Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 9) 0) Я) 4 ЕНИ ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБР Н Д ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(56) Авторское свидетельство СССР Р 959160, кл. С 11 С 11/14, 1981.(54) СПОСОБ ИЗЩИХ МАТРИЦ НА ЦИЛНЫХ ПЛЕНКАХ(57) Изобретение относится к вычислительной технике. Цель изобретенияповышение надежности запоминающихматриц путем сохранения геометрических размеров матрицы, Способ включает натяжение технологических струн,образование зева между ними путемих разведения, расположение плоскости разведенных технологических струн ГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТпод углом к плоскости неразведенныхтехнологических струн при неизменномугле наклона между плоскостями зева,формовку проводника технологическимиструнами в направлении от вершины угла, образованного плоскостями зева,посредством закрытия зева при неизменном угле наклона между плоскостями зева до полного завершения формовки, совмещение плоскостей зева в зонеплетения, перемещение сформованногопроводника к адресным обмоткам, заливку компаундом и извлечение технологических струн. Новым в способе изготовления является прокладывание проводника в зеве со стороны вершины угла, образованного плоскостями зева,и переведение разведенных технологических струн в обратный зев с сохранением угла наклона плоскостей технологических струн, равным углу наклона плоскостей струн при.прямом зеве. 3 ил.Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении матриц памя- ти запоминающих устройств на цилин 5 дрических магнитных пленках (ЦМП) и является усовершенствованием способа по авт. св. В 959160.Целью изобретения является повышение надежности запоминающих матриц 10 путем сохранения геометрических размеров матрицы.Сущность предлагаемого способа состоит в том, что на специальном ус.тройстве или ткацком станке натягива ют в качестве основы технологические струны и разводят их для образования зева. При этом плоскость разведенных технологических струн располагают подплоски еразвдннологических струн. Для этого приразведении струн высоту разведения в зоне Формовки увеличивают от струны к струне, сохраняя неизменным угол между плоскостями зева. В образован ный технологическими струнами зев вводят проводник адресной обмотки со стороны вершины угла, образованногоплоскостями зева. При формовке проводника разведенные технологические стру- ЗО ны переводят в обратный зев, сохраняя угол наклона плоскостей техн оло гиче ских струн равным углу наклона плоскостей струн при прямом зеве, Формовку проводника осуществляют в направлении от вершины угла, образованного плоскостями зева, посредством его закрытия при неизменном угле наклона между плоскостями зева. При этом за счеттого, что проводник в зеве прокладывает со стороны вершины угла, образованного плоскостями зева, а разведенные технологические струны переводят в обратный зев, технологические струны, расположенные на стороне, противоположной свободному концу проводника, оказываются более жесткими, чем струны, расположенные на стороне свободного конца проводника,за счет того, что высота их разведения в обратном зеве ка стороне, противоположной свободному концу проводника, становится большей, а на стороне свободного конца проводника .становится меньшей. Это приводит к тому, что глубина Формовки проводника по всей его длине становится равномерной,Сохранение угла наклона плоскостей технологических струн в обратном зеве равным углу наклона плоскостейтехнологических струн при прямом зеве обеспечивает одинаковые условияформовки проводника при плетении последующих витков адресных обмоток припрокладке проводника как слева направо, так и справа налево со сторонывершины угла, образованного плоскостями технологических струн. Сформированные проводники перемещают к адресным обмоткам, заливают компаундоми извлекают технологические струны.На фиг,1 изображена прокладка проводника в зеве со стороны вершины угла зева; на фиг,2 - разрез А-А наФиг.1; на фиг.3 - то же, после перевода разведенных технологическихструн в обратный зев,На чертеже показаны технологические струны 1 и 2, зев 3, провод 4адресной обмотки, витки 5 адреснойобмотки, обратный зев 6, угол междуплоскостями разведенных и неразведенных технологических струн,В соответствии с предлагаемым спо.собом изготовление запоминающих матриц на ЦМП осуществляется следующимобразом.В качестве основы натягивают технологические струны 1 и 2, с помощьюремизных рам (не показаны) их разводят и образуют зев 3, при этом плоскость, образованная струнами 1, составляет с плоскостью, образованнойструнами 2, угол К, В зев 3 со стороны вершины угла вводят провод 4 адресной обмотки 5. Формование провода4 происходит при закрытии зева 3 после перевода разведенных технологических струн в обратный зев 6 с сохранением угла наклона между плоскостямиструн 1 и 2,Формовку провода 4 осуществляюттехнолоическими струнами от вершиныугла К , образованного плоскостямитехнологических струн 1 и 2, в направлении свободного конца провода 4.Угол между плоскостями технологических струн сохраняется неизменным до конца формовки провода 4. Свободный конец провода 4 при формовке втягивают из более широкой части в зону формовки за счет то.го что при переводе разведенных технологических струн 1 в обратный зев жесткость струк 1 на стороне, противоположной свободному концу провода 4, увеличивается, а на стороне свободного конца провоз 1 З 27 да 4 уменьшается, происходит выравнивание глубины формовки провода 4 по всей его длине. За счет одинаковой глубины формовки провода 4 технологическими струнами 1 и 2 по всей его длине технологические струны 1 и 2, располагаясь в сформированных витках одинаковой глубины, не отклоняются от нейтрального положения в сплетенной матрице. Это обеспечивает сохра О некие геометрических размеров матрицы, что обеспечивает, в свою очередь, одинаковые условия намагничивания участков ЦМП, а также позволяет исключить обрывы технологических струн 15 при их извлечении из матрицы на последующих стадиях технологического процесса и приводит к образованию каналов в матрице после извлечения струн 184 . 4 с необходимыми геометрическими параметрами. ф о р м у л а и з обре т е н и я Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках по авт. св. У 959160, о т - л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности запоминающих матриц путем сохранения их геометрических размеров, проводник в зеве прокладывают со стороны вершины угла, образованного плоскостями зева, а при формовке проводника разве" денные технологические струны переводят в обратный зев с углом наклона плоскостей технологических струн, равным углу наклона плоскостей при прямом зеве.1321184 оставитель В. Г. Гордоноваехред Л,Олийнык рректор Л,Пилипенк Редактор И.Рыбченк Заказ 3404/49 одписно Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул,Проектная Тираж 589 ВНИИПИ Государственног по делам изобретений 113035, Москва, Ж, омитета СССРоткрытийшская наб., д, 4/