Номер патента: 1392593

Авторы: Болдырев, Дорохин, Куперман, Чельдиев, Шакирова

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 9) Я 1 С 1114 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ВТОРСНОМУ СВИДЕ ЬСТВ(57) Изобрететельной техник ыч исли сполье относит может быт нающи роения запо питель инфо по зовано дл устройств держит сл риала, в ца запоми и со ак1 агнитоодноосного матеа мат м сформиров ячеек. Кажд запом ющи ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ 12920384143355/24-2403.11,8630.04,88. Бюл. УА.С.Болдырев, С.Аельдиев, Л.Ф.Шаки.Куперман681.327.66(088,8)Авторское свидете2038, кл. С 11 С нающая ячейка состоит из монодоменной области 2, охваченной одной кодинатной шиной, принадлежащей первойгруппе, и другой координатной шиной,принадлежащей второй группе шин. Координатные шины первой группы размещены на слое 1 и состоят иэ участков3, выполненных из магниторезистивного материала, и участков 4, на которых поверх магниторезистивного материала нанесен слой высохопроводящего материала. Координатные шины второй группы 5 отделены от шин первойгруппы изолирующим слоем. За счетуменьшения общего сопротивления координатных шин первой группы при чтении информации снижается уровень помех, уменьшается "пьедестал" и снижается потребляемая мощность. 1 ил.1392593 ВНИИП 11 Заказ 1811/55 Тираж 590 Подписное Произв,-полигр, пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная,Изобретение относится к вычислительной технике, может быть использовано н запоминающих устройствах и является дополнительным к авт. св.В 1292038.Пелью изобретения является повыше ние надежности и снижение потребляе 1мой мощности.На чертеже показан фрагмент нако"пителя, содержащий 2 2 ячейки памяти,Накопитель информации содержитслой 1 магнитоодноосного материала,в котором сформирована матрица запо минающих ячеек. Каждая запоминающаяячейка состоит из монодоменной области 2, охваченной одной координатнойшиной, принадлежащей первой группе,,и другой координатной шиной, принадлежащей второй группе шин, Координатные шины первой группы размещены наслое 1 и состоят из участков 3, выполненных из магниторезистивного материала, и участков 4, на которых поверх магниторезистивного материалананесен слой высокопроводящего материала. Координатные шины 5 второйгруппы отделены от Фин первой группыизолирующим слоем 4 (не показан).Координатные шины первой и второй группвыполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых колец, магнитосвязанных с монодоменными областями соответственнострок и столбцов матрицы запоминающих элементон.Устройство работает следующим образом.Режимы записи и хранения информа 40ции аналогичны соответствующим режимам работы накопителя по прототипу.Однако вследстние снижения сопротивления координатных шин первой группыза счет шунтирования частей 4 высо 45проводящим материалом на 25-ЗОХ общая потребляемая мощность также уменьшается на 10-157. Режим считыванияинформации аналогичен режиму считывания для накопителя информации прототипа. Во время считывания в коорди натную шину первой группы (строки)подается измерительный ток 1, а в координатную шину второй группы (столбца) ток считывания 1, Выбранная ячейка лежит на пересечении выбранных координатных шин строки и столбца. В результате воздействия магнитного поля тока в выбранных координатных шинах столбца и строки на материал одноосной пленки участок 3 координатной шины строки или перемагничивается, либо нет в зависимости от состояния монодоменной области. В случае его перемагничивания этот участок на период перемагничивания в результате магниторезистивного эффекта изменяет свое сопротивление. В результате падение напряжения измерительного тока 1, на участке 3 выбранной ячейки изменяется и получается полезный считываемый сигнал "1"; Если перемагничивания нет, то полезный сигнал отсутствует и из ячейки считывается "0". Ток считывания 1 перемагничивает также магниторезистивный слой участков 4 в местах их пересечения с координатной шиной 5, При этом сопротивление этих участков меняется. Однако магниторезистивный слой на участках 4 зашунтиронан высокопроводящим слоем и общее сопротивление участков 4 практически не изменяется. Это ослабляет сигнал помехи при считывании.За счет уменьшения общего сопротивления координатных шин первой группы при чтении информации снижа-ется уровень помех и уменьшается пьедестал", на уровне которого считывается полезный сигнал. Формула изобретения Накопитель информации по авт.св. У 1292038, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности и снижения потребляемой мощности, на части шин первой группы, расположенных между участками, охватывающими монодоменные области, и не связанных с ними магнитно, нанесен слой высокопроводящего немагнитного материала, гальванически связанного с магниторезистивным материалом.

Смотреть

Заявка

4143355, 03.11.1986

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ М-5489

БОЛДЫРЕВ АЛЕКСАНДР СЕРГЕЕВИЧ, ДОРОХИН СЕРГЕЙ АНАТОЛЬЕВИЧ, ЧЕЛЬДИЕВ МАРК ИГОРЕВИЧ, ШАКИРОВА ЛЮДМИЛА ФИЛИПОВНА, КУПЕРМАН СЕРГЕЙ ЛЬВОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, накопитель

Опубликовано: 30.04.1988

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1392593-nakopitel-informacii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Накопитель информации</a>

Похожие патенты