G11C 11/14 — тонкопленочных

Номер патента: 123351

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Пожела, Толутис

МПК: G11C 11/14, G11C 11/36, G11C 5/02 ...

Метки: диодов, матриц, пленочных

...алюминий. Выпрямляющая же ячейка-диод составляется нз двух тонких мсталлнческих электро дов, разделенных тонким слоем кристаллического селена. Материалом для контактного электрода может служить золото или платина, а для выпрямляющего электрода - алюминий илн магний. Нанесение электродов и 15 селена производится в вакууме порядка10 - 4 - 10-з лтм рт. ст, через соответствующие трафареты. В случае нанесения первыми элек тродных полосок 2 из золота или платины (фиг.2) полоски 8 селена наносятся вдоль по лосок 2. Когда первыми наносятся электродные полоски 4 из алюминия, селен наносится поперечными полосками 3 (фнг. 3).Во время напыления селена температураподложки поддерживается в пределах 60 - 25 70-"С. После напыления селена...

Номер патента: 154722

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: G11C 11/14

Метки: 154722

...х элеменОх 2 положены две шины например, над элементом 2 - шины 6 и 7), по которым токами 1, и 1. вэлементе создаегся резонансное постоянное поле 1 г которое и обусловливает существование ферромагнитного резонанса только в г элементе. Вс;Новоды питаюгся От генератора 8 СВЧ поля. Режим бегущей волны в волиоводах обеспечивается выоором нагрузки 9 (поглотителя), В режие записи уровень мощности СВЧ поля должен быть достаточным для перемагничиваиия г диска,Ло 154722р рушения информации уровень мощности При считывании без аз ш поля понижается до некоторого предеча. 3,апись ,и считывание информации осуществляют подачей токов 1, и 1 ви 2 соответствующие сувии на.них СВЧ через формирователи выборки пои одновременном возд "- 3оздейполя, используя...

Номер патента: 167679

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Абакумова

МПК: G11C 11/14

Метки: замкнутый, запоминающий, элемент

...При этом увеличиваются амплитуда выходного сигнала, скорость чтения и облегчается отбраковка элементов.На чертеже изображен описываемый элемент. На наружную поверхность цилиндрнческои диэлектрической подложки 1, например, из текла, нанесена тонкая магнитная пленка 2. Ось 3 легкого намагничивания направлена од углом а к средней магнитной линии 4 лемента. Направление оси легкого намагничивания зависит от величины действующих при нанесении тонкой магнитной пленки двух магнитных полей; поля по окружности цилиндра подложки и поля по длине этого 5 цилиндра. Для перемагничпвания элементимеет осевую токовую обмотку Б. Выходной сигнал снимается с выходной обмотки 6,Предмет изобретенияЗамкнутый запоминающий элемент, выполненный в виде...

Номер патента: 176719

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Петрова, Субботин, Эрглис

МПК: G11C 11/14, G11C 5/04

Метки: магнитных, металлическимоснованием, металлических, пленок, подложек, соединения, стройство

...распо;10)кеииыми проводпиками упрдвлеии 51 обы:що производится точечной сваркой или пайкой. Г 1 ри подобном соедииеиии для поворота хдИтиой пленки отиосительпо проводииков уираьлепия приходится отпаивать подложку от основания, что здтрудияст процесс регулировки блоков пд)5 ти.В описываемом устройстве, с целью упрощеии 51 реГулирОИКИ по:10 жеиия и;епки отиосительно прово;Пиков уирдвгСии 1, подложка с иаессппой пд исе )1 гиитиой плсикой устдиовлеиг Ид круГлОЙ:От;гп:еско 1, идпримср медной, оооймс, рдзмещсииои в отверстии ос- ИОГапп 5 И СпгОжСИИОИ ПО ОКР ЖПОС 1 И ОХ РТИ- ком. Между оуртиком и поверхностью осиоваиия расположено плоское гофрированное металлическое кольцо. 2Описываемое устройство изображено па чертеже.Подлож(а 1 с идиесеппой...

Номер патента: 184936

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Мигунов, Пискулов, Самойленко

МПК: G11C 11/14

Метки: анизотропной, записи, информации, пленки, тонкой, ферромагнитной, чтения

...использовании свойств области сползания и смещения границ анизотропной тонкой ферромагнитной 10 пленки, обладающей дисперсией намагниченности.Способ отличается тем, что вдоль среднего трудного направления пленки воздействуют полем, превышающим по величине поле ани Б зотропии, для установления намагниченности пленки в исходное состояние, соответствующее отсутствию запоминания аналоговой информации.Описываемый способ отличается также тем, 20 что величина поля записи, соответствующая запоминаемой информации, лежит в пределах области сползания и смещения границ, а величина поля чтения лежит в пределах области считывания без разрушения, Способ применим для запоминания аналоговой ин. формации. Предмет изобретения Способ записи и чтения...

Номер патента: 185568

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: G11C 11/14

Метки: накопитель, сменных, ферромагнитных

...накопитель отличается от известных тем, что для упрощения сборки на копитель содержит боковые коммутационные платы с трубчатыми контактами, на одну из которых присоединены четные, а на вторую - нечетные разрядные выводы.На чертеже изображен описываемый нако питель.Накопитель собран из соленоидных плат 1.На каждой плате размещены адресные линейки, составленные из последовательно соединенных соленоидов, Оси всех соленоидов куба 15 поразрядно совпадают, образуя сквозные отверстия, в которые продеваются ферромагнитные цилиндрические пленки 2 с проволочной подложкой.Монтаж разрядных цепей осуществляется 20 на коммутационных платах 3 и 4, расположенных на противоположных гранях куба накопителя. Коммутационные платы состоят из трубчатых...

Номер патента: 185576

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Бондарев, Китович, Полунин, Страхов

МПК: G11C 11/14, G11C 29/00

Метки: матриц, пленочных, проверки

...30 и помещенные в медный экран 31, В рабочей части шин имеются прорези.Съемный проводник 32 крепится в двух зажимах 33 и 34, Зажим 33 осуществляет натяжение проводника, а зажим 34 - установку его по центру щупа, Один конец съемного проводника припаивается к высокочастотному разъему 35 с контактом 18, другой - к контакту 19. Съемный проводник устанавливается параллельно поверхности столика эксцентриком 36. Для присоединения щупа к измерительной аппаратуре в корпусе 37 расположены шесть высокочастотных разъемов 38.Конструкция измерительной головки позволяет одновременно поворачивать относительно пятна матрицы щуп и съемный проводник.Пантограф 22 (фиг. 4) служит для подвода магнитных элементов матрицы под щуп измерительной головки....

Номер патента: 186202

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Крылова, Субботин, Эрглис

МПК: G11C 11/14

Метки: куб, магнитных, памяти, пленках

...токи,протекающие под полосковыми проводниками2, 4 могли перейти на листы 7 и далее протекать под проводниками б. Таким способом 10обеспечивается полосковость па Всех путях токов от диодов до формирователя токов по ко-.ординате Х,Выводы координат У сделаны в нижней части куба, Полосковые линии, объединяющие 15нижние выводы 8 диодов 3, сконструированыследующим образом. В пазы 9 на нижних ребрах подложек пленок вставлены медные полоски 10, припаянные в пазах ко всем Х подложкам, Проводниковые полоски 11 проходят 20рядом с полосками 10 и отделены от последних изолирующей прокладкой 12, в качествекоторой может быть использована, например,лавсановая пленка. Полоски 11 и 10 вместе сизолирующей прокладкой образуют полосковую линию. К...

Номер патента: 187408

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Бишлозтшг, Гинцев, Жариков, Тсхня

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, памяти, разрушения, считыванием, ячейка

...Вследствие этого, при приложении поля в произвольно направлении ко взятой в отдельности никеле вой пленке и после его снятия намагничен.ность последней остается в направлении приложенного поля, так как было достигнуто локальное состояние минимальной энергии. Неоднородные деформации в сочетании с магии.20 тострикцией являются причиной возникновения центров анизотропии в пленке Х. В двухслойной пленке, состоящей из обычной, не обладающей вращательной анизотропией пленки Ге%Со и пленки %, анизотропия центров не.25 однородностей никелевой пленки сильно ослабляется, вследствие чего при записи информации в ячейку из такой двухслойной пленки ось анизотропии последней поворачивается лишь в пределах небольших углов, определя емых соотношением...

Номер патента: 187839

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Росницкий, Торотенков

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: запоминающего, магнитных, матрица, пленках, тонких, устройства, цилиндрических

...или устранено совсем. При этом оно будет мало зависеть от геометрических размеров запоминающей ячейки.Таким образом, геометрические размеры ячеек могут быть уменьшены до таких величин, которые обеспечивают существующий уровень технологии. Величина истинного поля возбуждения в ячейках предлагаемой матрицы будет близка к величине поля управляющих токов, это даст возможность снизить их амплитуды, Выход магнитного потока из пленки запоминающей ячейки будет локализован в месте подхода дополнительного магнитопровода к пленке. Благодаря этому запоминающие ячейки могут быть расположены весьма близко одна к другой.На чертеже показан один из вариантов выполнения предлагаемой матрицы.Цилиндрическая тонкая магнитная пленка нанесена на провод 1...

Номер патента: 178173

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: G11C 11/14, G11C 5/04

Метки: 178173

...которых производилась укладка обмоток ц их фиксация при заливке обмоток компаундом. Известные накопители на стержневых элементах с токопленочным ферромагнитным покрытием и обмотками, охватывающими ряд параллельно установленных стержневых элементов, сложны в изготовлении и в них трудно обеспечить высокую точность установки стержневых элементов относительно обмоток.В предлагаемом накопителе обмотки выполнены в виде перекрещивающихся проводников, расположенных в продольном пазу модульной платы, а стержневые элементы установлены в каналах, оставшихся после удаления шпилек, с помощью которых производилась укладка обмоток. Такое выполнение накопителя позволило упростить технологию его изготовления и повысить точность установки...

Номер патента: 190414

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Росницкий, Торотенков

МПК: G11C 11/14, G11C 5/04

Метки: замкнутый, запоминающий, магнитный, тонкопленочиый, элемент

...магнитный запоминающий элемент тороидальной формы.Он состоит из цилиндрического проводника1 (подложки), изогнутого в виде тора и покрытого ТМП, тонкого слоя 2 ферромагнитного материала (кипера) для замыкания маг нитного потока по зазору (этот слой кипераможет быть сведен к минимуму и совсем прп малом зазоре отсутствовать), многопроводпой обмотки 3 возбуждения.Замыкание магнитного потока по воздуху в 5 небольшом зазоре при отсутствии кипера приводит к тому, что зтагнитное поле формы сосредоточено в основном в этом зазоре и практически не действует на ТМП запоминаюгцего элемента.20 Ось легкого намагничивания (ОЛН) анизотропной ТМП у элементов первого типа совпадает с окружностями сечений, плоскости которых содержат ось вращения тора,...

Номер патента: 190936

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Субботин, Эрглис

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитных, пленок, сигналов, считывания, тонких, усилитель

...ключе 5 потенциал точки 4 был близок к нулю. В этом режиме через туцнельный диод ТД одновцбратора - формирователя выходного импульса протекает нужный начальный ток, Через сопротивление Й; задается требуемый ток базы триода Тв.Если ключ 5 относительно долго разомкнут. то, вследствие дрейфа усилителя и цзмеце 11 ня потенциала базы триода Тв, напряжение в точке 4 и ток через туццельный диод ТД доходят до крайних значений. Чтобы избежать сильного нарушения режима, нормальное со.,НИИПИ Кохи.тета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 ипография, пр, Сапунова,3стояние ключа выбрано замкнутым. При этом,благодаря действию отрицательной обратнойсвязи, потенциал точки 2 близок к...

Номер патента: 191637

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гинцев, Жариков

МПК: G11C 11/14

Метки: 191637

...не изменяется, и взаимосвязь между намагниченностями соседних элементов через 15 м агнитную среду отсутствует. ия редмет изо Тонкоплено выполненная 0 нок низкокоэ%Ге, %РеСо подложку, от создания нео изменений уп 5 промежуточно сплошная пле териала 10%Известны тонкопленочные запоминающие матрицы, выполненные из дискретных магнитных пленок низкокоэрцитивного сплава (например, %Ге или %РеСо, %РеР), осажденных на подложку.Предлагаемое устройство отличается тем, что на подложку осаждена сплошная пленка немагнитострикционного материала 10% Ее - 90% Со, Это позволяет создать необходимую область допустимых изменений управляющих токов и исключить промежуточный слой,На чертеже показана предлагаемая матрица.Дискретные пленки 1 с пологими краями,...

Номер патента: 194884

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Ашман

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающий, элемент

...ема выполнена в виде замкнуитных пленок, соединенных с роны и нанесенных на три изоводника, один из которых слуиси (чтения), а два других обзапрета (опроса). редмет из етения аемыи эле- поперечное иг. 1 изображен предлбщий вид; на фиг, 2 - е На ф тент, о ечени Три рытыизолированных проводник ферромагнитными пленка 1,2 идпои 4, 5 и б. Известн ляцией ма которых и сования и воды таки ной, а упр величину. 2Пленки соединены с внутренней стороны и образуют единую магнитную систему. Проводник 1 служит шиной записи (чтения), а проводники 2 и 8 являются ветвями обмотки опроса (запрета). Шина записи (чтения) изогнута таким образом, чтобы была возможность соединения числовых линеек в матрицу.Проводники могут иметь не только круглое, но и,...

Номер патента: 200622

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Китович, Рудник, Страхов

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: магнитная, матрица, пленочная

...шины 3. Поверх управляющих шцц расположены магнитодиэлектрические пластины 4.При прохождении тока по управляемой шине 3 из-за действия пластин 4 поле в области пленки 2 будет эквивалентно полю в полосковой линии плюс, поле, которое возникает вследствие отракательных своиств магцитодиэлектрических пластин 4. Применение магнитодиэлектрических пластин при рациональном выборе конструктивных и геометрических параметров позволяет увеличить ,поле полосковой линии на 50 - (0%. При этом не требуется очень, плотного прилегания магнитодцэлектрических пластин 4 к подложечке 1,что исключает ее деформацию,Предлагаемая матрица может быть выполнена как со сплошной магнитной,пленкой, так5 и с отдельными пленочными элементами.Управляющие шццы 3 могут...

Номер патента: 200623

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Берг, Борисенко, Орловский, Червинский, Швалев

МПК: G11C 11/14

Метки: 200623

...металл, причем слои ферромагнитного металла одновременно служат токопроводами. Это ,позволяет уменьшить размеры элемента и упростить технологию его изготовления.На чертеже схематически изображен описываемыйй элемент.На монокристаллическую подложку 1, например, из окиси магния, нанесены токопроводящие шины 2 пз ферромагнитного материала, например, никеля, затем ферритовая пленка 3 и ортогональпые шины 4 из того же материала, что и шины 2. На чертеже схемаказана также приме токов Ф прп протек тически поделение почерез шипьЗамкнутстемой: шипленка ферчае имеют ое распреии токовазуется симеталла - в этом слуи м агни опровод оор ромагнптного ни ину кцпи ую длину,на из фер рита. Лин папменьш 1 редмст пзобретени тп с замкнутым...

Номер патента: 203315

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Константинов, Фельдман

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: магнитных, матрица, пленках, тонких

...проходит шина смещающего поля б, в которую постоянно подается ток рабочей частоты с постоянной фазой. При подаче 30 радиоимпульсов в ту или иную пару координатных шин на пленку 1, лежащую на перекрестии вертикальной шины 4 и шины смещения б действуют одновременно поля, создаваемые шинами 4, 5 и б. На остальные пленки выбранной горизонтали действуют поля, создаваемые обмотками 5 и б, а на остальные пленки выбранной вертикали действуют поля обмоток 4 и б,Токи, подаваемые в обмотки, выбираются таким образом, чтобы поле, создаваемое шиной 4, было больше или равно Нк, а поля, создаваемые шинами 5 и б, были бы меньше Нк, причем поле шины б меньше поля шины 5 (здесь Нк - поле анизотропии пленки). При одновременном действии полей,...

Номер патента: 204373

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Ксендзов, Червинский, Юрьева

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: матрицы, памяти

...изготовления матских пленок осущ портом вещества ненного в виде м СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН Известен способ изготовления матриц памяти с замкнутым магнитопроводом путем ПО- лучения чередующихся слоев феррита и металла, а также способы эпитаксиального выращивания пленок феррита или металла с помощью химических транспортных реакций.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что металлические пленки наносят химическим транспортом вещества нагревателя, выполненного в виде маски, что позволяет уменьшить продолжительность изготовленияматрицы.Способ заключается в следующем, С использованием аппаратуры для эпитаксиального выращивания с помощью химических транспортных реакций на монокристаллическую подложку наращивают слои феррита, чере. дующиеся...

Номер патента: 205380

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Тур

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: возбуждения, матриц, накопителей, обмоток, укладки

...после чего гребенчатый укладчик б (на фиг. З,а и 4 не показан) опускает и укладывает его между всеми струнами (см. фиг. 3 а). Провод 7 возвращается и протягивается перед струпами с обратной стороны (пунктир на зобретения Известны устройства возбуждения матриц н дрических ферромагниПредложенное устро что оно содержит черед правляющие струны, р но ца станице, на котор на рама с гребенчатым чиком. Это увелич ива матриц и упрощает те ния. висимое от авт, свидетел присоединением заявкириоритет ата опубликования описа фиг. 3, а), затем рама 4 перемещается в обратном направлении (см, фиг. 4) и производится укладка (см. фиг. 5).Описанный цикл повторяется в зависимостиот числа укладываемых витков, После завершения укладки витков вся...

Номер патента: 209074

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Григор, Мелик

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее, оперативное

...оси тяжелого н Считанная э,д.с, создает ток в зованный токопроводом с ц тонкой ферромагнитной пленко чивающим токопроводом б на Предложенное устроиство что, с целью упрощения ко элементов запоминания одн чена замкнутым токопровод дится обычным ка в числовойсчитывания в ульс тока пряполе которого енности по наамагничивания.контуре, обраилиндрическойй 1 и закора- участке между двумя пайками 7, охватываю мый элемент запоминания. П пульсного поля чтения вектор сти стремится повернуться к магничивания. Направление в ра намагниченности к оси л чивания определяется напр циркулирующего в токопрово т, е. зависит от полярности сч ла,За время действия импульсного поля чтения затухание тока, циркулирующего в разрядном контуре, невелико вследствие...

Номер патента: 211883

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Бех

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...устройство состоит из дешифратора,выборки чисел на диодах, запоминающих матриц на тониих ферромагнитных пленках 1, системы шин 2 считывания, разрядных шин Зсъемных шин 4, диодов 5 и б, резистора и режекторов 8.Успройство работает следующим образом.Напряжения 11 и У, создающие ток считывания, прикладывают к выбранным шинам считывания. Токи 11 и 1, заряда конденсаторов С, и С, протекают по разрядной обмотке через резистор 7 на землю, Съемная шина расположена под разрядной и эри наличии силь ной емкости связи ее аотенциал по отноше. нию к земле всегда равен потенциалу разрядной шины, Поаколыку токи 1, и 1 з,равны в силу идентичности обеих частей разрядной обмотки, то суммарная э.,д,с. взаимоиндукции, наведенная в съемной обмотке,...

Номер патента: 219628

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Свердлов

МПК: G11C 11/06, G11C 11/14

Метки: запоминающее

...прокладки.Это позволит увеличить устойчивость работы и быстродейстьис устройства.На чертеже изображен куб памяти запоминающего устройства.Он содержит многоотверстные феррнтовые пластины 1 с печатным проводом и металлические прокладки 2, соединенные шиной 3.При соединении шины с землей устройства (с нулевым потенциалом) все металлические прокладки также оказываются под нулевым потенциалом, Разрядный провод в этом случае имеет параметры, близкие к параметрам ндеальнои былинной линии. Малое волновое сопротивление разрядного провода уменьшает напряжение на нем, возникающее при прохождении разрядного тока, Это ослабляет влияние числовых проводов, проходящих сквозь отверстия пластин (на чертказаны), на волновые параметрыпровода. Металлические...

Номер патента: 219629

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Фельдман

МПК: G11C 11/06, G11C 11/14

Метки: запоминающее

...пзобретснг 11 звестны запоминающие устройства, содер. жащие ферритовый накопитель и накопитель на тонких магнитных пленках.Описываемое устройство отличается тем, что, с целью сокращения времени передачи информации, поступающей с фсрритового накопителя в накопитель на тонких магнитных пленках, ферритовый накопитель разбит на зоны, а одноименные сердечники всех зон ферритового накопитсля связаны общим проводом с соответствующими элементами накопителя на тонюгх магнитных пленках.На чертеже схематически изображено запоминающее устройство.Устройство содержит ферритовый накопитель 1 и накопитель 2 на тонких магнитных пленках. Ферритовый накопительразбит на зоны. Запоминающее устройство, содержащееферритовыЙ ггакопггтсль гг ггакопггтсль гга...

Номер патента: 219634

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Гродзенский, Гуральник, Росницкий, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, ячейка

...током в адресной обмотке, и полем, размагничивания, которое возникает 10 при повороте намагниченности к осевому направлению и замыкании магнитного потока, обусловленного этой намагниченностью вне ЦТМП.Обмотка считывания должна быть узкой, 15 чтобы поле размагничивания было велико, аистинное поле возбуждения адресного тока считывания б было меньше минимального поля анизотропии ЦТЯП во всех точках запоминающей ячейки, благодаря чему величина 20 остаточной намагниченности не будет уменьшаться при сколь угодно большом числе возбуждений (обращений к ячейке). Это происходит в том случае, если угол поворота намагниченности не превышает некоторой критиче ской величины, при которой он полностью обратим.Поле размагничивания возникает...

Номер патента: 220314

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Ершое

МПК: G11C 11/14, G11C 29/00

Метки: однородности, пленок, тонких, ферролагнитных, цилиндрических

...индукция насыщения, Н - поле анизотроппи, а второй горизонтален и находится на оси Х на 20 расстоянии, равном В,. Воздействие синусоидального переменного поля с амплитудой Н, на материал с такой магнитной характеристикой приводит к появлению во вторичной э д.с.третьей гармоники, зависимость амплитуды 25 которой Е,от амплитуды Н, выражаетсяследующей формулойгде Е, - амплитуда третьей гармоники, О, - амплитуда переменного поля, д и Н - толщина н поле анизотропии контролируемого участка пленки, А - коэффициент, зависящий от числа витков вторичной обмотки Л, радиуса подложки Я, частоты переменного поля 1 и индукции насыщения В, материалов пленки (которую предполагаем равной индукции насыщения массивного материала):А= (16 л ЯРВ,) зВсе...

Номер патента: 221766

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Китович, Страхов, Чернова

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитная, матрица, пленочная

...атрицы,ми на щие шигнитный ми шинитодиэлектриет его плотное е деформации, ь трудоемкость тть ее технолотся тем, частичнола.тивление ормацию дложенная матрица отличае гнитный шунт выполнен из э. нитодиэлектрического материапозволит уменьшить сопро ного потока и исключить деф ки.дложенная матрица изображен что ма го ма Это магии подложчеПленочная магнитная матрица, содержа щая подложку с помещенными на нее магнит.ными пленками, управляющие шины, разме.щенные над пленками, и магнитный шунт, находящийся над управляющими шинами, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения со противления магнитного потока и исключениядеформации подложки, магнитный шунт выполнен из эластичного магнитодиэлектрического материала. пленочные и замыкаМатрица...

Номер патента: 231224

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Степан, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее, магнитных, пленках, цилиндрических

...тактового импульса производит цикл считывания записи. Считывание производится на переднем фронте импульса адресного тока, а запись - при совпадении заднего фронта этого же адресного тока с разрядным током соответствующей полярности,На импульсный вход вентиля 19 поступает через линию задержки 20 последовательность импульсов 22, время задержки должно быть меньше времени между двумя тактовыми импульсами, но больше или равно времени цикла считывание - запись,Пусть в регистре 8 записан код, согласно которому обращение производится по (К - 1) адресу. За первые (а - 1) тактов производится многократная запись информации в ячейку при максимальных амплитудах импульсов токов управления. После того, как на вход 1 б счетчика 14 поступит п...

Номер патента: 257633

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Берг, Цогоев

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитопроводов

...количества магнитопроводсв.Для этого магнптопроводы изготавливают ,на основе пластины из нем агнитного материала, например из керамики, с параллельными пазами на поверхности; на пластину последовательно наносят слои ферромагнетика, например феррита, и проводящего материала. Затем слои сошлифовывают с поверхности пластины так, что ферромагнетик и проводящий материал остаются только в пазах пла:тины, образуя магнитоизолированные друг от друга параллельные магнитопроводы с управляющими проводниками внутри. На фиг, 1 - 4 для пояснения сущности изобретения показача соответственно последовательность технологических операций: на фиг. 1 - пластина из керамики с параллельными пазами на поверхности; на фиг. 2 - пластича со слоем...

Номер патента: 237202

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Цогоев

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитный, накопитель

...под прямым углом пазов. в один из которых уложены разрядные проводники, а в перпендикуляр ных пм пазах размещены адресные проводники, причем поверхность пазов адресных проводников покрыта, слоем ферромагнитного материала, например феррита,Кроме того, указаннос уменьшение магнитного сопротивления позволяет снижать величину адресного тока (управления) или обходиться одновитковой адресной обмоткой.На фиг. 1 показано предлагаемое устройство в двух проекциях; на фиг. 2 - предлагаемое устройство в аксонометрии.Разрядные проводники 1, расположенные в одной плоскости параллельно друг другу, помещаются между,двумя пластинами 2 из не- магнитного материала (например из керамики).На внутренних поверхностях какдой из пластин сделаны ряды...