G11C — Запоминающие устройства статического типа

Номер патента: 1596395

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Малевич, Пранович

МПК: G11C 21/00

Метки: динамическое, запоминающее

...формирователем 3 и преобразуетсятриггером 6 в поток перепадов(фиг. 2 г), который на выходе элемента ИЛИ 5 дополняетсяперепадом в момент 1 о начала записи(фиг. 2 д). Этот поток перепадов проходит через элемент И-НЕ 10 в формирователе 2 иначинает циркулировать в контуре рецирхуляции с периодом Т (фиг. 2 е),Считывание записанного потока импульсов осуществляется с помощью блока 8селекции следующим образом.Первый перепад напряжения с выхода формирователя 2, пройдя через элемент И 12, запускает одновибратор 14.Импульс, сформированный одновибрато. ром 14 (фиг. 2 ж), имеет длительность т 2,которая удовлетворяет следующему соотношениют 1 (т 2 (Т. Этотимпульсзакрываетэлемент И 12 на время существования навыходе контура рециркуляции...

Номер патента: 1596396

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Кондратюк, Лутковский, Пранович

МПК: G11C 21/00

Метки: динамическое, запоминающее

...порогового элемента 18 приводит к синхронизации фронта и спада каждого импульса потока с фиксированной в пределах периода Т, фазой СВЧ-сигнала (фазой синхронизации). Так как фронт переключает элемент 18 из состояния "0" в "1", а спад - из состояния "1" в "0", то фазы синхронизации для каждого из этих переключений сдвинуты на Т,/2, Следовательно, длительность импульсов, циркулирующих в элементах памяти 13 - 15, равна целому числу полупериодов СВЧ-сигнала, Интервалы между импульсами равны целому числу периодов Тс. Так как каждый из импульсов в элементе 13 сфазирован с синхронизирующим СВЧ-сигналом, то это ведет к деформации нэ выходе элемента 13 длительностей временных интервалов, сформированных на первом выходе блока 1. Для повышения...

Номер патента: 1596397

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Баранов, Березин, Королев, Поплевин

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, оперативное, резервированием

...на входы элементов И 16 генератора 2 и разрешает прохождениеинформации с входов 8 на входы сумматоров 13 и 14 по модулю два генератора 2кода, Генератор 2 производит вычисление20 контрольных разрядов для поступивших информационных разрядов, которые записы-.ваются в блок 1 памяти по соответствующимуправляющим сигналам выборки кристаллаи разрешения записи (на чертежах не по 25 казаны) блока 1 памяти.Если на входы 7 поступил адрес слова,в котором имеется две неисправности, блок5 сравнения соответствует этому адресу.Блок 6 выдает на входы управления ре 30 жимом генератора 2 кода Хэмминга сигналы а а 1,Ьаоа 1, Ьао а 1.Генератор 2 в качестве контрольныхразрядов выдает значение разрядов Оо- Оз,что и будет записано в блок 1 памяти. При35...

Номер патента: 1597933

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Беловолов, Визнер, Дианов, Есьман, Карпов, Пилипович

МПК: G11C 13/04

Метки: запоминающее, оперативное, оптическое, типа, циркуляционного

...сдвиг Г0 или ГГ в зависи.мости от информационного символа на его электрическом входе (фиг. Зг, д). Фазовый сдвиг в оптическом луче на выходе третьего модулятора 28 равен .50 55 После авода. послед она тель нос ти в волоконный светонод 1, снимается разрешающий сигнал с шины 5 управления эаписью и на второй управляющий вход блока 7 управления подается разрешающий сигнал сшины 6 управления циркуляцией, При этом второй ипформационный вход блока 7 управления соединяется с его выходом, замыкая, таким образом, контур циркуляции информационного сигналя. сумме фазовых сдвигов, вносимых вторым 27,и третьим 28 модуляторами(фиг. Зж). Второй модулятор 27 управляется информационной последовательностью, задержанной на дна символа,что...

Номер патента: 1597934

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Кибирев, Криворучко, Попова

МПК: G11C 15/00, H03K 19/20

Метки: ассоциативная, логическая, матрица, программируемая

...5, ввода-вывода 15 и 16.и ключей 19 на соединение либо несоединение с соответствующими шинами.. Программируемые ключи 3 опроса,например строки(1 = 1, 2, , ш)матрицы 1 программируются на реализацию некоторого терма С, причем если переменная х входит в терм д в прямом виде, то установочный вход ключа 3 опроса, например, ячейки 11 с Ос = 1, 2, , и) программируется на соединение с информационной шиной 12 столбца К матрицы 1, если переменная х входит в терм 1 в инверсном виде, то установочный вход программируемого. ключа 3 опроса программируется на соединение с инФормационной шиной 11 столбца Е, установочный вход ключа 3 опроса несоединяется ни с одной из информационных шин 12 и 11 столбца 1 с, еслипеременная х не входит в данныйтерм л...

Номер патента: 1599897

Опубликовано: 15.10.1990

Автор: Сидорович

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...следующим образом.При обращении процессора по адресу А, распознаваемому дешифратором 1, происходит обращение к ячейке блока памяти 2, адрес которой указан в счетчике 3, при этом происходит расширение памяти от одной ячейки до объема блока памяти 2. Поскольку и счетчик 3 и ячейка блока памяти 2, адресуемая счетчиком 3, соответствуют одному и тому же адресу А адресного пространства, их выборка осуществляется демультиплексором б в зависимости от предыстории обращения по адресу А, а именно, если предыдущее обращение по адресу А было чтением, а текущее - записью, выбирается счетчик 3. Во всех остальных случаях выбирается ячейка блока 2 памяти, адресуемая счетчиком 3. Этот анализ выполняют триггер 4 и элемент И - НЕ 5. При инициализации...

Номер патента: 1599898

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Архаров, Герасимов, Гулевский, Настрадин, Рышков

МПК: G11C 11/40

Метки: динамический, памяти, элемент

...областей сопротивление запертого транзистора 3 меньше сопротивления транзистора 1, и обратный ток, проходящий через них создает на транзисторе 3 падение напряжения равное нулю. Переход из первого устойчивого состояния во второе начинается с момента подачи на вход элемента отрицательного импульса, амплитуда которого по абсолютной величине превышает пороговое напряжение МОП транзистора 1. При этом заряжается конденсатор 4 и открывается МОП транзистор 1. Параметры схемы элемента памяти выбраны такими, что после окончания действия на входе информационного сигнала, к моменту прихода импульса от источника питания конденсатор 4, зарядившись через транзистор 3 (величина заряда тока зависит от геометрических размеров стоковой области...

Номер патента: 1599899

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Гольдин, Кондратьев, Романовский, Цирлин

МПК: G11C 19/00

Метки: асинхронный, кмдп-транзисторах, параллельный, регистр

...цепочка перетягивает инвертор 5), а на выходе инвертора 4 появляется низкий потенциал. Только после того, как информация запишется во все ячейки памяти 1 - 3 и потенциал на выходах их инверторов 4 станет противоположен потенциалу на соответствующих информационных входах 15 - 17, произойдет переключение элемента 11 и на его выходе появится высокий потенциал, который закроет транзис 5 10 15 20 2 б 30 35 торы 8 ячеек 1 - 3, т.е. отсечет их от информационных входов 15 - 17. После этого переключится инвертор 1 О и на его выходе, т.е. выходе 14 регистра появится низкий потенциал, что свидетельствует о завершении переходных процессов в этой фазе работы регистра.После этого произвольным образом могут изменяться сигналы на информационных входах...

Номер патента: 1599900

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Александров, Антонов

МПК: G11C 19/00

Метки: буферное, запоминающее

...9 импульсов, регистр 10 входных данных, эле мент ИЛИ 11, ключ 12, Элемент И 13, триггер 14, одновибратор 15, элемент НЕ 16, схему 17 сравнения, КЯ-триггер 18 и элемент И 19. Устройство работает следующим образом.При поступлении импульса записи ЗП или импульса считывания СЧ состояние счетчиков адресов записи 5 или адресов чтения 6 меняется. При совпадении значений адреса записи или адреса чтения схема сравнения 17 на выходе выставляет сигнал равенства кодов.Этот сигнал в зависимости от состояния КЬ-триггера 18 проходит или не проходит через элемент И 19 на выход устройства.Сигналы равенства адресов при переходе счетного импульса на вход счетчика 6 адресов чтения не проходит на информационный выход устройства, так как этот счетный...

Номер патента: 1599901

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Лисицын, Марголин

МПК: G11C 29/00

Метки: аварийном, информации, отключении, памяти, питания, полупроводниковой, сохранения

...на резисторе 7 высокий уровень напряжения будет сохраняться на выходе 21 устройства все время, когда напряжение основного источника 1 питания ниже номинального. Память 3 будет при этом находиться в режиме хранения.При снижении напряжения основного источника 1 питания ниже напряжения резервного источника 2 питания, разделительный элемент на диоде 3 закрывается, а разделительный элемент на диоде 4 открывается, обеспечивая непрерывность подачи питания на память 5 и поддержание высокого (запрещающего) уровня на выходе устройства 21.При включении питания (Т 5 фиг. 2) напряжение питания нарастает от нуля до номинального значения. Напряжение на стабилитроне 14 нарастает от нуля до напряжения стабилизации стабилитрона 14 (Тб фиг, 2),...

Номер патента: 1461267

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Арабей, Соловьев, Шкирман

МПК: G11C 13/04

Метки: записи, информации, оптической

...магериала 2 вьиигается стабиль"НЫЙ ПРаваЛ На ЧаСтаТЕ ) (СМ,фИГ,4)оВ силу Иэотропного распределения убисходных фотоактивных центров фота-индуцированной реакции лодвергаютсяте молекулы, которые ориентированытак, что угол 8 между. Векторам паля -ризации лазерного излученияи диполь-, 2 Бньм моментом молекулы близок к нулю,т.е. сое Им 1. Число молекул, длякоторых сое 8 ( 1, уменьшается значи-.тельно слабее поц действием процессафаТОВЫжИГаНИЯ В РЕЭУЛЬтатЕ В,СПЕК- Нтральном контуре паласы поглощенияна частоте(частотно-селективнаяразмерность) образуется спектралЬныйпровал, который формируется выжженными молекулами с пространственнымраспределениемпропорциональнымсое,Я . Именно зта фотохимически инЯдуцированная аиизотропия спектрального...

Номер патента: 1601641

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Доватов, Житников

МПК: G11C 11/16

Метки: задержки, свч-импульсов

...1,со= В,о+ КУ Нгде К - коэффициент, зависящий от выбранной пары энергетических подуровней основного состояния щелочного атома; Но - величина постоянного магнитного поля; у - гиромагнитное отношение,Далее СВЧ-импульс поступает на вход модулятора 11, с помощью которого осуществляется 100 -ная амплитудная модуляция этого СВЧ-импульса с ларморовской частотой щелочных атомов о)л-= у Но. Под действием амплитудно-модулированного СВЧ-импульса осуществляется одновременное возбуждение двух переходов сверх- тонкой структуры щелочных атомов, что приводит к возникновению радиочастотной когерен 5 ности, т.е. к появлению компоненты суммарной поперечной намагниченности поглощающей ячейки 1, осциллирующей на частоте ил,После окончания СВЧ-импульса...

Номер патента: 1603436

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: источника, калибровки, магнитного, поля

...Магнитное поле смещения и импульсное магнитное поле направлены противоположно и перпендикулярно плоскости магнитной пленки,1603436 Составитель Г,АникеевТехред М.Моргентал Корректор В.Гирняк РеДактор А.Лежнина Заказ 3389 Тираж 486 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Пленку в области воздействия импульсного поля освещают плоскополяризованным светом, который проходит через магнитную пленку и прозрачную гранатовую подложку, анализатор поляризации и поступает в фотодетектор, где преобразуется в электриче,ский сигнал. Величина электрическогосигнала фотодетектора пропорциональна...

Номер патента: 1603437

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Варшавский, Кондратьев, Кравченко, Цирлин

МПК: G11C 19/00

Метки: буферное, запоминающее

...00 запрещен;Значения на выходе 19 устройства соответствуют следующему: б - информацияподготовлена для передачи из последнейячейки, 1 - информация в последней ячейке 50не подготовлена.Значения на входе 18 устройства соответствуют следующему: 1 - приемник готовк приему информации, 0 - приемник принялинформацию иэ устройства, 55Запись информации в ячейку памяти 1,1по входам 9,р и 10,р происходит тогда, когцав ячейке 1 ф) записана информация, а вячейке 1 1+1) информация стерта, Стираниеинформации в ячейке 1, происходит тогда,когда в ячейке 1 Л 1) информация записана,Сложность реализации ячейки памяти предлагаемого устройства составляет 2 гп+2 элемента И-НЕ против 4 п 1 в прототипе,Формула изобретения Буферное запоминающее устройство,...

Номер патента: 1603438

Опубликовано: 30.10.1990

Автор: Мягков

МПК: G11C 21/00

Метки: запоминающее, стековое

...блока управления имеется сигнал "1", т,е, происходит перезапись информации из оперативного накопителя 4 во второй буферный регистр 5.При поступлении на вход блока 8 управления и/2 импульсов на входе синхронизации первого счетчика-делителя 14, а следовательно, и на третьем выходе блока 8 управления появляется сигнал "0", на выходе второго счетчика-делителя 15 - сигнал "1", а на пятом выходе блока 8 управления - сигнал "0", При поступлении на вход синхронизации блока 8 управления и/4 + + и/2 импульсов на третьем выходе блока 8 управления появляется сигнал "1", т.е. происходит перезапись информации из первого буферного регистра 3 в оперативный накопитель 4.При поступлении на вход синхронизации блока 8 управления и импульсов на третьем...

Номер патента: 1603439

Опубликовано: 30.10.1990

Автор: Карлов

МПК: G11C 29/00

Метки: жгутов, запоминающих, кодовых, постоянных, устройств

...вырабатывается сигналсоответствия информации жгутов 4 и 6 вкаждом информационном проводе (адресеПЗУ).При ошибке в прошивм ПЗУ а элемент9 записывается "1", разоешающая запись вблок 10 информации об адресе и характереошибки, например, разрядной ошибки.В случае правильной прошивки ПЗУ поданному адресу содержимое счетчика 1 увеличивается на "1 для контроля следующихин форма ционн ых и ро водо в П ЗУ.Достоверность результата обеспечивается многократностью сравнения информации по одному и тому же адресу, например,бинарным считыванием, При этом переходк очередной ячейке контроля осуществляется заданным количеством либо ошибок, либо правильных результатов контроляданного информационного провода ПЗУ.Закодированный в шифраторе 7 результат...

Номер патента: 1603440

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Николаев, Храпко

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, исправлением, обнаружением, ошибок

...памяти 2.1, 2.2, , 2.в+1. Блок 7 передает на информационные входы модулей памяти через группу элементов ИЛИ информацию с регистров 4, блокируя при этом одно из слов, которое замещается подлежащим записи словом, поступающим с блока 6. Группа элементов ИЛИ 8 выполняет функцию обьединения информации, поступающей с блоков 6 и , в процессе записи нового слова информации и регенерации (перезаписи)5 10 20 2530 35 40 45 50 Дешифратор 9 в соответствии со старшими (или младшими) ц-разрядами адреса, поступак щими на его вход, управляет порядком считывания и записи (регенерации) информации,Группа элементов НЕ 10 инвертирует выходы 1, 2, и дешифратора 9 с тем, чтобы обеспечить такое управление блоком 7, при котором одно слово информации...

Номер патента: 1605281

Опубликовано: 07.11.1990

Автор: Стыврин

МПК: G11C 29/00

Метки: блоках, интегральной, обнаружения, оперативной, ошибок, памяти

...5, наличие ошибки при поразрядном сравнении, циклы проверкипамяти (записи-считывания и чтения),прямой или инверсный код контрольноготеста и код текущего адреса проверяемой ячейки памяти,Таким оЬразом, повышается достоверность обнаружения неисправностей в 05281 6блоках интегральной оперативной памяти, что позволяет осуществлять функционально-технологический контроль,диагностику и наладку блоков памятипри изготовлении и ремонте, а такжевходной функциональный контроль БИСполупроводниковой оперативной памятив автономном режиме на их рабочихчастотах.Указанные преимущества обусловлены реализацией режимов многократногообращения (циклы записи-считывания)по адресу яцейки памяти с ошибкой,двукратного обращения по каждомуадресу ячеек памяти при...

Номер патента: 1606969

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Дрозд, Карпенко, Лацин, Полин, Шабадаш

МПК: G06F 1/04, G11C 29/00

Метки: задержки, информации, самоконтролем, цифровой

...такте, Вычисленный контрольный разряд сравнивается схемой 6сравнения с контрольным разрядомсчитанным в данном такте из блока 3управляемой задержки,Если в процессе задержки произошлоискажение одного информационного разряда последовательности, считанногов 1-м такте, то контрольные разряды,вычисленные в 1-м и (1+1)-м тактах,будут отличаться от контрольных разрядов, считанных в этих тактах изблока 3 управляемой задержки. Такимобразом, наличие двух подряд несовпадений контрольных разрядов в 1-м иЦ+1)-м тактах свидетельствует обискажении 1-го информационного разряда.Сигнал о первом несовпадении контрольных разрядов поступает с выходасхемы 6 сравнения на вход триггера8 контроля и яерез датчик 10 ошибкина выход 16 устройства и...

Номер патента: 1607013

Опубликовано: 15.11.1990

Автор: Тенк

МПК: G11C 7/00, G11C 8/12

Метки: адресный, формирователь

...или значительнониже напряжения питания. При этомнизкое пороговое напряжение можетиметь транзистор 3, либо транзистор4, либо транзисторы Зи 4 одновремен-но, что соответствует состояниям элемента 1 памяти "Лог.1", "Лог.О" либобезразличному состоянию. В последнемслучае сигнал на выходе 6, разрешающий обращение к ПЗУ, будет вырабатываться при любом коде адреса на,входе5 данного элемента 1 памяти.Если пороговое напряжение транзистора 3 ниже напряжения питания, то его сток и подключенный к стоку вход блока 2 находятся в состоянии "Лог,О", а сток транзистора 8 - в состоянии с ИЛог.1 , если пороговое напряжение соответствующего транзистора 4 превышает напряжение питания. Если пороговые напряжения и транзистора 3, и транзистора 4 данного элемента...

Номер патента: 1607014

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Прокопенко, Рыжкова, Сидоренко, Тальнова, Хцынский, Ярандин

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...что на управляющей шине 9 напряжение высокого уровня, между областями 2 3 образуется канал, напряжениепрограммирования от программирующейшины 8 поступает на первую. диффузионную область 2, пробивает второй диэлектрический слой 6 и между слоем 7и первой диффузионной областью 2 формируется низкоомное соединение, эле 55мент запрограммирован (записанноесостояние - низкое сопротивление). Использование туннельно-тонкого слоя 6 из диоксида кремния, применение в качестве слоя 7 пленки поликремния позволяет совместить изготовление элемента памяти с технологией ЭС РПЗУ с плавающим затвором, что дает возможность повысить устойчивость и надежность воспроизводимых характеристик элемента памяти, не приводящих к потере информации программирующих...

Номер патента: 1607015

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Загитов, Иосипов, Кавказский, Курячьев

МПК: G11C 19/00

Метки: регистр, сдвига

...который может записаться в первый разряд регистра по переднему фронту очередного тактового импульса.В результате произойдет искажение интервала между первым и вторым импульсами обрабатываемой импульсной последовательности: на входе регистра интервал между передними фронтами нм7015 40 45 50 55 5 160пульсов равен ЗТ, а в регистре интер-,вал между ними ранен 2 Т.Импульсы обрабатываемой последовательности передвигаются в регистре,появляясь поочередно на его выходах16-20. 11 ри этом в момент временипервый импульс появляется на выходе17 триггера 4 5 и через элемент ИЛИ 7в виде сигнала логической 1 поступает н а один из входов элемента И 8,н а другом входе которого присутствуеттакже сигнал уровня логической единицы с выхода...

Номер патента: 1607016

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Варшавский, Кондратьев, Романовский, Цирлин

МПК: G11C 19/00

Метки: асинхронный, параллельный, регистр

...запишется во всеячейки 1-3 памяти ипотенциалы на выходах их инверторов 4 станут противоположными потенциалам на информационных входах 18-20, произойдет переключение элемента 9 управляющего триггера 8. При наборе значений на информационных входах 18-20, не требующем переключения ячеек 1-3 памяти, переключение элемента 9 триггера 8 вызывается только появлением низкого потенциала на выходе элемента 13. Одновременно с этим низкий потенциал, поданный на вход 17 регистра, вызывает появление высокого потенциала на выходе элемента 11, Переключение элементов 9 и 11 вызовет в свою очередь срабатывание элемента 10 управляющего триггера 8, на выходе которого появится низкий потенциал,7016 6транзисторах по сравнению с прототипом (при любом...

Номер патента: 1607017

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Редченко, Яворский

МПК: G11C 19/00

Метки: информации, сдвига

...на первом выходе распределителя 3 появляется импульс, устанавливающий в состояние "1" триггер 12,35 на выходе элемента 13 формируется сигнал "1", а на выходе ицвертора 14 - сигнал "О". Формирователи 15, 16 срабатывают от перепада импульса, в данном случае, например, от перепа О да с уровня "О" ца уровень "1". В этом случае на выходе формирователя 16 формируется импульс (1 Тм), который переписывает младший разряд сдвигающего регистра 1 в триггер 4, сдви гает информацию в регистре 1 ца один разряд и одновременно разрешает про - хождение информации с выхода элемента 5 через элемент И 7 и элемент ИЛИ 9 на выход 21 устройства, Таким образом, по первому входному сигналу ца выход устройства сдвига выдается информация, соответствующая...

Номер патента: 1608744

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Линник, Пичугин

МПК: G11C 5/02

Метки: блоков, накопитель, памяти, сердечниках, ферритовых

...импульса разрядного тока на время, необходимое для завершения переходных процессов установления тока и затухания помехи в разрядной цепи, При этом, если выбранный ферритовый сердечник находится в состоянии "1", происходит его перемагничивание в состояние 0 , и на вы 11 1бранном разрядном проводе наводится 1 0 ЭДС , соответствующая сигналу " 1 11 . Полезный сигнал с сердечника считывается с выбранного разрядного провода (система 2,5 Д 2 Я) либо со специальной обмотки счйтывания (система 2,5 ЛЗУ). 15Выполнение цепи адресного тока в виде двухпроводной линии, состоящей из адресного провода 5 и печатного проводника 6, по которому адресный ток возвращается к элементам 2 элек троники обрамления,. обуславливает значительное снижение...

Номер патента: 1608745

Опубликовано: 23.11.1990

Автор: Землянухин

МПК: G11C 8/10

Метки: адреса, дешифратор

...на 01 соответственно произойдет новое перераспределение потенциалов и токов в схеме, приводящее к появлению низкого потенциала на втором выходе 25 и высокого потенциала на остальных выходах 24, 26 и 27, Это обеспечивается тем, что к базам четвертого и третьего повтори- тельных транзисторов 10 и 9 будет приложен низкий потенциал, а к базам первого и второго повторительных транзисторов 7 и 8 - высокий. Быстрое появление высокого потенциала на первом выходе 24 будет обеспечено большим током, направленным на перезаряд паразитных емкостей узла и развиваемым в цепи первого эмиттера первого повторительного транзистора 7. При этом на базах первого и пятого ключевых транзисторов 1 и 5 потенциал понизится, а на базах второго и...

Номер патента: 1608746

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Орлов, Тунев, Устинов

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...идет обращение к регистру страницы и если младшие разряды данных, поступающие с магистрали ЭВМ 7 через блок 6 сопряжения на вторую группу информационных входов первой схемы 3 сравнения, совпали с информацией, установленной на первой группе информационных входов первой схемы 3 сравнения, первая схема 3 сравнения выдает сигнал СПД - сигнал совпадения данных, который поступает на первый 14 и второй 15 блоки логики, и далее первый блок 14 логики выдает сигнал У - сигнал установки в единичное состояние первого триггера 6,состояние примут сигналы ф 2 и ФЗ. Далее первый блок 14 логики в случае, если записанный в третий регистр 26 обмена адрес является адресом регистра страницы, вы ставляет на свой четвертыи выход единичный уровень сигнала...

Номер патента: 1608747

Опубликовано: 23.11.1990

Автор: Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: анизотропии, магнитной, магнитных, пленке, полей, эффективных

...критической напряженности постоянного магнитного поля Нлк , по которой судят о компонентах эффективных магнитных полей, имеющих различную физическую природу.Сущность изобретения заключается в следующем.Известно, что согласно результату классической теории Стонера-Вольфарта перемагничивание магнитных пленок вращением векторов намагниченности должно происходить при достижении критерия, который для магнитоодноосных пленок можно записатьв виде Н /з+Н/= (4 к - 4 дМ ) /, и 8 где Н и Ни в компоненты магнитного поля,перпендикулярная и параллельная плоскости пленки соответственно;Н - поле одноосной анизотропии;4 лМ - намагниченность насыщения, Для данного случая это условие может быть переписано в виде=(Н 4 М )ф,где выделены перпендикулярная...

Номер патента: 1608748

Опубликовано: 23.11.1990

Автор: Лесных

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающий, модуль

...ортогональных катушек создается вращающееся магнитное поле, необходимое для управления и продвижения ЦМД в доменосодержащем кристалле. Полосы из магнитомягкого материала, выполненные методами интегральной технологии, обеспечивают уменьшение величины тока, необходимого для возбуждения катушек. При этом уменьшается потребляемая мощность, повышается надежность за счет улучшения температурного режима работы модуля и расширяется диапазон функционирования. 2 ил. Запоминающий модуль функционирует следующим образом.При подаче переменных токов, например, треугольной формы, сдвинутых на 90, внутри ортогональных катушек 6 и 7 создается вращающееся магнитное поле, необходимое для управления и продвижения ЦМД в доменосодержащем кристалле 5, Полосы...

Номер патента: 1608749

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Курочкин, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...в нужном направлении ЦМД путем взаимодействия последних с переменным во времени и пространстве магнитным рельефом, создаваемым протекающими токами.За исходное состояние примем такое, когда канал 2 ввода-вывода свободен отЦМ запо в по н трех иска В заро пода рази сдви мени гают мая Узел ЦМ соот К А на гистр ния импу(фиг. сумм напр полу ного релье выво 28 и Б, а и кр пози слоя крае слоя П слоя нени вател один Одно ввод цию,проти маци зици за эт в ка хран ввода Таки ТОКОВ ввода инфо 3 ин выво перем стран 2 вво на од За 3 и инфо вода, а регистры 3 хранения информациииены ЦМД 26 и 27, находящимисяициях А.копитель может работать в одном изрежимов: записи, считывания или поинформации.режиме информации ЦМД 28 и 29даются в узле 6 генерации и...