G11C 11/16 — в которых эффект памяти основан на спин-эффекте

Номер патента: 385316

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Лисовский, Электроники

МПК: G11C 11/16

Метки: доменах, информации, магнитных, памяти, считывания, цилиндрических, ячеек

...пласти нах из магнитоодноосных материалов (орто 385316ферритах, гранатах); намагниченных нормально к их плоскости, ферромагнитный резонанс возможен на двух частотах, определяемых соотношениямив= 1 (Нл + )щ = НА. - Ф где а, а- частоты ФМР, у - гиромагнитное отношение, Н - внутреннее статическоев 10 магнитное поле, НА - поле анизотропни; частота всоответствует ориентации намагниченности вдоль поля, а частота щ- против поля. Так как намагниченность ЦМД направлена против поля подмагничивания, то внутри 15 ЦМД частота будет равна вц=а,а частота ФМР для пластины вне доменов будет равна впл=в.Для типичных магнитоодноосных гранатов Н т 10 э, Нм 102 э, ЬНт 1 э (ЛН - ширина линии ФМР), так что частоты ФМР 20 лежат в дециметровом диапазоне,...

Номер патента: 399010

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: G11C 11/16

Метки: доменов, магнитнб1х, перемещения, цилиндрических

...зквищ)ле)пнд снижению коэрци 1 игн)ости; О. Синоп стенки, б,2; Од: р 5 ч. у и нроискоди снижение электри)секи); потерь при упрзвлец 5)и нереме)пением доменов и уве. личецч)е быс; роейсвия системы.11 редме Изооретени 5 Способ пнитнык домромдгцетик.поля сме)цсремен)ц)гопластины,снижени зродействия,;стон Прсдложенн)25 сносоо о)носи)с; к Об:2;)сти вычислительной гекники и может бьыь нспользовдц приостросции логи )ескц; и з 2)номиндюшик устройств нд цилиндрически) магии)ных домсндк (ЦМД).5Известны способы перемещения 112 ЧД в пластине одцоосцого ферромдгне)икд ну)ем приложсни пос;ояц)юго ноля смещения нор.мдльно к нлдс)ине и переменного упр)г)люшего в плоское)и плдс)ины. 111 едост дтком извес гцы.; способовв.есик зцдчительнд; энергоемкость и...

Номер патента: 400914

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Изобретени, Ильичева, Канавина, Шишков, Экономов

МПК: G11C 11/16

Метки: 088, удк

...Н. Г. Канавина иономовена Трудового Красного Знаменитет им. М. В. Ломоносова ляризованного света и регпстрир) ют проходя.щий,пучок света под углом днфракцпи.Сущнос предложенного сособа заключается в следующем.При прохождении плоскополяризованногосвета через пленку с полосовой доменной структурой вследствие магнитооптического эффекта Фарадея плоскость поляризации свео та поворачивается на угол а в ту или другу 1 осторону в зависимости от направления намагниченности в полосовьтх доменах, т. е. в проходящем свете появляются компоненты с плоскостью поляризации, ортогональной пло скости поляризации падающего сзета. Этикомпоненты имеют одипаковую амплитуду, но разность фаз колебаний электрического вектора составляет 80". Для этих...

Номер патента: 372579

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Фабриков

МПК: G11C 11/16

Метки: подвижными

...фоторезистора.На фиг, 1 изображена блок-схема устройства управления ЦМД; на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1.Основной частью устройства является тонкий слой фоторезистора 1 с системой электродов 2 - б, отделенный от магнитоодноосного кристалла б слоем прозрачного диэлектрика 7. Источник света 8, модулятор света 9 и проектирующий блок 10 служат для создания неоднородной засветки слоя фоторезистора 1. Источник постоянного магнитного поля смещения 11 создает однородное магнитное поле,372579 Предмет изобретения Фиг. 2 Составитель Ю, Розентальедактор Л. Утехина Техред Т. Ускова Корректор Е. Талалаева Заказ 1137/11 Изд.326 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д....

Номер патента: 415727

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: G11C 11/16

Метки: 415727

...цилиндрического домена, необходимо зачратить дополнительную работу, т. е, возникает энергетический барьер для доменного движения, и движение домена ограничивается только той областью, в которой намагниченность поверхностного слоя совпадает с направлением намагниченности МЦД.Блок-схема предложенного устройства изображена на чертеже.Устройство состоит из ортоферритовой пластины 1, в которой с помощью генератора МЦД 2 образуются носители информации в виде цилиндрических доменов обратной намагниченности, треугольных пермаллоевых покрытий 3, используемых для управления движением МЦД, считывающих устройств 4 и 5 и источников для возбуждения и модуляции поля смещения 6 и , Непосредственно на поверхности пластины (либо со стороны...

Номер патента: 427383

Опубликовано: 05.05.1974

МПК: G11C 11/16

Метки: генератор, магнитныхдоменов, цилиндрических

...управляющего поля.,Элемент расщепления магнитных доменов состоит из трех ферромагнитных аппликаций; Т-образной аппликации 5, расположенной ца верхней стороне пластины, Т-образной аппликации 6 и прямоугольной аппликации 4, расположенных на нижней стороне пластины.Устройство работает следующим образом.Первичный магнитный домен 7, находящийся под аппликацией генератора доменов во внешнем поле смещения, двигается вдоль периметра аппликации генератора под действием магнитного управляющего поля, вращающегося в плоскости пластины 1 по часовой стрелке. При направлении управляющего поля Н, (фиг. 1) первичный магнитный домен притягивается одповременно к полюсам, создаваемым на краях аппликации генератора доменов и аппликации 6. Аппликация...

Номер патента: 428451

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Лебедь, Пахомов, Филонич, Яковлев

МПК: G11C 11/16

Метки: 428451

...способа; ца фиг. 2 иластина с доменами и узлами (тоячей ультразвуковой" волны.Тонкая монокристаллическая пластина или пленкаиз магнитоодноосного материала помещается между двумя пластинами 2, образуя звукопровод. Для поддержания стабильного размера ЦМД иа пластину накладывается магнитное поле, вектор напряженности которого перпендикулярен к поверхности пластины, Для возбуждения ультразвуковой волны в звукопроводе с помощью связки 3 кре-, пится пьезоэлектрический преобразователь 4. с нанесенными на нем электродами 5.Пьезоэлектрическим преобразователем может служит пластина, изготовленная из пьезоматериала, либо тонкая пьезоэлектрическая пленка, осажденная в вакууме иа торец звукопровода, если необходимо управлять движением доменов с...

Номер патента: 432600

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Карасев, Фабриков

МПК: G11C 11/16

Метки: генератор, ллгнитныхдоменов, цилиндрических

...енов.Сущность изобретения состо:т в том, что в качестве элемента рдения магнитного дз. мена использмется фепромягн:тняя япцл:1 кдция из магнитожесткого материала, помещен 3 432600иая Нс ПОВерНОСТП Кр 1 СТЯЛЛЯ. ТЯКЯЯ ЯПНЛПкация, единожды намагниченная, будет улср.живать магнитный домен на о;ном из концов.ИспользОВяние мяГнитожесткОЙ яиплги(яции;Озволяст хранить магнитный ломсн без 1 итреблсния какой-либо энергии и повысить быСТРОЛСЙСТВИС УСТРОЙСТВЯ, Так Кс 1 К В НСМ УСТранено лвижение магнитного домена вдольпериметра аппликации элемента хранения.Элемент расщепления магнитного ломсна выполиси в виде сжатой проводящей петли, иокотороЙ ироиускяетс 51 импульсный ток,На фиг. 1 - 3 изображены различные вар;Янты образования цилинлрически:(...

Номер патента: 439846

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Мокосов, Тулайкова, Щеглов

МПК: G11C 11/16

Метки: информации, оптической

...в электрические сигналы, если экран выполнен в виде мозаики из фотоприемников, поскольку освещенность последних изменяется. Если затем к пьезокристаллу 2 поступает ток частоты Г от ге. нератора 6, причем частогыи Г разнятся одна от другой, то в кристалле возникает распределение пучностей и узлов упругих колебаний, отличное от того, какое было в отсутствие тока частоты 1. Вызванное этим дополнительное изменение дифракционной картины на экране блока 4 описанным выше способом можно превратить в электрические сигпалы.Характер изменения доменной структуры и соответственно дифракционной картины таковы, что допускают выполнение операций, функционально более содержательных, чем элементарные логические операции и, или, не и подобные...

Номер патента: 446110

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Карасев, Потапов

МПК: G11C 11/16

Метки: доменорасщепляющее

...ва.Это достигается тем, что предлагаемое устройство содержит элемент расщепления магнитного домена в виде прямоугольной ферромагнитной аппликации, расположенной на 15 поверхности пластины магнитоодноосногокристалла между расходящимися шевронными аппликациями. Элемент расщепления магнитного домена служит для того, чтобы расщепить магнитный домен, растянутый расхо дящимися шевронными аппликациями, с образованием двух магнитных доменов. Таким образом увеличивается область устойчивой работы устройства, содержащего расходящиеся шевронные аппликации.25 На фиг. 1 - 3 показана схема расщеплениямагнитного домена на два магнитных цилиндрических домена.На поверхности пластины 1 кристалла помещаются шевронные продвигающие аппли кации 2, которые...

Номер патента: 466548

Опубликовано: 05.04.1975

Авторы: Прангишвили, Стецюра

МПК: G11C 11/16

Метки: запоминающее

...на поверхность пластины 6, Поверхность пластины 6 с расположенными на ней носителямп закрываются герметичным кожухом 7, предохраняющим их от пыли и влаги. Блок управления записью 8 выдает сигналы в узел записи, который осуществляет фазовый сдвиг частиц, и в блок 4, инвертирующий направление вращения поля.Узел записи представляет собой соленоид, расположенный над одной из ферромагнитных аппликаций, На фиг. 2 пунктиром показаны расположенные на пластине 1 известные аппликации 1 - и Т-образного типа и положение соленоида по отношению к ним. Выходы соленоида подключены к блоку 8. Блок 8 пропускает через соленоид импульсы тока, достаточные для фиксирования элементарного носителя, находящегося в поле действия соленоида.ЗУ работает...

Номер патента: 481939

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Кий, Падюков, Раев

МПК: G11C 11/16

Метки: запоминающее

...16,Работа устройства рассмотрена на при 45 мере работы ЗУ на ЦМД, имеющего четыре считывающих элемента 2 на регистре ЗУ 1, Представим,. что регистр полностью заполнен и та информация, что должна поступать на 1-й разряд выходного регистра 7 нахо 50 дится в промежутке между считывающими элементами У и У и будет снисч 5 сч 5маться с У . Соответственно, информасч 5 65 ция, которая должна поступать на 2-й разряд будет сниматься с У на З-й,разсч 5ряд - с У и на 4-й - с У . Счет 3сч 560местятся и другие части информации ре гистра ЗУ 1.При очередном обращении к ЗУ счетчик обращений 14 принимает значение "01"сигнал 01" с дешифратора 15 поступаетна схемы совпадения 12 и ИИ12 И и И, включается управляющее по 1 4ле, и информация (1/4) части...

Номер патента: 482811

Опубликовано: 30.08.1975

Автор: Зельдин

МПК: G11C 11/16

Метки: генератор, доменов, магнитных, цилиндрических

...самого заро стные для этого с либо применение спе менов, либо использ ти существования Ц с элементами аппли падает эффективно с ади монокристалла вешаются требования спольго до дышепособы циальование МД от 20 каций, ть исНз+НьЦМД, связанных снее известных конгде Н, - поля коллапловушкой вструкциях,По длительности пвать то время, когдаимпульсного режимапозволяет создаватьзом, гарантирует сЦМД,к е мщение надежноредмет изобретения предлагаемый гсдящую цепь, расторон пластины Генератор цилиндрических магнитных домеов, содержащий магнитную ловушку и канал Известен генератор ЦМДнитную ловушку и канал раменов, выполненные в видмагнитомягкого материала,поверхности пластины изферромагнетика, и цепи уцией,Недостатком извзующих принципмена,...

Номер патента: 483708

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Ильяшенко, Матвеев, Розенблат

МПК: G11C 11/16

Метки: источник, поля, постоянного, смещения

...1 покрыты плоско- параллельными пластинами 2, 3 из магнитом ягкого материала, например пермаллоя, которые служат полюсными наконечниками.Толщина пластин 2, 3 должна быть такой, О чтобы они не были намагничены до насыщения, В этом случае магнитные силовые линии выходят из поверхности пластин под прямым утлом, что обеспечивает в полости кольцевой детали требуемое направление и одно- в родность магнитного поля. Одна из пластин,например 3, может быть выполнена в виде стякяпя, оковыс стенки которого охватывая г 11;с1, боковой поверхности кольцевой де- Т 11 З .2 ь 1 ясть боковой поверхности кольцевой детали 1 охвачена бандажом 4 из магнптомягкого материала, в частности из ферромагпит Впо тсрмочувствительного материала,Дл регулировки...

Номер патента: 520620

Опубликовано: 05.07.1976

Авторы: Жучков, Мочалов, Ткачева

МПК: G11C 11/16

Метки: магнитная, памяти, ячейка

...смещения, ферромагнитнуюаппликацию 4 Г-образной формы и токовыепроводники управления 5 и 6, расположенные перпендикулярно ее сторонам,Г-образная ферромагнитная аппликация4 может быть расположена относительно то,ковых проводников управления 5, 6 уаапЫйвобразом; под проводниками, между ними,над ними - в зависимости от назначения,520620 условий работы и технологических возмож - ностей изготовления устройства,В пластине 1 при наличии постоянного поли смещения, создаваемого источником 3 н напРавленного перпендикулярно к поверхности пластины, под аппликацией 4, играющей роль магнитостатической ловушки, находится домен 2, Под действием градиентного магнитного внешнего поля, создаваемого током, протекающим по проводникам 5 или 6, 10 и...

Номер патента: 536526

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Замковец, Иванов

МПК: G11C 11/16

Метки: запоминающее

...управления 7.На концах регистров хранения 3, примыкающих к регистру связи 4, находятся дололнительные аппликации 8 из .магнитомягкого материала, выполненные в виде пересекающихся Н-образной и Т-образной аппликаций, Элементы передачи даменов б выполнены в виде крестообразных аппликаций и расположены на одной прямой с каждой вертикальной ветвью Н-образной части дополнительных аппликаций.Запоминающее устройство работает следующим образом,При вращении управляющего магнитного поля против часовой стрелки магнитные домены в регистрах также движутся против часовой стрелки, При направлении управляющего поля вниз домены в регистре хранения 3 займут положения 9 на нижних концах эле536526 5 ментов, передачи б, В этот момент в шину управления 7...

Номер патента: 546934

Опубликовано: 15.02.1977

Авторы: Акинфиев, Гришечкин, Рутковский

МПК: G11C 11/16

Метки: запоминающая, матрица

...сокращается количество цепей записи-считывания и повышается быстродействие матрицы.5 На фиг. 1 и 2 показана конструкция предлагаемой запоминающей матрицы.Запоминающая матрица содер диэлектрической подложке 1 пласти агнитоодноосного материала с ЦМ 2, О на которых расположены регистр изферромагнитных аппликаций 3 и магниторезистивные датчики 4, Вокруг подложки 1 с чипами 2 вдоль каждого столбца матрицы располагаются катушки управления 5, а вдоль каждой строки матрицы - катушки управления 6. Генераторы доменов 7 объединены последовательно в цепь записи 8, а магниторезистивные датчики 4 объединены последовательно в цепь считывания 9.При подаче сдвинутых по фазе и меняющих свою полярность импульсов тока в пару ортогональных катушек 5, 6 в...

Номер патента: 591959

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Тейерман, Яковлев

МПК: G11C 11/16

Метки: доменов, магнитных, продвижения

...продвигаюшей структуры предполагает использование метода диффузии. Помимо упрощения технологии еше одним преимуществом предложеной структуры каналов продвижения в сравнении со структурой, получаемой методом ионной имплантации, является отсутствие ограничения в выборе материала монокристаллической среды.59959 Формула изобретения Составитель 30. РоаентаТекрел О.,Г 3 уговая Корректор 31. Макаревич Тираж 71 т Иолписиое Редактор И.МарковскаяЗаказ 6333/47 331331 ИПИ 1 осуаарсгненно о коонтета г,он га Министров (,г:Г 3 о лелям нвобрегеннй н огкрнггнй 13 ЗОЗ 5, Мгч ква. Ж З 5, Раугнская на 5, л. 4/5 Филиал 113111 13 агенг, . Ужгорол, ул 3131 оекгнан, 4э11 а чертеже схематически изображено устройство для продвижения ЦМД.Устройство содержит...

Номер патента: 602095

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Васютинский, Доватор, Житников

МПК: G11C 11/16

Метки: запоминания, сжатия, сигналов, электрических

...которого удовлетворяют условию14 ж , и)Ндлительность сигнального радиоимпульсаусредняя полуамплитуда сигнального радиоимпульса;- гидромагнитное отношение дляатомов в камере 151екатушку 7,суммарный магнитный моментоптически ориентированных атомов отклоняется от оси в плоскость х.После окончания этого импульса магнитный момент, прецессируя с частотой цо:Н в плоскости ху, будетзатухать по амплитуде как вследствие релаксации, так и иэ-эа неоднородности постоянного магнитногополя Нб. Интенсивность резонансногоизлучения лампы 5, прошедшего черезкамеру 15, будет модулирована по амплитуде пропорциональнох-составлякноейсуммарного магнитного момента с частотой и 1. Это изменение излучения регистрируется с помощью фотодетектора8.Если через...

Номер патента: 1138833

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Доватор, Житников

МПК: G11C 11/16

Метки: варианты, его, импульса, преобразования, сигнального, спинового, эффекте, эха

...Йляс =О,ООСЭ "эПод воздействием сигнального им пульса, действую 1 цего, например, че - рез третью пару колец Гельмгольца и создающего перпендикулярное Н(х)= 1+0,0005(х-х) переменное (линейно- поляризованное) магнитное поле с частотой Го =350 кГц, намагниченности элементарных объемов парамагнетика поворачиваются вокруг Н(х) на угол ф =уЮ( т - длительность сигнально го импуль са, рав ная 40 мс, 2 Ь=0,04. Э), а затем прецессируют вокруг Н(х), что приводит к постепенному затухании поперечной составляющей суммарной намагниченности парамагнетика за время12- 1,4 мс.уЬН1 Через интервал времени д=10 мс после окончания сигнального импульсапереключают направление тока в катудках, создающих неоднородное магнитное поле, например, с помощью...

Номер патента: 1332379

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Анджикович, Комашня, Котов, Шутилов

МПК: G11C 11/16

Метки: запоминающий, элемент

...коде:, 1 - наличие сигнала, 0 - отсутствие сигнала.на выходе приемника. При считыванииинформационного сигнала последний сохраняется и в последующие моменты времени возможно воспроизведение операции считывания,Запись и считывание информации можно осуществлять на разных частотахпри различных наборах частиц порошка(отличающихся по размерам), для котоЛ Чрых выполнено условие Й й -,-2 2 ГРабота нредлагаемого элемента основана на явлениимагнитоакустическогоэха (МАЭ) и может быть описана следующим образом, Вследствие наличия вмагнитных материалах сильной нелинейности магнитоупругой связи каждаячастица порошка представляет собойнелинейный механический осциллятор,акустические колебания которого можно возбудить, поместив его в...

Номер патента: 1021280

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Лесник, Погорелый, Харитонский

МПК: G11C 11/16

Метки: информации, носитель

...4/5 КНТ СССР Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 ненный в соответствии с настоящим изобретением.Устройство содержит диэлектрическую подложку 1 с последовательно нане 5 сенным первым активирующим слоем 2 ферромагнитного материала, чувствительным к радиоизлучению слоем 3 ферромагнитного материала с ядерным магнитным моментом и вторым активирую щим слоем 4 ферромагнитного материа- ла.Слой 3 может быть выполнен из изотопов железаили кобальта, а подложка 1 и слой 4 , из пермаллоя.Носитель работает следующим образом.Облучение носителя информации радиосигналами вызывает отклонение ядерных магнитных моментов материала слоя 2 р Эа при их релаксации происходит излучение энергии, регистрируемое...

Номер патента: 1022561

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Лесник, Харитонский

МПК: G11C 11/16

Метки: информации, носитель

...материалов с ядерным магнитным моментом.2. Носитель информации по п,1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что толщина чувствительных к радиоизлучению слоев не превьппает 210 м, а толщина изолирующих слоев 4.10 пмт Поставленная цель достигается тем,что в. носитель информации, содержащий вам диэлектрическую подложку и нанесен, ный на нее чувствительный к радиоизлуче" нию слой сплава ферромагнитных материалов с ядерным магнитныммоментом, введены изолирующие слои диэлектрика и допол- пффф нительные чувствительные к радиоиэлуче нию слои сплава ферромагнитныхматериа- Я лов с ядерным магнитным моментом, нане- Я сенные поочередно на чувствительный крадиоизлучению слой сплава ферромагнитных материалов с ядерным магнитным моментом, а также тем что...

Номер патента: 1601641

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Доватов, Житников

МПК: G11C 11/16

Метки: задержки, свч-импульсов

...1,со= В,о+ КУ Нгде К - коэффициент, зависящий от выбранной пары энергетических подуровней основного состояния щелочного атома; Но - величина постоянного магнитного поля; у - гиромагнитное отношение,Далее СВЧ-импульс поступает на вход модулятора 11, с помощью которого осуществляется 100 -ная амплитудная модуляция этого СВЧ-импульса с ларморовской частотой щелочных атомов о)л-= у Но. Под действием амплитудно-модулированного СВЧ-импульса осуществляется одновременное возбуждение двух переходов сверх- тонкой структуры щелочных атомов, что приводит к возникновению радиочастотной когерен 5 ности, т.е. к появлению компоненты суммарной поперечной намагниченности поглощающей ячейки 1, осциллирующей на частоте ил,После окончания СВЧ-импульса...

Номер патента: 1702426

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Абаренкова, Ефиценко, Котов, Сарнацкий

МПК: G11C 11/16

Метки: запоминающего, информации, магнитного, носителя, устройства

...ния при дальнейшем увеличении дозы облучения у -квантами, Однако, по достижении максимума Величина Аэ уменьшается с Водрзстзни 8 М дОдь) Облучения, что сэяэзно с агрегацией дефектов, приводящей к рассеянию ультразвуковых колебаний.Облучение у -квантами ампул; порошком магнитсстрикционОго магеризла проводилось от источника Со, в знер етическом60спектре которого име;отся две линии идлучения примеоно Одинаковой интенсивности с энергиями 1,1 Мзв и 1,33 Мзв. Так кзк радДелить Д 8 йствие этих двух блиэко расположенных гиний излучения не представляется возможным, поскольку не существует узкополосных Фильтров для жесткого идл- чекия, можно использовать истоинк Соо как источник СО средней энергией 1,25 Мэв.Выбор источника у -квантов с указанной...

Номер патента: 1714681

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Котов, Назаров

МПК: G11C 11/16

Метки: запоминающий, элемент

...материала порошка для переменного поля,При больших внешних постоянных по 20 лях Но 10 кЭ магнитная восприимчивостьсоставляет величину порядка 0,3-0,4, а дляполя Но - 100-2000 Э, в которое помещенизвестный ЗЭ, магнитная восприимчивостьдля переменного поля у ферромагнетиков25 может достигать величины порядка 1-10 иболее. Тогда для известного ЗЭ изменение.внутрейнего поля ЬНь в 2-10 раз меньшеизменения внешнего поля ЬНех.Целью изобретения является увеличе 30 ние чувствительности и снижение энергопотребления ЗЭ за счет созданияоднородного магнитного поля в катушке индуктивности и уменьшения переменногоразмагничивающего поля образца,З 5 Поставленная цель достигается тем, чтоЗЭ, содержащий магнитный носитель в видеферромагнитного порошка,...