Элемент памяти

Номер патента: 419967

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Герасимук, Дереновский, Изобретени, Осауленко, Почерн, Тараненко

МПК: G11B 7/24

Метки: запоминающего, информации, материал, носителя, слоя, термопластического

...к области материамых для запоминающего слоя ского носителя информации. териал для запоминающего слоя ского носителя информации на чполисилоксана,еличения цикличности рабогы редлагаемый материал введен фор (например, антрацен) при личественном соотношении исентов, вес. %:олисилоксан 98 - 99,505 - 2 Пред м ет изобретен слоя термоии на основе ающийся личности рг- ганолюминоедующем коных компознающего информацотлич чения цик введен ор ен) при сл нии исход 8 - 99,505 в 2 Предлагаемыи материал характеризуетсявысокой электронной чувствительностью и моан Изобретение лов, используе термопластичеИзвестен ма термопластиче основе дифени С целью ув носителя в п органолюмино следующем ко ходных компонДифенилп Антрацен,в АНИЕЕН ИЯИДЕТЕЛЬСТВУ жет...

Номер патента: 529672

Опубликовано: 23.11.1988

Авторы: Зенцова, Сафонов, Хрящев

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...истоком МНОП структуры, обусловленное наличием расположенных по обеим 3 Осторонам затвора по ширине каналаобластей маскирующего диэлектрика,которое может быть принято за признак"О" и привести к ложному считываниюйнформации,Цель изобретения - повышение надеж.ности элемента памяти при считыванииинформации,Это достигается тем, что в элементпамяти введены дополнительные области 10запоминания, прилегающие к основнойобласти запоминания и расположенныепо обеим сторонам затвора МНОП сгруктуры по ширине канала. 2На чертеже показана конструкция элемента памяти.Элемент памяти содержит: исток 1, область 2 двуслойного диэлектрика, не обладающую эффектом запоминания, область 3 маскирующего диэлектрика, основную область 4 запоминания двуслойного...

Номер патента: 243668

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Буров, Коломейцева, Кораблев

МПК: C25D 3/50, H05K 3/18

Метки: контактных, печатных, поверхности, покрытия, родия, слоем, электролит, элементов

...ПОВЕРХНОСТИ ПЕЧАТНЫХ КОНТАКТНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СЛОЕМ РОДИЯолучение однородной структуры покрытия, игает 800 кг/мм 2, ивеличины переходно ктных элементов. Известны электролиты для покрытия печатных контактных элементов слоем родия гальваническим способом, содержащие соль родия.Цель изобретения - получить однородную 5 мел кокристаллическую структуру покрытия,Достигается это тем, что в качестве соли родия использован аминохлоридный родий.Концентрация аминохлоридного родия в пересчете на металлический родий б - 7 г/л, кис лотность электролита 8 - 9, рабочая температура электролита 70+ 2 ОС, плотность тока 2 а/дм-.Родирование печатных контактных элементов в аминохлоридном электролите, не имею щем примесей посторонних металлов, обеспечнвает п...

Номер патента: 565237

Опубликовано: 15.07.1977

Автор: Узморский

МПК: G01N 23/22

Метки: гомогенности, области, размеров, распределения, твердых, телах, элементов

...экспериментальную погрешность,Целью изобретения является повышение точности при малых концентрациях исследуемого элемента.Это достигается тем, что по предлагаемому способу дополнительно регистрируют интенсивность характеристического излучения какого-либо другого элемента, содержащегося в исследуемом теле, изменяют зависимость отношения интенсивностей характеристических излучений исследуемого и другого элементов отдиаметраэлектронногозондаи по измеренной зависимости определяют размеры области гомогенности.Способ реализуют следующим образом, Шлиф исследуемого твердого тела облучают сканирующим электронным зондом рентгеноспектрального микроанализатора, который расфокусируют по заданному закону. Во время цикла облучения регистрируют...

Номер патента: 1098456

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, схем

...областях, легированных имплантацией сквозь нитридную маску за счет того, что бор с энергией 30-40 кэВ практически не проходит через маску 0,23-0,35 мкм (средний про 40 45 5 О 55 бег 0,1 - 0,14 мкм), а бор с энергией 100 - 150 кэ В (средний пробег 0,32 - 0,45 мкм) почти не задерживается этим маскирующим слоем.Имплантация через сквозные окна в первой и вто 2 оой масках бором с дозой 300- 600 мкКл/см позволяет полУчить области с уровнем легирования более 5.10 1/см, причем повышение дозы более 600 мкКл/см нерационально в связи с резким повышением времени легирования и повышением дефектности имплантированных слоев, Имплантация бора через окна второй маски сквозь первую маску с дозой 100 - 200 мкКл/см позволяет получить оптимальные для...