Патенты с меткой «обучающаяся»

Обучающаяся структура

Загрузка...

Номер патента: 596942

Опубликовано: 05.03.1978

Автор: Пак

МПК: G06F 15/173, G06F 17/00

Метки: обучающаяся, структура

...Постоянная времени его управляется с блока АЗУ 18.Разностное напряжение с блока 14 сравнения преобразовывается в частоту импульсов и через формирователь 24 стандартных импульсов поступает на сигнальный выход элемента.Во втором интеграторе 17 происходит накопление частоты периодической активации элемента, который с увеличением числа мощных серий импульсации элемента (активности данного 10 элемента в сети), увеличивает заряд, накапливающийся в запоминающем устройстве блока АЗУ 18. Соответственно оно увеличивает коэффициент усиления усилителя 20, становится жестче режим выделения каналов с максимальными сигналами.15Так происходит обучение элемента, когда покоммутирующей шине 22 поступает потенциал + Е и блок АЗУ 18 находится в...

Обучающаяся матричная структура

Загрузка...

Номер патента: 662970

Опубликовано: 15.05.1979

Авторы: Домин, Мазо, Раев

МПК: G11C 11/14

Метки: матричная, обучающаяся, структура

...который обеспечивает, импульс поля Н по ОЛН. В этом случае в возбужденных магнитных пленках должно былобы произойти сползание ПМД на некоторую величину Ь 1 под действием полейНи Н т . Однако ввиду того, что наверхнюю (нижнюю) тонкую магнитную "пленку действует помимо поля Н г некоторое.дополнительное полеЬ Н,со стороны шинывозбуждения верхней (нижней) тонкоймагнитной пленки, сползание ПМД происходит на величину Ь 1существеннобольшую, чем Ь 31 . Это объясняется значительной чувствительностью процессасползания к величине поля Н. На фиг. 3представленй экспериментальные зависимбСти ведйчиньт" продвижения"1 ПМД отчисла П импульсов пайя Н, для случаев,когда на тонкие магнитные пленки; 1) недействуют дополнительные поля со,стороны соседних...

Обучающаяся матрица

Загрузка...

Номер патента: 999106

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Домин, Мазо, Раев

МПК: G11C 11/14

Метки: матрица, обучающаяся

...происходит управляемое сползание доменных границ в тонких магнитных пленках и общее изменение в них суммарной намагниченности, которая отождествляется со значением записанной информации, Сползание доменных границ в ту или инуюсторону в тонких магнитных пленках 1(вправо или влево) определяется полярностью импульсов поля, и существует возможность направленного изменения в сторону увеличения или умень. 6 4щения общей суммарной намагниченности тонкой магнитной пленки. Если та или иная тонкая пленка находится под действием только переменного или только постоянного магнитного полей, то сползания доменной границы не происходит и, следовательно, хранимая в такой тонкой магнитной пленке информация остается без изменения.Считывание информации...