G11C — Запоминающие устройства статического типа

Номер патента: 527739

Опубликовано: 05.09.1976

Авторы: Деркач, Рева, Торчинский, Фролов

МПК: G11C 11/40

Метки: задержки, линия, полупроводниковая

...17, 18, затворы которых присоединены к управляющей шине, стоки к разряднойшине, а истоки - к стокам каждого четвертоготранзистора цепочки, например к стокам транзисторов 2,6 4 п - 2,., где о целое число.Полупроводниковая линия задержки работаетследующим образом,Информатптонньте заряды размещены в каждомщтвертом накопительном конденсаторе, напри.527739 Составитель Л, ЛиповецкаяТехред И, Асталои корректор Л. Веселовская Редактор Л. Утехина Заказ 917/Зб Тираж 720 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по лелем изобретений н открьпий 113035, Москва, Ж, Раушская иаб., д, 45филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная, 4 мер 9 и 13. Под действием тактовых импульсов информационные заряды перемещаются вдоль...

Номер патента: 527740

Опубликовано: 05.09.1976

Авторы: Зосимова, Чабуркина

МПК: G11C 11/40

Метки: ассоциативный, запоминающий, моп, транзисторах, элемент

...парафазно обратным кодом на разрядныешины 8, 9 так, что в случае несовпадения хранящейся на емкости и прямого кода внешней информациииз соответствующей р;.зрядной шины 8 или 9 черезодин из транзисторов 1 или 2 потечет ток в адресную шину 5, находящуюся при сравнении на уровнелогического "О;,4Состояние маскирования при сравнении получа. ется, когда на обе разрядные шины 8 и 9 подается уровень логического "0",. В результате транзисторы 1, 2 будут отключены и независимо от состояния емкостей 11 и 12 ток в адресной шине не появится, что указывает на совпадение прямого кода внешней и хранящейся в данном элементе информации.Применение предложенного элемента в ассоциативных запоминающих устройствах позволяет повысить надежность...

Номер патента: 527741

Опубликовано: 05.09.1976

Авторы: Бродский, Федосеев

МПК: G11C 13/00

Метки: запоминания, сигнала, теплового

...серебра, помещенного между двумя электрэдами 3, электронагревательный элемент 4 и первую 5 и вторую 6 шины питания.Принцип запоминания основан на свойстве 16 твердых электролитов при определенной температуре-.азываемой точкой фазового перехода, менять сто;туру кристаллической решетки, вследствие его резко изменяется электропроводность электролита, Если задаваемая окружающей средой температура трехслойного элемента 1 ниже,Т, то ток через него практически не идет.При температуре окружающей среды Т 1)Т ток,проходя через слой твердого электролита 2 и электронагревательный элемент 4, дополнительно нагревает электролит до температуры Т,)Т,. Если527741 О 20 оставитель А. Воронинехред И. Асталош Корректор Л. Веселовска дактор Л. Утехин Тираж 720...

Номер патента: 527742

Опубликовано: 05.09.1976

Автор: Чахоян

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...адреса 2,в адресах которых имеются неисправные разряды. Выходы накопителя 3 подключены к входам соответствующего блока сложения по модулю два 5, другой вход которых соединен с выходом соответствующего элемента "ИЛИ" 4, Выходы блоков сложения по модулю два 5 соединены с соответствующими разрядными шинами 7 и 8.В рассматриваемом ПЗУ на восемь адресов по два разряда в каждом считается, что первые пять527742 10 ЦНИИПИ Заказ 20 Т одинарное филиал ППП "Патент", г. У роектная, 4 адресов без дефектов, а в остальных трех адресах имеются неисправные запоминающие элементы. При этом неисправные запоминающие элементы должны были хранить в шестом адресе во втором разряде (разрядная шина 8) - "Г, в седьмом адресе в первом разряде (разрядная шина 7)...

Номер патента: 527743

Опубликовано: 05.09.1976

Авторы: Головатенко, Остапенко, Панев, Степанов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающая, матрица

...ериалов в реЦелью изобретения является расширение обласрименения запоминающей матрицы. у ни Государственный комитет Совета Министров СССР во делам изобретений и открытий10 Параметры магнитных слоев выбраны таким образом, что при намагничивании слоя 8 внешним полем, направленным вдоль участков элементов памяти АВ - ДС, ЕР - ММ, размагничивающее поле этого слоя больше поля насыщения магнитомягкого материала, а магнитный поток слоя 8 полностью замыкается через слой б.Матрица работает следующим образом.Запись информации осуществляется с помощью блока, намагничивающего элементы памяти матрицы в соответствии с заданным кодом и выполненного в виде отдельного устройства, например, блока магнитных головок. При записи "нулей" под действием поля,...

Номер патента: 527744

Опубликовано: 05.09.1976

Авторы: Крылов, Кулешов, Лазер, Шубарев

МПК: G11C 19/00

Метки: разрядный, регистр, сдвига

...формирователь ГТИ работает за группу дополнительных выходных каскадов, каждьй из которых тактирует группу разрядов регистра. Выходные каскады ГТИ могут вносить неодинаковые задержки в цепи распространения тактовых импульсов, Это приводит к сбоям в работе регистра, вызванных опасными состязаниями сигналов в его цепях 11.Известен М - разрядный регистр сдвига, построенньй на логических элементах "И - ИЛИ - НЕ ", каждьй из разрядов которого содержит два триггера. Выход первого триггера соединен с соответствующими входами второго триггера. Тактовые входы и разрядов регистра подключены к выходу первого выходного каскада генератора тактовых импульсов, а тактовые входы остальных разрядов регистра - к выходу второго выходного каскада генератора...

Номер патента: 528610

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Кадышев, Лаврентьев, Тимофеев, Шумилов

МПК: G11C 7/08

Метки: блоком, памяти, полноточной, разрядным

...дополниенты И, одни входы которых к гыходам блока управления, иены соответственно с управляю- и Прием и Выдача, а выходы ко входам элементов И,да 14, которые подключены ко входам элементов И обратного кода 2.Работает устройство в двух режимах - в режиме Обращение к блоку памяти с Приемом нового числа и,в режиме Обращение с Выдачей числа из блока памяти. При работе устройства в режиме Обращение с Приемом в блок управления 4 по шине 5 подают команду Обращение и по шине 9 - команду Прием. Физически команды могут быть либо импульсами, либо потенциалами соответствующей полярности. Одновременно с командами на кодовых шинах 13 и 14 всех разрядов устанавливается код числа, записываемого в блок памяти. В том случае, когда код данного разряда...

Номер патента: 528611

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Горовой, Кушнир

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее, оперативное

...числа адресуемую ячеику памяти и устанавливает связьмежду входными линиями блока и триггерами 15регистра числа блока, после чего информацияс регистра числа блока переписывается в адресуемую ячейку.Режим Считывания.В адресный блок 2 поступает код адреса, во 20все блоки 3 памяти поступает сигнал Считывание. В следующем такте из адресного блока 2 во все блоки 3 памяти и на все дешифраторы 4 поступает код адреса. Каждый блокпамяти, получив код адреса и сигнал Считывание, независимо от остальных блоковосуществляет чтение адресуемых разрядов кодового слова и передачу их на элементы И -ИЛИ 5, Каждый дешифратор 4, приняв кодадреса, определяет, из каких блоков 3 памяти З 0следует считать те разряды кодового слова,которые определяются выходами...

Номер патента: 528612

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Астановский, Варшавский, Мараховский, Насибуллин, Песчанский, Розенблюм, Стародубцев, Финкельштейн

МПК: G11C 19/00

Метки: асинхронный, регистр, сдвига

...входах элемента 15 сигналы равны О, на инверсном выходе триггера устанавливается О, а на прямом - 1, так как на всех входах элемента 18 сигналы равны 0, Это справедливо для дополнительного триггера 14 в том случае, когда на вход 20 элемента 19 подается сигнал 0, если же он равен 1, то на прямом выходе установится сигнал О. Если все триггеры, подключенные к дополнительным триггерам, хранят информацию, то на всех входах элемента 18 сигнал равен 1. Поэтому 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 па прямом выходе дополнительного триггера в этом случае установится сигнал 0, а на инверсном - 1, госкольку на половине входов элемента 15 сигналы будут равны О. Значение сигнала на входе элемента 19 в данном случае безразлично. Элементы 16 и 17 служат для...

Номер патента: 528613

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Родионов, Рудаков

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...6, выход которого соединен с одним из входов сумматора 1, второй вход которого соединен через ключ 9 со входом устройства.б 11 С 27/00,Устройство работает следующим образом, В режиме коррекции ключи 3, 5 и 9 устанавливаются в положение ас; при этом на один вход сумматора 1 и на инвертирующий вход операционного усилителя 2 подается нулевой потенциал, а контакты ас ключа 5 замыкают цепь отрицательной обратной связи, образованной буферным повторителем напряжения 6 и сумматором 1. Необходимую инверсию сигнала обеспечивает сумматор 1, На выходе буферного повторителя напряжения 6 устанавливается напряжение, равное и противоположное по знаку сумме ошибок сумматора 1 и операционного усилителя 2. Таким образом, на выходе буферного...

Номер патента: 528614

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Доля, Шепелева

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, оперативное

...соответственно к выходам элементов НЕ 9 и выходам регистра адреса, входы сумматора 11 соединены соответственно с выходами элементов И 10 и блока вычитания прямых кодов адреса, а выход сумматора 11 - со входом блока выработки сигнала ошибки, вход дополнительного регистра адреса подключен к выходу сумматора 11, а его выход соединен с входом регистра 1 адреса.Оперативное запоминающее устройство работает в трех режимах: рабочем, контрольном и восстановления информации. В рабочем режиме при записи информации в устройство адрес ячейки с контрольным кодом, находящийся на входных шинах адреса 14, и записываемое слово с контрольным кодом, находящееся ча входных шинах слова 16, фиксируются, со 1 О 15 2 О 25 зо 35 4 О 4 г 50г оо 65 ответственно,...

Номер патента: 529480

Опубликовано: 25.09.1976

Автор: Левкович

МПК: G11C 5/08

Метки: жгута, запоминающем, кодовых, крепления, постоянном, проводов, трансформаторном, устройстве

...кодовых проводов 3 размещают насетке и закрепляют, например, нитками.5 Изготовленный таким способом жгутпроверяют автономно на правильность прошитой информации, целостность изоляции ит,п, Готовый и проверенный жгут вместе ссеткой и рамкой устанавливают в ПЗУ, ВО случае, если от ПЗУ не требуется ремонтопригодности, сетку отрезают от несущейрамки и рамку снимают с ПЗУ для повторного использования,Предложенный способ позволяет у.меньшиттрудоемкость и брак при изготовлении жгу водов с дополми нитями2 тельныи поддерживающ едостатком известног особа являе незащищенность та кодовых проводо згиба и скручивамешения петель кжения "0" в полож1.1 елью изобретадежности креппеодов,Это достигаетс от сдв одовых п ение "1" водов из полоаоборо...

Номер патента: 529481

Опубликовано: 25.09.1976

Авторы: Городний, Корнейчук, Тарасенко, Торошанко

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...1, Код старших разрядов регистраадреса 1 поступает на дешифратор 8, который открывает один из элементов И 11,Блоки кодирования 5 и декодирования 6настраиваются ца обработку корректирующего кода, мощность которого равна числу, записанному в выбранном регистре мощности корректирующего кода, Запись числав выбранную ячейку происходит Обычнымобразом, Число из регистра числа 7 поступает на блок кодирования 5 и записывается в выбранную ячейку накопителя 3.В режиме чтения число из выбраннойячейки накопителя 3 поступаст ца блокдекодирования 6 и записывается на регистр числа 7,При работе блока декодирования 6 врежиме чтения возможны два случая. В первом случае блок декодирования 6при обращении к-ой ячейке исправилгг . 1) ошибку, где оп +...

Номер патента: 529482

Опубликовано: 25.09.1976

Авторы: Лапшин, Савелов

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающее

...состояние:1 паст 111.ы Гаким ссразсм, раграцичен 1,с информационных областей ссседн 11 х ячеек четнь 1 ми ЯОтжрстиям 11 гривсдит к резкому увеличению магнитного сспротивлецич между этиооластями и цредстврал 1 ас; взаимныйзахват и перераспределение их магнитных потоков. Это обстоятельство дает возмож- Мность 11 е ограничи: ать сверху величину. управляющих токов, что. в свою очередь, позволяет резко сциз 11 ть трсссвация к стабильности источников питания, к разбросу параметров комплекту;оших эле 1 ецтов, Ьормирсвать переключение запоминаю.лих ячеек и расш 11 р 1.ть темпсратурный диапазон работыстройства,Запоминаю 1 лее устройство, содержащее ферритовые пластины с Отверстиями за 1 п: - си 1. Опроса выходные шины и шины запрета,...

Номер патента: 529483

Опубликовано: 25.09.1976

Авторы: Водяхо, Тимофеев

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...являет ся магнитный ЗЭ, который содержит ферритовую пластину с отверстиями, два из которых расположены вдоль вертикальной, а два других - вдоль горизонтальной оси симметрии пластинь, первую обмотку, прошитую через первую пару отверстий в противоположных направпеняих, и вторую обмотку, прошитую через вторую пару отверстий в противоположных направлениях,Однако известный магнитный ЗЭ можно ферритовую пл 3, расположенсп симметрии5 и дополни, расположен- и, симметрично чения осей. Перрез отверстия 2 правлениях, вто529483 Составитель Ю, Розенина Техред М. Ликович ьК тор В, Микита Редактор О, С П одписноеСовета Миниси открытийская наб., д. 4 ов СС твенного комитета о делам изобретен москва, Ж, Ра 3035,илиал ППП "Патент", г. Ужгород,...

Номер патента: 529484

Опубликовано: 25.09.1976

Автор: Хачиан

МПК: G11C 11/08

Метки: магнитный, накопитель

...разного к 1 естс положения разрядных шцн по отношению к адреснь 1 м шинам, Экранцрованце с целью снцже 11 ия помехи усложняет конструкцию, так как экран, через который проходят Все адресные шины, не может быть выполнен с 11 лошным,аз 11 есенце геометрически по;1 я ферритовых линеек ц дешпфоатора с этой же цель 10 нриВОдит к увеличени 10 накопителя, оставаясь прц этом малоэффективным, При увеличении количества адресэв, ц следэвателы 1 э, прэтяженнэсти кээрдцнатных шин рабэчая зэна накопителя Оказывается узкэй, а надежнэсть низкэй.На чертеже представлена принципиальная апектрическая схема предлагаемого магнитного накопителя на и, чисел по тразрядов,Магнитный накопитель содержит ферритовые числовые линейки 1 с тремя рядамиотверстий,...

Номер патента: 529485

Опубликовано: 25.09.1976

Автор: Кабанов

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическая, памяти, ячейка

...и эткрыт, если хранитлогическую "1".Б режиме считывания напряжения на первой адресной шине 8 повышается до логическэи "1" н тоетий транзистор 3 открывается. Вторая разрядная шина 7 заряжаетсядэ уровня логическои "1". Если ячейка па -мяти хранит "1", тэ разояд;рая шина 7 раз -ряжается дэ уровня лэгическэгэ "0" че 1.;езоткрытые трае 1 зис торы 2 и 3, Если ячейкахранит "0" тэ транзистор 2 закрь;т и наразрядной ше 1 не 7 сохраняется уровень лэгЕческэи "1 ф,В режиме записи уровень лэгическэй "1 подается на втэоук, адресную шину 9 и вгэруЕз 1 азэядеую шин 1 р, тр:11 зе 1 сторы 4 и 1 открьрв;Еются. Записываемая инфэол шия подается на .Ееэвую раззядную шину е (логическии "О" или "1),После заряда или эазряда запоминающего конденсатора 10...

Номер патента: 529486

Опубликовано: 25.09.1976

Авторы: Балашов, Нестерук, Пузанков

МПК: G11C 15/00

Метки: запоминающее, логическое

...регистра слова 12 и с выхода ( ъ++ 4)-го разряда регистра признаков обращения 10 соответственно в разрядный 7 иадресный 9 блоки управления, что вызываетвозбуждение разрядных 3 и ( -) + 4)-ой линейной 6 шин считывания. В результате вовсе разряды ( и + 4)-ой числовой линейки 1 заносятся нули,В десятом такте управляющие сигналыпоступают в шины управления 35, 36, 41и 45. Производится запись единиц в (т)+( П + 4)-ый раэрчцы регистра признаковобращения 10 по шинам записи 17,Если признак Ч), сформированный ввосьмом такте, равен нулю, то устройствопереходит к тринадцатому такту работььЕсли же= 1, то в одиннадцатомтактеуправляющие сигналы в шиках управления36, 40, 41 и 46 производят настройкуустройства на прием сигналов с инверсных...

Номер патента: 529487

Опубликовано: 25.09.1976

Авторы: Григорьев, Фуртов, Ялышев

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...с его выхода Информация о взаимном расположении импульса опроса относительно фронта переключения последнего импульса генератора 4, Для этого на вход 8 синхронизации триггера 6 подаются импульсы опроса с узпа формирования импульсов опроса, а на Й-вход 7 триггера 6 поступа 1 от выходные импульсы с генератора 4. Аналоговое запоминаю 1 ее устройство,содержац 1 ее псрекпочатель и интегратор, 6 О в цепь обратной связи которого включен Прп пали 1 ии разрешающего сигнала насинхронпзцрующем входе триггер устанавливается ь состояние, соответствующее потенциалу на Д-входе,В случае, когда импульсы опроса во временп приходятся на отрицательнь 1 й полупериод последнего импульса генератора 4,триггер 6 переходит в состояние, при котором с Ог:...

Номер патента: 529490

Опубликовано: 25.09.1976

Автор: Доля

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, оперативное, самоконтролем

...информации этказавшей ячейки блока 4 и аргументную часть15 для запоминания адреса этказавшей ячейки, Выхэд блока 1 подключен ко вхэду блэка 11, а входь", - сээтветственнэ к выходамблоков 9, 10 и входу 16 адресного запоминающего блэка 4, имеющего входные 17и выходные 18 шины,Устройствэ рабэтает следующим оэразэм,В пэцессе стирания содержимого адресногэ запоминающего олэка 4 или в паузахмежду внешними обращениями блок 10 осуществляет контроль исправности ячеек блэка 4, При обнаружении неисправности в какой-лиоэ ячейке блок 10 эпределяет типошибки и в зависимости от характера неисправности (однократной илп мнэгэкратнойадрес неисправнэй ячейки фиксиоуется варгументнэй части 3 или 15 дополнительного 1 илп оснэвнэгэ 13...

Номер патента: 530350

Опубликовано: 30.09.1976

Авторы: Найман, Смолин, Чернышев

МПК: G11C 11/24

Метки: накопительное

...динени с земляной шиной 6, пппту управляющ.:х импульсов 7 с которой база инвсрсно ;включенного транзистора 3 соединена нерасредственно, а база прямо включенного ,транзистора 2 - через конденсатор 8.Накопительное устройство работает следующим Образо 1На шину управляющихимпульсов 7 поступает управляющкй импульс положительнОй поеярности, На базу инверснО включенншо транзистора 3 этот импульс подается непосредстВенно, а на базу прямо включенного транзистора 2 - через диФФеренпирующую цечьобразов чнную конденсаторОм 8 и ВхОд ;кым сопротивлением насьппенного прямо вкпочеаного транзистора 2. Постоянная времени этой цепи выбирается равной 3/4 по;стоянной времени цепи разряда накопительного конденсатора 1. Основная доля разрядного тока...

Номер патента: 530351

Опубликовано: 30.09.1976

Авторы: Смирнов, Софийский

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...на вре 16. выбирается один изя один из регистров 8 или 13, в 1 мя 7 раньше, чем в известном устройстве.2 +1кот ый в данный момент времени заносят Только в одном обрашешщ) старся старшие разряды кода адресаПри этом шие разряды предыдущего и текущего коопстояиие одного из регистров 8 или 13 не дов адреса будут различаться и, следоваЯЭМ 6Меняется и на нем сохраняются старшие тельно, сигнал выборки будет поступать наЮедыдушего кода адреса, Состоя- вторые адресные шинь 1 полупроводникоиие регистров 8 и 13, т,е, старшие разря- элементов памяти незадержанным, т.е, такы е пущего и текущего кодов адреса, же, как в известном устройстве.с авнивается схемой сравнения 9, Реэуль Так как задержка, например, дляРи МОП-титат сра не.в рия поступает на...

Номер патента: 530352

Опубликовано: 30.09.1976

Авторы: Лысый, Штельмахов

МПК: G11C 11/155

Метки: магнитных, пленок, тонких, цилиндрических

...ферромагно- т 5 сплава на Йемагнитную проволочную оси ву 2 и измеритель 3 магнитного потока натя, сыйения слоя ферромагнитного сплава, Иэ-меритель 3 соединен с блоком 4 сравнения е результата измерения магнитного потока на- с 2 О сышения слоя ферромагнитного сплава с эталонным магнитным потоком насышения, Вы-1 осчи ход блока 4 соединен с регулятором 5 алектролитического тока осаждения ферромагиит о- ного сплава, подипоченньтм к входу узла 1.,2 Ь Изготовление цилиндрических тонких маг 3а пленок сотласно предлагаемому оно: обу происходит слеруюшим образом,Нй перемещаемую немагнитную проволоч-.ную основу 2 посредством узла 1 произвоэлектролитическое осаждение слоя фер- Ьмагнитного сплава. Непосредственно посж лектролитического осаждения...

Номер патента: 531191

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Головатенко, Остапенко, Панев, Степанов

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: анизотропные, записи, информации, магнитные, пленки

...быть больше поля аизотро. пии. В противном случае при уменьш 1 пти поля На ниже поля анизотропии рсзко увеличивается пол Нрз и соответственно резко уменьшается разность (Нрр - Нрз), определяющая допустимые прелель 1 изменения поля Нр Для считыван 1 я информации без ее разрушения амплитуда адресного поля долж. на быть меньше поля анизогропии.1 СД(=:( ИПИ Заказ 5422/126 Тир(аж 772 лиал ППП "Патент", г. Ужгород, уд. Проектная, 4 Однако такой способ записи информации не позволяет осуществлять запись и неразрушающее считывание информации при одной и той же ампли. туде адресного поля, что приводит к невозможности организации накопителя по экономичной системе 2,5 Д (единственно возможным является применение системы 2 Д) и усложняет управление...

Номер патента: 531192

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Домнин, Маковий, Савлук, Федоров

МПК: G11C 7/06

Метки: считывания, усилитель

...источники тока 3, 4, транзисторы 5, 6 противоположного типа проводимости, 531192резисторы 7 - 9, инверсно включенные транзисторы 10, 11, промежуточный усилительный каскад 12 и логический каскад 13,Усилитель считывания работает следующим образом.При подаче сигнала "О" с микромощной логической ячейки на вход Т усилителя считывания коллекторный ток транзистора 1 резко уменьшается. При этом на вход 1 усилителя считывания подается сигнал "1", Положительный импульс на. пряжения на коллекторе транзистора 1 отпирает инверсно включенный транзистор 10 и за счет источника тока 4 он вводится в режим насыщения. В результате потенциал эмиттера становится близок потенциалу его коллектора, потенциал базы трачзистора 10 - потенциалу его коллектора, и...

Номер патента: 531193

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Ильяшенко, Киселев, Ревенко

МПК: G11C 11/08

Метки: памяти, элемент

...мощность. блокировки, подготов ходными 21.Недостатками такого являются сравнительно .ствие и большая потре что перемычки вокруг малогЬ оказанные пунктиром, выпол ф531193 иг. 2Корректор . Б. Ю Составитель Ю.едактор Л. Утехина Техред М. Лико нталь Тираж 723твенного комитетаделам изобретений Ж, Раушсквя каз 5551/243 ЦНИИПИ Государс по 113035 МоскваПодписноеСовета Министрои открытийаб., д. 4/5 Филия ППП ГЬтснт, г. Ужгород, ул, Про.ктнчя нены и материала с коэрцитивной силой,большей, чем коэрцитивная сила материалаостальной части магнитопровода трансфлюксора,При этом при одновременной подаче имфпульсов токаии в обмотки считываниМ и подготовкиЮп соответственно элементспамяти намагничивается против часовой стрелки, что соответствует...

Номер патента: 531194

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Волчек, Диго, Егоров, Фесенко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...диоды, вкладресных формироватекопителя, причем к птоды диодов.15 На чертеже схематичженное устройство. рователи 2 ко шифратор 3, яч ения (диоды) 5 ресные шины 7 9 дешифратор дующим образо всех адресных531194 ЦЩЩПИ З а 5422/126 Тираж 723 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 мирователей 1 и 2 поддерживается высокий положительный потенциал, вследствие чего на адресных шинах 7 и шине питания 6 устанавливаются одинаковые потенциалы, равные разности выходного уровня формирователей 2 и падения напряжения соответственно на диодах 5 или 8. В режиме обращения к запоминающему устройству один иэ формирователей 2 возбуждается, что приводит к закрыванию только одного из диодов 5, т. е. напряжение на шине 6 практически не...

Номер патента: 531195

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Гершов, Демидов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...записи информации обусловлена нестабильностью работы ключей згчиси, а точность хранеия информации мала из-за утечки заряда накопительного конденсатора,Известно другое ЗУ, содержащее компаратор, один из входов которого соединен со входом устройства, а другой - с выходом устройства и выходом усилителя, один из входов которого подключен к одной из обкладок накопительного конденсатора и через ключ к выходу компаратора. Другая обкладка конденсатора соединена с шиной нулевого потенциала. Низкая точность хранения запомненной информации в таком ЗУ обусловлена утечкой заряда с конденсатора через входное со. противление усилителя 2.Цель изобретения - повышение точности хра. пения информации.С зтой целью предлагаемое ЗУ содержит масштабное...

Номер патента: 531196

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Федотов, Шибалов

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающих, магнитных, матриц

...из диодной матрицы 11 ицифрового индикатора 12. Один вход элемента "Запрет" 3 подключен к выходу блока 7, другой - квыходу блока 2, а выход - к коммутатору 4. Вход блока 7 соединен с входными шинами 13 устройства, выходные шины 14 которого подключены к коммутатору 4. К шинам 13 и 14 подключается контролируемая запоминающая матрица 15, например, на ферритовых сердечниках.Устройство работает следующим образом.Генератор импульсов 1 вырабатывает импульсы, следующие с определенной частотой. Эти импульсы через блок 2 в зависимости от режима работы устройства поступают на коммутатор 4 через элемент "Запрет" 3 или проверяемую мат. рицу 15. С выхода коммутатора 4 импульсы через диодную матрицу 11 поступают на цифровой инди. катор 12, который...

Номер патента: 532130

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Васильева, Седых, Фиошкина

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, магниторезистивное, плоских, считывания

...В то же время коэффициент 6 пропорционален ширине канала, поэтому ограничение величины а не повышает чувствительность считывающего устройства.С целью повышения чувствительности магниторезистивного устройства для считывания плоских магнитных доменов в нем наклонный участок канала распространения доменов выполнен в виде гребенки с параллельными ветвями, оси которых расположены под углом 20 - 40 к оси легкого намагничивания магнитной пленки.На фиг. 1 и 2 изображены возможные конструкции магниторезистивного устройства для считывания плоских магнитных доменов.Устройство содержит низкокоэрцитивный канал 1, предназначенный для управляемого распространения домена обратной намагниченности по высококоэрцитивной магнитной пленке 2 и...