Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Изобретение относится к автоматикеи вычислительной технике и можетбыть использовано для хранения адреса дефектного элемента в запоминающихустройствах на основе МОП-структурс резервированием, в программируемыхростоянных запоминающих устройствах,в источниках опорных напряжений, автогенераторах, усилителях с электронной 10подстройкой напряжения, частоты икоэффициента усиления.Целью изобретения является увеличение выхода годных.На чертеже представлена стрУктура 15элемента памяти, разрез;Элемент памяти содержит полупроводниковую подложку 1 первого типапроводимости, первую 2 и вторую 3диффузионную области второго типа 20проводимости, первый диэлектрическийслой 4 первый проводящий слой 5,второй диэлектрический слой 6, второйпроводящий слой 7. На чертеже обозначены также программирующая шина 8, 25управляющая шина 9, шина 10 нулевогопотенциала.Для программирования элемента памяти используется пробой туннельнотонкого слоя 6 (исходное сопротивление элемента 10 кОм, записанноесостояние элемента 1,0 - 30 кОм).Элемент памяти работает следующимобразом,Режим программирования. Пусть элемент памяти не выбран, Это означает,что на управляющей шине 9 напряжениенизкого уровня, между областями 2, 3канала не образуется, напряжениепрограммирования от программирующейшины 8 не поступает на первую диффузионную область 2. Пробой второгодиэлектрического слоя 6 не происхоцит, элементгимяти остается в исходном состоянии (высокое сопротивление),Элемент памяти выбран. Это означает, что на управляющей шине 9 напряжение высокого уровня, между областями 2 3 образуется канал, напряжениепрограммирования от программирующейшины 8 поступает на первую. диффузионную область 2, пробивает второй диэлектрический слой 6 и между слоем 7и первой диффузионной областью 2 формируется низкоомное соединение, эле 55мент запрограммирован (записанноесостояние - низкое сопротивление). Использование туннельно-тонкого слоя 6 из диоксида кремния, применение в качестве слоя 7 пленки поликремния позволяет совместить изготовление элемента памяти с технологией ЭС РПЗУ с плавающим затвором, что дает возможность повысить устойчивость и надежность воспроизводимых характеристик элемента памяти, не приводящих к потере информации программирующих элементов в процессе высокотемпературных операций сборки и термополевых обработок: в процессе эксплуатации отсутствие эффекта "зарастания" с течением времени, характерного для плавких перемычек, нечувствительность состояния элемента памяти (пробит - не пробит) к воздействию радиационных эффектов.Формула изобретения1, Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типапроводимости, две диффузионные области второго типа проводимости, расположенные в приповерхностном слоеполупроводниковой подложки, первыйдиэлектрический слой, расположенныйна поверхности полупроводниковой подложки между первой и второй диффузионными областями с перекрытием края второй диффузионной области, первый проводящий слой, расположенный на поверхности первого диэлектрического слоя,второй диэлек триче ский слой, ко торый является туннельно-тонким и расположен наповерхности полупроводниковой подложкинад первой диффузионной областью, о т -л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью увеличения выхода годных, элемент памяти содержит второй проводящий слой из поликремния, расположенный на втором диэлектрическом слое,а первый диэлектрический слой распо"ложен с перекрытием края первой диффузионной области,2. Элемент памяти по п,1, о т - л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения технологии изготовления элемента памяти, второй диэлектрический слой выполнен из диоксида кремния или из оксинитрида кремния, или композиции из диоксида кремния нитрида кремния, оксинитрида кремния.
СмотретьЗаявка
4627341, 27.12.1988
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5737
ХЦЫНСКИЙ НИКОЛАЙ ИВАНОВИЧ, ЯРАНДИН ВЛАДИМИР АНАТОЛЬЕВИЧ, СИДОРЕНКО ВЛАДИМИР ПАВЛОВИЧ, ПРОКОПЕНКО АНАТОЛИЙ МЕФОДИЕВИЧ, ТАЛЬНОВА ВЕРА АНДРЕЕВНА, РЫЖКОВА ВЕРА ВАСИЛЬЕВНА
МПК / Метки
МПК: G11C 17/00
Опубликовано: 15.11.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1607014-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Устройство для измерения параметров магнитно-твердых материалов
Номер патента: 737895
Опубликовано: 30.05.1980
Автор: Тугарин
МПК: G01R 33/12
Метки: магнитно-твердых, параметров
...20,триггера 21,нуль-органа В 22, ключей23 и 24,двухкоординатного регистрирующего прибора 25, регистров 26, 27.Устройство работает следующимобразом,Исследуемый образец 1 магнитнотвердого материала с нанесенной нанего )ймерительной обмоткой магнитной индукцииВ (индукционный датчик4) устанавливается между полюсамиэлектромагнита 5, ток в обмотках которого регулируетспоо закону, прикотором, напр;мер, = сопя, блоВком 2 управления иамЪгнйчивающимтоком. Обычно в исходном состоянииобразцы магнитно-твердого материала.намагниченности исследуемого образца,7895блок 15 выдает напряжение, пропорциональное В, на операционный усилитель 13, на второй вход которого поступает напряжение с усилителя 6, пропорциональное Н5 Выходное. напряжение...
Устройство для приварки стержней к элементам сортового профиля под слоем флюса
Номер патента: 251116
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Бродский, Игнатьев, Мосиашвили, Скобелев, Степановский, Толмачева, Ухватов
Метки: приварки, профиля, слоем, сортового, стержней, флюса, элементам
...внизпри этом под действием рейки 28 блок шестерен и храповое колесо 2 б свободно проворачиваются, не препятствуя опусканию стержнедержателя. Фиксированное погружение стержня осуществляется при помощи механизма таким образом, чтобы между оплавленным торцом стержня и дном ванны, плоского элемента был зафиксирован определенный зазор, При этом обеспечивается постоянство величины зазора. Это позволяет получать равнопрочные сварные соединения при испытаниях на отрыв пластин со стержнями диам етр ом больше 16 мм.Механизм фиксированного погружения стержня в ванну расплавленного металла состоит из пневматического цилиндра 29, внутри которого расположен поршень 30 со штоком 31. Концы штока выходят за пределы цилиндра. С нижней стороны к...
Способ наблюдения за элементами баланса влаги в верхнем слое почвы
Номер патента: 371548
Опубликовано: 25.07.1975
Автор: Данилин
МПК: G01V 5/00
Метки: баланса, верхнем, влаги, наблюдения, почвы, слое, элементами
...толщине просвечиваемых гамма-лучами слоев почтовы одинаковы Нпн =ся= Ин 1 (что вовсе не обязательно). Тогда, измерив в следующий момент, например, через день, декаду и т.,д интенстввности 7 г,гз, Ан проникающей гамма-радиации, можно определить, изменились ли начальные влаго запасыь тзь д нь на основе соотношений:1 пУ 1 - 1 пЬ.311548 Предмет изобретения Составитель В, ТыминскийТехред 3. Тараненко Редактор И. Орлова Корректор В, Гутман Заказ 1095/1596 Изд, М 926 Тираж 619 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 415Тип. Харьк. фил. пред, Патент где р - массовый коэффициент поглощения гавма-лучей,даиной энергии водой.Поглощение гамма-лучей самим...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1079079
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Гриценко, Камбалин, Романов
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...Инжектированные дырки захватываются ловушками нитрида кремния, по всему слою 3, в том цисле и около границы раздела первого и второго диэлектрицеских слоев элемента памяти, где накапливается положительный заряд.Стирание осуществляется при подаце на проводящий слой положительного напряжения такой велицины, цто поля во втором и первом диэлектрицеском полях в 1,5-2,5 раза меньше, цем при записи. При этом преобладающим является ток инжекции электронов из полупроводниковой подложки через пер вый диэлектрический слой во второй диэлектрицеский слой. Электроны цастицно рекомбинируют с дырками, а 1079079частицно компенсируют их заряд. Недостатком такого элемента памяти является недостаточно большое времяхранения информации.Целью изобретения...
Аналоговый элемент памяти
Номер патента: 1149792
Опубликовано: 30.03.1994
Авторы: Золотарев, Фетисов, Фукс, Хафизов
МПК: G11C 27/02
Метки: аналоговый, памяти, элемент
АНАЛОГОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ , содеpжащий подложку из полупpоводника одного типа пpоводимости, компенсиpованного пpимесью с глубоким энеpгетическим уpовнем, слой полупpоводника дpугого типа пpоводимости, слой диэлектpика и электpод из пpоводящего матеpиала, последовательно pасположенные на повеpхности подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения инфоpмации емкости за счет возможности хpанения двух заpядовых сигналов, толщина подложки меньше пpедельной пpолетной длины основных носителей заpяда в ней.
Предыдущий патент: Адресный формирователь
Следующий патент: Регистр сдвига
Случайный патент: Устройство для захвата и транспортирования труб