G11C — Запоминающие устройства статического типа

Номер патента: 868832

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Балашов, Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...2"каналов вывода информации 1,2",3, В свою очередь это вызывает выталкивание ЦМД из позиций 1 динамических ловушек 1 -ых разрядных компрессоров, магнитосвязанных с к-ымн ЗЯ, в позиции 2" каналов 1, 21 Ч, Зф, 4 , оканчивающихся в нечетных динамических ловушках адресных компрессоров Ч 1 ц . фПоследние ЦМД в свою очередь вытолкнут ЦМД в четных динамических ловушках компрессоров У 1 из позиции12 в позиции 3, вызывая сдвиг ЦМД в динамических ловушках 1 -ых разрядных компрессоров, расположенных выше к-го адресного компрессора, и считывание требуемой информации датчиками считывания ЦМД У(Как следует из вышеизложенного, для вывода ранее хранимой информации из ЗУ требуется 0,75 такта ( такт - время одного оборота вектора магнитного поля...

Номер патента: 868833

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Балашов, Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...доменовПри записи слова в ЗУ по выбранному адресу необходимая совокупностьЦМД поступает от разрядных генераторов ЦМД . в каналы ввода данных 2"и 3 соответствующих компрессоров.явызывая сдвиг ЦМД в тех из них 1 впозицию 3 которых поступают инфорймационные домены. Возбужденная в этотмомент времени адресная шина Х пере- .водит входное слово по каналам ввода3 - 4 - 1 в соответствующие ДЛ ПМД 111.Время выборки и время записи информации равны между собой и составляютодин тактПредлагаемое ЗУ функционирует также в режиме одновременной записи исчитывания информации . возбуждениеадресной шины Х в момент времени,соответствующий нахождению вектораН 11 в секторе 1-2 (см, чертеж), иницйирует вывод ранее хранимой информации из ДЛ ЦМД Я, а...

Номер патента: 868834

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Коняев, Наймарк

МПК: G11C 15/04

Метки: ассоциативный, запоминающий, мдп-транзисторах, элемент

...Анод фотодиода подключен кстоку одного из управляющих транзисторов.5При переходе этого элемента из режима оптической эаниси к режиму запоминания коммутируется один иэ нагрузочных НДН"транзисторов, что приводитк несимметричной помехе через паразит- Оный конденсатор, образуемый затвороми стоком транзистора в плечах триггера и снижает фоточувствительность, аследовательно, и надежность элемента.Кроме того, элемент содержит большое число транзисторов, что увеличивает габариты,Цель изобретения - повышение надеж.ности и упрощение элемента,Поставленная цель достигается тем,что в ассоциативный запоминающий элемент на МДП-транзисторах, содержащийуправляющие транзисторы, истоки которых соединены с соответствующими разрядными шинами,...

Номер патента: 868835

Опубликовано: 30.09.1981

Автор: Шилинговский

МПК: G11C 19/00

Метки: запоминающее

...устройства, формируются 2 и тактовый сигнал на тактовой шине 17, который О сдвинув начальный код числа на один разряд по кольцу в накопителе 1, уста" навливают начальный код числа в исходное состояние, Одновременно с 2 п тактовым сигналом на тактовой шине 17 формируется второй тактовый сигнал на дополнительный тактовой шине 18, который сдвигает начальный код числа в накопителе 10 по кольцу на один разряд, подключая ко вторым входам элементов И 7, 0 И 8 и И 9, первой, второй и третьей группы третьи разряды г-раэрядных чисел, записанных в накопителе 10, которые через элементы ИЛИ 6 дополнительных групп поступают на вход дешифрато ра 5 и возбуждают соответствующий его выход, с которого разрешающий сигнал поступает на первый вход...

Номер патента: 868836

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Бычков, Пономарев, Фомичев

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...коллектором первого двухколлекторного п-р-п-транзистора, коллектор первого п-р-п-транзистора соединен с базой второго двухколлекторного и-р-п-транзистора,На чертеже представлена электрическая схема ячейки памяти.Она содержит двухколлекторные п-р-п-транзисторыи 2, и-р-п-транзисторы 3 и 4, двухколлекторные р-и-р-транзисторы 5 и 6, шины 7 и 8 питания, шину 9 нулевого потенциала. При реализации предлагаемой ячейкипамяти в составе регистровых ИС с ин -жекционным питанием с целью увеличения степени интеграции элементов накристалле микросхемы коллекторные области р-и-р-транзисторов совмещены ссоответствующими базовыми областямип-р-п-транзисторов, а эмиттерные области п-р-п-транзисторов и базовыеобласти р-п-р в транзистор совмещеныв общей...

Номер патента: 868837

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Бажанов, Бархоткин, Вернер, Воробьев

МПК: G11C 27/00

Метки: аналогового, входного, запоминания, сигнала

...45запоминания аналоговых сигналов является недостаточное время хранения эапомненного сигнала вследствие неполногоиспользования допуска на погрешностьзапоминания, 50Цель изобретения - увеличение времени хранения запомненного сигнала,Поставленная цель достигается тем,что в способе запоминания входного аналогового сигнала, основанном нв накоплении сигнала постоянного уровня, суммировании накапливаемого сигнала с дополнительным сигналом, превышающим величину погрешнзсти запаздывания при накоплеггии и сравнении входного сигнала с суммой наквлливвемого и дополнительного сигналов, входной сигнал смещают нв величину допуска погрешности при хранении и смещенный входной сигнал сравнивают с суммой накаиливаемого и дополнительного сигналов при их...

Номер патента: 868838

Опубликовано: 30.09.1981

Автор: Бондаренко

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...перепада напряжения происходит,насыщение выходного транзистора элемента И-НЕ 4. Закорачивание выходаустройства промежутком коллекторэмиттер насыщенного выходного транзистора элемента И-НЕ 4 необходимодля удержания триггера 7 в заданномсостоянии в интервале времени, в течение которого на обоих входах компаратора 6 действуют нулевые потенциалы, что в некоторых случаях можетбыть причиной установки триггера 7в неопределенное состояние. Затемзадним фронтом импульса происИЕкходит запуск первого одновибратора10, под воздействием положительногоимпульса фиг.2,в) которого производится занесение (фиг.2,д) в блок 1памЯти значениЯ напРЯжениЯ Е 0 ы длЯего последующего хранения (фиг.2,д).После этого задним фронтом импульса5 8688 считывание,...

Номер патента: 868839

Опубликовано: 30.09.1981

Автор: Плеханов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...введен элемент с нелинейной характеристикой, например, диод,анод которого подключен ко второмувходу токового инвертора, а катод -ко второму выходу дифференциальногоусилителя, ко второму входу операционного усилителя и к другой об 35кладке конденсатора,На чертеже представлена функциональная схема предлагаемого устройства.Оно содержит дифференциальныйусилитель 1, токовый инвертор 2,элемент с нелинейной характеристикой,например диод 3, накопительный элемент, например конденсатор 4, операционный усилитель 5, ключ 6, генератор 1 тока и шины 8 и 9 питания.Устройство работает следующимобразом.Исходным состоянием устройствасчитается режим слежения, поскольку 50он, во-первых, является стационарным,во-вторых, предшествует тем переходным...

Номер патента: 868840

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Бездверный, Калмычков

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...потенциала, базы второго р-п-р-транзистора и второго п-р-п-транзисторасоединены с выходом устройства.На чертеже изображена электрическая схема предлагаемого устройства.Она содержит накопительный элемент,например конденсатор 1, первый повторитель напряжения, выполненный на полевом транзисторе 2, первый генератор.тока, выполненный на полевом транзисторе 3, второй, третий повторителинапряжений, выполненные на р-п-р-транзисторах 4 и 5, второй генератор тока, выполненный на р-п-р-транзисторе6, четвертый и пятый повторители напряжений, выполненные на п-р-п-транзисторах 7 и 8, третий генератор тока,выполненный на п-р-п-транзисторе 9,пассивные элементы, например, резисторы 10-17, ключ 18, шину 19 нулевогопотенциала и шины 20 и 21...

Номер патента: 868841

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Ламовицкая, Семаков

МПК: G11C 29/00

Метки: блоке, исправления, ошибок, памяти

...модуля памяти, при этом, крайние выходы сумматоров 1-5 считаютсясмежными. А вторые входы указанныхэлементов И. 10-17 подключены к выходусоответствующего индикатора неисправностей 6-9,Принцип действия устройства основан на использовании свойств кода, определенного проверочной матрицей указанного вида. Для обеспечения возможности исправления ошибок, каждое записанное в памяти слово содержит 2избыточных, или контрольных, разряда,для которых отводятся два иэ общегочисла Й модулей памяти. Контрольнаячасть слова образуется в соответствиис информационной частью слова и проверочной матрицей, так, чтобы длякаждой строки матрицы контрольная сумма по модуль два всех разрядов слова,указанных положением единиц в этойстроке, при отсутствии ошибок...

Номер патента: 868842

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Зайцев, Семаков

МПК: G11C 29/00

Метки: блоках, исправления, ошибок, памяти

...только нО, или только 111".15 Недостатком этого устроются ограниченные функцион можности. турные затраты, снижаюти быстродействие устрой ния - повьппение быстежности устройства да максимальное число86884 умма информационной части считанного слова со всеми составляющими вектора компенсации дефектов, т,е. восстанавливается исходное слово,В предлагаемом устройстве одинаковое запаздывание всех сигналов, равное времени прохождения сигнала через два последовательных двухвходовык сумматора, достигается при построении устройства иэ Ь(2 а+1) таких сумматоров. 1 О Использование предлагаемого изобретения наиболее целесообразно в памяти с преобладанием режима считывания, построенной из полупроводниковых 1 Б интегральных запоминающих элементов,...

Номер патента: 868843

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Автономов, Дроздов, Дятлов, Мамонов

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти, постоянной

...вход .которого подключен к выходу переполнения счетчика 8. Входсброса триггера 9 соединен ео входомсброса анализатора 15 и с одним из выводов ключа 16, другой вывод которого соединен с шиной 5 нулевого потенциала. Прямой выход триггера 9 и выход переполнения счетчика 10 соединены со входами элемента ИЛИ-НЕ 11, выход которого соединен с управляющимвходом генератора 1. Анализатор 15представляет собой сдвигающий регистр 10с линейными обратными связями черезсумматор по модулю два, к выходам которого через дешифраторы присоединены алфавитно-цифровые индикаторы (непоказаны). Тактовым и сбросовым входами сигнатурного анализатора являются соответственно тактовый и сбросовый вход сдвигающего регистра, аинформационным входом - дополнительный...

Номер патента: 868844

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Булгаков, Вариес, Власова, Култыгин

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, контролем

...запоминающих элементов, возникших в процессе эксплуатации. Адреса дефектных запоминающихэлементов заранее известны,По этим адресам в первом дополнительном накопителе 3 хранятся номерадефектных запоминающих элементов. дефекты запоминающих элементов, которые допускаются в основном накопителе 2,могут быть двух типов: выход запоминающего эйемента постоянен и равен 1 и выход запоминающего элементапостоянен и равен О, Типы дефектов запоминающих элементов заранее известны и хранятся в одноразрядном второмдополнительном накопителе 7. Первый 3и второй 7 дополнительные накопителимогут быть выполнены в виде одногоблока постоянной памяти и не содержатдефектных элементов.Запоминающее устройство работаетследующим образом., Адресный блок 1 формирует...

Номер патента: 871219

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Арасланов, Васильев, Воропаев, Гессен, Гольдберг, Живулин, Ильмъяров, Котягова, Филимонов, Цогоев

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, информации, неразрушающим, считыванием, ферромагнитный, элемент

...разрядной обмотке 4 соответствующего отверстия положительного или отрицательного импу"льса напряжения считываемого сигнала.Записанная информация при этом неразрушается.Таким образом, предложенный ЗЭ имеет повышенную плотность записи информации. Формула изобретения каз 8 й 44/24 Тираж 648 одписное ент", г. Ужгород, ул. Проектная илиал ППП мпаунда, .расположенный на противоположных сторонах пластины по всей ширине ее боковой поверхности, а адресная обмотка расположена по периметру пластины в средней части ее боковой поверхности под слоем ферромагнетика.На чертеже изображен предложенный ЗЭ с иеразрушающим считыванием информации.ЗЭ содержит пластину 1 из феррита с ППГ, первый ряд отверстий 2, второй ряд отверстий 3, разрядные обмотки 4,...

Номер патента: 871220

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Новиков, Скобелин, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...апппикация расположена вдоль токовой шины на расстоянии, превьпивющем номинальный диаметр ШЩ, от основной пермаппоевой ап-. пликации и на расстоянии, не меньшем половины номинапьного диаметра ЦМД, от токовой шины.Предпоженное конструктивное решение обеспечивает растяжение домена параллельно токовой шине. Процесс растяжения домена вдоль токовой шины под действием токового импульса не критичен к рассто янию, на которое растягивается домен,40 Это позвопяет отодвинуть допопнитепьную пермвплоевую впппикацию от основной пермаппоевой апппикации на достаточно большое расстояние с тем, чтобы ослабить магнитную связь между этими аппликациями и избежать ограничения области устой45 чивой работы перекпючателя снизу.На фиг. 1 показан...

Номер патента: 873275

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Губа, Косов, Савельев

МПК: G11C 11/00, G11C 7/00

Метки: запоминающее

...режиме считывания из другихустройств ЦВИ на кодовые шины поступают сигналы кода адреса, "Запуск","УстановкаО,", "Включение дополнительного накопителя". Сигнал "Установка О подготавливает к работетриггеры регистра 1 и устанавливаетв исходное состояние триггер 1 О запуска дополнительного накопителя 6,Сигналы кода адреса через регистрадреса поступают на дешифратор иформирователь 2 адресных токов, и посигналу "Запуск" в выбранной числовой линейке накопителя 3 протекаетток опроса, Формируя в выходных шинахнакопителя сигналы "О" и "1". Этисигналы из-за помех могут значительно,отличаться друг от друга, чтозатрудняет их надежное различение.В случае поступления из кодовой шины сигнала "Включение дополнительного накопителя" сигнал "Запуск"...

Номер патента: 873276

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Смирнов, Софийский

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...с прямого выхода 5 регистра 5 инФормации. Одновременнов ассоциативный накопитель 2 поступает синдром одиночной ошибки 5,.1,1Условием загиси укаэанной информациив ассоциативный накопитель 2 является неравенство нулю синдрома 5 .При записи кода числа в запоминающееустройство по адресу А одновремен 1но происходит поиск информации5 , Ь 11 с признаком А в ассоциативном накопителе 2. При наличии5 ,ь" в ассоциативном накопителе синдром 5" расшифровывается дополнительным дешифратором 13 и осуществляет выборку -го сумматора 14, который сравнивает значение константнойнеисправности с 1 со значением 1-горазряда записываемого кода числаи через первый элемент ЛЛИ 5выдает результат сравненинс р"+ЫО 35в ассоциативный накопитель 2 и...

Номер патента: 873277

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Дудков, Дудкова, Корнейчук, Тарасенко, Торошанко

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, многоместных, постоянное, симметричных, функций

...чисел. Числа А 7"я могут изменяться в диапазоне Ои связаны между собой следующим соот- ношением А сА( А ,.сА А, ( А(1) Входные аргументы Х; поступаютна соответствующие подрегистры . входного регистра 1. Блоком сравнения 30 2 осуществляется сравнение записанныхна подрегистрах 1. аргументов ХВ зависимости от выполнения усло- вий ХХ Х,(Х(1)35 ХХ СХссХ, Х 1Хе( Х св СХ у 40на соответствующем выходе блока сравнения 2 появляется единичный сигнал.Будем считать, что при равенствевсех аргументов единичный сигнал появляется только:на одном выходе, например на выходе 1. В зависимости твозбуждений шины блока сравнения 2 икоммутатора 3 подают на входы накопителя 4 аргументы Х таким образом,что на первом входе п младших раз рядов адресной...

Номер патента: 873278

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Аминев, Буткач, Ковалев, Тимофеев

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...6 налов, переключатель 15 тока, эле- ня 14, который смещает уровень управ" мент согласования 16, шина питания ляюших импульсов на величину, необ 7, шина 18 нулевого потенциала1 ходимую для обеспечения активного шина синхронизации 9. режима работы транзистора элементаРабота устройства состоит в сле 5 считывания 13, Счичитывание информа-ции с линеаризирующего накопительного элемента 12 производится с по" элемента заряда первой ячейки памя- мощью элемента согласования 16 в ти 5 закрыт, а транзисто элеменсования в вир элемен- де последовательности из и скачков та заряда 8 отк ыты. П и пр . р оступле напряжения, т.е. амплитудного распрении на вход генератора 1 сигнала син- деления и одновременно возникающих хронизации управляющий генератор 1...

Номер патента: 873279

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Аминев, Ковалев, Тимофеев

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...тока соединен с шинойнулевого потенциала и с накопительным элементом, йапример, с оДной изобкладок конденсатора, другая обкладка которого подключена ко второму выходу переключателя тока и ко входу согласующего элемента выход согласующего элемента соединен с выходом уст,.ройства, шину синхронизации, соединенную со входом первого генератора управляющих сигналов, введены регистрсдвига, второй генератор управляющихсигналов, элемент ИЛИ и вычитающийблок, входы которого соединены с выходами ячеек памяти накопителя, выходвычитающего блока подключен к другой обкладке конденсатора, третьи входы ячеек памяти накопителя соединены с выходом элемента ИЛИ, четвертые входы ячеек памяти накопителя подключены к выходам регистра сдвига, вход...

Номер патента: 875452

Опубликовано: 23.10.1981

Автор: Ройзен

МПК: G11C 5/12

Метки: каркас

...между собой (фиг. 3).ГИЭ в виде ленты с поперечными отверстиями, изображенный на фиг.2 получают, например экструзией аналогично изготовлению трубок изоляционных гибких "(тип П по ГОСТ 17675-72) иэ изоляционных пластмасс, например поливннилхлоридного пластификата (трубки по ГОСТ. 19034-73) или фторопласта 40 и 40 М (трубкИ по ГОСТ 22056-76). Диаметр отверстий ГИЭ составляет 0,2-0,4 мм, шаг между отверстиями равен шагу проводов матриц и составляет 0,5 мм, толщина на- . ружных стенок ГИЭ равна 0,15-0,3 мм. Из бунта Ленти ГИЭ нарезают заготов. ки необходимой длины. Число операций по изготовлению ГИЭ сведено к минимуму, причем все они могут быть ав томатизированы. Прошивочные провода 8 устанавливают в поперечные отверстия ГИЭ при прошивке...

Номер патента: 875453

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Василенко, Мягконосов, Платонов

МПК: G11C 5/12

Метки: матрицы, сердечниках, ферритовых

...осуществляют охлаждение ферритовых, сердеч 4 ников в местах расположения липкойленты до температуры не превышающейтемпературы текучести клеящего вещества.Источники информации,о принятые во внимание при экспертизе.1. Патент США 9 3837951,кл.156-85,опублик. 1974.2. формирование полей ферритовыхсердечников матриц и накопителей ЗУ.фТехнологическая инструкция Бы 25201.,00008 ТИ", Отчет МРП, 1971 (прото- тип).ль В. Вакаролинка Корректор Г. Назарова Заказ 9356/78 Тираж 648 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 филиал ППП "Патентф, г . Ужгород, ул, Проектная, 4 В дальнейшем ферритовые сердечники прошиваются координатными провода-. ми 2 .Недостатком известного...

Номер патента: 875454

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Кандаурова, Памятных

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменами, записи, информации, магнитный, магнитными, носитель, цилиндрическими

...направления в плоскости, препендикулярной оси наведенной анизотропии, неравноценны. Прикладывая магнитное поле, параллельное плоскости пластины или пленки и ориентированное вдоль одного из кристаллографических направлений, вызывают поворот вектора намагниченности в самом ЦМД от нормали к направлению одной из наклонных З 0 осей легкогонамагничивания.Для реализации других информационных состояний ЦМД магнитное поле последовательно ориентируют вдоль других кристаллографических направ лений. Матрица при этом остается неизменной. Поскольку минимальная амплитуда поля записи и полевой интервал стабильности многоустойчивых ЦМД зависит от того, в каком кристаллогра Фическом направлении ориентируется поле записи, оптимальную...

Номер патента: 875455

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Григорьев, Дебинский

МПК: G11C 7/00

Метки: информации, магнитной, считывания, цифровой

...2 и будет означать считывание адреса. На фиг. 3 показаны пунктирные линии 7, условно ограничивающие рабочую область магнитов б, т.е. ту область магнитного поля, в которой обеспечивает ся надежное заикание контактов герконов, и расстояние В, между крайними внутренними точками, лежащими на воображаемой линии Ий порога срабатывания герконов. 20Задача заключается в повышении точности считывания магнитной кодовой информации бесконтактным способом, что обеспечивается, в частности, параметраьк герконов 2, магнитов б и расстояниями 1 фРасстояние 1 стабильно, а расстояния 1 и 1 не являются стабильными. Расстояние 1 нестабильно по причине различных механических воздействий на носитель в процессе его движения относительно устройства...

Номер патента: 875456

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Бородин, Егорова, Огнев, Столяров

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее, самоконтролем

...его в (А) контрольный разряд первого накопителя 1, Для выбранного модуля А количество контрольных разрядов, вырабатываемых формирователями контрольных сигналов первой группы 4 определяется иэ выражения Ки = 1 + 1 од 1 А 1, где )од А)- целая часть числа. Количество панелей памяти первого накопителя с разрядностью (А) для выбранного модуля А определяется величиной модуля А, и при этом одна панель памяти первого накопителя 1 отводится для записи контрольных разрядов по четности.Общая информационная разрядность числа для выбранного модуля А может быть не более величины М = 1 Л)(А).В табл. 1 приведены различные харак.теристики, которые позволяют выбрать нужный модуль для коррекции оыибон,Таким образом, при выбранном нечетном модуле Л...

Номер патента: 875457

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Замковец, Прохоров, Раев, Федотов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...накопиН.Л,Прохоров, В.КРаев, Ю.В.федотов и С.В.Закопитель,в два раэ а уменьшает количество резервных регистров хранения, вводимых в накопитель.Цель изобретения - увеличение быстродействия известного накопителя для ЗУ.Поставленная цель достигается путем того, что в нем регистры хранения нечетных и четных разрядов расположены попеременно и выполнены Г-образной формы, причем их горизонтальные участки направлены навстречу друг другу и магнитосвязаны с соответствующими каналами записи- считывания информации.На чертеже изображена принципиальная схема предложенного накопителя 15 для ЗУ.Накопитель для ЗУ содержит магнитоодноосную пленку, на которой расположены регистры хранения нечетных 1 и четных 2 разрядов, магнитосвязан- . 30 ные с...

Номер патента: 875458

Опубликовано: 23.10.1981

Автор: Попов

МПК: G11C 11/18

Метки: запоминающего, накопитель, оперативного, устройства

...гибкими токопроводящими дорожками, вторые пластины, выполненные из эластичного материала, причем концы стержней с цилиндрическими тонкими магнитными пленкааказ 9356/78 ВНИИПИ Го по делам 113035, МосПодписноо комитета СССРи открытийушская наб., д. 4/5 филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная,ми закреплены в металлизированных отверстиях первых пластин, первые и вторые пластины выполнены в виде монолитной конструкции, причем на вторые пластины нанесены гибкие токо- проводящие дорожки, соединенные с торцами соответствующих стержней, расположенных яа краях первых пластин.На чертеже показана конструкция накопителя, вид со стороны пластин,Накопитель содержит первую плас-. тину 1 с металлизированными отверстиями, являющуюся одной иэ двух...

Номер патента: 875459

Опубликовано: 23.10.1981

Автор: Колубай

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативное, запоминающее

...3 О 33 и 34 - с выходами элементов И 25 и 26, а входы 35 и 26 соединены между собой и с входом 17 формирователя 12 сигналов состояния ячеек памяти, вход 15 которого подключен к орним из 35 входов элементов И 25 и 26, другие входы которых соединены соответственно с выходами элементов ИЛИ 27 и 28 и с входами элемента И 22.АЗУ работает следукцим образом.Начальная установка состояния всех ячеек памяти АЗУ.Иэ блока 3 управления на входы 17 всех формирователей 12 выдается сигнал Сброс . В результате триггер 4 21 и реверсивные счетчики 29 и 30 каждого формирователя 12 перейдут в нулевое состояние. На выходах элементов ИЛИ 27 и 28 установятся нулевые сигналы; так как содержимое каждого из реверсивных счетчиков 29 и 30 равно нулю, Поэтому на...

Номер патента: 875460

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Зосимова, Фет

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативной, памяти, элемент

...вхо 15 дами 16 и 21, соответственно, соседнего справа элемента, разрядные шины.2 и 3 объединяют элементы одного столбца матрицы, а числовая шина 4 является общей для элементов одной строки20 матрицы (фиг. 2).Предлагаемый элемент может работать,в составе ассоциативной матрицыпамяти в режиме поиска чисел, ближайших покодовому расстоянию заданному.25 В режиме поиска числовая шина 4 находится в состоянии логического "Оф,а на разрядные шины 2 и 3 подаетсяпарофазный код признака опроса.Поиск осуществляется за одну Микрокоманду, состоящую из несколькихтактов.В первом такте поданный на разрядные шины 2 и 3 каждого столбцаматрицы код признака одновременносравнивается в каждом элементе с хранящейся в нем информацией. Сравнениеосуществляется...

Номер патента: 875461

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Баженов, Кремез, Роздобара

МПК: G11C 19/00

Метки: запоминающее

...1 триггер 7, находящийся в нулевом состоянии, переводится в единичное состояние, элемент И 8 открывается и устройство переводится в режим 2 Онормализации, в котором осуществляется приведение двоичного фибоначчиевого кода к нормальной форме, при которой в двух соседних разрядах кодане могут быть сразу две единицы.Принцип работгг преобразователя 4 кодов состоит в последовательном просмотре двоичного кода, начиная состарших разрядов. При .наличии единиц в двух соседних разрядах производится операция свертки, вид которойследующий01011 . - ненормализованный код01011- 01011 в ф 011-1000010600 - ненормализованный код,Если единица находится в крайнем младшем разряде, то по свойству нормальных кодов эта единица заносится в...