G11C — Запоминающие устройства статического типа

Номер патента: 991503

Опубликовано: 23.01.1983

Автор: Василенко

МПК: G11C 5/12

Метки: запоминающей, матрицы, сердечниках, ферритовых

...Все сердечники одновременно касаются плоскости клеевого слоя.На фиг, 2 изображен трафарет 9 с сердечниками 1 - 8, заключенный между двумя плоскими пластинами 12 и 13, нижняя пластина 12 помещена на неподвижном основа5нии. Верхняя пластина 13 имитирует плоскую поверхность основания матрицы. Сердечники 1,5 и 7 имеют непосредственный контакт с пластиной 13, между сердечниками 2, 3, 4, 6 и 8 имеются зазоры 14 - 18соответственно, т. е. сердечники не имеютконтакта с пластиной.Затем на верхнюю пластийу 13 помещаютгруз 19.Под действием этого груза (распределенного веса пластины 13 для простоты не учитываем) на сердечники, имеющие контакт с пластиной 13, действует сила, вдавливающая сердечники в клеевой слой 1 О на липкой ленте 11,...

Номер патента: 991504

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Лазаренко, Лушников, Минков, Однолько

МПК: G11C 8/00

Метки: адресный, формирователь

...3 и 4 равно нулю, на входе 5 - высокое напряжение, равное, либо превышающее напряжение на шине 2 питания, Пусть напряжение на входе 5 равно напряжению на шине пита" ния О , тогда в исходном состоянии затворы транзисторов 12 и 13 будут заряжены дб напряжения (О -Ч. ), где Ч - пороговое напряжение ИДП-тран- Тзистора. Через открытае транзисторы 19,20, 12 и 13 напряжение на входе 8 и входе 9 и на затворах транзисторов 10 и 11 установится ранним на пряжению на входах 4 и 3 соответственно, т,е. будет равно нулю. Напряжение на шине 6 опорного напряжения постоянно и равно полусумме напряжений логического нуля и единицы на входе 7. Для пранильной работы адресного формирователя напряжение на шине опорного напряжения должно превышать пороговое...

Номер патента: 991505

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Кузин, Никонец, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, решетки, формирования, цилиндрических

...в результате их магнитостатического взаимодействия к образованию ЦИД и в конечном итоге к формированию решетки цилиндрических. магнитных, аоменов. При необходимости изменений амплитуды и длительности импульсного магнитного поля, а также при необхо- бО димости изменения эоны формирования решетки ЦМД к доменсодержащей пленке требуется дополнительно приложитьвнешнее поле смещения, направленное параллельно оси легкого намагничиваю 65 Технико-экономические преимущества предложенного способа заключаются в значительномупрощении существующих устройств формирования решеток ЦИД, в ускорении процесса формированиями в значительном расширении эоны формирования решетки ЦИД; в снижении энергоемкости устройств, использую-. щих реше.тки ЦМД. Формула...

Номер патента: 991506

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Довгий, Сиренко, Субботина, Ходосов, Шаповалов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменами, информации, магнитными, магнитооптического, носителей, параметров, цилиндрическими

...конная надежность, обусловленная неод- тактно связанной с конусообразной нородным давлением, оказываемым на втулкой, шток механически связан структуру узлом давления. ,с опорной шайбой через отверстияв станине и стопорной гайке, а катушки Гельмгольца механически связаны С концентратором в областиразмещения предметной шайбы.На чертеже показано устройстводля магнитооптического измерения 5параметров носителей информации сцилиндрическими магнитными доменами,разрез.Устройство содержит катушки 1Гельмгольца, станину 2, .стопорную 10гайку 3, шток 4, опорную шайбу 5,концентратор 6, конусообразную втулку 7 и предметную шайбу 8, в которойможет быть установлен носитель инФормации в виде диска эпитаксиальной феррит-гранатовой...

Номер патента: 991507

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Бочков, Лазаренко, Лушников, Минков, Однолько

МПК: G11C 11/40

Метки: импульсов, формирователь

...обогащенного типас первого по десятый 6-15, первый16, второй 17, третий 18 и четвертый19 конденсаторы. 55На фиг.1 изображены временныедиаграммы напряжений О и 04 соответственно на первом и на втором входах формирователя и напряжения Она выходе формирователя. е 9Предложенный Формирователь импульсов работает следующим образом.В исходном состоянии напряжениена ьходе 3 (см.фиг.2) высокое и соответствует логической единице, на И входе 4 равно нулю,.При этом транзисторы б и 9 (фиг,1) открыты, на затворе транзистора 10 напряжение равно нулю - транзистор 10 закрыт, на выходе 5 через открытый транзистор 9 устанавливается низкое напряжение (фиг.2). Транзистор 15 (Фиг.1) закрыт, через транзистор 14 затвор транзистора 13 предварительно...

Номер патента: 991508

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Баринов, Кимарский, Ковалдин, Кузовлев, Черняк

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...сегментов созданы коллекторные области Пф-типа проводимОсти 14 и 15 а Скрытый слОЙ Являсфф" 3 р ется общим для двух сегментов и соединенадресной шиной 18. База одного . сегмента соединена с коллекторной областью другого и наоборот. Инжекторы соединены с разрядными шинами 17 и 18. 5 На коллекторных областях каждого сегмента сформированы высоколегированные поликремниевые области р -типа проводимости 19 и 20, причем поликремниевая область одного сегмента соединенас инжектором противоположного и наоборот. Области 19, 14, 12 и 20, 15, 13 образуют "паразитныеф р -М -р тран-ф эисторы .21 и 22 соответственно.Элемент памяти работает следующим образом. 45В режиме считывания информации равные токи считывания 10 вытекают иэ разрядных шин 17 и 18 в...

Номер патента: 991509

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Бахтин, Зубков, Махов, Самусь

МПК: G11C 11/44

Метки: квантрон

...джозефсоновском контакте5 близка к Ь/2, а в контуре наводится дополнительный циркулирукщкй ток. Направление тока в шине б выбирается таким образом, чтобы дополнительный магнитный поток совпадал по знаку фф с потоком смещения фс/2. На фиг.1 в шинах 4 к 6 стрелками показаны направления токов для этого случая. . Ток управления вызывает смещение одновременно и по внутреннему потоку 63( й /2), поскольку он жестко связан с Фазой на втором контакте, и по внешнему потоку вследствие дополнительного наведенного циркулирующего тока. В результате кривая 1 сдвигается так, что теперь зависимость внутреннего магнитного потока от внешнего описывается кривой 2.Для переключения квантронон в одну или несколько нходных шин подает ся входной.ток (это может...

Номер патента: 991510

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Козырь, Коледов, Петросян

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающий, модуль, памяти, постоянной

...и являются входами третьей группы запоминающего модуля, диоды форсирования исходного состоя ния, катоды которых объединены и являются входом запоминающего модуля, аноды диодов дешифрации и диодов форсирования исходного состояния подключены к анодам диодов развяэ ки групп, катоды которых в каждой секции объединены и являются выходами запоминающего модуля.На чертеже приведена электрическая схема предложенного Запоминающего модуля информационной емкостью 1024 (25 бх 4) бит.Запоминающий модуль .для постоянной памяти содержит матричный накопитель 1, разделенный на и секций, где е - разрядность двоичного саова (для случая, приведенного на чертеже, равна 4), с элементами связи на диодах 2, аноды которых подключены к разрядным шинам 3...

Номер патента: 991511

Опубликовано: 23.01.1983

Автор: Суслов

МПК: G11C 19/00

Метки: запоминающее

...5 запуска и фиксатора 9 экстремального значения Функции, В АЦП 1 входной сигнал в такт споступающими импульсами от генератора 7 преобразуется в последовательность дискретных отсчетов, взятыхчерез равноотстоящие промежутки вре мени и представленных в двоичном коде. Отсчеты функции в цифровом виде поступают в основной регистр 2, через которыи они продвигаются с входа на его выход с помощью генератора 7 тактовых импульсов и блока ,8 синхронизации.На выходе основного регистра 2 отсчеты появляются с задержкой,равной времени прохождения одного отсчета через все ячейки памяти регистра 2.Задержанная последовательность цифровых отсчетов поступает на вход дополнительного регистра 4 и в зависимости от работы блока запуска 5 и блока б управления или...

Номер патента: 991512

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Гусынин, Олеринский

МПК: G11C 19/00

Метки: буферное, запоминающее

...р, р триггеров 2,р элементов ИЛИ 3 первой группы,Рэлементов ИЛИ 4 второй группы,элементы И 5 первой группы, р элементов И 6 второй группы, р -1 зле" Звментов ИЛИ 7 третьей группы, рэлементов ИЛИ 8 четвертой группы, 2 р элементов ИЛИ 9 пятой группы, рэлементов И 10 третьей группы, инвертор 11 дополнительный ргитр 12 фдополнительный триггер 13, первыеинформационные входы 1 М, вторые информационные входы 15, вход 16 записи, вход 17 записи, вход 18 тактовыхимпульсов, вход 19 считывания, инФормационные выходы 20.Устройство работает следующим образом,На вход 18 постоянно поступаюттактовые импульсы, частота которыхне ниже частоты записи информации,Запись информации в буферное запоминающее устройство может производиться через первый...

Номер патента: 991513

Опубликовано: 23.01.1983

Автор: Чернышкин

МПК: G11C 27/02

Метки: аналоговое, запоминающее

...как находятся под напряжением,близким к нулю (напряжение на выходе входного операционного усилителя1 мало отличается от входного напряжения, подаваемого на инвертирующийвход этого усилителя). Конденсатор5 заряжается до напряжения, достаточно точно повторяющего напряжениена неинвертирующем входе входного 4операционного усилителя 1,В режиме хранения первый и второйключи соответственно 2 и 4 разомкнуты,. Входным напряжением, подаваемымна неинвертирующий вход входного операционного усилителя 1, является напряжение на обкладках конденсатора 5,Один из диодов, например первый диод6, открывается - замыкается отрица. тельная обратная связь входного опе- ,55рационного усилителя 1. Напряжениена инвертирующем входе входного операционного усилителя...

Номер патента: 991514

Опубликовано: 23.01.1983

Автор: Чернышкин

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...входом операционного усилителя, выход которого является выходом устройства, накопи- З 5 тельный элемент, например конденсатор, одна из обкладок которога соединена с выходом первого ключа и с неинвертирующим входом операционного усилителя, другая обкладка конденсатора соединена с шиной нулевого по тенциала, в него введены второй клйч и делитель напряжения, входы которого соединены соответственно с вцходом операционного усилителя и с шиной ну левого потенциала, выход делителя напряжения соединен с входом первого ключа, вход второго ключа является входом устройства, выход второго ключа соединен с другим выводом второго 50 резистора.На чертеже приведена электрическая схема предлагаемого устройства.Устройство содержит делитель 1 напряжения,...

Номер патента: 991515

Опубликовано: 23.01.1983

Автор: Воднев

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...его выходе формируется периодическая последовательность прямоугольных импульсов. При этом выходное напряжение интегратора 1 устанавливается равным напряжению на входеустройства, но противоположной полярности, и имеет пульсации треугольной формы. Напряжение стабилизациидвуханодного стабилизатора 8 определяет уровень контролируемых входных напряжений, Бсли входное напряжениеустройства превысит по абсолютной величине напряжение стабилизации двуханодного стабилизатора 8, то резистор 5 зашунтируется резистором 7,в результате чего интегратор 1 войдетв насыщение, и генерация станет невозможной, По наличию периодическойпоследовательности прямоугольныхимпульсов на выходе устройства судято непревышении входным напряжениемзаданного уровня и...

Номер патента: 991516

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Гаврилов, Ленский, Товба

МПК: G11C 29/00

Метки: оперативной, памяти, полупроводниковой

...столбца, то к ячейкам строки блок 1 разрешает передачу на входы сумматоров 11 и 12 кода сосчетчика 2 или через элементы И 9 или через элементы И 10.При Формировании третьего и чет-. вертого тестов передача кода через элементы И 10. запрещается, При обращении к тестируемой ячейке блок 1 запрещает. передачу кода,со счетчика 2 через элементы И 9 и 10 на входы сумматоров 11 и.12, устанавливая на этих входах код, состоящий из всех нулей. На адресные выходы устройства при этом передается код со счетчика 6. Для инвертирования кода адреса тестируемой ячейки блок 1 устанавливает на выходах элементов И 9,и 10 код, Состоящий из всех единиц, обеспечивая передачу на адресные выходы устройства инверсного кода состояниясчетчика 6.Для обеспечения...

Номер патента: 993268

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Айзман, Бодрин, Лаишевский, Марухненко, Шевяков

МПК: G11C 7/10

Метки: запоминающее

...адресных шинах 3 сменяется другим, соответствующим выборке второй полустроки, По окончании считывания первой строки матрицы 2 на шину считывания. подается следующий им 1 пульс, период следования которых равен 2 КСээ, где К- число столбцов в одной части матрицы 2, После смены кода в первой части матрицы 2 начинает считываться информация второй полустроки первой части матрицы 2, за время считымния которой во второй части матрицы 2 на принадлежащих ей адресных шинах 4,осуществляется смена кода, соответствующего выборке второй полустроки. Аналогично производится считымние информации с остальных. строк матрицы 2.Предложенное ЗУ позволяет производить считывание информации с частотой, превышающей предельно допустимую часто ту обращения к...

Номер патента: 993332

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Глебов, Живодеров, Орешкин, Петров, Роцель

МПК: G11C 11/40, G11C 7/08

Метки: основе, переключения, полупроводников, приборов, стелообразных

...из-за высокого сопротивления контакта металл - СП перегревается и затем выгорает, что снижает надежность переключения приборов на СП.Цель изобретения - повышение падеж- ности переключения приборов на стекло образных поцупроводниках Указанная пель достигается тем, что согласно способу переключения приборов на основе стеклообразных полупроводников, заюпочающемуся в подаче нащмтжения на электроды прибора, перед подачей напряжения на электроды прибора производит облучение стеклообразного пац- проводника в месте его соединения с электродами например. видимым световым излучением.3 9933Освещение приводит к генерации носителей в стеклообразном полупроводнике,что позволяет понизить потенциальныебарьеры на границе металлического электрода с...

Номер патента: 993333

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Мелешко, Трофимов

МПК: G11C 19/00

Метки: буферное, запоминающее

...сигнал записи (один раз за преиод обращения счетчика 4), поступающий на вход 34 записи накопителя 1. Так как фазовые состояния счетчика 2, являющегося адресным, и счетчика 4, работающего при записи, после воздействия сигнала начальной установки одинаковые и коэффициенты счета их равны, то первь-й информационный знак записывается по первому адресу. После окончания действия импульса записи по входу 7 формирователь 6 вырабатывает одиночный импульс вычитания, запрещающий прохождение адреоного импульса первого такта через элемент И 8, при этом фаза счетчика 4 и,счетчика 30 изменяется на один шаг по сравн(Вию с фазой счетчика 2. При постуилении слецуюшего информационного знака, сопровождаемого сигналом записи, происходит запись...

Номер патента: 993334

Опубликовано: 30.01.1983

Автор: Пономарева

МПК: G11C 11/401, G11C 19/28

Метки: динамический, регистр, сдвиговый

...быстродействие, обусловленное необходиявляется низкое быстродействие, обуслов- мостью заканчивать разряд выходной ем ленное тем, что разряд узловой емкостикости ячейки до прихода фазового импуль,оячейки осуществляется токами утечки и са, соответствующего предыдущей ячейке. передачей заряда данной емкости в исто- Цель изобретения - повышение быстроковую емкость предыдущей ячейки действия динамического сдвигового регистНаиболее близким к предлагаемому ра.15по технической сущности является дина- Поставленная цель достигается тем, мический сдвиговый регистр, содержащий что динамический сдвиговый регистр на, нечетные и четные ячейки, соединенныеМДП-транзисторах,фкаждый разряд кото- соответственно с шинами первой и вто-рого содержит.три...

Номер патента: 995123

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Рябцов, Светников

МПК: G11C 19/00

Метки: буферное, запоминающее

...элемент- И 46, второй типа назначения означает, что дан"элемент ИЛИ 47, второй и третий эле- ное сообщение достаточно выдать вменты задержки 48 и 49. один из блоков обработки, которымКоличество входов элемента 42 ИЛИ в коде назначения соответствуют "едисоответствует количеству блоков об" ница", а нулевой признак типа назнаработки в устройстве. чения означает, что данное сообщеПервый разряд. регистра 27 подклю- ние должно быть выдано в каждый изчен к первому, входу блока 2. %дини- указанных блоков обработки.ца" в некотором разряде регистра 27 Входное информационное слово заявляется признаком наличия информа- писывается тактовым импульсом в перции в соответствующей ячейке памяти вую ячейку памяти, а признак налиблока 1, а "ноль" -...

Номер патента: 995124

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Миляев, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменов, магнитных, цилиндрических

...которой сформирован канал продвижения ЦМД 3 ввиде последовательно расположенныхнеимплантированных смежных дисков 4Токовая шина 5 имеет прямоугольныйучасток б, размеры которого превышают период канала 3, Край ЪБ участка б пересекает границу. одного нздисков 4 в единственной точке В, Токовая шина 5, соединенная с токопроводящим слоем 7, подключена к импуЛьсному источнику тока 8, Пленканаходится во вращающемся плоскостноммагнитном поле, создаваемом источЗ 0 ником 9В качестве тока проводящего слоя7 на поверхности дисков 4 может бытьоставлено проводящее покрытие, используемое в качестве маски при проведении ионной имплантации.Работа предлагаемого генератораЦМД осуществляется следующим образом.При подаче импульса тока- надлежащей полярности...

Номер патента: 995125

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Бородкин, Самуцевич

МПК: G11C 13/04

Метки: запоминающего, информации, накопитель, оптоэлектронного, устройства

...пороговую величину, точасть дырок из инверсного слоя туннелирует через слой 8 в валентнуюзону слоя 9, где в результате ихзахвата ловушками накапливается положительный заряд, В неосвещеннойчасти носителя информации темновоесопротивление слоя 10. велико (около10 Ом см) почти все приложенноенапряжение падает на слое 10 и накопления заряда в диэлектрике непроисходит,В режиме стирания информации изблока 1 на носитель 2 поступает положительный импульс амплитудой око ло 40 В и одновременно на выбраннуюячейку памяти воздействует импульсомсвета, Сопротивление слоя 10 в ячейке под действие света уменьшаетсяи приложенное напряжение перераспределяется между слоями 7 и 8-9. Приэтом поверхность подложки 7 в освещенной ячейке памяти...

Номер патента: 997097

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Горбань, Тесленко, Шаровский

МПК: G11C 7/00

Метки: коммутатор, фотоэлектронный

...и 3, полосковые электроды 4, контактные площадки 5 полосковых электродов 4, фоточувствительные элементы 6 и 7, контактные площадки 8 и 9 общих электродов 2 и 3.Общие электроды 2 и 3 или один из них покрыты, за исключением контактных площадок 8 и 9, слоем диэлектрика, например окисла, фоторезиста или эпоксидной смолы.Пунктирными линиями очерчены эоны излучателей 10 и 11.Подключив контактную площадку 8 общего электрода 2 к одному полюсу истоучика питания, а контактную площадку .Э общего электрода 3 к другому полюсу иосвещая, например, фоточувствительный элемент б, с контактной площадки 5 полоскового электрода 4 можно снять полезный сигнал, который будет в два раза больше, есль, освещать поочередно фоточувствительные элементы б и 7. 25Шаг...

Номер патента: 997098

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Борисов, Брагин, Зайончковский, Козлов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающих, магнитных, устройств, цилиндрических

...ЦМД проводится имплантация ионов в 5 приповерхностный слой доменосодержащей пленки с последующим термическим отжигом при температуре, меньшей температуры эпитаксиального наращивания. Это приводит к существенному уменьшению ростовой анизотропии и тем самым Фактора качества в приповерхностном слое из-за установления статистического распределения редкоземельных ионов по додэкаэдрической подрешетке феррограната вслед ствие резкого увеличения скорости дифФузии, стимулированной большим числом вакансий, созданных в результате ионной имплантации. При этом ростовая анизотропия и фактор качест-о ва на остальной глубине эпитаксиальной пленки остаются практически неизменными, так как указанные параметры существенно снижаются только в случае...

Номер патента: 997099

Опубликовано: 15.02.1983

Автор: Савранский

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, элемент

...5 возможно использование различных халькогенидных и ванадиено-фосфатных полупроводниковых 20стекол. Резистивный слой 4, расположенный параллельно слою стеклообразного полупроводника 5, ныполняетсяиз материалов на основе ВаТ 10 или(ВФ 5 г) Т 10, например аОо эВа 09 Т(ОВ, 25Элемент памяти работает следующимобразом.На электроды 2 и 3 подается синусоидальное напряжение, которое создает падение напряжения на слое стеклообразного полупроводника 5 и,резистивном слое 4. Когда при температуреокружаюцей среды Т, (фиг. 3) наслое стеклообразного полупроводника 5падение напряжения равно пороговому 35напряжению ОВ, то элемент памятипереходит из нысокоомного состоянияв низкоомное (фиг. 4), При изменениитемпературы окружаюцей среды,...

Номер патента: 999101

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Беккер, Якушенко

МПК: G11C 5/02

Метки: поверхности, сердечников, ферритовых

...лент солабыми адгезионными свойствами позоляет повысить срок службы трафареов в 2-3 раза (для фотоситалловыхрафаретов количество технологичесих циклов использования повышается12 раз вместо 3-4),По сравнению с известными способапредлагаемый способ очистки поерхности Ферритовых сердечников позоляет расширить на 12-14 областьстойчивой работы Ферритовых сердечиков, повысить за счет этого на .ежность матриц запоминающего устйства примерно на 5"6, снизитьрудоемкость ремонтных работ на 15,.также повысйть срок службы трафаетов в 2"3 раза,лающие участки рельефа наружной по- н верхности ферритовых сердечников. к Вследствие такой обработки, во-первых фе дефектные наружные слои удаляются и с внутренние механические напряжения н в Ферритовых...

Номер патента: 999102

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Есиков, Коренев, Петровский, Черепко

МПК: G11C 7/00

Метки: запоминающее, ферроакустическое

...импульсов и одиночные импульсы ультразвуковых колебаний распространяются навстречу друг другу и через промежуток времени фУ происходит первая встреча импульсов ультразвуковых колебаний, Их суммарная амплитуда 0 бр, где- пороговое значение амплитуды импульса ультразвукового колебания, при которой не происходит необратимого изменения намагниченности при данном значении магнитного поля записи Н С С Нб где Но - пороговое значение поля, при котором не вызывается необратимое изменение намагниченности при . О= 0. Под действием 6 у и Н на участке носителя 1 информации происходит необратимое изменение намагниченности, т.е. происходит запись единицы.В итоге в носителях информации, соответствующих единицам кода множи- . мого,...

Номер патента: 999103

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Баранов, Герасимов, Кармазинский, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: запоминающего, усилитель, устройства

...1, 3 и 2, 4 соответственно соединены с выходами усилителя 10 и 11, истоки транзисторов 8 и 9 подключены к шине 12, затворы - к шине 13, а стоки - к выходам усилителя,10 и 11, стоки транзисторов 5 и 6 соединены с истоками транзисторов 3 и 4, истоки. - с шиной 7, а затворы - с шиной 13, стоки транзисторов 14 и, 15 подключены соответственно к.истокам транзисторов 3 и 4, затворы - соответственно к входам 16 и 17, а истоки. - к стоку транзистора 18, исток которого связан с шиной 7, а затвор - с шиной 13.Усилитель работает следующим образом.В исходном состоянии (режим хра.- нения в ОЗУ) потенциал на управляющей шине 13 соответствует логической "1". Транзисторы 5, б и 18 закрыты, а транзисторы 8 и 9 открыты. На выходах 10 и 11...

Номер патента: 999104

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Баранов, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: запоминающего, кмдп, оперативного, транзисторах, усилитель-формирователь, устройства

...останется открытым, Схема сохранит(запомнит) установившееся состояниепри любых изменениях информации на 16 входе, так как состояние информацион-.ного транзистора 11 не может повлиятьна уровень логического "0" на первомвыходе 5, соединенном с открытымтретьим транзистором 3;При подаче на информационный вход .13 логического ."0" инФормационныйтранзистор 14 закроется или подза"кроется в случае подачи на вход 13уровня логического "0", величина ко торого близка к порогу переключенияусилителя), Вэтом случае ток, протекающий через второй .транзистор 16обратной связи. и опорныйтранзистор17 (правое плечо усилитля) будетбольше и первый второй третий ичетвертый 1, 2,. 3 и.4 транзисторыустановятсяв состояние, когда навтором выходе 6 будет логический...

Номер патента: 999105

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Авакян, Шагинян

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее, типа

...диод 22, выбранный в такте "чтение" в дешифраторе 1, ключ 26, диод 18, адресно-разряд- ную шину 4 и соединенную с ней в дешифраторе 8 адресно-разрядную шину 5, диод 31, выбранную в такте "чтение" в дешифраторе 2, ключ 44, диод, 42 и ключ 45 на шину нулевого потенциала, При этом в такте "чтение" протекает адресный полуток и переключается по одному сердечнику на шинах 4 и 5 двух разрядов б и 7 накопителя. В такте "Запись" управление адресно-разрядным полутоком осуществляется блоком 10 (фиг, 1) в зависимости от информации, установленной в разрядах 12 и 13 регистра 11,Если в разрядах 12 и 13 регистра 11 установлены "1", то импульсы "Запись с выходов элементов И 65 и 66 (фиг. 4) открывают соответственно ключ 27 (Фиг. 2) в дешифраторе 1. На...

Номер патента: 999106

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Домин, Мазо, Раев

МПК: G11C 11/14

Метки: матрица, обучающаяся

...происходит управляемое сползание доменных границ в тонких магнитных пленках и общее изменение в них суммарной намагниченности, которая отождествляется со значением записанной информации, Сползание доменных границ в ту или инуюсторону в тонких магнитных пленках 1(вправо или влево) определяется полярностью импульсов поля, и существует возможность направленного изменения в сторону увеличения или умень. 6 4щения общей суммарной намагниченности тонкой магнитной пленки. Если та или иная тонкая пленка находится под действием только переменного или только постоянного магнитного полей, то сползания доменной границы не происходит и, следовательно, хранимая в такой тонкой магнитной пленке информация остается без изменения.Считывание информации...