G11C — Запоминающие устройства статического типа

Номер патента: 1727175

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Галкин, Квашенников, Шабанов

МПК: G11C 19/00, G11C 29/00

Метки: адресных, действия, коррекции, памяти, последовательного, сигналов

...выходе схемы отсутствует. Устройство работает в обычном режиме.При сбое в работе устройства на входы блока 3 сравнения поступают отличающиеся коды. С его выхода выдается сигнал несовпадения и при отсутствии сбоев регистра 1 адреса, которые контролируются схемой контроля четности 8, одновибратор 6 вырабатывает импульс.Длительность формируемого импульса определяется элементом 11 задержки. При наличии сигнала на установочном втором входе одновибратора 6, данный сигнал, после прохождения элементов ИЛИ - НЕ 10, задержки 11, поступает на вход элемента И 12 и является запрещающим, следовательно импульс, при поступлении сигнала с выхода блока 8 контроля четности, одновибратором 6 не формируется.Рассмотрим подробнее работу блока 5 элементов И...

Номер патента: 1730680

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Бичугов, Данильченко, Романов, Ромшин

МПК: G11C 7/00

Метки: блок, записи, информации, памяти

...блока 22 и записывает содержательную часть кодограммы по указанному адресу,Кроме того, тот же импульс с выхода элемента 32 задержки возвращает триггеры 9 - 11 в исходное состояние, а импульс с выхода 40 сигнализирует о готовности к приему очередной кодограммы,Вторая ситуация характеризуется тем, что коды в регистрах 1 и 5 из-за ошибок в передаче могут отличаться друг от друга. Тогда сигнал, фиксирующий факт неравенства кодов, появится на выходе В компаратора 6, По этому сигналу, во-первых, поступающему на синхровход регистра 4, код с регистра 1 записывается в регистр 4.Во-вторых, триггер 9 устанавливается в единичное состояние и открываетэлемент И 15.В-третьих, проходя через открытый висходном состоянии триггера 11 элемент И16, импульс...

Номер патента: 1730681

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Никоненко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающий, инфомрации, неразрушающим, считыванием, элемент

...должна быть не менее 30 нм, а ширина не мере 1,5 мкм, так как за этими границами теряется устойчивость магнитного состояния элемента. Устойчивое хранение информации в таких элементах невозможно, Если толщина элемента более 60 нм, наблюдается снижение продольного сигнала.На фиг. 1 схематично показан запоминающий элемент, разрез; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг, 3 - осциллограмма сигнала с запоминающего элемента; на фиг, 4 - графин зависимости приведенного сигнала элемента от его ширины для магнитострикционного сплава пермаллой состава 89;11 и сплава состава 81:19 с околонулевой магнитострикцией (толщина элементов 50 нм); на фиг. 5 - временные диаграммы токов записи и выборки в режиме записи (а) и выборки (б). На...

Номер патента: 1730682

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Вербовецкий, Шилов

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающих, оптоэлектронный, устройств

...мощности многоволнового (многоцветного) оптического сигнала и может быть выполнен аналогично регенератору групп 9.Каждый световодный демультиплексор групп 13 предназначен для размножения многоволнового (многоцветного) светового пучка и может быть выполнен аналогично демул ьтиплексору групп 10.Группы 14 световодов предназначены для передачи многоволновых (многоцветных) световых сигналов и могут быть выполнены, например, из волоконных или интегральных световодов.Каждый спектральный демультиплексор групп 15 предназначен для разделения многовол нового (многоцветного) светового пучка на составляющие его одноволновые (одноцветные) световые пучки (спектральные составляющие) и может быть выполнен, например, на основе сплавных...

Номер патента: 1730683

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Водеников

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...напряжения, но его выход отключается от выходной шины 20 и подключается к резистору 5,на котором поддерживается напряжение,запомненное на конденсаторе 2, В то же55 время на конденсаторе 1 режим выборкивходного напряжения не меняется,При повторной выдаче сигнала единичного уровня на вход 24 триггер 21 переключается в "нулевое" состояние, Единичныеуровни с инверсного выхода триггера 20 и с25 30 35 нужен многоканальный коммутатор, который имеет довольно существенные погрешности, а также задержки включения и 45 50 входа 24 поступают на входы элементаИ 23, на выходе которого также появляется единичный уровень, поступающий на управляющие входы переключателей 10 - 13, В этом случае на вход 20 с помощью операционного усилителя 16 выдается...

Номер патента: 1732382

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Минаева, Полубабкин, Равер, Солодимов, Тимкин

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...дифферен циального усилителя, первый выход которого через первый резистор 19 соединен с первой шиной 20 питания устройства и непосредственно с коллектором второго транзистора 18, эмиттер которого соединен через второй резистор 21 с второй шиной 22 питания устройства и непосредственно с вторым выходом дифференциального усилителя и эмиттером первого транзистора 17, коллектор которого соединен с третьим выходом дифференциального усилителя. Каждцй инизменяется и компенсирует прямое прохождение входного сигнала на шину 6 (через резисторы 12 и 7 и паразитные емкостные связи), Токи транзисторов 17 и 18 усилителя 10 (аналогично и усилителя 11) приблизительно равны между собой, а их величина определяется величиной резистора 21 и источника...

Номер патента: 1734122

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Алисейко, Львович, Приходько

МПК: G11C 7/00

Метки: адресный, формирователь

...первого транзистора 3, база которого соединена с первым выводом первого резистора 10 и коллектором второго транзистора 4, а коллектор соединен с вторым выводом первого резистора 10 и подключен к шине питания первого инвертора, к шине нулевого потенциала которого подключен эмиттер третьего транзистора 5, коллектор которого соединен с катодом первого диода 7 и является инверсным выходом формирователя, а база соединена с эмиттерами второго 4 и четвертого 6 транзисторов и с первым выводом второго резистора 11, второй вывод которого соединен с эмиттером третьего транзистора 5, база второго транзистора 4 является входом формирователя и соединена с базой четвертого транзистора 6, выход второго инвертора 2 является прямым выходом...

Номер патента: 1734123

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Паламарчук, Тараканов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...элемента, а инвертирующий вход объединен с его выходом, подключен к второму входу сумматора и является первым выводом переменного резистора четвертого пассивного элемента, второй вывод которого подключен к первому выводу резистора третьего пассивного элемента, информационный вход второго ключевого элемента и второй вывод резистора третьего пассивного элемента подключены к шине нулевого потенциала устройства,Предлагаемое включение элементов аналогового запоминающего устройства приводит к снятию жестких требований к величине соотношения накопительных конденсаторов по отношению к прототипу, повышает технологичность, так как величина "пролезания" управляющего сигнала легко устраняется изменением соотношения резистивного делителя на входе...

Номер патента: 1735906

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Антонов, Горшков, Колесников, Крючина, Петров, Попов, Токарь, Шанойло

МПК: G11C 11/42

Метки: записи, информации, считывания

...формирования опорных частот подается вторая опорная частота, вдвое большая первой, Использование синхронного детектирования и для целей выделения записанной информации, и для целей слежения за информационными дорожками обеспечивает высокую надежность функционирования устройства.Блок 2 формирования и фокусировки пучков (фиг.2) работает следующим образом.При отсутствии напряжения на дефлекторе 11 излучение, излучаемое лазером 1, проходит через входную линзу 10, дефлектор 11, поляризационный светоделитель 12, не изменяя своей плоскости поляризации. После четвертьволновой пластинки 13, оптического отражающего элемента 14 и фокусирующей линзы 15 излучение формируется на носителе 3 информации в пучок требуемых размеров, Отразившееся от...

Номер патента: 1735907

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Карякин, Федосов

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативное, запоминающее

...соединены с выходами всех модулей, соответствующими входу "Стирание",Существенные признаки, отличающие предлагаемое ассоциативное запоминаю 1735907пользуются в этом режиме для контроля заполнения запоминающего массива,В режиме стирания счетчик 7 адреса сбрасывается в нулевое состояние, в регистр 9 числа заносится слово с нулевым кодом, счетчик 17 установлен низким уровнем на входе 4 в режим "Суммирование", осуществляется режим записи установленного слова без изменения кода адреса, затем инициируется вход 4 "Стирание", высокий уровень на котором устанавливает счетчик 17 в режим "Вычитание", инициируется вход 5 "Запись-считывание", на котором формируется уровень записи, на выходах 61 - бп распределителя 3 записи последовательно...

Номер патента: 1735908

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Галкин, Комаров

МПК: G11C 29/00

Метки: дефектов, запоминающем, исправления, ошибок, устройстве

...если код записываемой информации и код дефектов совпадает с согласующим словом, что показано на примере.При считывании информации с входа 2 в накопитель 1 поступает код адреса, На вход 14 поступает сигнал для считывания и информация с выходов накопителя 1 через коммутатор 12 ( на вход 13 поступает сигнал управления) поступает на входы блока 9 и записывается в него при поступлении соответствующих сигналов по входам 10, Затем на входы 10 поступают сигналы вывода с корректированной информации (исправляется один сбой, если он произошел при хранении информации в накопителе 1), Информация поступает на вторые входы блока 8 сумматоров по модулю два, а сигналы адресных информационных разрядов (А разрядов) поступают на адресные входы блока 7...

Номер патента: 1737456

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Барулин, Морозов, Наумов, Расторгуев, Рычагов, Терехов, Фоминых

МПК: G06F 12/00, G11C 19/00

Метки: запоминающее, стековое

...составляет17 байтов, Если адреса операндов в памятизанимают по 2 байта(что наиболее реально),то командный код для предлагаемого уст 40 ройства короче на 2 байта. Следовательно,предлагаемое устройство позволяет сократить время счета и длину командного кода,Рассмотрим пример использованияпредлагаемого устройства для организации45 циклов,Пусты - переменная цикла, К - верхнийпредел. При входе в цикл на вершину стекапомещают значение С, на следующий никний уровень - Й. При каждом повторении50 цикла, увеличивается на единицу и, если1 К, то управление передается на начало цикла, в противном случае со стека снимают двеверхние позиции, а управление передаетсяна следующую команду. При организации55 вложенных циклов на вершине стека располагаются...

Номер патента: 1737510

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Захарян, Маркаров, Меликьян

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающее, магнитных, цилиндрических

...шинычерез регистр записи 19 в микропроцессор 17. Затем, по внутренней шине ввода данных 3 передается в блок обнаружения и коррекции ошибок 2, где формируются контрольные разряды. После этого, происходит запись информационного блока посредством блока записи б в накопитель (НКТ) на ЦМД 7.В режиме чтения информационный блок под управлением микропрограммы считывается из накопителя на ЦМД 7 и поступает через блок считывания 8 в блок обнаружения и коррекции ошибок 2, затем, по внутренней шине ввода данных 3 через буферный регистр 21 в микропроцессор 17 и далее через регистр чтения 20 на системную шину. В случае обнаружения ошибки в информационном блоке на соответствующем выходе блока обнаружения и коррекции ошибок 2 появляется флаг НКО...

Номер патента: 1737511

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Захарян, Маркаров, Меликьян

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающее, магнитных, цилиндрических

...микропрограммного управления. Под управлением микропрограмм информационный блок принимается с системной шины через регистр записи 30 в микропроцессор 28, Затем по третьему выходу 22 контроллера 1 передается в блок обнаружения и коррекции ошибок 3, где формируются контрольные разряды, После этого происходит запись информационного блока посредством блока записи 8 в накопитель на ЦМД 9,В режиме чтения информационный блок под управлением микропрограммы считывается на накопителе на ЦМД 9 и поступает через блок считывания 10 в блок обнаружения и коррекции ошибок 3, затем по внутренней шине 21 через буферный регистр 32 в микропроцессор и далее через регистр чтения 31 на системную шину,В случае обнаружения ошибки в информационном блоке на...

Номер патента: 1737512

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Кляус, Ольшанецкая, Черепов

МПК: G11C 11/40

Метки: выделения, заряда, зарядовой, информационной, приборах, регистрах, связью, сдвига, сигнального, составляющей

...21.Поэтому можно записать, что(5) ЛО = С 21(Ч 21- Н 20) где С 21 - геометрическая емкость затвора 21; Ч 20 - напряжение на затворе 20.Приравняв выражения (4) и (5), определим напряжение на втором затворе записи, при котором в потенциальной яме под затвором будет сформирован заряд Л С, пропорциональный заряду Оф С 25 -Ч 21 -(Ч 25 -- Н 26 - ) - С 21.-- Ч 20 Ч 5 -Свых(6) Учтем также потерю заряда Л О 1-и в результате неэффективности переноса, введя коэффициент ь пропорциональный величине потерь заряда, в выражение (6). С 25 -Ч 21 ч = (Ч 25 ч - Ч 26-) -Сг Н 5Свых(7) Таким образом, если под электроды накопления 25-1 - 25-И поместить соответствующие дополнительные заряды Л О 1-ч, а затем вводить сигнальный заряд (Оф + Ос)1-ч, то, как было...

Номер патента: 1737513

Опубликовано: 30.05.1992

Автор: Маслов

МПК: G11C 13/04

Метки: записи, информации, оптической, считывания, частотно-селективной

...информации осуществляют следующим образом. Вначале производят вызов страницы хранения информации, на которую предполагается производить запись, путем освещения светочувствительного материала 1 световым излучением с частотой 1 в пределах неоднородно-уширенной полосы поглощения 11 материала и спектральной шириной, меньшей ширины этой полосы, Для этого открывают затвор 2 перестраиваемого лазера 3, работающего на частоте ю, Селективное зеркало 4 должно эффективно отражать свет с частотой и 1 во всей области ее перестройки. Селективное зеркало 5служит для освещения материала другим излучением и должно быть прозрачным на частоте и 1 . Режим освещения выбирают таким, чтобы происходил максимально возможный (при данной частоте и...

Номер патента: 1737514

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Маринчук, Поплевин, Трошин, Чекмазов

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...предварительного резервирования, значительно упростив его по сравнению с известным,На чертеже приведена схема предлагаемого элемента памяти.Элемент памяти содержит транзисторы 1 - 4, образующие запоминающий элемент, второй ключевой транзистор 5, плавкую перемычку б, первый ключевой транзистор 7, элемент И 8,шину питания 9, вход предварительного резервирования 10, выход 11, шину нулевого потенциала 12, вход разрешения резервирования 13, адресный вход 14,Истоки 3 и 4 транзисторов запоминающего элемента соединены с шиной питания 9, а стоки транзисторов 2 и 3 с затворами транзисторов 1 и 4 и выходом элемента 11, Истоки транзисторов 1 и 2 запоминающего элемента подключены к шине нулевого потенциала 12 и истоку первого ключевого транзистора 7,...

Номер патента: 1737515

Опубликовано: 30.05.1992

Автор: Конопелько

МПК: G11C 29/00

Метки: декодирования, коррекции, модулей, ошибок

...информационными выходамиустройства. 5В изобретении используется проверочная матрица модульного кода; в качествеконкретного выполнения на фиг, 4 представлена матрица кода (24; 16), позволяющего корректировать модули ошибок длины 10Ь4. Возможности этого кода по коррекции модулей ошибок известны, поэтому доказательства коррекции любых одиночныхошибок или модулей ошибок длины Ь4 вобрабатываемых кодовых словах можно не 15приводить, Также нет необходимости доказывать, что данный модульный код корректирует пакет ошибок длины р 3.Известно также, что синдромы пакетаошибок отличаются друг от друга при длине 20пакета р3, В примерах конкретного исполнения на фиг. 2 и 3 рассматриваетсяреализация части блоков элементов И иИЛИ для матрицы Н 1(фиг....

Номер патента: 1739388

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Боженко, Мешков

МПК: G11C 21/00

Метки: динамической, зонами, памяти, регенерацией, свободными

...6, второго - к предпоследнему, последнего - к первому. Сумматоры 13 инвертируют код на информационном выходе шифратора 6. Тем самым наивысший приоритет присваивается последнему из "0" на выходах регистра 1 и на выходе 19 формируется код адреса наибольшего значения,По значению кода на выходах сумматоров 13 дешифратор 4 устанавливает "1" на том своем выходе, который соответствует этому коду. Элементы 5 производят сложение по ИЛИ унитарного кода дешифратора с содержанием регистра 2.По сигналам синхрогенератора 7 на выходе 14 задается период выборки динамической памяти, а счетчик 8 генерирует младшие разряды адреса столбцов, входящих в подлежащую регенерацию зоны, старшие разряды которых установлены на выходе 19. Если на выходе регистра 10...

Номер патента: 1741174

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Гунько, Иванов

МПК: G11C 11/00, G11C 29/00

Метки: запоминающее, оперативное

...на входе 15 блока 6 анализа ошибок устанавливается сигнал логического нулясигнал, поступивший на синхровход . блока 6, устанавливает последний в исходное состояние. Одиночный дефект скорректлрован, Возможность коррекции многократных дефе.,товзависит от сочетания видов и расположения дефектов по разрядам данной ячейки и вида записываемого в ячейку слова.,Если происходит несовпадение обратных кодов на входах блока 5, на входе 15 блока 6 анализа ошибок остается сигнал логической единицы, что с поступлением сигнала на синхровход 17 приводит к появлению сигнала "Неисправимая ошибка" на контрольном выходе 13 устройства (фиг. 4).Режим считывания, В регистр 2 поступает адрес требуемой ячейки, на вход 12 поступает сигнал "Считывания"....

Номер патента: 1741175

Опубликовано: 15.06.1992

Автор: Соломатин

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативное, запоминающее

...вхо ройства, адре оперативной памя пителя подключен иации. адреса перебираьно для обеспечения ченые схемы управления). оследовательно перебишины модулей оперативтого, данное устройство пителем признаков. Для ионально законченного ть его информационным 5 10 15 20 25 ющего мультиплексора, входы выборки блоков оперативной памяти каждого столбца накопителя являются соответствующим информационным входом устройства, информационные входы и входы записи/считывания блоков оперативной памяти являются соответственно установочным входом и входом записи/считывания устройства.На чертеже приведена схема устройства,Устройство содержит матрицу 1 блоков 2 оперативной памяти с встроенными дешифраторами. Каждый информационный вход 3 устройства соединен с...

Номер патента: 1741176

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Андреев, Бохонко, Демьянюк, Калынюк

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...при большой емкостной нагрузке без подключения дополнительного корректирующего конденсатора,При переключении устройства в режимхранения первый, третий и четвертый ключи б, 8 и 9 размыкаются, а Второй и пятый 7 и 10 - замыкаются, При этом общая обратная связь через делитель.3 напряжения размыкается. Первый усилитель охватывается обратной связью через запоминающий конденсатор 11 и ключ 7, а второй через ключ 10. В результате выходное напряжение, запомненное на конденсаторе 11, оказывается приложенным между инвертирующим входом первого усилителя 1 и его выходом, что препятствует изменению выходного напряжения относительно значения, сформировавшегося на момент Гереключения ключей, Так как к неинвертируащему входу первого усилителя 1...

Номер патента: 1741177

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Конопелько, Тарасов

МПК: G11C 29/00

Метки: декодирования, коррекции, модуля, ошибок

...ошибочных разрядов в модулях и вторыми входами блока элементов И 11, первые входы 12 блока элементов И соединены с выходами блока сравнения, а выходы 13 - с вто;ми входами блока сумматоров по модулю два, выходы 14 которых являются выходами устройства,,о о В предложенном устройстве используются проверочная матрица модульного кода, не содержащая в информационных модулях единичных подматриц. В качестве конкретного выполнения на фиг, 2 представлена проверочная матрица Н 1 кода (16,8), .задаваемого полиномом Р(Х) = х+Х+1, позволяющая корректировать мо 4дуль ошибок длины Ь 4, Возможности этого кода по коррекции модуля ошибок известны, поэтому доказательства коррек. ции кодом модуля ошибок длины Ь в обрабатываемых словах можно не приводить.В...

Номер патента: 1742859

Опубликовано: 23.06.1992

Автор: Ребане

МПК: G11B 11/03, G11C 13/04

Метки: информации, копирования, носителей, оптических, фильтров

...частоты в фотовыжигательном свете и длительности освещения, т.е. пропорциональна дозе облу"ЗО чения, Так как доза облучения пропор" циональна глубине провала пропускания в Фильтре-оригинале, то профиль Фильтра-дубликата с точностью до постоян" ного множителя повторяет контур поло сы пропускания фильтра-оригинала.Свет облучения должен иметь спектр, содержащий все пропускаемые фильтром- оригиналом частоты, причем интенсивности частот приблизительно одинаковы. 40 Может использоваться и спектрально узкий свет (в том числе лазерный луч), сканируемый по частоте так, что весь рабочий интервал фильтра-оригинала к концу цикла выжигания получают одина" ковую дозу освещения. Из-за некоторой зависимости эффективности Фотовыжигания, а также дозы...

Номер патента: 1742860

Опубликовано: 23.06.1992

Автор: Ребане

МПК: G11C 13/04

Метки: запоминающего, памяти, устройства, частотно-селективного, элементов

...плотность записина вторичном элементе повышается втакое число раз, в какое уменьшеноизображение. Процесс уменьшения изображения элемента с записанной информацией (или их совокупность) можновести также и многоступенчато, приэтом коэффициент пространственногоуплотнения равен произведения коэффициентов уменьшения на всех ступеняхпроцесса,Способ применим независимо отпространственной формы заполненногоинформацией участка на первичной пленке. Материалы пленок могут быть любыми, требуется чувствительность кфотовыжиганию на достаточно широкомучастке поглощения. Пленки могут бытьи многослойными, их поглощение можетбыть обеспечено одновременным введением примесей разной природы,На фиг, 1 изображена схема экспе"риментальной установки;...

Номер патента: 1079079

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гриценко, Камбалин, Романов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...Инжектированные дырки захватываются ловушками нитрида кремния, по всему слою 3, в том цисле и около границы раздела первого и второго диэлектрицеских слоев элемента памяти, где накапливается положительный заряд.Стирание осуществляется при подаце на проводящий слой положительного напряжения такой велицины, цто поля во втором и первом диэлектрицеском полях в 1,5-2,5 раза меньше, цем при записи. При этом преобладающим является ток инжекции электронов из полупроводниковой подложки через пер вый диэлектрический слой во второй диэлектрицеский слой. Электроны цастицно рекомбинируют с дырками, а 1079079частицно компенсируют их заряд. Недостатком такого элемента памяти является недостаточно большое времяхранения информации.Целью изобретения...

Номер патента: 1149789

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гаштольд, Камбалин

МПК: G11C 11/40

Метки: варианты, его, запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...подложкеодного тийа проводимости (55)иг.1)распопожены дигон,узионные области 2другого типа проводимости. ььа полупроводнь(ковОЙ подложкР с частичнымперекрытием одних краев областей 2рас.по 5 ьояен диэлектрическии слОи51 а ПОДЛОЖКЕ РаСГ 5 ОЛО 515 ЕНЬЬ ДИЭЛЕКтРИческий слой ьь с перекрытием краевОбластеи 2, а на нем - диэлектрический лОЙ 5. Оба этих слоя образуютзатворный диэлектрик, На затворномдиэлектрике находится проводящийэлеьтрод, состоящий из двух полупроводниковьх слоев 6 и 7, расположенных друг на друге и образующих р-г 5- переход Второй вариант (59 иг,2) отличдРтся От первого тРИ чтО полупроводниковые слои, образующие Р-л-переход, 1 ьасположены смежно Отььосительно друг друга.Рассмотрим .работу элемента памяти,огда...

Номер патента: 1159447

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гладких, Камбалин, Сайбель, Титов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...изобретения явпяе)слкение надеяности элемента пампт - ,сцет умень)ения колицеств:1 .ро 1при программированииЦель достигается тем, цто зле"мент памяти для постояннсго зас):ни .:ющего устройгтва, содер(аы Й по/ /г)(.ВОДНИКОВуО ПОдЛОжКу р-тИПа г р:. Во,) Иэ приповерхностнсм слое кото)О )гсГ)эло(ены три Области и-типаГ;ег) г)мост 4, на повер)п;Ости полу;)., "-л 4 КОВ)эк г)0/;.Г 30 к Расг)оло)4(ены,г 1 ЬЕ: Обестй П-тИПа Г)рОВОДИМОСт Г;( тЙ) диз пе кт рице сии Й слОЙ ра с, г,г , гЕ)Г)/у ГЕ ВОЙ и ТОРОЙ Обг)ВС,-г);с цг), гр) Оо.п;)ст 2,3 и- -,) ;г) -), 1,; ЛОЛУ и ровод"30.3-Г)жко Р:3 г).ГЭ)(Э ДИЗЛЕКтРИ, гЙ(. ЦастИЦНЫМ ПЕ 8 КРЬГГИ,) ЛП ( ".-:,.:, "г. р)Е)(Ду ОбЛа СТ яМИ 2-) 3 .)Еи 4( 441 ГРИ)гЕр, ИЗ ДВугз Н,4 П, НИ Грнда КРВМНИЛ р Дву"Си гзмн П...

Номер патента: 1012701

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Камбалин, Кольдяев

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, запоминающий, информации, мдп, структурах, элемент

...подложки. Поскольку растекание заояда в таких структурах происходит по направлениюк полевому электроду, то и время хракения его уменьшится пои повышении темпе ратуры, при которой прои сходит запись. Это является недостатком известного способа записи инФормации в запоминающий элемент на ИЛП-транзисторах.Целью изобретения является повышение надежности записи за счет увеличения времени хранения записанной инФормации,Цель достигается тем, что в способе записи инФормации в запоминаю" щий элемент на ИЯП-структурах ос" нованном на инжекции основного заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИРП-транзистора, осуществляют дополнительную инжекцию заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИДП- транзистора, создающего заряд 1 О з =...

Номер патента: 1124762

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Грищенко, Камбалин, Меерсон

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...постоянного запоми" нающ 7 его устройства, содер)ка 171 ем г)ог 7 упроводниковую пог 1 ло)кку первого тига проводимости, в приповерхностном слое которой расположены Области второго типа проводимости, образую,щ)ие р"а-переход, между Областями второго типа проводимости расположен первый-слой диэлектрика, выполненный. из двуокиси кремния толщиной 10-130 А, на поверхности которого размещен вто" рой слой диэлектрика, толиина которого превышает толщину перво.о слоя, иа поверхности второго слон расположен третий слой диэлектрика, выполненный из нитрида кремния тоггщиной в 20-100 раз больше толщины первогослоя, на котором расположен проводящий слой, в полупроводниковой подлож 1 а выполнено углуоление, боковыестенки которого рвспоу)ожены под...