Ковалдин

Номер патента: 1746154

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Ковалдин, Трофименко

МПК: F24J 2/22

Метки: коллектор, солнечный

...одной непрозрачной гофрированной панели наддругой, что препятствует теплообмену излучением между второй панелью и Солнцем, г это приводит к незначительному нагреву нижней панели и, соответственно, низкому подогреву теплоносителя, который омывает панель. Цель изобретения - интенсификация нагрева теплоносителя,Поставленная цель достигается тем, что в солнечном коллекторе, содержащем корпус с прозрачной верхней стенкой, гофрированный поглотитель, установленный относительно верхней стенки и дна корпуса с зазорами, образующими сообщающиеся между собой каналы для теплоносителя, нижняя сторона верхней стенки выполнена гофрированной, дно корпуса - поглощающим, а в каждой впадинеи гребне поглотителя выполнены отверстия, при этом впадины и...

Номер патента: 1539995

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Ахмеджанов, Гафаров, Ковалдин, Подопригора, Сеничкин

МПК: H03K 19/094

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь

...каскада 1 с тремя состояниями закрыты. Выходная шина 9 устройства на10 5 15399ходится при этом в третьем состоянии.Переключение выходной шины 9 устройства из одного логического сос 5тояния в другое производится эасчет перехода через промежуточноесреднее значение, когда логическийблок 8 обеспечивает гретье состояние.Влок 3 управления совместно сблоком 2 восстановления уровней служит для подготовки переключениявыходной шины 9 устройства, Времяпереключения, т.е. время перезарядаэквивалентного конденсатора 23, пропорционально перепаду напряжений навыходной шине 9 устройства при переходе из одного логического состоянияв другое, который примерно равен 20напряжению питания.Принцип действия устройства основан на том, чтобы во время, при...

Номер патента: 1476599

Опубликовано: 30.04.1989

Авторы: Гафаров, Ковалдин, Насонов, Титов

МПК: H03K 5/159

Метки: импульсов, формирователь

...уровень 0, Инвертор8 инвертирует "1" (фиг,2 г), поступающую на, его вход с выхода элементаИЛИ-НЕ 2 и устанавливает на второмвходе элемента И-НЕ 1 уровень "0".6599 5 О 5 20 25 30 35 40 45 50 55 2При переключении сигналов ца входных шинах 3 и 4 формирователя цзуровня цОц в ц" первоначально состояние на выходе элемента И-НЕ 1не изменяется и выходной инвертор5 остается закрытым по первому входу.На выходе элемента ИЛИ-НЕ 2 устанавливается уровень 0 и закрывает выходной инвертор 5 по второму входу,Инвертор 8 инвертирует "0", поступающий на его вход и устанавливает навтором входе элемента И-НЕ 1 уровень11 ц1 , При этом на выходе элементаИ-НЕ 1 устанавливается уровень "0",открывающий выходной инвертор 5 попервому входу, На выходной шине...

Номер патента: 1417042

Опубликовано: 15.08.1988

Авторы: Гафаров, Ковалдин, Насонов, Титов

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, резервированием

...выборки элементов памяти при записи происходит аналогично, данные с входа/выхода данных ЗУ поступают на входы/выходы основного и резервного накопителей и записываются в выбранные элементы памяти.При изменении любого адресного сигнала на входах 10. ЗУ на выходе детектора 8 смены адреса появляется кратковременный импульс смены адреса, имеющий логический уровень, на выхо" дах элементов И 11 формируется уровень сигнала, запрещающий работу дешифратора 4 и выбор элементов памяти из основного и резервного накопителей., независимо от логических уровней сигналов на вторых входах элементов И 11 (фиг,2 д,е) . Таким образом, при смене адресных сигналов на входах ЗУ происходит кратковременный запрет обращения к накопителям,...

Номер патента: 1408459

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Гафаров, Ковалдин, Насонов, Титов

МПК: G11C 29/00

Метки: адреса, блоках, выборки, памяти, резервированием

...на информационных,входах б устройства, на одном из ре,зервных выходов 8 устройства появля,ется сигнал выбора (логическая "1"),на выходах элементов ИЛИ-НЕ 3 и 4 фор-,мируются сигналы, запрещающие работудешифратора 1, так как на входах 10,дешифратора устанавливается комбинация сигналов логического "О", котораяявляется запрещенной, на основнык40адресных выходах 7 устройства не происходит формирования сигнала выбора.При несовпадении резервного адреса,хранимого в блоке 2, с входными адресными сигналами логического "О" на выходах элементов ИЛИ-НЕ 3 и 4 формиру 45ются сигналы с противоположными логическими состояниями, которые являются разрешенными для дешифратора 1;устройство выборки адреса функционирует так же, как и в случае, когла...

Номер патента: 1378030

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Гафаров, Ковалдин, Насонов, Титов

МПК: H03K 17/687, H03K 19/094, H03K 5/02 ...

Метки: импульсов, преобразованием, сигналов, уровней, формирователь

...При подаче на входную шину 12 устройства сигнала высокого логического уровня не менее 2,4 В для ТТЛ источника сигналов) на выходе 13 первого КМДП-инвертора 1 устанавливается низкий потенциал, который меньше, чем пороговое напряжение МДП-транзисторов и-типа. В результате МДП-транзистор 6 и-типа закрывается, на выходе 10 второго КМДП-инвертора 2 формируется сигнал высокого уровня, а третий МДП-транзистор 5 р-типа открывается. Емкость затвора первого МДП-транзистора 3 р-типа через третий МДП-транзистор 5 р-типа заряжается до напряжения, равного напряжению на выходе 10 второго КМДП- инвертора 2. Это напряжение равно напряжению на шине 8 питания за вычетом порогового напряжения второго МДП-транзистора 4 р-типа, Поскольку пороговое напряжение...

Номер патента: 1223357

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Баринов, Ковалдин, Онацко

МПК: H03K 19/09

Метки: логический, элемент

...параметров исРследуемого ЛЭ, где К - коэффициент объединения по входу ЛЭ в реальной логической схеме.Поскольку к шинам питания могут подключаться как генераторы тока, так и генераторы напряжения, возможны четыре различных режима питания ЛЭ: когда обе шины питания подключены к генераторам тока: когда одна из шин питания подключена к генератору тока, а другая - к генератору напряжения, когда обе шины питания подключены к генераторам напряжения,.Рассмотрим режим, когда обе шины питания подключены к генераторам тока (фиг.З). Если исследуемый ЛЭ 16 находится во включенном состоянии,то транзисторы 1,5 и 7 работают в насыщенном режиме. При этом потенциал на входе 4 соответствует высокому логическому уровню (уровню логической "1") и равен...

Номер патента: 1111204

Опубликовано: 30.08.1984

Авторы: Баринов, Ковалдин, Онацко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, оперативное

...входом блока внутреннейрегенерации, база пятого и-р-и-транзистора является четвертым входомблока внутренней регенерации,На фиг, 1 представлена структурная 1 55схема ОЗУ; на фиг. 2 - принципиальная электрическая схема блока внутренней регенерации. 4ОЗУ содержит матричный накопитель1, словарные шины 2, разрядные шины3, дешифратор 4 строк, дешифратор 5столбцов, разрядные усилители считывания 6, выходной усилитель 7,блок 8 выбора кристалла, блок внутренней регенерации 9,Блок внутренней регенерации 9содержит первый и второй и-р-и-транзисторы соответственно 10 и 11, источники положительного напряжения12 и 13 для и-р-п-транзисторов 10и 11, первый и второй генераторытока соответственно 14 и 15, двухэмиттерный п-р-и-транзистор 16, первый...

Номер патента: 1034182

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Баринов, Ковалдин, Онацко, Подопригора

МПК: H03K 17/0416

Метки: импульсный, источник

...транзистора и базами одного или нескольких выходных транзисторов, коллекторы которых подключены к выходам, а эмиттеры соединены с эмиттером ограничивающего тран зистора и общей шиной, введены диод и ускоряющий транзистор, коллектор которого соединен с управляющий входом, эмиттер - с базами выходных транзисторов, а база - с катодом 65 диода, анод которого соединен с источником опорного напряжения.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема импуль-.сного источника тока.Импульсный источник тока содержит резистор 1,один вывод которогосоединен с управляющим входом 2 иколлектором ускоряющего транзистора 3, а другой - с базой и коллектором ограничивающего транзистора 4, эмиттером транзистора 3 и базами одного или нескольких...

Номер патента: 1034181

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Баринов, Ковалдин, Онацко, Подопригора

МПК: H03K 17/0416

Метки: импульсный, источник

...входом, один.или несколько выходныхтранзисторов, коллекторы которыхподключены к выходам, а эмиттерысоединены с общей шиной и эмиттеромограничивающего транзистора, введены три диода и ускоряющий транэис"тор, коллектор которого соединен суправляющим входом, база " с като,дом первого диода, анод которогосоединен с источником опорного нап ряжения, эмиттер - с базами выходных трайзисторов и катодом второгодиода, анод которого соединен с вторым выводом резистора и анодом третьего диода, катод которого соединен с базой и коллектором ограничивающего транзистора.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого источника тока.Импульсный источник тока содержит резистор 1, один вывод которогосоединен с коллектором...

Номер патента: 991508

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Баринов, Кимарский, Ковалдин, Кузовлев, Черняк

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...сегментов созданы коллекторные области Пф-типа проводимОсти 14 и 15 а Скрытый слОЙ Являсфф" 3 р ется общим для двух сегментов и соединенадресной шиной 18. База одного . сегмента соединена с коллекторной областью другого и наоборот. Инжекторы соединены с разрядными шинами 17 и 18. 5 На коллекторных областях каждого сегмента сформированы высоколегированные поликремниевые области р -типа проводимости 19 и 20, причем поликремниевая область одного сегмента соединенас инжектором противоположного и наоборот. Области 19, 14, 12 и 20, 15, 13 образуют "паразитныеф р -М -р тран-ф эисторы .21 и 22 соответственно.Элемент памяти работает следующим образом. 45В режиме считывания информации равные токи считывания 10 вытекают иэ разрядных шин 17 и 18 в...

Номер патента: 978328

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Баринов, Ковалдин, Королев, Парменов, Шевяков

МПК: H03K 3/286

Метки: памяти, элемент

...6 практически отсутствует, так как напряжение на диоде равно напряжению между коллектором и эмиттером насышенного транзистора 3 и меньше граничного напряжения отпирания диода Шоттки Мщ . Таким образом, практически весь ток считывания 1 Ф из шины 10 протекает через на/сышенныа транзистор 3, а ток считывания 1 из шины 9 распределяется между транзистором 4, работающим в нормальном активном режиме, и открытым диодом 5, Полезный сигнал считывания (разность потенциалов на шинах) вознихает за счет разности токов эмиттеров диодов р -и-р транзисторов и равен полезный сигнал считывания(разность потенциалов на шинах 9 и 10)темпе ратурный потенциал;нормальный коэффициент усиления. по току и- р- и транзисторов в схеме включения с обшей...

Номер патента: 955202

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Баринов, Кимарский, Ковалдин, Кузовлев, Орликовский, Черняк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, полупроводникового, устройства

...для полупроводникового запоминающего устройства.Поставленная цель достигаетсявведениемшунтирующих элементов, выполненных на диодах, аноды которых 5подключены к соответствующим разрядным шинам, а катодыявляются дополнительным управляющим входом наКопителя.На чертеже представлена блок-схема 0накопителя для полупроводникового запоминающего устройства.Накопитель содержит массив элемен.тов 1 памяти, соединенных адресными2 и разрядными 3 шинами, генераторы4 тока, управляющие элементы 5, вы. -полненные на транзисторах, шунтирующие элементы 6, выполненные на диодах,Схема работает следующим образом,В режиме хранения ток, задаваемыйгенераторами тока 4, равномерно распределяется между инжекторами всехэлементов памяти. В режиме считываниявыбор...

Номер патента: 942150

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Баринов, Кимарский, Ковалдин, Кузовлев, Орликовский, Черняк

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40

Метки: памяти, полупроводниковый, элемент

...которых соединены с эмиттерами транзисторов 4 и5, а катоды - с коллекторами.35Элемент памяти работает следующим образом.В режиме считывания информации равные токи считываниявтекают из разрядных шин б и 7 в элемент па 40 мяти. Предположим, что элемент памяти находится в состоянии, когда транзистор 5 насыщен и коллекторным током насыщает транзистор 1, Тогда транзистор 2 работает в нормальном45 активном режиме, но ток через него практически отсутствует, так как напряжение на-И-переходе эмиттербаза этого транзистора равно напряжению между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора 1. Транзистор 4 также работает в нормапьном активном режиме. Ток через диод 9 практически отсутствует, так как напряжение на диоде равно напряжению между...