G11C 13/02 — с использованием элементов, работа которых зависит от химических изменений

Номер патента: 131139

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Назаров, Петров

МПК: G11C 13/02

Метки: запоминающий, элемент

...с твердой фазой, раствор сернокислого цинка с небольшой примесью закисной сернокислой ртути),Работа предлагаемого запоминающего элемента основана на исполь зовании явления изменения потенциала электрода, находящегося в растворе электролита, при подаче на него кратковременного электрического импульса.Запоминающий элемент имеет два устойчивых состояния: состояние 1 (если на вход был подан импульс напряжения) и состояние 0 (если импульса подано не было). Эти два состояния различаются по величине, возникасщсй на выходе э.д.с., и могут быть считаны. Для записи информации импульс напряжения подается плюсом на цинковый электрод 1, а минусом на рабочий электрод 2. На рабочем электроде начинает осаждаться цинк; в результате постоянно...

Номер патента: 217052

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Кассациер, Поль

МПК: G06G 7/60, G11C 13/02

Метки: адаптивный, мемйсторах, памяти, элемент

...амплитуде токи считывания, Величины сопротивлений резисторов 3 и 4 выбирают также равными. Величина сопротивления резистора 5 10 много меньше величины сопротивлений резисторов 3 и 4. При этих условиях амплитуда тока через суммирующее сопротивление будет пропорциональна разности сопротивлений мемисторов М и М,. При любом фиксирован ном значении разности сопротивлений мемисторон схема умножает входной сигнал (сиг.нал считывания на клеммах К - К. - К.,) на значение веса, хранимого в этой ячейке и реализованного в виде разности сопротивлений 20 мемисторов. Для изменения этой разности,т. е. веса, на клеммы К, и К; подается постоянное напряжение управления той или иной полярности. Амплитуда и время действия этого напряжения определяют...

Номер патента: 334594

Опубликовано: 01.01.1972

МПК: G11C 13/02

Метки: 334594

...ЭПД. Наличие у диодов селективности к номеам освобождает от необходимости решения вопросов повышения номеоустойчивости ЭП семными и другими способами,На чертеже показан предложенный элемент памяти.Элемент памяти содержит лва послеловательно и согласно соедпненныэлетстропмпческипереключающпдиода ЭПД и ЭПД 2, источник питания Е со средней точкой и лва резистора Р, и Р,. Резистор Л, подключен между водной клеммоп семы и точкой соединения диодов ЭПД, а резистор 1 о - между выходной клеммой и точкой соединения диодов ЭПД. Средняя точка источника питания Е - общая точка для водной и выолной цепи ЭП, соединена с шиной пулевого потенци ала.Напрякение Е смешения ЭПД и сопротивления резисторов Р, и Л выбираются так, чтобы один из ЭПД наоднлся...

Номер патента: 646372

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Куссуль, Малецкий, Фоменко

МПК: G11C 13/02

Метки: записи, информации, памяти, стирания, электрохимическом, элементе

...электролита,ф при этом происходит выделение его газовой фазы, удаление которой производят принудительной циркуляцией потока электролита;Такой способ может быть осуществлен устройством новой конструкции для записи и стирания информации в электрохимическом элементе памяти, содержащем корпус, разделенный на две полости, в одной из которых установлены электроды.Отличие устройства, позволяющее осуществить новый способ, состоит в том, что устройство снабжено капиллярными трубками и насосом, соединенным с полостями корпуса.На чертеже изображено устройство для .осуществления способа.Устройство содержит электроды 1 и электроизоляциоиный корпус 2, разделенный на две полости 3 и 4, соединенные между собой капилляром 5. Полость 4 сообщается с...

Номер патента: 1142860

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Аристархова, Волков

МПК: G11C 13/02

Метки: запоминающей, трубки, экран, электронно-лучевой

...добомбардировки и больше работ выхода Рф дщ пробомбардированнойповерхности Уф Ю Ур ацЕ, тоосвещение поверхности матрицы вызывает эмиссию только с пробомбардированных участков. Величина фото 1142860тельно, работоспособным экран является при работе выхода е 9,1,9 эВ.В зависимости от дозы облученияэлектронами изменение работы выходаповерхности смеси окислов барияи стронция с работой выхода по полному току е 1,=1,7 эВ имеет растущийхарактер и достигает насыщения придозах 10 -10 ат/см . Абсолютная ве 1 16личина работы выхода уменьшается(фиг. 4). Величина тока фотоэмиссиипри освещении белым светом увеличивается почти на порядок,Обогащение поверхности атомамибария при электронной бомбардировкеподтверждено методом спектроскопииобратно...

Номер патента: 1397971

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Антонов, Быковский, Ларкин, Шеляков

МПК: G09F 9/00, G11C 13/02

Метки: транспарант, управляемый

...в материале шторки,При этом непрозрачная шторка принимает Г-образную форму (закрытое состояние), перекрывает соответствующее отверстие, не перекрываясь с соседними шторками, и излучение через последнее не проходит, При снятии управляющего электрического сигнала шторка возвращается в исходное открытое состояние. Время нахождения шторки в закрытом состоянии определяется мощностью и длительностью управляю" щего сигнала. Таким образом, распределение интенсивности модулируемого излучения после прохождения транспаранта определяется видом управляющего электрического сигнала, Управление транспарантом осуществляется либо мозаичным, либо матричным способом. При матричном управлении (фиг3) в отсутствии разрешающего сигнала на шинных драйверах...

Номер патента: 1464213

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Гаврилов, Михайлов

МПК: G11C 13/02

Метки: электретов

...вакуумный ввод 13, зона 14 разряда, источник 15 питания (НЧ или ВЧ генератор),Для проведения процесса формирования полимерной пленки в послесвечении СВЧ-разряда используют плазмохимический реактор, схема которого изображена на фиг. 2. На схеме (фиг. 2) показаны корпус 16 реактора, разрядная кварцевая трубка 17, волновод 18, фасонная подложка-электрод 19, крышка 20 реактора, патрубок 21 для откачки газов, столик 22.На фиг, 3 изображена зависимость поверхностного потенциала электрета от времени релаксации: 23 - зависимость для электрета из фторполимерной пленки, сформированной в ВЧ-разряде, 24 - зависимость для электрета из фторполимерной пленки, сформированной в послесвечении ВЧ-разряда,На верхний сплошной 7 и нижний сеточный 4...