Способ измерения эффективных магнитных полей анизотропии в магнитной пленке

(51 АРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ БРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯНТ СССР ГО П ВТОРСКОМУ С ЕЛЬСТВ 366418/24-249.01.883.11.90, Бюл.43. В. Рандошкин81.327.66 (088.8)Элементы и устрочник. - М.: Радио и 46) 75) 53) 56) Спра тва на ЦМД.вязь, 1987, с. 34,МД. Спрас. 34, п. 3. фЕКТИВ- ИЗОТРОвычисли: использоющих усттных домения являния спосонственногоспособом у до насыения Н, плоскости поля Н,с шек 11 инН с источя создания источником уска источ 16 задержтехник разраб линдриЦел област ния егНа ение эффективных маги пии в магнитной плен едующим образом, ничивают магнитную ия магнитным полем см ным перпендикулярно й пленки 2, воздейств оложно направленным ства,на фигУстмого спраспол3 импузаторрации Измер анизотро вляют сл Нама насыщен приложен магнитно противопитных полеи е осущестевам пленку до щения Н плоскости ют ка нее мпульсным Элвочни(57)тельнованоройствнахется рба путразренамагщенияприло менты и устроиства на Ц. - М,: Радио и связь, 1987,ПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ Эф АГНИТНЫХ ПОЛЕЙ АН МАГНИТНОЙ ПЛЕНКЕ зобретение относится к технике и может быть ри разработке запомина на цилиндрических магии ЦМД). Целью изобрете сширение области примене м повышения его простра ения. В соответствии со ичивают магнитную пленк магнитным полем смещ енным перпендикулярноретение относится к вычислительной и может быть использовано при тке запоминающих устройств на циеских магнитных доменах (ЦМД). ю изобретения является расширение применения способа путем повыше- пространственного разрешения.иг. 1 приведена блок-схема устройеализующего предлагаемый способ;2 - зависимость Н (Н ).ойство для реализации предлагаесоба содержит столик 1, на котором жена магнитная пленка 2, источник ьсов света, объективы 4 и 5, полярии анализатор 7, блок 8 регистзображения домеков, пару катушекмагнитной пленки, воздействуют на нее противоположно направленным импульсным магнитным полем, увеличивают амплитуду этого поля Н и регистрируют ее пороговое значение Н,при котором перемагничивание локальной области магнитной пленки осуществляется вращением векторов намагниченности, о чем судят по появлению динамических доменов с обратной намагниченностью в начале действия импульса магкитного поля. Затем вдоль выбранного направления в плоскости магнитной пленки прикладывают постоянное магнитное поле Н, изменяют это поле, определяют для той же локальной области зависимости Н (Н) и регистрируют критическое значение напряженности постоякного магнитного поля Нпп, при которой значение Н максимально. Об Я эффективных магнитных полях в локальной области магнитной пленки, перпендикулярном плоскости пленки и параллельном выбранному направлению в плоскости пленки, С судят по значениям Н,", и Н,",. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. 9 индуктивности для создания источником 1 О тока, пару кату дуктивности для создания поля ником 12 тока, катушку 13 дл импульсного магнитного поля с 14 импульсов тока, блок 15 зап ника импульсов света и линиюН+ Н=0,Формула изобретения 45 50 55 магнитным полем, увеличивают амплитуду этого поля Ни и регистрируют ее пороговое значение Н при котором перемагничивание локальной области магнитной пленки осуществляется вращением векторов намагниченности, о чем судят по появлению динамических доменов с обратной намагниченностью в начале действия импульса магнитного поля, затем вдоль выбранного направления в плоскости магнитной пленки прикладывают постоянное магнитное поле Н ., изменяют это поле, определяют для той же локальной области зависимость Н (Нщ) и регистрируют критическое значение напряженности постоянного магнитного поля Н, при которой значение Нмаксимально, а о эффективных магнитных полях в локальной области магнитной пленки, перпендикулярном плоскости пленки и параллельном выбранному направлению в плоскости пленки, судят по значениям Н и НВ частности, дополнительно изменяют направление постоянного магнитного поля в плоскости магнитной пленки, определяют азимутальную зависимость критической напряженности постоянного магнитного поля Нлк , по которой судят о компонентах эффективных магнитных полей, имеющих различную физическую природу.Сущность изобретения заключается в следующем.Известно, что согласно результату классической теории Стонера-Вольфарта перемагничивание магнитных пленок вращением векторов намагниченности должно происходить при достижении критерия, который для магнитоодноосных пленок можно записатьв виде Н /з+Н/= (4 к - 4 дМ ) /, и 8 где Н и Ни в компоненты магнитного поля,перпендикулярная и параллельная плоскости пленки соответственно;Н - поле одноосной анизотропии;4 лМ - намагниченность насыщения, Для данного случая это условие может быть переписано в виде=(Н 4 М )ф,где выделены перпендикулярная Н и паралЭлельная Нплоскости магнитной пленки,составляющие локальных эффективных магнитных полей. Из этого соотношения следует, что для однородной магнитной пленкив отсутствие локальных эффективных магнитных полей при Н=О перемагничиваниеначинается, еслим11 и Н,=Нк 4 дМ,При Н=О любое эффективное магнитное поле, параллельное плоскости магнитной пленки, снижает значение Н, а эффектив 10 15 20 25 за 35 40 ное магнитное поле, перпендикулярноеплоскости пленки, увеличивает значение Несли это поле направлено в ту же сторону,что и Н или уменьшает значение НеслиН направлено в ту же сторону, что и НиэПри наличии поля Н в плоскости пленкизначение Н достигает максимума тольков том случае, если т.е, когда внешнее магнитное поле полностью компенсирует эффективное магнитное поле. Это позволяет определить Н.э Сравнение значений Н для разных точек магнитной пленки или с эталонной магнитной пленкой, не подверженной локальным воздействиям, создающим эффективное магнитное поле, позволяет найти Нэ,Устройство для реализации предлагаемого способа работает следующим образом.На столик 1, установленный с возможностью вращения, помещают магнитную пленку 2 так, чтобы исследуемая локальная область совпала с осью вращения, Столик 1 может быть неподвижным, если поле Ндсоздают с помощью двух пар катушек, если которых ортогональны. Домены наблюдают с помощью эффекта Фарадея. Намагничивают магнитную пленку 2 полем смещения с помощью катушек 9. Прикладывают с помощью катушки 13 импульсное магнитное поле. С помощью линии 16 задержки устанавливают задержку импульса подсветки 10 - 100 нс относительно начала импульса магнитного поля. Увеличивая амплитуду Н,регистрируют появление доменов с обратной намагниченностью и определяют значение Н Вдоль выбранного направления в плоскости пленки 2 прикладывают постоянное поле Н . Определяют его критическое значение Н"при котором Нмаксимально. Определяют азимутальную зависимость Н (1). С помощью фурье-анализа, полученного по известным соотношениям, определяют компоненты эффективных магнитных полей. 1, Способ измерения эффективных магнитных полей анизотропии в магнитной пленке, основанный на воздействии на магнитную пленку магнитными полями, перпендикулярным и параллельным плоскости пленки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа путем повышения его пространственного разрешения, намагничивание магнитной пленки магнитным полем смещения, перпендикулярным плоскости магнитной пленки, осуществляют до насыщения пленки, воздействуют на пленку противоположно направленным импульсным магнитным полем, увеличивают напряженность этого поля Н и регистрируют пороговое значение Н, прикото ти щен лени нам пуль дейс напр ки, поля обла (Н нап 5ом перемагничивание локальной обласагнитной пленки осуществляется враем векторов, о чем судят по появдинамических доменов с обратной гниченностью в начале действия има магнитного поля, затем после возвия на магнитную пленку в одном влении постоянным магнитным полем араллельным плоскости магнитной плен- изменяют величину напряженностиопределяют для той же локальной 10 ти магнитной пленки зависимость Н и регистрируют критическое значение яженности постоянного магнитного поля бН, при которой значение Н" максимально, а об эффективных магнитных полях анизотропии в локальной области магнитной пленки судят по значениям Ни Н . 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что изменяют направление постоянного магнитного поля в плоскости магнитной пленки, определяют азимутальную зависимость критической напряженности постоянного магнитного поля Н", по которой судят о компонентах эффективных магнитных полей а низотропии, имеющих различную физическую природу.РозентальКорректор Подп испо ям и открытиям кая наб., д. 4 , г. Ужгород, у льЮ вчук Осауле Т СССР при Соста витеТехред А. Кра Тираж 484комитета по изобретени осква, Ж - 35, Раушс ский комбинат Патент