Тальнова

Номер патента: 1607014

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Прокопенко, Рыжкова, Сидоренко, Тальнова, Хцынский, Ярандин

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...что на управляющей шине 9 напряжение высокого уровня, между областями 2 3 образуется канал, напряжениепрограммирования от программирующейшины 8 поступает на первую. диффузионную область 2, пробивает второй диэлектрический слой 6 и между слоем 7и первой диффузионной областью 2 формируется низкоомное соединение, эле 55мент запрограммирован (записанноесостояние - низкое сопротивление). Использование туннельно-тонкого слоя 6 из диоксида кремния, применение в качестве слоя 7 пленки поликремния позволяет совместить изготовление элемента памяти с технологией ЭС РПЗУ с плавающим затвором, что дает возможность повысить устойчивость и надежность воспроизводимых характеристик элемента памяти, не приводящих к потере информации программирующих...

Номер патента: 1277077

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Прокопенко, Сидоренко, Тальнова, Хцынский

МПК: G05F 1/618

Метки: постоянного, стабилизатор

...входнойшине 10 питания, затвором к затворутранзистора 1, а истоком - к выходной шине и через токоограничительныйдвухполюсник на пятом транзисторе11 п-типа с объединенными стоком изатвором к стоку транзистора 1Устройство работает следующим образом,Если по какой-либо причине происходит отклонение (увеличение) выходного напряжения от заданногоуровня, определяемого пороговымнапряжением транзистора 2, коэффициентом передачи двухкаскадного усилителя и пороговым напряжением транзистора 1, то на выходе первого каскада усиления (на стоке транзистора 2) напряжение уменьшается, чтоприводит к увеличению напряжения навыходе второго каскада усиления (настоке транзистора 4) и, следовательно, на входах первого и второгорегулирующих транзисторов 1 и...

Номер патента: 1261064

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Прокопенко, Сидоренко, Тальнова, Хцынский

МПК: H02M 3/155

Метки: мдп-транзисторах, умножитель

...управления - высокого. Первый нагрузочный транзистор 15 открывается,и первый зарядный конденсатор 4 первого каскада умножения заряжаетсядо напряжения Б при этом на входепервого каскада 3, будет напряжение1. =П1 ПЙТ ПОР Тр 1которое через 5 О 15 20 25 30 35 40 открытый первый форсирующий транзистор 9, передается на затвор первого зарядного транзистора 11, и происходит заряд первой форсирующей емкости 1,1,Напряжение на входе первого касП 1 -1111 ит 11 пОР тР 15, форсирующая емкость 11, заряжена, но напряжение недостаточно для открывания первого зарядного транзистора 1, .На вход управления 5 поступает напряжение высокого уровня, а на вход 8 - низкого уровня. На входе 3, напряжение становится равным=Б, +П, (где П,р - напряжение сигнала...

Номер патента: 1163356

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Прокопенко, Сидоренко, Тальнова, Хцынский

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...транзистор 13 остается в исходном состоянии, т.е. в состояпии низкопорогового напряжения, что соответствует хранению истинного сигнала. При этом пятый нагруэочный транзистор 5 закрыт, так как на его истоке высокий потенциалТеперь на адресную шину 16 прямого сигнала поступает ложный сигнал, т.е, потенциал "Лог, 0". Так как .на шину 15 записи подается напряжение программирования, то первый ключевой транзистор 6 закрывается и на его стоке устанавливается высокий потенциал, который, поступая на затвор управляющего транзистора 12, открывает его и через открытые зарядный транзистор 11, управляющий транзистор 12 протекает ток записи запоминающего транзистора, так как на затворе запоминающего транзистора 13 по-прежнему через открытый...

Номер патента: 697937

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Тальнова, Хцынский

МПК: G01R 31/26

Метки: моп, напряжений, пороговых, транзисторов

...эталонный резистор, одним выводом соединенный с общей шиной, а другим - с истоком транзистора и инвертирующими входами двух компараторов напряжения, к неинвертирующим входам которых подключены два ис точника опорных напряжений, выходыкомпараторов напряжения через схемыформирования импульсов управлениясоединены с аналоговыми ключами. Такое устройство позволяет иэмерять как пороговые напряжения МОПтранзисторов с индуцированным каналом, так и напряжения отсечки полевых транзисторов с встроенным каналом, причем не только в режиме насыщения, но и в ненасыщенной области,а также независимо от длины каналатранзистора.На чертеже изображена блок-схемапредлагаемого устройства,Устройство содержит генератор 1низкой частоты, клеммы для...