Устройство для выборки и хранения информации

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 801388955 А 1 0 4 б 11 С 27 02 САНИЕ ИЗОБРЕТЕН ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫБОРКИ И ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ(57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при проектировании аналого-цифровых преобразователей. Цель изобретения - повыщение точности и быстродействия устройства. Поставленная цель обеспечивается за счет синхронного срабатывания токовых переключателей, Это обеспечивается парафазным характером управляющего сигнала, формируемого одним и тем же источником управления, высокой степенью симметричности устройства, применением в схеме управления транзисторов одного типа проводимости.1 ил.40 45 50 55 Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при проектировании аналого-цифровых преобразователей.Цель изобретения - повышение точности и быстродействия устройства.На чертеже представлена схема устройства.Устройство содержит с первого по седьмой ключевые элементы- 7 на транзисторах, первый и второй управляющие элементы 8, 9 на диодах, первый, четвертый, второй и третий токозадающие элементы О, 11, 12, 13 на резисторах, первый и второй источники 14, 15 смещения, накопительный элемент 16 на конденсаторе, информационные вход 17 и выход 18 устройства, первую и вторую шины 19, 20 управления, первую и вторую шины 21, 22 питания, первый и второй токовые переключатели 23, 24. Первый токовый переключатель образован ключевыми элементами 4, 5, второй - ключевыми элементами 6, 7. Транзисторы первого, второго, третьего ключевых элементов совместно с резисторами первого, второго и третьего токозадающих элементов 10, 12, 13 и источников 4, 15 напряжения смещения образуют соответствуюгцие источники постоянного тока 11, 12 1 з причем 12=1 з.Устройство работает следующим образом.Режимы выборки и хранения определяются потенциалами на шинах 9 и 20, которые управляют первым и вторым токовыми переключателями. Если на шину 19 подан потенциал, соответствующий 1, а на шину 20 -- потенциал 0, то транзисторы 4 и 7 открыты, а транзисторы 5 и 6 закрыты. Ток 11 первого источника тока делится на токи 1 и 1 з, которые открывают диоды 8 и 9, обеспечивая подключение конденсатора 16 к входной шине 17, и протекают через открытые транзисторы 4 и 7 токовы переключателей. Напряжение на конденсаторе 16 равно текущему значению входного напряжения.При подаче парафазного сигнала управления с потенциалами 0 на шине 19 и 1 на шине 20 устройство переходит от режима выборки к режиму хранения. При этом токовые переключатели срабатывают таким образом, что транзисторы 5 и 6 открываются, а транзисторы 4 и 5 закрываются. В этом случае ток 1 ь разветвляясь, протекает через открытые транзисторы 5 и 6 токовых переключателей, минуя диоды 8 и 9. Последние запираются, и конденсатор 16 отключается от входной шины 17. На конденсаторе 16 сохраняется то значение входного напряжения, которое было на нем в момент переключения устройства из режима выборки в режим хранения.Парафазный характер управляющего сигнала, формируемого одним и тем же источником управления (возможно использование микросхем эмиттерно-связанной логики 5 10 15 20 25 30 35 сверхвысокого быстродействия, например, серии К 500), высокая степень симметричности устройства, применение в схеме управления транзисторов одного типа проводимости обеспечивают синхронное переключение токовых переключателей, что приводит к повышению динамической точности и быстродействию данного устройства по сравнению с известным.Режим работы источника постоянного тока 11 выбран таким образом, что сумма токов 1 и 1 з превышает ток 1 на некоторую величину Л 1, т. е. =1+1 з - Л 1. Величина этого приращения находится в пределах 10 - 100 мкА. В режиме хранения этот избыток тока ответвляется через резистор 11 на нулевую шину питания, создавая на нем падение напряжения, обеспечивающее ненасыщенный режим работы транзисторов токовых переключателей, надежное запирание встречно включенных диодов 8 и 9 и сохранение заряда на конденсаторе 16. Использование токовых переключателей на транзисторах одного типа проводимости с парафгзным управлением позволяет применить в качестве источника управления микросхему эмиттерно-связанной логики, имеющук величину перепада управляющего напряжения 0,8 В и время задержки 2 - 3 нс. Разность между постоянными времени срабатывания транзисторов 4 и 7 или соответственно транзисторов 5 и 6 токовых переключателей не превышает 10 Я от т и составляет:0,1 нс, что достигается высокой степенью симметричности схемы и применением транзисторов токовых переключателей в интегральном исполнении (транзисторные матрицы) с почти идентичными характеристиками.формула изобретенияУстройство для выборки и хранения информации, содержащее первый и второй токозадающие элементы на резисторах, первый и второй источники напряжения смещения, первый, второй и третий ключевые элементы на транзисторах, накопительный элемент на конденсаторе, одна обкладка которого подключена к шине нулевого потенциала устройства, а другая - к информационному выходу устройства, базы транзисторов первого и второго ключевых элементов подключены соответственно к первым выходам первого и второго источников напряжения смещения, вторые выходы которых соединены соответственно с первыми выводами резисторов первого и второго токо- задающих элементов и с первой и второй шинами питания устройства, вторые выводы резисторов первого и второго токозадающих элементов подклк)чены соответственно к эмиттерам транзисторов первого и второго ключевых элементов, отличающееся тем, что,1388955 1 Составитель А. Ершова Редактор Н.Швыдкая Техред И. Верес Корректор А. Зимокосов Заказ 1525/54 Тираж 590 Подписное ВНИИГ 1 И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4с целью повышения точности и быстродействия, в него введены с четвертого по седьмой ключевые элементы на транзисторах, первый и второй управляющие элементы на диодах, третий и четвертый токозадающие элементы на резисторах, первые выводы которых подключены соответственно к второму выходу второго источника напряжения смещения и шине нулевого потенциала устройства, второй вывод резистора четвертого токозадающего элемента соединен с коллектором транзистора первого ключевого элемента, коллекторами транзисторов пятого и шестого ключевых элементов и анодами диодов первого и второго управляющих элементов, катоды которых соединены соответственно с коллекторами транзисторов четвертого и седьмого ключевых элементов и являются соответственно информационными входом и выходом устройства, базы транзисторов четвертого и седьмого ключевых элементов подключены к первой шине управле ния устройства, базы транзисторов пятого ишестого ключевых элементов подключены к второй шине управления устройства, объединенные элементы транзисторов четвертого и пятого и объединенные эмиттеры транзисторов шестого и седьмого ключевых элементов подключены соответственно к коллекторам транзисторов второго и третьего ключевых элементов, второй вывод резистора третьего токозадающего элемента подключен к эмиттеру транзистора третьего 15 ключевого элемента, база которого подключена к второму выходу второго источника напряжения смещения.