G11C — Запоминающие устройства статического типа

Номер патента: 1633454

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Боженко, Кондратов, Крот, Мешков

МПК: G11C 11/00

Метки: блок, буферной, памяти, терминального, устройства

...входам блоков 6, 1 О подклюцается 8 старших разрядов счетчика 3 в кацестве АС 1 - 8. По отрицательному фронту СА 81 (фиг. Зе) адреса столбцов заносятся в блоки 6, по СА 52 (фиг. Зк) - в блоки 10 и производится выборка этих блоков (фиг. Зз, м). По положительному фронту сигналов САЬ выходы блоков 6, 10 переходят в третье состояние.При наличии сигнала ЗП на входе 13 (фиг. 4 б) по сбросу сигнала АС 8 (фиг. 4 а) устанавливаются триггера 16 (фиг. 4 г) и 17 (фиг. 4 д). В блоках 4 и 10 начинают выбираться ячейки с адресом АК 8=1. По следующему сбросу сигнала АС 8 триггер 16 сбрасывается, в результате чего на выходе элемента И 19 устанавливается уровень 1 (фиг. 4 е), поступающий на элементы ИЛИ 8 и 9 и блокирующий дальнейшую запись в блоки 6 и...

Номер патента: 1633455

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Гришин, Пермяков, Ульянов

МПК: G11C 11/14

Метки: вихрях, информации, магнитных, считывания

...он обладает избытком энергии и неизбежно сократится, заняв место над шиной 9. Пропускают ток через систему токовых шин, свободных от МВ. Тогда под действием магнитного поля токовой шины ближайшие к ней МВ соответствующей полярности смешаются на край шины. После выключения тока МВ смешается в сторону утоньшения пленки над этой шиной, т. е, в очередные бит-позиции, осуществляя свое продвижение на полшага. При подаче тока в следующие шины процесс повторяется и МВ смещаются на вторые полшага. Гаким образом, все МВ одинаковой полярности продвигаются системами шин с сохранением порядка следования в каналах и синхронно во всех каналах, а следовательно, с сохранением чередования МВ и вакансий, несущих информацию. Продвижение осуществляется с...

Номер патента: 1633456

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Гультяев, Ксиров, Стариш

МПК: G01R 33/12, G11C 11/14

Метки: доменах, информации, магнитных, накопителей, параметров, цилиндрических

...8 токов создается поле врашения. Управляюшее слово с первой группы выходов блока 1 обработки поступает в регистр 22 адреса формирователя 8 токов (фиг. 1, 2).Термокамера 4 на координатном столе 5 (фиг, 1) перемешается вверх в рабочее положение, при котором направляющая втулка 19 с волоконным световодом 18 введена в термокамеру (фиг. 4). Блок 11 обработки задает температуру, при которой проводятся измерения. После того, как блок 1 О регулирования температуры обеспечит необходимое ее значение в термокамере 4 с помощью регулировки выходного напряжения блока 6 питания электромагнита 1 поля смещения устанавливается необходимое значение напряженности поля смешения. Амплитуды токов поля управления и токов для функциональных элементов...

Номер патента: 1633457

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Красовский, Раев, Федоров

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, маркера, памяти, поиска

...5 установлен ве врч, пока из накопителя 12 поступк г ор. мационные символы (содержимое сцчик " ченьше или равно солержичол у рцс рд 1 О).Разрцдюший сигнал цд цр ыхсле првсго кочпдратора установии ьчс врч, цокз цд выхсл накопителя 2 нтуд т 5 10 15 20 25 30 35 40 45 проверочные символы (содержимое счетчика 2 больше содержимого регистра 10 констант). Разрешающий сигнал на втором выходе первого компаратора 5 снимается, когда заканчивается вывол цнфорлдццн, - писанной в накопителе 12 н лсцслл алресуНа первый вход счетчика 8 нулей и. тупакт сигналы с выходе коммутатора 4, а нз второй вход поступаетигналперного выхода первого компаратора 5.Содержимое счетчика 8 нулей поступает на вторую группу входов второго компаратора 6, на первую группу...

Номер патента: 1633458

Опубликовано: 07.03.1991

Автор: Вербовецкий

МПК: G11C 11/42

Метки: ассоциативного, запоминающего, оптический, оптоэлектронного, устройства

...2 - схема узла синхронизации.Оптический преобразователь содержит операциойный блок 1, блок 2 волоконных разветвителей, оптически управляемый транспарант 3, лазер 4, маску 5, проекционный блок 6, оптический вентиль 7, блок 8 волоконных объединителей, блок 9 синхро.низации.Операционный блок 1 предназначен для преобразования в каждом парафазном знаке внутри одной и той же страницы информации световых пучков, отображающих парафазные 1 и О, в пучки, отображающие только парафазные 1. Для этого операционный блоксмешает в каждом разряде страницы положение оптического сигнала парафазного О так, чтобы все оптические сигналы отображали только парафазные . Блок 1 может быть выполнен, например, в виде матрицы волоконных объединителей или фоконов,...

Номер патента: 1633459

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Бровкин, Дулькин, Смирнов

МПК: G11C 27/00, H03F 1/34

Метки: выборки, хранения

...отрицательного импульса напряжения напряжение на базе первого транзистора 7 будет меньше напряжения на базе второго транзистора 8. При этом ток второго генератора 14 тока переключается в второй транзистор 8, поэтому накопительный элемент 3 разряжаетгя током 1. Уменьшение напряжения на накопительном элементе 3 вызывает сближение напряжений на базах первого и второго транзисторов 7 и 8 и вызванное этим перераспределение тока 2 о второго генератора 14 тока между этими транзисторами. Установившийся режим аналогичен предыдущему рассматриваемому случаю. Элемент 17 - диод Шоттки предотвращает возможное насыщение второго транзистора 8, когда потенциал его базы выше потенциала коллектора (это возмож но при больших отрицательных...

Номер патента: 1633460

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Гуляев, Дорух

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, выборки, информации, хранения

...и 8 образуют интегратор. ОУ 2 совместно включен в режим повторителя напряжения. Элемент 9 совместно с элементом 6 образуют дифференцирующую цепь, которая, будучи подключена через повторитель напряжения на ОУ 2 к входу интегратора на ОУ 1, препятствует разряду элемента 8 за счет токов утечки, а следовательно, и изменению напряжения на выходе ОУ и выходе 13. Постоянная составляющая напряжения с выхода 13 через элемент 9 не проходит. В случае изменения напряжения на выходе 13 за счет токов утечки элемента 8 переменная составляющая напряжения через элемент 9, ОУ 2, элементы 4 и 5 поступает на вход ОУ 1, в результате чего напряжение на элементе 8 и выходе 3 восстанавливается до уровня, соответствующего моменту перехода устройства в режим...

Номер патента: 1633461

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Николаев, Чумак

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, коррекцией, модульных, ошибок

...разрядах. 10 15 20 25 30 8Если это условие не выполняется, то на выходе элемента ИЛИ - НЕ 58 появляется единичный сигнал на контрольном выходе 25, который сигнализирует о неисправимой ошибке.С выходов формирователя 20 код искаженного байта поступает на входы лешифратора 21, который преобразует его в унитарный.Единичный сигнал, поступивший с выхола дешифратора 21 на один из входов 70 (фиг. 5), запрещает выдачу искаженного байты информационных разрядов через первую 63 группу элементов И в выходной суммгтор 69 и через вторую 64 группу элементов И на вход группы элементов ИЛИ 66, выходы которой являются инфор. мационными выхолами 24 устройства. Этот же единичный сигнал разрешает выдачу исправленного байта информационных разрялов на вход...

Номер патента: 1633462

Опубликовано: 07.03.1991

Автор: Аникеев

МПК: G11C 29/00

Метки: конвейерной, памяти

...элемента И 4 подключить к выходу первого разряда РД 5). Если в некотором банке памяти (на фиг, 2 это второй банк) возникает пакет ошибок (на фиг. 2 пакет содержит 3 ошибки), то на выходе сумматора 6 первый сигнал 24 несовпадения появляется в такте обнаружения первой ошибки, а второй сигнал 25 - в момент первого правильного считывания (первый верный бит после пакета ошибок) из того же банка памяти. Два сигнала ошибки формируются независимо от числа ошибочных бит в пакете ошибок, Сигналы с выходов сумматоров 6 всех разрядов через элемент ИЛИ 2 поступают на информационный вход 21 триггера 7, который фиксирует по отрицательному фронту СИ сигнал обнаружения ошибки, Сигнал ошибки (;)Ш с выхода триггера 7 поступает на выход сигнала 26 ошибки...

Номер патента: 1633463

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Аникеев, Дикарев, Салакатов

МПК: G11C 29/00

Метки: конвейерной, оперативной, памяти

...запретит проход следующего ТИ через элемент И 65. Одновременно сигнал с прямого выхода триггера 64 разрешает проход ТИ через элемент И 66 на синхровход 48 счетчика адреса 1. СА подсчитывает эти ТИ, формируя последовательность адресов. Код адреса с выхода СА поступает на адресный вход 6 проверяемой памяти 17. Контрольные данные формируются на выходе УИ 13 и поступают на информационный вход ОЗУ. Очередное слово данных формируется следующим образом. Код адреса с выхода СА 1 поступает на информационный вход 18 МПАР. Управляющий вход МПАР подключен к выходу РРА. Код в РРА задает разряд адреса СА, который проходит с входа 18 на выход МПАР. Выходной сигнал МПАР поступает на информационный вход 23 блока 11 задержки.На выходе 25 БУ установлено...

Номер патента: 1633465

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Глотов, Зиновик, Измайлова, Славин, Трушкина

МПК: C04B 35/26, G11C 11/02, H01F 1/34 ...

Метки: материал, ферритовый

...коэрцитивцой силы, Как следует иэ табл.1 и 2, предложенный ферритовый материал (составы 1-3) обладает по сравнению с известным (состав 6) более низким значением управляющего тока (1 )сч и более высокой температурной стабильностью (более низким температурным коэффициентом коэрцитивной силы (ТКНс). При выходе за пределы изобретения по соотношению компонентов (составы 4, 5) наблюдается ухудшение импульсной квадратности петли гистереэиса и температурной стабильности ферритов,За счет перечисленных преимуществ предложенного ферритового материала улучшается качество изготавливаемых из него элементов памяти, что позволяет использовать их в оперативныхзапоминающих устройствах с малымрасходом энергии и эксплуатцрующихсяв...

Номер патента: 1124758

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Лесник, Харитонский, Хрипко

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитного, носителя

...структуры магнитного материала ос путем нагревания диэлек подложки в вакууме до т 623-673 К в течение вре до 1 ч, после чего носи ции охлаждают до нормал ратуры. ние в вакууме на диэлектрическую подложку первого чувствительного слоя ферромагнитного материала, активного слоя ферромагнитного материала с ядерным магнитным моментом, второго чувствительного слоя, причем во время нанесения подложку нагревают до 473-523 К, а после нанесения охлаждают до 300 К.Недостатком способа является также низкий выход годных изделловленный тем, что при изменении ско рости нанесения слоев, времени их нанесения, температуры подложки прои ходит изменение структуры слоев, при водящее к понижению чувствительности и информационной емкости носителя...

Номер патента: 1635207

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Гришина, Рой, Скурихин, Строев

МПК: G11C 7/00

Метки: запоминающих, постоянных, программирования, устройств

...контрольнойпроверки всей записи, алгоритм которой представлен на фиг.12. Послеудачной проверки система выходит вГЛАВНОЕ МЕНЮ, где информационнаястрока содержит адрес последнего байта, При обнаружении в процессе проверки ошибки опять выдается звуксигнал, объявляется ошибка,На фиг.5 и 6 показаны алгоритмыпжесткого" программирования ППЗУ12716, К 573 РФ 2, К 573 РФ 5 (фиг. 5) иКМ 558 РРЗ (фиг. 6).В этих случаях запись информацииблочная. Устанавливается нужный режим программирования согласно ТУППЗУ, затем проводится полный циклзаписи всех байтов, после чего устанавливается режим ввода (АЯ), снимается напряжение программирования ипроверяется записанная информация, Вслучае удачно прошедшей записи сис -тема выходит в ГЛАВНОЕ МЕНЮ,...

Номер патента: 1635208

Опубликовано: 15.03.1991

Автор: Мархасев

МПК: G11C 8/00

Метки: адреса, запоминающего, устройства, формирователь

...входы сброса которых являются входом сброса формирователя, а выходы - выходами формирователя, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет программируСчетчики 1.1, 1,2 и 1.3 выдаютодин или группу разрядов адреса, впределах группы идет последовательныйперебор адресов,Иассив адресов можно рассматривать как пространство, имеющее и координат (по числу счетчиков), При пприеме в запоминающее устройство иконтроле массива информации, имеющего и характеристик, с числом в элементов по каждой характеристике коэффициент пересчета каждого счетчикадолжен быть равным в. При работе сизменяемым форматом информации могутприменяться счетчики с переменным коэффициентом пересчета,Например, для приведенной...

Номер патента: 1635209

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Рандошкин, Сигачев

МПК: G11C 11/14

Метки: гиромагнитного, доменосодержащей, отношения, пленке

...Цел ние олас ных участко инеи ения применедиапазо магнитн ия пособа путе а измеренных зн го отношения, Дл увелчений ения гир аходят з и я эт о на к вычислиыть исполь В соответствииобом измерение г предлагаемым сомагнитного отн зовано при изгот ных носителей ин и нко ночния оменос одержаще ществ 1, рмации лед ую м образом.т до насыщения доЦелью изобр ение области ем увеличения тения явл амагничива сшименососмещеникулярн менения спосо ку м женн нитным перпе олем диапазон ннь пленки в про сное м гннтногориведенысм для чепленок фтапа (Тв,тношения. ависимост ивопо н гнитное поаправл еНп ри это ыс об н рех и по сти ротивопол ррит-гр СИВ 1)з,ютс е- ор ожцнич е в пленкеатной нам остью,ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ...

Номер патента: 1635210

Опубликовано: 15.03.1991

Автор: Мануилов

МПК: G11C 11/02

Метки: аналоговой, записи, магнитной

...приводит к формированию в магнитном носителе распределения намагниченности, соответствующего записываемому модулированному сигналу. 20Для считывания информации через некоторый интервал времени на пьеэопреобразователь 2 подают радиоимпульс 7 (фиг,2) частотыи тем самым возбуждают в магнитном .носите ле 1 (фиг. 1) считывающую акустическую волну. Выходной сигнал 8 (фиг.2) снимают с обмотки 3 (фиг. 1) магнитоакустического устройства.Достижение поставленных целей при реализации способа обеспечивается тем, что воздействие на магнитную среду магнитным полем, сформированным видеоимпульсом, перед подачей записывающего радиоимпульса перево 35 дит ее в магнитное состояние, которое характеризуется с одной стороны, уменьшением значения...

Номер патента: 1635211

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Бураченко, Максимов, Некрасов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемента

...размерами 20 х 20 мкм, После формирования отверстий 7 наносится слой полупроводникового стекла 6 состава8 дсСе о "з заТе и проводящая область 5 никеля,Для исключения деградации полупроводниковых свойств участка 8 слоя полупроводникового стекла 6, расположенного между проводящими слоями 2,4, проводят его модификацию, т.е.диффузию атомов проводящего слоя 5 вучасток 8, Иодификацию проводят, например, на зондовой установке (на 15фиг,1, 2 не показана), на контакты 9которой прикладывают импульсное напряжение амплитудой 60 В, длительность импульсов 5 мкс, частота ихследования 5 кГц. За время действия 20импульсного напряжения 15-20 с междупроводящими слоями 3, 4 образуетсяпроводящий участок слоя 6, сопротивление которого равно 200 Ом.На фиг.2...

Номер патента: 1635212

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Куриленко, Сидоренко, Хоружий, Яровой

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, информации, постоянного, считывания, устройства

...пороговое напряжение Ч С 2,0 В), то потенциал на35входе 14 ограничивается напряжением0,7 В, обусловленным токами черезтранзистор 7 и транзистор 20. Приэтом на входе 9 схемы дифференциального усилителя 6 формируется потенциал, равный 2,0 В,1 ФНа вход 28 усилителя 6 подаетСяопорное напряжение, создаваемое настоке транзистора 29 формирователя 5 45опорного напряжения током разрядачерез транзистор 32, находящийся воткрытом состоянии, т.к. эти транзисторы находятся только в состояниис низким пороговым напряжением, т,е.Ч. (2,0 В.50гБлагодаря параллельному включениюпяти транзисторов 23-27 в формирователе 5 опорного напряжения, идентичных транзистору 7, обеспечиваетсяпостоянная величина отношения токовсчитывания транзисторов 15, 31. Приэтом на...

Номер патента: 1635213

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Крайнова, Ляхов, Улыбин

МПК: G11C 11/40

Метки: динамической, информации, памяти, регенерации

...сигнал, сбрасывающий триггер 3 в состояние 0.На вход 18 счетчика 9 регенерации поступают тактовые импульсы. При переполнении счетчика 9 регенерации на его выходе появляется сигнал запроса на регенерацию, который вырабатывается через время равное где Т - период регенерации динамической памяти,и - число строк динамической памяти, Т - время обслуживания устройством обращения от процессора.Сигнал с выхода счетчика 9 регенерации поступает на вход установки триггера 2 и устанавливает егов единичное состояние. Единичный сигнал с выхода триггера 2 поступает навторой вход элемента И 6, Если напервом входе элемента И 6 находится"1", то на его выходе появляется сигнал, который поступает на блок 7 анализа приоритета и далее на формирователь 19...

Номер патента: 1635214

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Киреев, Копытов, Солод

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...шины 7 выборки первого порта выход первого инвертора 1 подключается через транзистор 3 выборки первого порта к разрядной шине 5 первого порта и на выходе первого инвертора 1 записывается потенциал разрядной шины 5, при этом не протекает сквозной ток при записи, так как выход первого инвертора 1 находится в третьем состоянии. При этом возможно, возбуждая, шину 8 выборки второго порта по тому же адресу, на разрядную шину 6 второго порта считывать информацию с разрядной шины 5 первого порта.Рассмотрим подробнее запись уровня "1" и "0" в элемент памяти.Предположим, на выход первого инвертора 1 записывают уровень "1", Выход второго инвертора 2 подключен к шине 9 через открытый транзистор 12. Выход первого инвертора 1 находится в...

Номер патента: 1635215

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Баранов, Кузьмин, Маринчук, Поплевин, Трошин, Чекмазов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, узел

...резервирования. После поднятия сигнала разрешения резервирования на входе 9до " 1" в элементе 3 будет хранитьсяадрес, который через мультиплексор 1подается на выход 11В режиме пережигания плавкой перемычки на входе7 устанавливают сигнал "1", а навходе 9 - сигнал "0". В этом случаеадресный сигнал с входа 8 осуществля"ет управление транзистором большойплощади элемента 2, Если на входе 8установлен сигнал 0, то через этоттранзистор протекает большой ток,который пережигает плавкую перемычку, Если же адресный сигнал соответствует "1", то перемычка сохраняется, В результате пережигания иифорпформула изобретенияУзел памяти, содержащий мультиплексор, элемент И, элемент постоянного хранения информации, элементпредварительного хранения...

Номер патента: 1635216

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Вознюк, Гузик, Карелин, Решетняк

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативная, памяти, ячейка

...встроенной логикикаждой ячейки с выходов соответственно триггеров 27 и 28 значения выходов 29, 30, полученные в предыдущем такте и учитывающие результатобработки более старших разрядов анализируемого слова,Согласно (3), сигнал "1" будетприсутствовать в каждом такте обработки на выходе 29 до тех пор, покапросмотренные разряды анализируемогослова будут совпадать с соответствующими разрядами признака опроса,В той ячейке (или нескольких ячейках), где содерзвтся слово, совпадающее с признаком опроса, сигнал"1" будет присутствовать на выходе29 после завершения последнего тактаобработки.2. Поиск ближайшего меньшего (поиск максимума).В этом режиме на все входы 33 мат 11рицы необходимо подать константы 1на в с е входы 34 - " 0 " , на вх оды 2 3 -...

Номер патента: 1635217

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Горский, Коваленко, Мироненко

МПК: G11C 15/04

Метки: динамическая, логическая, матрица, программируемая

...транзисторов 30 и 31 к входам 16 и 20соответственно. Работа ПЛМ начинается с подачивысокого уровня на вход 3 и низкого,уровня на вход 4. При этом транзисторы 29 блока 8 закрываютсяВысокийуровень сохраняется только на тех выходах 16 блока 8, которые реализуют вэтот момент функцию И входных сигналов, На выходах 16 блока 8, которыене реализуют в данный момент функциюИ, происходит разряд до низкого уровня через транзисторы 30,После завершения разряда выходов 16 блока 8 через транзисторы 30подается высокий уровень на вход 5 инизкий - на вход 6 и начинается срабатывание элементов 10 и блока 9.Транзистор 11 открывается, а транзисторы 27 элементов 10 закрываются,Транзисторы 26 и 28 элементов 10работают как инвертор, поэтому навыходах 18...

Номер патента: 1635218

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Львович, Фастов, Щетинин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное, программируемое

...программирующее напряжение подается на входы блокировки Формирователей 2 выборки слов и через диоды Шоттки и резисторы на коллекторы выходных транзисторов 15 Формирователей 2 и соответственно на адресные шины накопителя 3.При подаче на выход блока 10 контроля от внешнего Формирователя напряжения низкого уровня напряжения, на пример 0 В, все элементы 4 памяти накопителя 3 будут находиться под обратным смещением, В результате если есть утечка коллектор - эмиттер одного из элементов 4 памяти на копителя 3 или утечка между какииилибо адресными и разрядили шинами накопителя 3, то ток утечки будет протекать с последнего выхода блока 6 программирования через диод Шоттки 30 и резистор формирователя 2, адресную и разрядную шины, диоды . блока 1...

Номер патента: 1635219

Опубликовано: 15.03.1991

Автор: Глухов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...накопителя 5 1 О 15 О 25 30 35 40 45 4, закрывает транзисторы 13, которые исключают ложный разряд выбранных шин накопителя 4, вызванный паразитной емкостью межсоединений дешифраторов 2 и 3, и процесс разряда выбранной шины накопителя 4 ускоряется. При этом повышается надежность устройства,Через интервал времени, достаточный для разряда выбранной шины накопителя 4,устанавливается высокий потенциал на входе 20, истоки транзисторов 30 усилителя 5 считывания подключаются к шине 9 нулевого потенциала. На затворах этих транзисторов 30, подключенных к невыбранным шинам накопителя 4, находится низкий потенциал, на затворе выбранного транзистора 30 присутствует низкий потенциал, запирающий этот транзистор 30, если имеется контакт со стоком...

Номер патента: 1635220

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Бондаренко, Мутеремов, Околотенко, Федоров, Шульгина, Щербак

МПК: G11C 19/00

Метки: буферное, запоминающее

...логического уровня с выхода 0-триггера 7 разблокирует группу элементов И 1 по вторым входам, которые пропускают входную кодовую комбинацию с информационных входов 8 устройства на соответствую в 45 щие входы регистра 2. При этом соответствующие разряды регистра 2 устанавливаются в единичное состояние, т.епроисходит запись информации, По достижении счетчиком 4 импульсов такого состояния, когда на выходе старшего разряда появляется сигналвысокого логического уровня, О-триггер 7 устанавливается в нулевое состояние, поскольку на его Р-входе присутствует уровень О с выхода элен 1155 мента ИЛИ-НЕ 3 (кодовая посылка ещене закончилась). Переключившись, Р- ,триггер 7 блокирует по вторым входам группу элементов И 1, благодаря чемузапись...

Номер патента: 1635221

Опубликовано: 15.03.1991

Автор: Гусаков

МПК: G11C 19/00

Метки: регистр, сдвигающий

...И-НЕ 13 появляется "0", на выходе элемента И-НЕ 30 14 появляется "1", на выходе элемента И-НЕ 9 образуется "0", на выходе элемента И-НЕ 10 образуется "1" и на выходе элемента И-НЕ 11 формирователя 1 тактовых импульсов появляется "0", Так как на первом и втором входах35 первой группы элемента И-ИЛИ-НЕ 5 данного разряда 2 организовались "0" и "1" соответственно, запись информации в регистр запрещена и Разрешен 40 сдвиг информации из данного разряда 2 в последующий разряд 2. На первых входах элементов И-ИЛИ-НЕ 7 и 8 данного разряда 2 организовались " 1", поэтому перезапись из основного триг гера 3 во вспомогательный запрещена.Так как на выходе элемента И-ИЛИНЕ 8 данного разряда 2 логический "О" на выходах элемента И-НЕ 4 и элемента...

Номер патента: 1635222

Опубликовано: 15.03.1991

Автор: Водеников

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...в нагрузку, компенсируется с помощью ОУ 2. Это обеспечиваеч достижение более высокой точности в предложенном устройстве по отношению к прототипу, Кроме того, повышение точности достигается за счет меньшего тока утечки конденсатора 4 через закрытый ключ в переключателе 1 О, так как на его вход подается выходное напряжение устройства через открытый ключ переключателя 1 О,Формула изобретенияАналоговое запоминающее устройство, содержащее первый операционный усилитель, неинвертирующий вход которого является входом устройства, а выход соединен с входом первого переключателя, первый и второй накопительные элементы на первом и втором конденсаторах, одни обкладки которых соединены с неинвертирующими входами соответственно второго и третьего...

Номер патента: 1635223

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Ваулин, Ермилов, Мельников, Симагин

МПК: G11C 29/00

Метки: аналоговой, апертурного, блока, времени, памяти

...сдвига по фазе импульса выборки определяется компаратором 5 в соответствии со скоростью нарастания напряжения с выходов генераторов 3 и 4.Таким образом, организуется плавный сдвиг фронта импульса выборки номинальной длительности (в данном случае заднего), по которому блок 15 переводится в режим хранения, относительно входного перепада блока 15, При этом каждый второй импульс выборки обязательно выбирает постоянное входное напряжение (в данном случае нижнюю плоскую часть входных импульсов), обеспечивая установление блока 15 в исходное состояние. В результате на выходе 18 с частотой, равной частоте импульсов выборки, образуется ряд постоянных уровней напряжения, Значения нижних уровней напряжения на выходе 18 одинаковые и соответствуют...

Номер патента: 1635224

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Брик, Дерновой

МПК: G11C 17/00, G11C 29/00

Метки: запоминающее

...показано постоянное запоминающее устройство),Устройство содержит основной 1 и резервный 2 блоки памяти, элементы И - ИЛИ 3, сумматор по модулю два 4, элемент НЕ 5, адресные входы 6 и информационные выходы 7 устройства,Устройство работает следующим образом.В каждом такте считывания на выходах обоих блоков памяти 1, 2 появляются два одинаковых слова, Считанное слово из основного блока памяти 1 проверяется на нечетность (четность) сумматором по. модулю два 4. Если в слове нет ошибок нечетной кратности, то на выходы 7 проходит через элементы И - ИЛИ информация из основного блока памяти 1, в противном случае - иэ резервного блока памяти 2.Для повышения надежности информационные выходы устройства 7 могут быть разделены на группы (например,...