Параллельный асинхронный регистр на кмдп-транзисторах

Номер патента: 1599899

Авторы: Гольдин, Кондратьев, Романовский, Цирлин

ZIP архив

Текст

,901599899 д 151) 5 6 11 С 9 ф 0 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ Я ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ндратьев,ирлин инхронных сиского.М,: ОННЫЙ ТОРАХ ычислиол ьзов а- тройств ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Автоматное управление ас ными процессами в ЭВМ и дискрет темах / Под ред. В. И. Варшавс Наука, 1986, с. 355, рис. 11.19.Авторское свидетельство СССР1354249, кл. 6 11 С 19/00, 1986 (54) ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ АСИНХР РЕГИСТР НА КМДП-ТРАНЗИС (57) Изобретение относится к в тельной технике и может быть исп но при построении асинхронных у приема и хранения информации. С целью упрощения регистра, содержащего ячейки 1 - 3 памяти, состоящие из инверторов 4 и 5, ключевого элемента на транзисторе п.типа 6 и коммутационного элемента на двух транзисторах р-типа 7 и 8, и управляющий триггер 9 на элементе И - ИЛИ - НЕ 11 в инверторе 10, стоки транзисторов 6, 8 и выход инвертора 5 соединены со входом инвертора 4, выход которого соединен со входом элемента 11. Выход последнего соединен с затвором транзистора 8 и входом инвертора 12, выход которого соединен с выходом 14 индикации записи регистра, вход 13 разрешения записи которого соединен с затворами транзисторов 6, 7 ячеек 1 - 3, а информационные входы 15 - 17 - с истоками, транзисторов 7 ячеек 1 - 3 и входами инвертора 12. 1 ил.Формула изобретения 40 45 50 55 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении асинхронных устройств приема и хранения информации,Цель изобретения - упрощение регистра.На чертеже представлейа схема регистра.Регистр содержит ячейки памяти 1 - 3, каждая из которых состоит из первого 4 и второго 5 инверторов, ключевого элемента на транзисторе п-типа 6 и коммутационного элемента, состоящего из первого 7 и второго 8 транзисторов р-типа, и управляющий триггер 9, состоящий из инвертора 10 и элемента И - ИЛИ - НЕ 11.На чертеже показаны также шина нулевого потенциала 12 регистра, вход разрешения записи 13, выход индикации записи 14, информационные входы 15 - 17 и выходы 18 - 20 регистра.Регистр работает следующим образом.В исходном состоянии на управляющий вход разрешения записи 13 подается высокий потенциал, который открывает транзистор 6 и закрывает транзистор 7, При этом на входе инвертора 4 появляется низкий потенциал (поскольку сопротивление канала транзистора 6 меньше сопротивления канала транзистора р-типа инвертора 5, он перетягивает инвертор 5), а на выходе инвертора 4 высокий потенциал, т.е, ячейки памяти 1, 2 и 3 переходят в нулевое состояние. В результате на выходе элемента 11 появляется низкий потенциал, который открывает транзисторы 8, а на выходе инвертора 10, т.е. выходе 14 регистра - высокий потенциалПосле того, как на информационных входах 15 - 7 установятся потенциалы, соответствующие значениям разрядов записываемого кода, на управляющий вход 13 подается низкий потенциал, который закрывает транзисторы 6 ячеек 1 - 3 и открывает транзисторы 7 этих ячеек. Через открытые транзисторы 7 и 8 информация со входов 15 - 17 поступает на входы инверторов 4 ячеек 1 - 3, при этом, если в ячейку записывается О, т.е. на соответствующий информационный вход подан низкий потенциал, то ее состояние не изменяется и на выходе инвертора 4 потенциал остается высоким, Если же в ячейку записывается 1, т.е. на соответствующий информационный вход подан высокий потенциал, то на входе инвертора 4 устанавливается высокий потенциал (поскольку сопротивление цепочки транзисторов 7 и 8 меньше, чем сопротивление транзистора и-типа инвертора 5, эта цепочка перетягивает инвертор 5), а на выходе инвертора 4 появляется низкий потенциал. Только после того, как информация запишется во все ячейки памяти 1 - 3 и потенциал на выходах их инверторов 4 станет противоположен потенциалу на соответствующих информационных входах 15 - 17, произойдет переключение элемента 11 и на его выходе появится высокий потенциал, который закроет транзис 5 10 15 20 2 б 30 35 торы 8 ячеек 1 - 3, т.е. отсечет их от информационных входов 15 - 17. После этого переключится инвертор 1 О и на его выходе, т.е. выходе 14 регистра появится низкий потенциал, что свидетельствует о завершении переходных процессов в этой фазе работы регистра.После этого произвольным образом могут изменяться сигналы на информационных входах 15 - 17 ячеек памяти 1 - 3 с тем, чтобы к моменту следующей записи кода в регистр на этих входах были установлены потенциалы, соответствующие разрядам записываемого кода.Перед новой записью кода регистр должен быть возвращен в исходное состояние. Этот процесс осуществляется подачей высокого потенциала на управляющий вход 13, в результате чего закрываются трайзисторы 7 ячеек памяти 1 - 3 и открываются их транзисторы 6 и на входах инверторов 4 этих ячеек появляются низкие потенциалы, которые вызывают появление высоких потенциалов на выходах.инверторов 4 ячеек памяти 1 - 3. После того, как высокий потенциал появится на выходах инверторов 4 всех ячеек памяти 1 - 3 произойдет переключение элемента 11, на выходе которого появится низкий потенциал, открывающий транзисторы 8 ячеек памяти 1 - 3, а затем переключение инвертора 1 О и на его выходе, т.е. выходе 14 регистра появится высокий потенциал, что свидетельствует о завершении переходных процессов при возврате регистра в исходное состояние,Затраты оборудования при реализации предложенного регистра составляют 13 п+6 КМДП-транзисторов, где п - число ячеек памяти регистра, В известном регистре эта величина равна 26 п+22. Параллельный асинхронный регистр на КМДП-транзисторах, содержащий и ячеек памяти, каждая из которых состоит из двух инверторов, причем вход и выход первого соединены соответственно с выходом и входом второго, и управляющий триггер, содержащий элемент И - ИЛИ - НЕ и инвертор, вход которого соединен с выходом элемента И - ИЛИ - НЕ, а выход - с первыми входами п групп элемента И - ИЛИ - НЕ, вторые входы которых соединены с п входами (и+1)-й группыданного элемента и являются соответствующими информационными выходами регистра, отличающийся тем, что, с целью упрощения регистра, каждая ячейка памяти содержит ключевой элемент на транзисторе п-типа, исток которого соединен с шиной нулевого потенциала регистра, сток - с входом первого инвертора данной ячейки памяти, а затвор - с (п+1) -м входом (и+1) -й группы элемента И - ИЛИ - НЕ управляющего триггера и1599899 Составитель А. ДерюгинРедактор И. Сегляник ТехредА. Кравчук Корректор О. ЦиплеЗаказ 3146 Тираж 489 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям прп ГКНТ СССР113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 45Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 является входом разрешения записи регистра, и коммутационный элемент, содержащий два транзистора р-типа, причем исток первого транзистора р-типа соединен с вторым входом соответствующей группы элемента И - ИЛИ - НЕ, затвор - с затвором транзистора п-типа ключевого элемента данной ячейки памяти, а сток - с истоком второго транзистора р-типа, затвор которого соединен с выходом элемента И - ИЛИ - НЕ управляющего триггера, а сток - с входом первого инвертора данной ячейки памяти, выход которого соединен с вторым входом соответствующей группы элемента И -- ИЛИ - НЕ управляющего триггера, третий вход которого соединен с истоком первого транзистора р-типа коммутационного элемента данной ячейки на интн, выход инвертора управляющего трнгге 1 га является 5 выходом индикации записи регис 1 ра,причем сопротивления каналов открытых транзисторов р- и и-тинон второго инвертора каждой ячей ки на мяти в к -раз больше сопротивления каналии открытых транзисторов соответственно клн)- чевого и коммутационного элементов данной ячейки памяти, к - отношение напри.жения питания регистра к пороговому напряжению первого инвертора данной ячейки памяти.

Смотреть

Заявка

4606834, 03.10.1988

ЛЕНИНГРАДСКИЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. И. УЛЬЯНОВА, ВЫСШЕЕ ВОЕННО-МОРСКОЕ КРАСНОЗНАМЕННОЕ УЧИЛИЩЕ ИМ. М. В. ФРУНЗЕ

ГОЛДИН НИКОЛАЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, КОНДРАТЬЕВ АЛЕКСЕЙ ЮРЬЕВИЧ, РОМАНОВСКИЙ ВАЛЕРИЙ АБРАМОВИЧ, ЦИРЛИН БОРИС СОЛОМОНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 19/00

Метки: асинхронный, кмдп-транзисторах, параллельный, регистр

Опубликовано: 15.10.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1599899-parallelnyjj-asinkhronnyjj-registr-na-kmdp-tranzistorakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Параллельный асинхронный регистр на кмдп-транзисторах</a>

Похожие патенты