Способ изготовления элемента памяти

резкое увеличение тока инжекции дырок через этот слой, достигающее десяти порядков. При этом дырочный токстановится сравнимым с электроннымтоком, что наблюдается только длятуннельно-тонких слоев двуокиси кремния. 40 45 Способ представляет следущую последовательность операций.На полупроводниковую подложку 1 и типа проводимости наносят слой 9 50 двуокиси кремния. Фотолитографией вскрывают отверстие в месте расположения элемента памяти. Затем выращивают термическим окислением полупроводниковой подложки 1 в атмосфере 55 сухого кислорода слой двуокиси кремния и фотолитографией формируют обИзобретение относится к областивычислительной техники и может бытьиспользовано в устройствах обработкии хранения цифровой информации,Целью изобретения является повышение времени хранения информации.На фиг. 1-4 дана диаграмма и схемг,поясняющие предлагаемый способ.Элемент памяти (фиг.3) состоит из 10полупроводниковой подложки 1 п типапроводимости, области 2 двуокиси кремния, области 3 нитрида кремния,первой проводящей области 4, диффузионных областей 5 второго типа проводимости, контактных областей 6-8,истока и затвора, слоя двуокиси кремния 9, контактной области 10 к полупроводниковой подложке, 11 - второйпроводящей области, 20На фиг. 1 приведена зонная диаграмма МНОП-структуры в процессе туннелирования дырок, где Ч - приложенноек МНОП-структуре напряжение записи;Ф - потенциальный барьер для туннелирования дырок. После отжига слоя двуокиси кремния в атмосфере аммиакапроисходит увеличение тока.Сущность предлагаемого способа заключается в том, что в процессе высокотемпературного отжига двуокиси кремния в атмосфере аммиака происходятизменения свойств диэлектрика, приводящие к тому, что он частично приобретает качества туннельно-тонкого516 . Установлено, что после отжигаслоя двуокиси кремния толщиной около10 нм в атмосфере аммиака, в диапазоне температур 1300- 1500 К происходит ласть двуокиси кремния толщиной 10 нм. Проводят отжиг структуры в атмосфере аммиака при температуре 1400 К в течение 20 мин. Осаждением из газовой фазы при взаимодействии силана с аммиаком при температуре 1260 К формируют область нитрида кремния. После чего наносят первую проводящую область 4. Формирование диффузионных областей 5 проводят внедрением ионов легирующей, примеси в приповерхностную область полупроводниковой подложки 1 с последующим отжигом. Нанесением второй проводящей области 11 формируют контактные области 6 - 8 к стоку, истоку и затвору и контактную область 10 к полупроводниковой подложке 1.На фиг.4 приведены характеристики хранения элемента памяти, изготовленного по приведенной технологии. По вертикальной оси - величина заряда в структуре элемента памяти в процентах по отношению к исходному его значению, Штрихпунктирной линией приведена для сравнения характеристика элемента памяти с туннельно-тонким окислом, Время хранения заряда в структуре, изготовленной по приведенной технологии, превышает время хранения заряда элемента памяти с туннельно-тонким окислом. Формула из обре те нияСпособ изготовления элемента памяти, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой подложки первого типа проводимости слоя двуокиси кремния с отверстиями, нанесение областидвуокиси кремния на поверхность полупроводниковой подложки, нанесение нитрида кремния на поверхность облас ти двуокиси кремния, нанесение первой проводящей области на поверхность области нитрида кремния, формирование первой и второй диффузионных областей второго типа проводимости в приповерхностной области полупроводниковой подложки, нанесение второй и третьей проводящих областей на поверхности полупроводниковой подложки и первого слоя диэлектрика, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения времени хранения информации в элементе памяти, после нанесения области двуокиси кремния проводят термообработку в атмосфере аммиака при температуре 1300 - 1500 К в течение 5-60 мин.1397970 Венк СоставительТехред М.Днд Редактор Л. Гратилл орректор 1. П каз 2273/5 краж 590ного комитета СССний и открытийРаушская наб., д. 0 ТВНИИПИ Государствепо делам изобрете 13035, Москва, Ж,Подписн Производственно-полиграфическое предприятие, г, Уагород, ул, Проектная,