли сионесо- добаньтрон,ром оот следующемн, мас,7:93 7-10 льт ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(57) Изобретение относится к п пенности строительных материал именно к составам смесей для и ления пористого заполнителя, С снижения объемной массы керамз на основе...

Номер патента: 1524825

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Землянухин, Рыков, Скрынников

МПК: A01C 1/00, B02B 3/10

Метки: семян, шлифования

...шлифовальный цилиндр 4 с радиальными отверстиями 5. Внутри шлифовального цилиндра 4 соосно установлены кониче(кая 6 и цилиндрическая 7 шлифоваль ные поверхности с радиальными отверстиями 5, соединенные с корпусом 1 с помощью фланцев 8. Нижняя часть корпуса 1 снабжена аспирационной камерой 9. Корпус 1 установлен на ОсноВании 10 под углом 57 к нему, которое шарнирно закреплено ца раме 1 с возможностью изменения угла наклона в вертикальной плоскости. На основании 1 О установлен электромогор 2 с ременной передачей 13.М;(шина для шлифования семян рабога ет с(едуюгцим образом.(;ехена из бункера 2 с помощью питателя 3 поступают в рабочую зону шлцфовального цилиндра 7.За счет наклона и вращательного движения шлифовальных поверхностей 4, 6 и 7...

Номер патента: 1451850

Опубликовано: 15.01.1989

Автор: Землянухин

МПК: H03K 19/086

Метки: инвертор

...потенциала напрямосмещенном р-и-переходе база - эмиттер транзистора;Гр- величина низкого уровнявходного потенциала набазе первого транзистора 1,Величина напряжения на второй шине 13 опорного напряжения, ток коллектора транзистора 8 и величина первого резистора 3 выбираются такими, чтобы потенциал базы второго транзистора3 145 5 был меньше потенциала базы третьего транзистора 6 приблизительно на ДП/2. Из распределения потенциалов на базах второго 5 и третьего 6 транзисторов можно заключить, что ток коллектора четвертого транзистора 7 замкнется на третий транзистор 6 и, соответственно, на неинвертирующем выходе 18 установится низкий потенциал, а на инвертирующем 17 - высокий еПовышение потенциала на входе 2 инвертора приводит к...

Номер патента: 1442893

Опубликовано: 07.12.1988

Авторы: Землянухин, Кузнецов

МПК: G01H 11/00, G01N 22/00

Метки: вибраций, измеритель

...колебаний,соединенный с входом направленногоответвителя 2, передающую антенну 3,переменный аттенюатор 4, приемнуюантенну 5, принимающую излучение,отраженное от исследуемого объекта6, преобразователь 7 частоты, смеситель 8, Фильтр 9, счетчик 10 импульсов, анализатор 11 гармоник,С выхода смесителя 8 сигнал можетподаваться или на вход анализатора11 гармоник, или на вход счетчика1 О импульсов в зависимости от амплитуды колебаний исследуемого объекта 6. Стробирующий импульс счетомчисла нулей или максимумов за период механических колебаний, выделяется в Фильтре 9, на вход которогоподается исследуемый сигнал.При измерениях малых вибрацийизмеритель работает следующим образом,Электромагнитные колебания, вырабатываемые источником 1,...

Номер патента: 1377248

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Елагина, Землянухин, Неумеечева, Федин, Филиппов

МПК: C03B 31/00

Метки: декоративно-облицовочного

...давлении 10-25 МПаи температуре прессинструмента500-600 С. плитки. Полученные плиткиоотжигают при 600 С в течение одногочаса и охлаждают,В таблице представлены характеристики декоративно-облицовочного материала, полученного по предлагаемому способу при разных технологичес"ких режимах.Как видно из таблицы, изделия свысокими физико-механическими характеристиками получаются при нагревеих в печи обжига до температуры наочала размягчения массы - 1000 С ипоследующем горячем прессовании при15-18 МПа,Подъем температуры в печи обжига выше 1000 С приводит к расплавлению массы. Увеличение давления выше 18 МПа приводит к незначительному увеличению характеристик, однако при этом резко возрастает енергоемкость процесса. При использовании...

Номер патента: 1375591

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Гашев, Елагина, Землянухин, Неумеечева, Сидельников, Филиппов

МПК: C03C 10/00

Метки: декоративно-облицовочного, композиция

...бхлаждение.Введение в композицию декоративно- облицовочного : материала кальциниромванной соды обеспечивает ввод в состав оксида натрия, что, совместно с изменением соотношения компонентов, расширяет интервал размягчения до 100 С и улучшает выработочные свойства композиции, тем самым положительно сказываясь на повышении эксплуатационных характеристик материала.В табл. 1 приведены составы декоративно-облицовочного материала, в табл. 2 - его свойства. Показатели для состава 900 850 900-9501375591 Продолжение табл.2 Показатели для состава Физико-механическиеи технологическиесвойства известного предлагаемого Плотность, г/см з2,4-2,б 2,3-2,6 2,3-2,4 2,2 2,3-2,5 Морозостойкость безпризнаков разрушения,не менее циклов 130-140 200 135 135-150...

Номер патента: 1351700

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Землянухин, Скрынников, Фрыкин, Харченко

МПК: B07B 4/00

Метки: пневмосепарирующее, разделения, сыпучих

...пластины 11 - прямоугольника,при этом оси 12 поворота прямоугольных пластин 8 смещены относительноих центра и расположены паралелльноплоскости окна 3 питателя пневмосепарирующего канала 4. Возможно также крепление осей поворота и по цент.ру прямоугольных пластин 8. Пластины8 установлены параллельно плоскостиокна 3. Устройство работает следующим образом.Материал, подлежащий разделению,1засыпается в, загрузочный бункер 1, откуда питателем 2 через окно 3 вбрасывается в пневмосепарирующий канал 4., где посредством вентилятора 6 создается воздушный поток высокой степени турбулентности. Пласти 3 13517 ны 8 совершают колебательное движение, поворачиваясь относительно оси 12, расположенной в верхней кромке 8 посредством механизма 9, осущест 5...

Номер патента: 1336099

Опубликовано: 07.09.1987

Автор: Землянухин

МПК: G11C 7/00

Метки: выборки, сигналов, формирователь

...1 О и третьей 12 шинам управления режимом приложен низкий потенциал о, а к второй шине 11/ управления режимом - высокий 1),. При таком соотношении сигналов ток от дешифратора адреса по шине 13 запуска замыкается в цепь эмиттера второго транзистора 2 дифференциального каскада и-р-и-типа и далее на шину 5 питчния. Тока в коллекторных цепях первого транзистора дифференциального каскада п-р-п.45 50 55 Формула изобретения 5 10 15 20 25 30 35 40 2типа 1 и транзистора дополнительного ключевого элемента р-п-р-типа 6 нет, т. е. нет падения потенциала на резисторах 3 и 9, следовательно транзистор ключевого элемента р-и-р-типа 5 и транзистор второго выходного каскада и-р-и-типа 8 заперты, поэтому на шине выбора обеспечивается третье состояние...

Номер патента: 1321462

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Землянухин, Рыков, Скрынников, Фрыкин

МПК: B02B 3/00

Метки: цилиндрическая, шлифовальная

...шнеком 6 и рабочими поверхностями обечаек 3 и 5. Потоком воздуха семена перекатываются по рабочим поверхностям обечаек 3 и 5 и шнека 6Дополнительно на семена через прорези 4 воздействуют потоки воздуха, нагнетаемые источником высокого давления, В результате этого воздействия происходит вращения семян в процессе их движения. 5 10 15 20 25 30 При таком перемещении семян засчет их трения о рабочие поверхностиобечаек 3 и 5 происходит равномерноешлифование семян,Для обеспечения возможности регулирования интенсивности шлифованиясемян, патрубок. воздуховода с рассеивателем,7 семян может вертикальноперемещаться относительно отражателя 10 потока в держателях 9. Увеличение или уменьшение кольцевойщели между краями рассеивателя 7 иотражателя 10...

Номер патента: 1273163

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Бикбов, Гришечкин, Землянухин, Кинжитаев, Комлев, Лагутин

МПК: B03C 1/10

Метки: магнитный, сепаратор

...разрез; на фиг, 2 - расположение магнитных полюсов в рядах призм магнитной системы; на фиг. 3 - разерэ А-А на фиг. 2.Магнитный сепаратор включает не- магнитный барабан 1, установленный " возможностью вращения, размещенную внутри него магнитную систему, содержащую магнитопровод 2 с установленными на нем рядами 3 постоянных магнитов, выполненных в виде прямоугольных призм, каждая из которых составлена из двух пакетов четьрехполюсных магнитных пластин 4, ванну 5, загрузоч,ное приспособление 6 и приспособле 73163 3ния 7 и 8 для разгрузки соответственно концентрата и хвостов.Пакеты из четырехполюсных пластин4 примыкают друг к другу одноименны .5 ми полюсами. Таким образом, на поверхности каждой призмы, обращеннойк барабану 1, имеются три...

Номер патента: 1244128

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Елагина, Землянухин, Неумеечева, Федин, Филиппов, Чернецкий

МПК: C03C 10/00, C04B 28/26

Метки: декоративно-облицовочного, композиция

...1 12441Изобретение относится к промышленности строительных материалов, в частности к производству отделочных материалов, и может быть использовано при получении плит для облицовки 5 стен и устройства полов.Целью изобретения является повышение прочности при сжатии.Технология получения декоративно- облицовочного материала включает из мельчение исходных материалов в шаровых мельницах мокрого помола в соответствии с рецептом, обезвоживание массы до 20-25 мас.7 на фильтр-прессах,формование на гидравлических прессах при удельном давлении прессования 18-20 МПа нагрев в туннельф оных печах до 900-1000 С, термическое уплотнение на гидравлических прессах при удельном давлении 15-18 МПа и 20 500-600 С, отжиг и охлаждение изделий.Осадки абразивных...

Номер патента: 1226526

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Землянухин, Халявко

МПК: G11C 7/00

Метки: сигналов, формирователь

...4 транзистор р-и-р-типа (так как У11 + У , где П - напряжение на лрямосмещенном р-и-переходе). Г 1 ри этом четвертый 4 транзистор р-и-р-типа пропускает ток на пятый транзистор 5 и-р-и-типа и второй резистор9, этот ток открывает шестой транзистор 6 и-р-п-типа, ток через этоттранзистор, разряжая ларазитные емкости, приведенные к точке соединения эмиттера второго 2 транзистораи-р-п-тила, коллектора шестого 6транзистора и-р-и-типа и шине строки2, опустит потенциал на шине строки12 до уровня потенциала ц,Режим Б аналогичен режиму Л.Режим В. На второй управляющей шине 14 присутствует потенциал 111, натретьей управляющей шине 15 - потенциал 11При этом ток дешифратора разветвляется на две цепи: на диод 7 ив базу второго транзистора...

Номер патента: 1160541

Опубликовано: 07.06.1985

Автор: Землянухин

МПК: H03K 3/286

Метки: логический, типа, элемент, эсл

...шине питания, а коллекторы 35соединены с общей шиной 2,Недостатком известного логического элемента ЭСЛ-типа является большая потребляемая мощность и низкое быстродействиеиз-за наличия второго и третьего генераторов тока и больших паразитных емкостей.Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности и увеличение быстродействия.Поставленная цель достигается тем, чтов логическом элементе ЭСЛ-типа содержащем четыре транзистора, два резистора игенератор тока, эмиттеры первого и второготранзисторов через генератор тока соединены с шиной питания, базы - соответственно со входом и шиной опорного напряжения,коллекторы - соответственно с базами тре 50тьего и четвертого транзисторов и соответственно через первый и второй резисторы -с общей шиной,...

Номер патента: 1152086

Опубликовано: 23.04.1985

Автор: Землянухин

МПК: H03K 19/086

Метки: логическая, схема, типа, эсл

...через второй и третий генераторы стабильного тока50 подключены к шине питания 21.Недостатком известного устройства является большая потребляемая мощность из-за наличия трех генераторов стабильного тока.Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности логической схемы ЭСЛ-типа. Для достижения поставленной целив логическую схему, содержащуючетыре транзистора, два резистора идва генератора стабильного тока,эмиттеры первого и второго транзисторов через первый генератор стабильного тока соединены с шиной питания,базы подключены соответственно квходу логической схемы и источникуопорного напряжения, а коллекторы -соответственно к базам третьего ичетвертого транзисторов и соответственно через первый и второй резисторы - к общей шине,...

Номер патента: 1051119

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Дерканосов, Землянухин, Лазарева, Пащенко

МПК: C12N 1/16

Метки: активации, дрожжей, сушеных

...сыворотки, н которой растворяют 0,1 г (0,01 к массе муки н тесте) (ИН 4) 80 зуют соевую муку в количестве0,1-0,15 к массе муки в тестеСпособ активации заключается вследующем,Готовят питательную смесь с тем 5 пературой 35 С. Концентрат квасного сусла 2-3 г разводят 18-20 мп воды при 37-38 С. В полученную суспензию вносят 5-6 мл молочной сыноротки, в которой растворяют 0,09-0,1 г10 аммонийной соли и 1,0-1,5 г соевоймуки, В подготовленную питательнуюсмесь вносят 3 г сушеных дрожжей,Дрожжи выдерживают в этой смесипри 35 С в течение 50-60 мин со2-4-кратной аэрацией в течение1-2 мин, Первая аэрация смеси бо.лее продолжительна и составляет5-7 мин и предназначена также длясоздания однородной суспензии.На активированных дрожжах готовят...

Номер патента: 841140

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Землянухин, Иложев, Карелин, Карташева, Микерин, Никифоров, Николотова, Основин, Петров, Розен, Шмидт

МПК: B01D 11/04

Метки: актинидов, извлечения

...в воде (например, при ХС= 13 растворимость составляет 20150 мг(л, тогда как при ХС= 14 - около40 мг/л, т. е, в 10 раз меньше, чем для ТБФи ТиБФ),При увеличении длин углеводородных 25 цепочек свыше ХС=21 затрудняется отмывка образующихся в процессе экстракции продуктов гидролиза - диалкилфосфорных кислот (например, при использовании триизооктилфосфата образующиеся при экс тракции примеси диизооктилфосфорной кислоты за одну промывку отмываются менее чем на 3%). Радикалы, содержащие менее четырех 35атомов углерода, повышают растворимостьэкстрагентов в воде. Разветвленная структура позволяет повысить химическую и радиационную стой кость экстрагентов, снижая скорость гидро- лиза на 30 - 45% и радиолиза на 15 - 20%. Применение...

Номер патента: 919699

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Землянухин, Яцьков

МПК: B01D 21/00

Метки: воды, осветления, отстойник

...обелиска, который по непараллельным торцам отделен от зоны уплотнения перегородкой 9, между нижней частью полочнойзагрузки камеры 3 и основанием пирамиды10 имеется щель 11 высотой 1 - 1,5 см, соединяющая зоны взвешенного осадка 12 и зо.ны уплотнения осадка 13,В верхней части осветлителя расположенасистема труб или лотков 14 для отбора осветленной воды в накопитель 7. В нижней части.отстойника расположены три пирамиды, из которых через среднюю пирамиду подается загрязненный сток, а через две крайние сбрасывается уплотненный осадок,Отстойник работает следующим образом,Коагулированный сток по патрубку центральной пирамиды подается в зону взвешенного осадка 12, а затем в нижнюю часть полочной загрузки камеры 3, Через щель 11 взоны...

Номер патента: 854430

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Землянухин, Рыков, Щукин

МПК: B02B 3/10

Метки: цилиндрическая, шлифовальная

...на фиг. 2 - поперечный разрез А-А на фиг. .Цилиндрическая шлифовальная машина состоит иэ шлифовального цилиндра 1 и ротора 2, На поверхности шлифовального цилиндра выполнены равномерно расположенные отверстия 3, соединенные посредством аспирационной камеры 4 с источником вакуума.Машина работает следующим образом.Семена поступают в шлифовальный цилиндр 1 в верхней его части, увлекаемые ротором 2, они получают окружную скорость и перехатываются по внутренней поверхности шлифовального цииг Фиг.2 Составитель М. Выражей Техвед Ж. Кастелевич К инарректовдписноССР Ревактов Н, .ГоввЗак Л. Иван аз 655578 Тираж 661 П ВНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий 13035 д Москва ЖРаушская наб Филиал ППП Патент , г. Ужгород,...