G11C — Запоминающие устройства статического типа

Номер патента: 750568

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Кукин, Милославский

МПК: G11C 21/00

Метки: буферное, запоминающее

...информаци- го онные входы регистров 1. При уровнях напряжения на управляющих входах регистров 1 - Ч ( (Ч)(Ч,в каждом,из регистров 1 образуется потенциальная яма на всю длину регистра 1, в которую стекает входной заряд, величина которого пропорциональна величине выходного напряжения с соответствующего элемента 5 И. Причем, если с некоторого элемента 3 И на информационный вход соответствующего регистра 1 поступает высокий уровень напряжения з 0 (код 1), то в регистре 1 происходит формирование заряда в потенциальной яме, если же на информационный вход регистра с элемента 3 И поступает низкий уровень напряжения (код 0), то в потенциальной яме,регистра 1 формирование заряда не происходит. Таким образом, в регистры 1 с информационных входов...

Номер патента: 750569

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Емельянов, Сидоров

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...адреса единственного элемента памяти в на копителе 1 и задают программу импульсов считывания и подготовки. Выходной сигнал с накопителя 1 поступает непосредственно на входы интегрирующих усилителей 4 и 5. Особенностью работы интегрирующего усилителя 5 является закорачивание его конден- и сатора ключом 7 на время действия сигнала от первого импульса считывания, который вносит искажения в считываемый сигнал в первом рабочем периоде, но на выход устройства этот сигнал не проходит, так как выходной ключ 9 в этот момент времени разомкнут. Он открывается только в момент появления импульса ст роба второго сигнала счить 1 вания, К этому моменту времени на выходах интегрирующих усилителей 4 и 5 сформированы две последовательности импульсов,...

Номер патента: 750570

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Чирков, Шевченко

МПК: G11C 29/00

Метки: оперативной, памяти

...вырабатывает последовательность управляющих сигналов вида теста, определяемого блоком 2 управления, которые в адресном блоке 3 преобразуются в сигналы записи-чтения и по определенным адресам подаются на блок 4 подключения матриц. При обнаружении элемента памяти с параметрами считанного сигнала, не соответствующими установленным требованиям, из блока 5 обнаружения неисправностей выдается сигнал в блок 2 управления для останова работы адресного блока 3. Адрес бракованного элемента проверяемой матрицы подается в блок 6 местного управления,. в который подается из блока 2 управления информация о номере проверяющего теста и из блока 5 обнаружения неисправностей - информация о характере брака. При наличии брака на один вход первого элемента И...

Номер патента: 752338

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Безродный, Мартыненко

МПК: G06F 9/00, G11C 8/08

Метки: оперативной, памятью

...выходом триггера 5 конца цикла, входыкоторого соединены соответственно сшиной 4 и выходом формирователя 1.Устройство работает следующим образом. 25В исходном состоянии на шине 4 ина выходе формирователя 2 присутствует нулевой уровень напряжения, на выходах триггера 3 режима - единичныеуровни, на выходе элемента б И-НЕнулевой уровень, на выходе формирователя 1 - единичный уровень, на выходе триггера 5 конца. цикла - нулевойуровень и на выходе элемента 7 И-НЕединичный уровень напряжения.35При подаче по шине 4 единичногоуровня триггер 3 режима устанавливается в нулевое состояние, при этом навыходе элемента б И-НЕ формируетсяперепад напряжения единичного уровня,которым запускается формирователь 1. 40По окончании цикла работы на...

Номер патента: 752466

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Золотаревский, Нэллин, Руцков, Смирнов

МПК: G11C 7/00

Метки: выборки, информации

...вид при поступлении любого вида служебной информации на вход устройства(фиг, 2,з).Применение данного устройства позволяет сократить объем оборудования устройства управления ЗУ, упростить дальнейшую обработку считанной информации и повысить надежность работы внешней памяти. Устройство для выборки информации, содержащее элементы И-НЕ, инверторы, выходы одного из которых соединены с первыми входами первого и второго элеФментов И-НЕ, второй и первый входы соответственно третьего и четвертого элементов И-НЕ подключены к входу устройства, выход второго элемента И-НЕ подключен к первому входу третьего элемента, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения устройства и повышения его надежности, оно содержит регулируемый элемент...

Номер патента: 752467

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Гунько, Рылешников, Сафронов

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее, полупостоянное

...информации врегистре проводится до ее перезаписи из 10 регистра в матрицу,Основным преимушеством полупостоянного запоминающего устройства являетсяпрямая связь регистра и элементов памяти накопителя, благодаря чему обес печиваеся надежность записи при большойскорости воспроизведения и перезаписиинформации./Полупостоянное запоминающее устройство, содержащее регистр адреса, дешифраторы адреса, входы которых подключе 25 ны к соответствующим шинам управления,накопитель, входы элементов памяти которого соединены с соответствуюшими выходами дешифратора, и усилитель считывания, входы которого подключены к соот 30 ветствующим выходам накопителя, о ч- л и ч а ю ш е е с я тем, что с цельюповышения надежности записи информации,оно содержит...

Номер патента: 752468

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Васин, Грабаров

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...в последовательный, упорядоченный по определенному критерию перебора шин выборки матричного накопителя 7 поступает на регистр 3 адреса, где он запоминается и подается на вход дешифратора 5, в котором двоичный адрес преобразуется в униполярный код, управляющий работой формирователей б токов счи тывания - записи.На фиг. 2 приведена схема накопителя и формирователей.В такте считывания возбуждается пара формирователей тока считывания 1 У 1 Х,10 по координатам У = Х и выбирается шина выборки накопителя Ш В момент времени 1=ттакт считывания заканчивает 2ся и начинается такт записи (регенерации), 15 во время которого возбуждаются формирователи тока записи 1 Уи 1 Хзп В тот же момент времени на вход ЗУ поступает новый адрес, который...

Номер патента: 752469

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Скорик, Токовенко, Чаусский

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее, оперативное

...два, выходы ходам элемент Ися выходом 8 ттст 752469ройства. Вход 9 синхронизации записислужит входом устройства.Работа ОЗУ заключается в следующем.Генератор 5 импульсов выдает циклически комбинации потенциалов, например, на четырех выходах в двоично-десятичном коде (см. фиг. 2,а - г). Смена кодовой комбинации производится с частотой в десять раз большей, чем частота следования сигналов входного фазоимпульсного кода с десятичным кодированием, подаваемых на вход 9. При записи информации в накопитель 1 с регистра 4 адреса поступает сигнал и дешифратор 3 подключает входы определенной группы двоичных запоминающих элементов 2 к входу 9. Сигнал входного фазоимпульсного кода (см. фиг. 2,д) по входу 9 обеспечивает запись в двоичные запоминающие...

Номер патента: 752470

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Жеребцов, Мялик, Рыжов

МПК: G11C 11/06

Метки: шифратор

...1 подключены к одним из входов шифратора, а выход триггера 1 соединен с первыми входами элементов д2-4 И и входом элемента 8 НЕ, выходкоторого подключен к перным входамэлементов 9-11 И, вторые входы которых соединены с другими входами шифратора и входами элементов 5-7 НЕ,выходы которых подключены ко вторымвходам элементов 9-11 И . Выходы элементов 2-4 и 9-11 И подключены ковходам элементов 12-14 ИЛИ, выходыкоторых соединены со входами ячеек15-17 памяти,Ячейки 15-17 памяти подключены выходами к первым входам элементов 18-20считывания, вторые входы которых подключены к шине 21 разрешения считывания. Выходы элементов считывания подключены к входам формирователей 22-24входных сигналов, выходы которых подключены ко входамдешифратора 25...

Номер патента: 752471

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Миляев, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...расположенных неимплантированных смежных дисках 5, Токовая шина 6 осуществляет магнитную связь зон 7 и 7", расположеууых между соседними дисками 5 регистра 3 ввода-вывода, с ближайшими к нему зонами 8 и 8" у границ крайних дисков 5 регистров 4 хранения. Проводящий участок 9 шины 6, имеющий меньшую ширину 1, магнитосвязан с зонами 7 и 8, а проводящий участок 10 шины 6, имеющий большую ширины Ь 2, причем справедливоф 2 2 осоотношение 100% ) 10%, магнитосвязан с зонами 7" и 8". Шина б соединена с импульсным источником 11 тока. Пленка 1 находится в параллельном ее плоскости вращающемся магнитном поле источника 12. С регистром 3 ввода-вывода связан генератор 13 ЦМД,Предложенное ЗУ работает следующим образом.Генератор 13 ЦМД подает в регистр...

Номер патента: 752472

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Лубяный, Лукашенко, Палатник, Рощенко

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, информации, магнитных, носителей, полосковых

...полосовыми доменами. При нанесении пленки из наклонного молекулярного пучка внутри полосовых доменов при помощи неоднородных магнитных полей можно создавать области с намагниченностью, отличной от остальной части полосовогодомена, и продвигать эти областивдоль полосовых доменов. Последнеесвойство использовано в предлагаемом изобретении,Таким образом, в предложенном способе изготовления носителей информации на полосковых магнитных доменахроль низкокоэрцитивных каналов играют полосовые домены, а роль передвигающихся по ним полосковых магнитных доменов выполняют области неоднородной намагниченности, образуемые внутри полосовых доменов.На фиг. 1 представлена регулярная полосовая доменная структура, выявленная порошковым методом; нафиг. 2 -...

Номер патента: 752473

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Гловацкий, Живулин, Зельдин, Смолов, Шумилов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, компрессор, компрессоре, магнитных, сдвига, цилиндрических

...сдвига ЦМД реализуется в компрессоре ЦМД, в котором одноименные ферромагнитные аппликации смежных динамических ловушек ЦМД сдвинуты одна относительно другой на угол а, где 0 а 90.На чертеже изображен компрессор ЦМД для осуществления предложенного способа сдвига ЦМД в компрессоре ЦМД.Компрессор ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД, на поверхности которой расположены последовательно соединенные динамические ловушки ЦМД 2 из ферромагнитных аппликаций 3. Одноименные ферромагнитные аппликации, например 3 и 3, смежных динамических ловушек ЦМД 2 сдвинуты одна относительно другой на угол а, где 0 а 90. Стрелка Я, указывает направление сдвига ЦМД в компрессоре, стрелка 5 - направление вращения магнитного поля управления продвижением...

Номер патента: 752474

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Завадский, Заика, Самофалов

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...пропорциональна величине преобразуемого цифрового кода.На чертеже изображена конструкция накопителя для ЗУ, выполненного согласно изобретению.Предложенный накопитель для ЗУ содержит пластину 1 из сегнетоэлектрического752474 оставитель Ю. РозентальТехред А. Камышникова екторы: Л, Слепая и О. Иоанесян Редактор 3, Ходакова Заказ 1454/9 Изд.393 Тираж 673 Подписное НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5ипография, пр. Сапунова 2 материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии. На одну из сторон пластины 1 нанесен электрод возбуждения 2, выполненный в виде отдельных секций, имеющих одинаковую ширину, а их длины пропорциональны весам...

Номер патента: 752475

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Гермаш, Кудренко, Мартынюк, Самофалов, Сидоренко, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: запоминающая, матрица

...управляющими электродами 6 и 8 заполяризовапа постоянно, а под управляющими электродами 7 и 9 поляризация пластины может изменяться в зависимости от записываемой информации.Запись информации осуществляется подачей импульсного напряжения поляризации соотвстствующей полярности и длительности на управляющие шины, например шину 19. Шина 17 подключается к общей точке матрицы, На все остальные шины в режиме записи подаются напряжения, исключающие ложную запись в невыбранных элементах.При считывании информации напряжение считывания поступает в управляющую шину 16, одновременно с ним в компенсирующую шину 20 подается такое же по форме, но противоположное по знаку напряжение, Шины 17 и 21 подключены к общей точке устройства, В результате...

Номер патента: 752476

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Калиников, Колкер

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, ячейка

...на фиг. 1, передача заряда осуществляется по боковым граням Ч-канавки.Область р+11 не является конст:чктивным элементдм ячейки памяти и показана только для иллюстрации работы ПЗС-элемента устройства.Запись логического "0" в МНОП-конденсатор осуществляется следующим образом (фиг. 3).На шину МНОП -конденсатора б подается отрицательное напряжение 35- 40 В. При этом под МНОП-конденсатором образуется глубокая потенциальная яма (условно показанная штриховой линией), Заполнение потенциальной ямы под МНОП-конденсатором неосновными носителями осуществляется по ПЗС-элементу, расположенному в Ч-канавках. Перетекание заряда из потенциальной ямы , образованной на боковой грани Ч-канавки в потенциальную яму МНОП-конденсатора осуществляется при...

Номер патента: 752477

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Алферов, Гладков, Рыбальченко, Щербинин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...14, ограничивающая ка752477 1 нал область 15, базовая область 1 б, эмиттерная область 17 и изолирующий слой диэлектрика 18.Введение резистора 5 обеспечивает положительную обратную связь между эмитте ром биполярного транзистора 1 и затвором полевого транзистора 2 за счет падения напряжения на резисторе при протекании тока через коллектор биполярного транзистора, например при положительном импульсе 10 напряжения на его базе, что вызывает уменьшение потенциала на затворе полевого транзистора и увеличение протекающего через него тока. В результате чего оба транзистора переходят во включенное со стояние.Для переключения элемента в непроводящее состояние необходимо на базу биполярного транзистора 1 подать отрицательный импульс или на...

Номер патента: 752478

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Есьман, Пилипович, Шматин

МПК: G11C 13/04

Метки: запоминающее, оптоэлектронное

...10фотоприемников связаны оптически.Матрица 10 Фотоприемников электрическиподключена через коммутатор 16 кблоку 17 управления, соединенному сизмерительным блоком 14 и электрооптическим модулятором 2. Выходы блока11 усилителей соединены непосредственно с первыми входами первого .блока 12дифференциальных усилителей и черезэлементы 15 задержки со вторыми входами и с измерительным блоком 14. Выходы второго блока 13 дифференциальных.усилителей соединены с блоком 1.8отображения информации, оптическисвязанным с управляемым отражателем 9, который электрически связан с блоком 17 управления, Первые входы второго блока 13 дифференциальных усилителей соединены с выходами первого блока дифференциальных усилителей, а вторые входы - с...

Номер патента: 752479

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Колдасов, Петровский

МПК: G11C 15/00

Метки: запоминающее, логическое

...О распределителя 7.1, когдавторой импульс ПУИ достигает второго20 разряда стержня, "1" КП будет на выходе О, а выходу О будет при этомсоответствовать "0" КП, и т. д.,когдавторой импульс ПУИ достигает и-огоразряда, состоянию выходов распреде 75 лителя 7.1 будет соответствоватьЦ 1, О О = 001. Распространение ПУИ по металлическим стержням 1и перемещение КП "1" по одним входамФормирователей 9 с помощью распреде 3 О лителя 7,1 будет продолжаться до техпор, пока первый импульс ПУИ не сосчитает первый "0" содержимого выбранного стержня 1Только при этом считанный сигнал пройдет через усилительЗ 5 б, задержится затем блоком 15 на время ср и откроет формирователь 9(по нторым входам)для Формирования .импульсов записи, поступающих в шинызаписи...

Номер патента: 752480

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Кибирев, Коняев, Наймарк

МПК: G11C 15/04

Метки: ассоциативный, запоминающий, моп-транзисторах, элемент

...первого 5 и второго 6 транзисторов элемента "Неравнозначность"соединены с шинами 13 и 14 стокис шиной 15, а истоки - со стоками 15третьего 7 и четвертого 8 транзисторов, истоки которых соединены с шиной 12, а затворы - соответственнос выходами триггера, затворы управляющих транзисторов 9 и 10 соединены щс шиной 16, а стоки - соответственнос выходами триггера. Анод фотодиода11 подключен к стоку транзистора 10,катод - к шине 12. Шина 17 соединенас затвором транзистора 3.Элемент работает следующим образом,Для предустановки триггера на разрядные шины 13 и 14 подаются напряжения, соответствующие парафазномукоду бита, который необходимо эапи- З 0сать в триггер по диэлектрическомуканалу. Затем на шину 16 подаетсяразрешающий сигнал и...

Номер патента: 752481

Опубликовано: 30.07.1980

Автор: Муртазин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...которых через диоды 11 соединены с Р/д выходами дешифратор а 1 ( 11 - информационная емкость устройства). Другие концы шин 8 соединены с входами и групп по О ключей 12 в каждой группе. Выходы ключей подключены к шине 13 нулевого потенциала.Устройство также содержит т групп по д логических элементов И 14, установленных между управляющими входами 15 ключей 12 и выходами 16 дешифратора 2, Другие входы каждой из групп элементов И 14 подключены к соответствующим выходам распределителя 17 импульсов, подключенного основным выходом 18 к стробирующему входу дешифратора 2, вход распределителя 17 соединен со стробирующим входом дешифратора 1 числовых шин.Запись информации в устройство осуществляется установкой перемычек 19 на информационных...

Номер патента: 752482

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Козырь, Коледов, Петросян

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...транзисторов с инжекционным р-ипереходом считывающих Формирователейобъединены и являются выходами устройства, эмиттеры всех транзисторовс инжекционным р-и переходом подключены к шине нулевого потенциала, а инжекторы - к общей выходной шине,На чертеже приведена электрическаясхема постоянного запоминающего устройства.ПЗУ содержит адресные дешифраторы1, 2, выходы адресного дешифраторапервой группы 1 соединены с соответствующими базами транзисторов с инжекционным р-и переходом 3 формирователей 4 для выборки одной строки,коллекторы транзисторов с инжекционным р-и переходом 3 соединены с соответствующими адресными шинами 5матричного накопителя б, состоящегоиэ в секций, к адресным шинам 5 подключены катоды диодов Шоттки 7 матричного...

Номер патента: 752483

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Деркач, Заброда, Корсунский, Мержвинский

МПК: G11C 11/40, G11C 17/00, G11C 5/00 ...

Метки: матричный, накопитель

...накопитель следующим образом.В режиме записи информации выбранная числовая шина 1 подключается к шине нулевого потенциала, а остальные числовые шины - к источнику высокого потенциала либо отключаются от внешних цепей. На выбранную входную шину 7 подается потенциал записи, а на остальные - нулевой потенциал, При этом транзисторы 4, подключенные к выбранной числовой шине 1, переходят в режим насыщения, а остальные находятся в режиме отсечки. В соответствии с записываемой информацией на выходные шины 5 подается ток записи или нулевой потенциал, В первом случае ток записи через выбранный транзистор 4, находящийся в насыщении, попадает на соответствующую разрядную шину 2, а затем через элемент 3 связи - на выбранную числовую шину 1. Таким...

Номер патента: 752484

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Балашов, Бронников, Гужавин, Кокаев

МПК: G11C 19/00

Метки: запоминающее, параллельного, типа

...иэ выходов дешифратора 2 записи слова соединен с первыми входамивентилей записи, вторые входы которыхподключены к шинам записи 4, выходывентилей записи подключены ко входамэлементов памяти, выходы которых подсоединены ко вторым входам вентилейсчитывания, а к их первым входам подключены соответствующие выходы дешифратора 18 считывания слова, выходывентилей считывания соединены с соответствующими шинами 3 считывания.Устройство работает следующим образом,Первый дешифратор служит для фиксирования границы свободной эоны ЗУ,а второй - для фиксирования занятойэоны ЗУ, на выходе каждого иэ нихдвоичный код со счетчика 1, десятичное значение которого соответствуетчислу занятых ячеек Зу.В табл. 1 и 2 показано соответст-вие входов и выходов...

Номер патента: 752485

Опубликовано: 30.07.1980

Автор: Мочалов

МПК: G11C 11/14, G11C 19/10

Метки: кольцевой, регистр, сдвига

...управления расположенперпендикулярно основаниям основныхи боковым сторонам дополнительныхферромагнитных аппликаций ковшеобразной формы,На чертеже изображена принципиальная схема кольцевого регистра сдвига.752485 ЦНИИПИ Заказ 4775/25 Тираж 662 Подписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Кольцевой регистр сдвига содержитмагнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2,расположенную в магнитном поле источника 3 магнитного поля смешения. Наповерхности пленки 1 расположены последовательно соединенные основныеФерромагнитные аппликации 4 ковшеобразной формы, образующие прямую иобратную ветви кольцевого регистрасдвига, и соединенные с ними дополнительные Ферромагнитные аппликации 5ковшеобразной Формы а также магнитосвязанные с ними первый...

Номер патента: 752486

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Меховской, Щербаченко

МПК: G11C 19/00

Метки: информации, сдвига

...того, чтобы при первом сдвиге вовтором сдвигающем регистре не терялся младший разряд сдвигаемого кода.Введение мажоритарных органов необходимо для обеспечения работы уст -ройства при выходе из строя одного изиз его каналов,Устройство работает следующим об-разом.Предположим, что сдвигаемое число записано в сдвигающие регистры 1и 2, причем четные разряды - в регистр 2 .; нечетные разряды - в регистр 1. В исходном состоянии триггер 4 находится в нулевом состоянии,на выходах распределителя 3 присутствуют низкие потенциалы, закрывающиепервый 7 и второй 8 элементы И. Навыходе мажоритарного элемента 5 присутствует информация, соответствующая младшему разряду ("0") сдвигаемого кода, хранящегося в регистре 2.В момент прихода первого...

Номер патента: 752487

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Беляев, Исаенко, Калиничев, Тафель

МПК: G11C 19/00, G11C 29/00

Метки: регистра, сдвига

...задержки под, выход которого связан с первымключен к одному из входов элемента входом элемента б сравнения, Для усИ, другой вход которого соединен с транения сбоев в момент переключениявыходом элемента сравнения, выход 25 элементов контролируемого регистраэлемента И соединен с шиной управ- сдвига и первого сумматора 1 резульления, один из входов элемента срав- тат сравнения стробируется на элеменнения соединен с перв ым выходом пер- те 7 И тактовым импульсом , задержанвого сумматора по модулю два, вто- ным на первом элементе 3 задержки наро элей элемент задержки и шину записи, время, необходимое для переключениявведен счетный триггер, выход кото- ЗО элементов регистра и срабатывания п рерого соединен с другим входом элемен- вого...

Номер патента: 752488

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Васильев, Вешняков, Корнейчук

МПК: G11C 19/00

Метки: запоминающего, импульсов, многотактового, распределитель, регистрах, сдвига, устройства

...триггера 1.( - 1) зарядом конденсатора 3,( - 1) на его выходе, одного из транзисторов 2 триггера 2,и разрядом емкости на его выходе.Время задержки между возбуждениямидвух соседних шин, например ( - 1)-ойи -ой, обуславливается задержкой налереключение одного транзистора 4триггера 1.( - 1), разрядом екостина его выходе, переключением одноготранзистора 3 триггера 2. и зарядомемкости на его выходе. Длительность 1 импульса равна или немного большенремени задержки между импульсами надвух соседних шинах управления, аусилители отрабатывают входной сигнал с некоторой задержкой по заднему 20 Фронту, таким образом, что импульсыпо шинам сдвига в накопителе частично перекрываются,Если импульс действует на6,( - 1)-ой шине, переключая триггер 1.(...

Номер патента: 752489

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Зельцер, Золотарев, Табалаев

МПК: G11C 19/02

Метки: регистр, сдвига

...реле-го нечетного разряда с положительной шиной питания, другой вывод второй обмотки поляриэонанного реле (+ 1)-го четного разряда соединен с другим выводом первой обмотки поляризованного реле+ 2)-го нечетного разряда и через нормально раразомкнутый контакт поляризованного реле ( + 1)-го четного разряда с положительной шиной питания.На чертеже представлена электрическая схема предлОженного устройств,аУстройство содержит двухобмоточны поляризованные реле 1,1. - 1. п,нормально разомкнутые контакты 1.1.1, - 1.п.1, нормально разомкнутые 20 контакты тактовой цепи 2, 3, осуществляющие сдвиг информации. Конструкция поляризованного реле, именуемого в дальнейшем реле, такова, что при подаче импульса напряжения соответстну ющей...

Номер патента: 752490

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Барышников, Бычков, Капитанов, Кузнецов

МПК: G11C 19/36

Метки: регистр, сдвига, трехтактный

...Т связан с базой транзистора Т , а коллектор К 8транзистора Тсвязан с базой транзистора ТцТретий триггер выполнен на п-р-итранзисторах Т, Тэ и р-и-р транзисторе Т 9. Для чего коллектор К транзистора Т соединен с базой транзис-8тора Т 7, а коллектор К транзистораТ 7 соединен с базой транзистора Т 8Коллектор К транзистора Т связан сбазой транзистора ТВ, а коллектор Ктранзистора Т связан с базой транзи 9стора Ту.На змиттеры р-п-р транзисторовТЭ, ТА, Т подается тактовое питание,базы даннйх транзисторов подключенык земле.Эмиттеры и-р-п транзисторов Т,Т, Т 4, Т 8, Т 7, Т 8 подключены к земле, коллекторы К соединены с базамипротивоположных транзисторов после-дующих триггеров, а коллектора КЭсоединены с базами...

Номер патента: 752491

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Барышников, Бычков, Климашин, Попов

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...соответственно, база десятого.и-р-и-транзистора подключена к коллектору восьмого р-п-р-транзистора,эмиттеры которого соединены с базами первого и второго и-р-и-транзисторов соответственно,На чертеже представлена электрическая схема предложенной ячейкипамяти,Она содержит первый и второйи-р-и-транзисторы 1, 2, на которыхвыполнен основной триггер, третий ичетвертый 3, 4 п-р-п-транэисторы, накоторых выполнен дополнительный триггер, инжекторы 5 и б, р-и-р-транзисторы 7 и 8, и-р-и-транзисторы 9 и10, тактовые шины 11 и 12, шина 13нулевого потенциала.Ячейка памяти работает следующим образом. При подаче тактового импульса ТИна шину 11 инжектора 5 информация со входа перепишется в основной триггер, выполненный на транзисторах 1 и 2, после...