Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Изобретение относится к автоматикеи вычислительной технике и можетбыть использовано для хранения адреса дефектного элемента в запоминающихустройствах на основе МОП-структурс резервированием, в программируемыхростоянных запоминающих устройствах,в источниках опорных напряжений, автогенераторах, усилителях с электронной 10подстройкой напряжения, частоты икоэффициента усиления.Целью изобретения является увеличение выхода годных.На чертеже представлена стрУктура 15элемента памяти, разрез;Элемент памяти содержит полупроводниковую подложку 1 первого типапроводимости, первую 2 и вторую 3диффузионную области второго типа 20проводимости, первый диэлектрическийслой 4 первый проводящий слой 5,второй диэлектрический слой 6, второйпроводящий слой 7. На чертеже обозначены также программирующая шина 8, 25управляющая шина 9, шина 10 нулевогопотенциала.Для программирования элемента памяти используется пробой туннельнотонкого слоя 6 (исходное сопротивление элемента 10 кОм, записанноесостояние элемента 1,0 - 30 кОм).Элемент памяти работает следующимобразом,Режим программирования. Пусть элемент памяти не выбран, Это означает,что на управляющей шине 9 напряжениенизкого уровня, между областями 2, 3канала не образуется, напряжениепрограммирования от программирующейшины 8 не поступает на первую диффузионную область 2. Пробой второгодиэлектрического слоя 6 не происхоцит, элементгимяти остается в исходном состоянии (высокое сопротивление),Элемент памяти выбран. Это означает, что на управляющей шине 9 напряжение высокого уровня, между областями 2 3 образуется канал, напряжениепрограммирования от программирующейшины 8 поступает на первую. диффузионную область 2, пробивает второй диэлектрический слой 6 и между слоем 7и первой диффузионной областью 2 формируется низкоомное соединение, эле 55мент запрограммирован (записанноесостояние - низкое сопротивление). Использование туннельно-тонкого слоя 6 из диоксида кремния, применение в качестве слоя 7 пленки поликремния позволяет совместить изготовление элемента памяти с технологией ЭС РПЗУ с плавающим затвором, что дает возможность повысить устойчивость и надежность воспроизводимых характеристик элемента памяти, не приводящих к потере информации программирующих элементов в процессе высокотемпературных операций сборки и термополевых обработок: в процессе эксплуатации отсутствие эффекта "зарастания" с течением времени, характерного для плавких перемычек, нечувствительность состояния элемента памяти (пробит - не пробит) к воздействию радиационных эффектов.Формула изобретения1, Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типапроводимости, две диффузионные области второго типа проводимости, расположенные в приповерхностном слоеполупроводниковой подложки, первыйдиэлектрический слой, расположенныйна поверхности полупроводниковой подложки между первой и второй диффузионными областями с перекрытием края второй диффузионной области, первый проводящий слой, расположенный на поверхности первого диэлектрического слоя,второй диэлек триче ский слой, ко торый является туннельно-тонким и расположен наповерхности полупроводниковой подложкинад первой диффузионной областью, о т -л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью увеличения выхода годных, элемент памяти содержит второй проводящий слой из поликремния, расположенный на втором диэлектрическом слое,а первый диэлектрический слой распо"ложен с перекрытием края первой диффузионной области,2. Элемент памяти по п,1, о т - л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения технологии изготовления элемента памяти, второй диэлектрический слой выполнен из диоксида кремния или из оксинитрида кремния, или композиции из диоксида кремния нитрида кремния, оксинитрида кремния.
СмотретьЗаявка
4627341, 27.12.1988
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5737
ХЦЫНСКИЙ НИКОЛАЙ ИВАНОВИЧ, ЯРАНДИН ВЛАДИМИР АНАТОЛЬЕВИЧ, СИДОРЕНКО ВЛАДИМИР ПАВЛОВИЧ, ПРОКОПЕНКО АНАТОЛИЙ МЕФОДИЕВИЧ, ТАЛЬНОВА ВЕРА АНДРЕЕВНА, РЫЖКОВА ВЕРА ВАСИЛЬЕВНА
МПК / Метки
МПК: G11C 17/00
Опубликовано: 15.11.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1607014-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Предыдущий патент: Адресный формирователь
Следующий патент: Регистр сдвига
Случайный патент: Устройство для захвата и транспортирования труб