Рандошкин

Номер патента: 1805812

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Еськов, Рандошкин, Тимошечкин

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

...частности, лазерное вещество можетдополнительно содержать церий и иметьсостав, соответствующий формулеСахМЬмСенМЬибац 012-р, где 0,01 м0,18;0,001 н 0,04.В таблице приведены примеры различного состава лазерного вещества.Недостатком лазерного вещества на основе кальций-германий-галлиевого граната является сегрегация расплава впроцессе выращивания кристаллов по методу Чохральского, Введение в состав вещества ниобия вместо германия позволяетповысить параметр кристаллической решетки граната и за счет этого его изоморфнуюемкость. Область конгруентного плавлениякристаллов имеет место; если содержание кальция и ниобия связаны соотношением и - (х/3) (1,5 + 0,3 г), где 0,60г0,65, суммарное содержание катионов 7,90х+ + у+ и+ ц8,00, содержание...

Номер патента: 1635859

Опубликовано: 25.07.1995

Автор: Рандошкин

МПК: G02F 1/00

Метки: излучением, лазерным, поляризованным

...анализатор 2 в зависимости от ориентации его оси пропускания, Для удобства анализатор 2 может быть установлен с возможностью вращения. Рабочую температуру элемента 1 выбирают ниже точки компенсации магнитного момента, например, на 1 - 10 С. Источник 4 излучения выполняется импульсным и нагревают феррит-гранатовый элемент 1 выше точки компенсации магнитного момента, т.е, на 2-20 С. В результате фарадеевское вращение в элементе 1 изменяет свой знак на противоположный (фиг. 1) и угол поворота плоскости поляризации в нем изменяется на 1 Р" 20 рЬ, где Ос - удельное фарадеевское вращение в точке компенсации магнитного момента; й - толщина феррит-гранатового элемента 1,5 10 15 20 25 30 35 40 Для обеспечения 100 глубины модуляции значение й...

Номер патента: 1642868

Опубликовано: 30.04.1995

Автор: Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптическая, структура

1. МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, содержащая пленку феррит-граната, нанесенную на подложку из немагнитного граната, отличающаяся тем, что, с целью повышения магнитооптической добротности и достижения легкоплоскостной анизотропии, подложка выполнена из Gd3Sc2Ga3O12, а пленка феррит-граната выполнена так, что додекаэдрические позиции в структуре граната занимают ионы празеодима и висмута, причем висмут содержится в количестве не менее 0,5 атомов в формульную единицу граната, а празеодим в количестве не менее 1 атома на формульную единицу граната.2. Структура по п.1, отличающаяся тем, что пленка феррит-граната дополнительно содержит галлий в количестве до 1,2 атомов на формульную...

Номер патента: 1642869

Опубликовано: 30.04.1995

Автор: Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптическая, структура

1. МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, содержащая пленку феррит-граната, нанесенную на подложку из немагнитного граната, отличающаяся тем, что, с целью достижения легкоплоскостной анизотропии и повышения угла фарадеевского вращения плоскости поляризации излучения, подложка выполнена из гадолиний-скандий-галлиевого граната, а пленка феррит-граната выполнена так, что додекаэдрические позиции в структуре граната занимают ионы празеодима.2. Магнитооптическая структура по п.1, отличающаяся тем, что пленка феррит-граната выполнена состава Pr3Fe5-xGaxO12, где x 1,2.3. Магнитооптическая структура по...

Номер патента: 1637555

Опубликовано: 30.04.1995

Автор: Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: модулирующий, элемент

...анизотропии, вызывает перемагничивание пленки путем вращения векторов намагничивания, Перемагничивание произойдет тем быстрее, чем больше безразмерный параметр затухания Гильберта а. Введение в состав пленки празеодима позволяет повысить а и снизить Н, При содержании празеодима у0,5 даже в пленках с небольшим содержанием висмута, определяющим одноосную аниэотропию, не Формула изобретения1. МОДУЛИРУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, выполненный в виде немагнитной гранатовой подложки, на которую нанесена магнитоодноосная пленка феррит-граната с точкой компенсации момента импульса, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, достижения легко плоскостной анизотропии и повышения угла фарадеевского вращения,удается обеспечить условие 0 = Н/4 л МЯ1 (О...

Номер патента: 2003495

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Дудоров, Рандошкин

МПК: B60D 1/14

Метки: автопоезда, сцепное

...на фиг,4 - замок.Рама 1 соединяется с тягой 2, тяга 2 соединяется с крестовиной 3, с которой связан замок 4, Крестовина 3 содержит две первые трубы 5 и 6, приваренные к платформе 7 с разных сторон перпендикулярно друг другу, Внутри первых труб 5 и 6 проходят вторые трубы или стержни) 8 и 9, установленные с возможностью поворота, Выступающие концы вторых труб 8 и 9 проходят через отверстия и тяге 2 и замке 4, выполненных в виде вилки и привариваются к ним. Вилки могут содержать плоские трубы 10 и 11, посредством которых они прикрепляются к рамам транспортного и прицепного средств.Указанная конструкция крестовины 3 и вилок 2 и 4 обеспечивает поворот прицепа относительно транспортного средства в двух плоскостях.Вследствие взаимно...

Номер патента: 2002247

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Айрапетов, Грибков, Лысков, Рандошкин, Червоненкис

МПК: G01N 27/83

Метки: изделия, качества, магнитооптическое

...устройство контроля качества изделия содержит источник света 1, конденсор 2, поляризатор 3, светоделитель 4, подложку 5 с магнитооптическим пленочным датчиком 6, анализатор 7, линзу 8, телекамеру 9 с монитором 10, ярмо 11 и 5 постоянные магниты 12.Устройство работает следующим образом. Вблизи поверхности изделия 13 помещают датчик 6. Свет от источника 1 проходит конденсор 2, поляризатор 3, све тоделитель 4 и освещает датчик 6. Свет, отраженный от свободной поверхности датчика 6, проходит светоделитель 4, анализатор 7 и с помощью линзы 8 фокусируется на телекамеру 9. Изображение доменной 15 структуры или распределения магнитных- моментов в датчике 6 регистрируется на экране монитора 10.Постоянные магниты 12 с ярмом 11...

Номер патента: 1836502

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Рандошкин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: граната, доменсодержащий, магнитооптический, монокристалл, структурой

...что соответствует 3,25ц3,60, При х0,4 резко ухудшается магнитооптическая добротность монокристалла. При х2,3 не удается получить монокристалл достаточно высокого качества. При содержании висмута 0,4х = 2,3 в состав монокристалла необходимо вводить быстрорелаксирующие редкоземельные ионы с 0,7у2,7.Как следует иэ соотношения (1) и фиг, 1 в прототипе ууо, в то время как в заявляемом изобретении у у Быстродействие доменосодержащего монокристалла определяется скоростью насыщения при движении ДСч =(у/2 А/О) (2) где А - обменная константа, 0 - фактор качества, причем А и 0 должны иметь оптимальные значения. Как показывает опыт, для прототипа чБ10 м/с. Как следует из фиг. 2 при использовании заявляемого монокристалла можно получить ч )10...

Номер патента: 1831307

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Рандошкин, Слинкин

МПК: A44C 17/00

Метки: изделия, элемент, ювелирного

...метода жидкофээной эпитаксии, например, на установке УЭР. При расчете состэвэ шихты для выращивания пленок использовали значения коэффициентов распределения, полученные с помощью известного метода, Состав шихты соответствовал первичной области кристаллизации граната нэ фэзовой диаграмме. Температуру насыщения растворэ831307 ной окраски, пленка в качестве окрашивающей примеси содержит эрбий, железо, церий и/или марганец. расплава определяли с помощью известного метода. При выращивании пленок пере- охлаждение раствора-расплава составляло 5-85 С; В качестве растворителя использовали РЬО-В 20 З, 5Примеры конкретного выполнения, свидетельствующие о достижении положительнога эффекта, приведены в таблице.Формула изобретения1. Элемент...

Номер патента: 1824619

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: визуализации, магнитных, полей, топографирования

...плоскости пленки с частотой более 4 ч/Р также приводит к изменению ширины доменов, однако период доменов не успевает измениться, Приложение низкочастотного магнитного поля приводит к одновременному изменению и ширины, и периода лабиринтных доменов. Одновременное приложение постоянного и переменного магнитных полей перпендикулярно плоскости доменосодержащей пленки, в сумме не превышающих поля насыщения доменосодержащей пленки, приводит к небольшому изменению ширины невыгодно намагниченных доменов вокруг среднего значения, определяемого суммарным полем, но к значительному изменению ширины выгодно намагниченных доменов и, как следствие, периода доменной структуры,Если топографируемое магнитное поле однородно, то приложение...

Номер патента: 1824618

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитного, неоднородного, поля, топографирования

...доменная венно неодноро создает магнитост крепляющие доменбретения, обеспечиваюоложительного эффекта внии, заключается в слеОм состоянии В Отсутструемого и внешних пленке существует лаби- Структура, ПространСтдное магнитное поле этические ловушки, эаные стенки. При прило1824618 Составитель М, ЛогуновТехред М.Моргентал Корректор В. Петрэш Редактор Заказ 2225 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Рэушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул Гэглпнцд 101 жении переменного или импульсного внешнего магнитного поля перпендикулярно плоскости пленки с амплитудой, меньшей ее поля насыщения, приводит к тому, что амплитуда смещения...

Номер патента: 1813217

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G11B 11/14

Метки: визуализации, магнитного, поля, пространственно-неоднородного, топографирования

...перемещение пленки 4 относительно оптической оси,При сканировании узким пучком излучение от источника света 1 по поверхности доменосодержащей пленки и регистрации сигнала с фотодетектора 9 места закрепления доменных стенок индентифицируются как минимумы на координатной зависимости амплитуды сигнала, по которым и топографируют пространственно-неоднородное магнитное поле, Амплитуда колебаний доменных стенок может быть на один - два порядка величины меньше ширины доменов,В качестве доменосодержащей пленки целесообразно использовать висмутсодержащие монокристаллические пленки феррит-гранатов (Вс-МПФГ) состава Вз-хВхЕе 5-убау 012, где й - один или несколько редкоземельных ионов, 0,5х2.0, 0у1,8, выращенных на подложках немагнитных...

Номер патента: 1793014

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Рандошкин, Чани

МПК: C30B 29/28

Метки: знака, параметров, пленки, подложки, рассогласования, решетки, эпитаксиальной

...видиподлокки относительно неподвикного раствора-расплава. В случае синтеза монокристаллических материалов в виде твердыхрастворов типа ферритгранатов(ЫВ)з(ГеОа)в 012, где замещение внутрипар ионово-В 1 и Ге-Оа осуществляетсяпрактически неограниченно, имеет местозаметное влияние скорости роста Х на величины приведенных коэффициентов распределения 10К(1 о/В)- (-в 1 ВЬ(ба)ж (Ре 1 тгде в квадратных скобках указаны концентрации компонентов в твердой (т) и жидкой(ж) фазах соответственно,Для величин коэффициентов распрееления всегда выполняются соотношения;К( ц/В ) 1;К(.а/Ге)1,Кроме того, при увеличении скоростироста значения К(1 ц/В) и К(Са/Ре) всегдастремятся к единице.Таким образом., на периферии пленкиконцентрации (Бг и (РеЪ всегда выше...

Номер патента: 1788523

Опубликовано: 15.01.1993

Автор: Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменных, доменосодержащей, магнитоодноосной, пленке, рандошкина, скорости, стенок

...на расстояние, большее характерного размера локальной неоднородности в пленке внаправлении перемещения ДС,Локальную неоднородность в доменосодержащей пленке формируют локальнымуменьшением толщины пленки, с помощьюлокальной ионной имплантации, путем воздействия на пленку сфокусированным импульсным лазерным излучением с длинойволны в области поглощения доменосодержащей пленки, путем пропускания импульса тока через токопроводящий резистивныйэлемент, находящийся в контакте с доменосодержащей пленкой, или путем импульсного акустического воздействия на пленку.Сущность изобретения заключается вследующем. Экспериментально установле.но, что при импульсном перемагничиваниимагнитоодноосных пленок, в частности, монокристаллических пленок...

Номер патента: 1765847

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: анизотропии, магнитного, магнитной, одноосной, пленке, поля, эффективного

...во время действия импуль- (Я сного магнитного поля Ни, изменяют напря- ф женность внешнего магнитного поля Н = Ни ф - Нсм и определяют зависимость Р " от Н, по которой судят об эффективном магнитном поле однооснои анизотропии в магнитной пленке путем экстраполяции этой зависи- ф мости до пересечения с осью абсцисс,Изобретение поясняется чертежом, где приведена зависимость Р от Н, а также зависимость х от Н, по которой определяют эффективное магнитное поле одноосной анизотропии в прототипе, Здесь х - время перемагничивания магнитной пленки. На чертеже видно, что при экстраполяции кри1765847 но, что экстраполяция обеих кривых даетзначение эффективного магнитного поляодноосной анизотропии равное 108 Э,у оГн, РЗаказ 3387 Тираж Подписное...

Номер патента: 1765265

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Рандошкин, Слинкин, Чани

МПК: C30B 29/14, C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, оро, раствора-расплава

...шихты, при нагревании шихты, как показал наш опыт, наблюдается "пузырение" расплава и, как следствие, его разбрызгивание, Для уменьшения влияния этого отрицательного эффекта приходится наплавлять тигель малыми порциями(не более 20 О объема), а температуру повышать со скоростью не более 20-50 град/ч, Зто усложняет и удлиняет процедуру приготовления РР. В заявляемом изобретенил смешивали не все компоненты, а только два Т 02 и КР 04, Зту смесь помещали на дно тигля, Сверху в тигель засыпали К 2 СОз, Такой способ заполнения тигля предотвращал неконтролируемое разбрызгивание РР, При скорости .разогрева более 700 град/ч на первом этапе и риходится использовать мал ои нерционную печь, что снижает воспроизводимость кристаллообразующих свойств...

Номер патента: 1744690

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Иванов, Рандошкин, Тимошечкин, Чани

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптическая, монокристаллической, пленки, подложки, способы, структура, феррит-граната

...же 850 и не выше 980 С.Примеры. Материалы подложки выращивались по методу Чохральского в газовой атмосфере азота или аргона.Шихта и режимы синтеза охарактери зованы в табл.1 й - скорость вращения затравкодержателя, 1 - скорость вытягивания монокристалла). Использован иридиевый тигель 3 с размерами 70 х 70 мм и толщиной 2 мм. Второй тигель 5 выполнен 40 из молибдена и имеет размеры 90 х 80 мм с толщиной стенок 8 мм. Материалом прокладки 4 служили оксиды огОЗ, УгОЗ, ЯсгОз в смеси, Толщина прокладки 4 составляла 0,8 - 2 мм, 45Из полученных монокристаллов вырезали подложки толщиной 0,6 - 0,6 мм, которые обрабатывали по стандартной технологии.Пленки феррита-граната выращивали 50 в соответствии с режимами, приведенными в табл.2, в которой...

Номер патента: 1678921

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Рандошкин, Слинкин

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Метки: платинового, тигля

...исходного тигля.П р и м е р 2. После выращивания моно- кристаллических пленок (В 1, т- и)з (Ре, Оа)502 из переохлажденного раствора - расплава на основе В 20 з - РЬО - В 20 з. Последовательность операций и аппарату1678921 Составитель А,ЛихолетовРедактор М,Кузнецова Техред М.Моргентал Корректор М, Максимишинец Заказ 3187 Тираж 245 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 ра аналогичны описанным в примере 1. Травление тигля проводят 60.ной азотной кислотой при 80" С в течение 1 ч. Травление концентриоованной фосфорной кислотой осуществляют при 130 С в течение 0,5 ч, Температура...

Номер патента: 1675950

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: дефлектор-концентратор, доменной, магнетике, магнитооптический, спиральной, структуры, формирования

...процесса,.В случае, если область с пониженнымН имеет сферическую форму, из этой обла сти иногда начинается рост полосовцх доменов одновременно в две стороны (фиг, 1 д), но уже при формировании первого витка один иэ доменов перестает удлиняться, а второй образует спираль (фиг. 1 е).25 Для улучшения формы спирали в еецентральной части область с пониженным Н должна иметь каплеобразную форму, В этом случае благодаря магнитостатическим полям появляется вы деленное направление и из центра зародышеобразования рост полосового домена происходит только в одном направлении,Размер области с пониженным Н дол жен составлять=(1-2) и, где в - равновесная ширина полосового домена в пленке, иначе при увеличении 1 рост доменов из этой области происходит...

Номер патента: 1656594

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, носитель

...шин к центру ячейки,Области с пониженной намагниченностью насыщения оно сформировать спомоцью диффузионного отжига в присутСтвии кремния, Это позволяет снизить намагниченность насыщения в 3-10 раз,Углубления 2 по периметру ячеек могутиметь глубину (0,1 - 1) и, где- тол гцина слоямагнитоодноосного материала, и ширину2-10 мкм при размере ячеек 50-150 мкм,Токопроводящие шины могу быть изготовлены методом фотолитогоафии,Работа накопителя заключается в управляемом переключении вектора намагниченности ячеек, При подаче токов в двапроводника переключается только та ячейка, которая находится на пересечении этихшин и ее участок ввода примыкае к этомупересечению, Для переключения ячейки в переключения ячейки, в результате...

Номер патента: 1647648

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Логинов, Рандошкин, Трошин, Чани, Червоненкис

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитооптического, носителя

...диапазон раствора-расплава не соответствует областипервичной кристаллизации граната (первой кристаллизующейся фазой при охлаждении системы из гомогенного состоянияявляется феррит-гранат), Для указанногосоотношения компонентов первой кристаллиэующейся фазой является фаза с негранатовой структурой, однако при внесении внгг 948 1 г,6 зг 17,г з,о1 ОО П р и м е ч а н и е: (Эр-удельное фарадеевское вращение на длине волны 600 н Составитель О.РозентальРедактор А.Мотыль Техред М,Моргентал Корректор О,Кравцова аз1404 Тираж 354 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул. Гагарин раствор-расплав...

Номер патента: 1635209

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Рандошкин, Сигачев

МПК: G11C 11/14

Метки: гиромагнитного, доменосодержащей, отношения, пленке

...Цел ние олас ных участко инеи ения применедиапазо магнитн ия пособа путе а измеренных зн го отношения, Дл увелчений ения гир аходят з и я эт о на к вычислиыть исполь В соответствииобом измерение г предлагаемым сомагнитного отн зовано при изгот ных носителей ин и нко ночния оменос одержаще ществ 1, рмации лед ую м образом.т до насыщения доЦелью изобр ение области ем увеличения тения явл амагничива сшименососмещеникулярн менения спосо ку м женн нитным перпе олем диапазон ннь пленки в про сное м гннтногориведенысм для чепленок фтапа (Тв,тношения. ависимост ивопо н гнитное поаправл еНп ри это ыс об н рех и по сти ротивопол ррит-гр СИВ 1)з,ютс е- ор ожцнич е в пленкеатной нам остью,ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ...

Номер патента: 1615795

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Мартынов, Рандошкин

МПК: G11B 11/105, G11B 5/33

Метки: воспроизведения, записи, магнитной, магнитооптического, носителя

...клинообразной формы,На фиг.2 изображен вариант магнитооднаасной манакристаллической ле 1, прецнаэначенной для магнитооптического воспроизведения с одной дорожки записи носителя 3 магнитной записи. На фиг.З изображен вариант магнитоодноосной моно- кристаллической пленки 1, входящей в устройство для магнитооптического воспроизведения одновременно с трех дорожек записи носителя 3 магнитной записи или для слежения за положением на одной из дорожек записи, С этой целью ма нитоодноосная монокристаллическая пленка 1 объединена в едином блоке с дополнительными магнитоодноосными монокристаллическими пленками 11 клинообразной формы, укрепленными на той же прозрачной подложке 2 и отделенные от нее посредством немагнитных областей 12. При этом...

Номер патента: 1608747

Опубликовано: 23.11.1990

Автор: Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: анизотропии, магнитной, магнитных, пленке, полей, эффективных

...критической напряженности постоянного магнитного поля Нлк , по которой судят о компонентах эффективных магнитных полей, имеющих различную физическую природу.Сущность изобретения заключается в следующем.Известно, что согласно результату классической теории Стонера-Вольфарта перемагничивание магнитных пленок вращением векторов намагниченности должно происходить при достижении критерия, который для магнитоодноосных пленок можно записатьв виде Н /з+Н/= (4 к - 4 дМ ) /, и 8 где Н и Ни в компоненты магнитного поля,перпендикулярная и параллельная плоскости пленки соответственно;Н - поле одноосной анизотропии;4 лМ - намагниченность насыщения, Для данного случая это условие может быть переписано в виде=(Н 4 М )ф,где выделены перпендикулярная...

Номер патента: 1603436

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: источника, калибровки, магнитного, поля

...Магнитное поле смещения и импульсное магнитное поле направлены противоположно и перпендикулярно плоскости магнитной пленки,1603436 Составитель Г,АникеевТехред М.Моргентал Корректор В.Гирняк РеДактор А.Лежнина Заказ 3389 Тираж 486 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Пленку в области воздействия импульсного поля освещают плоскополяризованным светом, который проходит через магнитную пленку и прозрачную гранатовую подложку, анализатор поляризации и поступает в фотодетектор, где преобразуется в электриче,ский сигнал. Величина электрическогосигнала фотодетектора пропорциональна...

Номер патента: 1597401

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Логинов, Рандошкин

МПК: C30B 19/04, C30B 29/28

Метки: выращивания, пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных

...этого температуру снижают до значения Т= 865-900 Со расплав помещают подложку из гад ний-галлиевого граната с ориентаци К 1597401(111) диаметром 20 мм, предварительно прогретую до той же температуры, Под- е ложку приводят во вращение со скоростью 120-180 об/мин. Наращивание пленок проводят в течение 1-30 мин, после чего подложку извлекают из раствора-расплава, приводят ее в ускоренное вращение для стряхивания капель раствора-расплава и охлаждают.Параметры пленок скорость движения доменных стенок, коэффициент опти- СР ческого поглощения гленок, выращенных при разных составах раствора-расплава и температуре роста, даны в таблице,1597401 Ф ор м у л а и з о б р е т е и и я СоставСодержание компонентов, мол.7) Вьоа Тт Оа Реоа Сатори т, фС...

Номер патента: 1587584

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Рандошкин, Чани

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитооптический, носитель

...предложенного изобретения состоит в одновременном обеспечении высокой прозрачности носителя информации из-за отсутствия в подложке ионов неодима, компенсации момента импульса за счет оптимизации уровня замещения железа немагнитными ионами в европийсодержащей пленке и создании орторомбической анизотропии в европийсодержащей пленке с ориентацией (110) или (210) . Компенсация момента импульса как и в известном изобретении обеспечивает повышенное гиромагнитное отношение и, как следствие, скорость доменных стенок Г)10 м/с. В предложенном носителе за счет одновременной реализации орторомбической анизотропии и повышенного значения б обеспечивается уменьшение температурной зависимости скорости доменных стенок при- 10 м/с. Следует отметить,...

Номер патента: 1569900

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Дудоров, Куделькин, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: анизотропии, доменосодержащей, кристаллографической, кубической, ориентации, осей, пленке

...ОО йгй Составйитель й,Аьйийкееь8;"Ред Гй:"й 10)Геьг; ал ОР 1амОРСК.Я Реда кт.Шандор ПОдпи"ное008 тениям и Открытигйм ГОи ,йййй(: йй й 1 й/5 ж 408ОМИТ 8 ТЯ ПО .30Осква, )й(-", Ра Тира ТВ 8 НЧОГО К 1 1:Р)й) Ч аказ 1453 ВНИИ Осуда Производственно-издательскич комбинат йПй)теьйт", й, Ужгород, ул, Гай арийча,векторов намагниченности в ионно-имплантированном слое, в результате которого они выстраиваются вдоль трех эквивалентных направлений, составляющих друг с другом углы 120 О, При этом в окрестности пеоесечения осью симметрии пространственно- неоднородного магнитного поля доменосадержащей пленки,в, ирнно-имплантирован. ном слое образуются три домена, разделенные дОменньйми стенками, Зт(1 , стенки ориентированы под улом 12 О другк другу...

Номер патента: 1550584

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Рандошкин, Чани

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, намагниченности, пленки, подрешеток, ферромагнитной, эпитаксиальной

...эпитаксиальной структуры (на расстоянии 20-500 мкм) имеет место заметное увеличение толщины пленки, что связано с повышенной скоростью эпитаксиального наращивания пленки на таком участке за счет б.пее интенсивного пере1550584 Формула изобретения Составитель В.РозентальРедактор Е.Копча Техред МеХоданич Корректор М е Максимишинец Заказ 277 Тираж 483 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,01 медивания раствора-расплава на. периферии подложки, которая при эпитакси приводится во вращение со скоростью 100-200 об/мин. Увепичение скорости роста пленки феррит-граната всегда сопровождается...

Номер патента: 1541673

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, носитель

...которые содержат одинаковые 40ионы Ге", Вследствие этого носительинформации обладает высокой термостабильностью параметров в широком температурном диапазоне. Высокое быстродействие обеспечивается приложением 45постоянного магнитного поля в плоскости пленки НН где Н"- пороговое значение плоскостного поля,приблизительно равное 1 кЭ,Носитель информации работает сле 50дующим образом,Приложение поля ННс помощью постоянных магнитов 3 обеспечивает режим движения ДС с высокой скоростыю (Фиг,2 и 3), Движение ДС происходит при приложении переключающего магнитного поля с помощью токовыхуправляющих структур (на Фиг,1 не показаны),Состав пленки 2 выбирают иэ следующих соображений. При содержании Вменее 12 атома на формугьную единицуграната...